KR100634271B1 - 액정 표시 장치, 트랜지스터, 및 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

박막 트랜지스터 등 특성의 불균일이 큰 회로 소자를 사용하여 액정 표시 장치의 구동 회로, 특히 아날로그 동작을 하는 비디오 라인의 스위치부나 입력 전압 변환 회로 등을 구성한 경우, 그 소자 특성의 불균일의 영향이 크기 때문에, 비디오 신호 스위치부에 기인하여 화질의 열화(劣化)로서 나타나, 입력 전압 변환 회로에 있어서는 회로 동작의 불량을 발생시키는 한 요인이 된다. 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치에 있어서, 절연 내압(耐壓)으로 결정되는 최단 게이트의 길이를 L이라고 하고, 이 최단 게이트 길이 L을 기초로, 사용 목적에 따른 W/L로부터 결정되는 게이트 폭을 W로 할 때, 각 화소를 구동하는 구동 회로, 특히 아날로그 