KR100641714B1 - 임계전류 저하가 최소화된 고온 초전도성분 연결방법 및제조품 - Google Patents
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Abstract
Description
샘플 ID | 길이(㎝) | 임계전류(A) (제로 비저항의 경우 1㎶/㎝ 기준을 사용) |
와이어길이 | 18620 | 28.1 |
제 1 지대 | 1960 | 27.7 |
제 2 지대 | 1960 | 30.5 |
제 3 지대 | 1960 | 29.5 |
제 4 지대 | 1960 | 29.3 |
제 5 지대 | 1960 | 28.5 |
제 6 지대 | 1960 | 27.7 |
제 7 지대 | 1960 | 27.1 |
제 8 지대 | 1960 | 27.3 |
제 9 지대 | 1960 | 29.1 |
제 10 지대 | 980 | 28.1 |
샘플 ID | 길이(㎝) | 임계전류(A) (제로 비저항의 경우 1㎶/㎝ 기준을 사용) |
와이어길이 | 18606 | 27.9 |
제 1 지대 | 1960 | 27.3 |
제 2 지대 | 1960 | 30.1 |
제 3 지대 | 1960 | 29.1 |
제 4 지대 | 1960 | 28.9 |
제 5 지대 | 1960 | 28.1 |
제 6 지대 | 1960 | 27.3 |
제 7 지대 | 1960 | 26.9 |
제 8 지대 | 1960 | 26.7 |
제 9 지대 | 1960 | 28.7 |
제 10 지대 | 980 | 27.7 |
트위스트전 | 트위스트 후 | ||
스플라이스 길이 | IC(A) (제로 비저항에 대해 1㎶/㎝ 기준을 사용) | IC(A) (제로 비저항에 대해 1㎶/㎝ 기준을 사용) | 보존율% |
없음 | 60.38 | 54.7 | 91 |
없음 | 60.998 | 57.2 | 94 |
없음 | 66.98 | 58.4 | 96 |
없음 | 58.77 | 56.6 | 96 |
5 ㎝ | 58.7 | 53.7 | 91 |
5 ㎝ | 60.58 | 57.8 | 95 |
5 ㎝ | 37.8 | 36 | 95 |
5 ㎝ | 43.8 | 42.6 | 97 |
트위스트 각도 | 최소 IC(A) (제로 비저항의 경우에 1㎶/㎝ 기준 사용) | 평균 IC 보존 |
12° | 25-52 | 96 |
16° | 21-49 | 96 |
20° | 34-58 | 93 |
24° | 30-53 | 92 |
Claims (32)
- 제 1 및 제 2 단부를 갖는 제 1 고온 초전도 성분; 일부가 제 1 고온 초전도 성분의 적어도 일부에 부착된 제 1 땜납재료층;땜납층 부위에 적어도 일부가 부착되며 제 1 및 제 2 단부를 갖는 제 2 고온 초전도 성분;제 1 및 제 2 고온 초전도 성분에 연결된 보호층을 포함한 고온 초전도 제품에 있어서,땜납 재료에 부착된 제 1 고온 초전도 성분의 일부와 땜납 재료에 부착된 제 2 고온 초전도 성분의 일부가 제 1 및 제 2 고온 초전도 성분의 임계 전류의 80% 이상인 임계 전류를 갖는 중첩 세그멘트를 형성하고, 중첩 세그멘트 길이의 100배 이상인 제품 길이에 걸쳐서 중첩 세그멘트 임계 전류는 1㎶/㎝ 기준을 사용하여 측정됨을 특징으로하는 고온 초전도 제품.
- 제 1 항에 있어서, 중첩 세그멘트가 제 1 및 제 2 고온 초전도 성분 임계 전류의 85% 이상인 임계 전류를 가짐을 특징으로 하는 제품.
- 제 1 항에 있어서, 중첩 세그멘트가 제 1 및 제 2 고온 초전도 성분 임계 전류의 90% 이상인 임계 전류를 가짐을 특징으로 하는 제품.
- 제 1 항에 있어서, 중첩 세그멘트가 제 1 및 제 2 고온 초전도 성분 임계 전류의 95% 이상인 임계 전류를 가짐을 특징으로 하는 제품.
- 제 1 항에 있어서, 중첩 세그멘트가 제 1 및 제 2 고온 초전도 성분 임계 전류의 99% 이상인 임계 전류를 가짐을 특징으로 하는 제품.
- 제 1 항에 있어서, 제 1 및 제 2 고온 초전도 성분이 동일 재료로 구성됨을 특징으로 하는 제품.
- 제 1 항에 있어서, 제 1 고온 초전도 성분의 제 1 단부가 삼각형 단부를 가짐을 특징으로 하는 제품.
- 제 7 항에 있어서, 제 2 고온 초전도 성분의 제 1 단부가 삼각형 단부를 가짐을 특징으로 하는 제품.
- 제 8 항에 있어서, 제 1 및 제 2 고온 초전도 성분의 제 1 단부가 중첩 세그멘트 길이를 형성함을 특징으로 하는 제품.
- 제 1 항에 있어서, 제 1 고온 초전도 성분의 제 1 단부가 대각선 단부를 가짐을 특징으로 하는 제품.
- 제 10 항에 있어서, 제 2 초전도 성분의 제 1 단부가 대각선 단부를 가짐을 특징으로 하는 제품.
- 제 11 항에 있어서, 제 1 및 제 2 고온 초전도 성분의 제 1 단부가 중첩 세그멘트 길이를 형성함을 특징으로 하는 제품.
- 제 1 항에 있어서, 제 1 초전도 성분의 제 1 단부가 역삼각형 단부를 가짐을 특징으로 하는 제품.
- 제 13 항에 있어서, 제 2 초전도 성분의 제 1 단부가 역삼각형 단부를 가짐을 특징으로 하는 제품.
- 제 14 항에 있어서, 제 1 및 제 2 고온 초전도 성분의 제 1 단부가 중첩 세그멘트 길이를 형성함을 특징으로 하는 제품.
- 제 1 항에 있어서, 스테인레스강, 구리, 구리-베릴륨 합금, 니켈 기초 초합금, 니켈-철 기초 초합금에서 선택된 보호층을 포함함을 특징으로 하는 제품.
- 제 1 항에 있어서, 제 1 및 제 2 고온 초전도체가(Bi, Pb) SSCO 또는 YBCO 임을 특징으로 하는 제품.
- 제 1 항에 있어서, 보호층이 제2 땜납 재료에 의해 부착됨을 특징으로 하는 제품.
- 제 18 항에 있어서, 제 2 땜납 재료가 제 1 땜납 재료보다 낮은 용융점을 가짐을 특징으로 하는 제품.
- 제 1 및 제 2 단부를 갖는 제 1 고온 초전도 성분을 제공하고;제 1 및 제 2 단부를 갖는 제 2 고온 초전도 성분을 제공하고;제 1 및 제 2 고온 초전도 성분에 땜납층을 처리하여 조인트를 형성하고;제 1 및 제 2 고온 초전도 성분에 보호층을 처리하는 단계를 포함하는 고온 초전도 성분 연결 방법에 있어서;땜납 재료에 부착된 제 1 고온 초전도 성분의 일부와 땜납 재료에 부착된 제 2 고온 초전도 성분의 일부가 제 1 및 제 2 고온 초전도 성분의 임계 전류의 80% 이상인 임계 전류를 갖는 중첩 세그멘트를 형성하고, 중첩 세그멘트 길이의 100배 이상인 제품 길이에 걸쳐서 중첩 세그멘트 임계 전류는 1㎶/㎝ 기준을 사용하여 측정됨을 특징으로 하는 연결방법.
- 제 20 항에 있어서, 중첩 세그멘트가 제 1 및 제 2 고온 초전도 성분 임계 전류의 85% 이상인 임계 전류를 가짐을 특징으로 하는 방법.
- 제 20 항에 있어서, 중첩 세그멘트가 제 1 및 제 2 고온 초전도 성분 임계 전류의 90% 이상인 임계 전류를 가짐을 특징으로 하는 방법.
- 제 20 항에 있어서, 중첩 세그멘트가 제 1 및 제 2 고온 초전도 성분 임계 전류의 95% 이상인 임계 전류를 가짐을 특징으로 하는 방법.
- 제 20 항에 있어서, 중첩 세그멘트가 제 1 및 제 2 고온 초전도 성분 임계 전류의 99% 이상인 임계 전류를 가짐을 특징으로 하는 방법.
- 제 20 항에 있어서, 제 1 고온 초전도 성분의 제 1 단부가 삼각형 단부를 가짐을 특징으로 하는 방법.
- 제 25 항에 있어서, 제 2 고온 초전도 성분의 제 1 단부가 삼각형 단부를 가짐을 특징으로 하는 방법.
- 제 20 항에 있어서, 제 1 고온 초전도 성분의 제 1 단부가 대각선 단부를 가짐을 특징으로 하는 방법.
- 제 27 항에 있어서, 제 2 초전도 성분의 제 1 단부가 대각선 단부를 가짐을 특징으로 하는 방법.
- 제 20 항에 있어서, 제 1 초전도 성분의 제 1 단부가 역삼각형 단부를 가짐을 특징으로 하는 방법.
- 제 29 항에 있어서, 제 2 초전도 성분의 제 1 단부가 역삼각형 단부를 가짐을 특징으로 하는 방법.
- 제 20 항에 있어서, 보호층이 제2 땜납 재료에 의해 부착됨을 특징으로 하는 방법.
- 제 31 항에 있어서, 제 2 땜납 재료가 제 1 땜납 재료보다 낮은 용융점을 가짐을 특징으로 하는 방법.
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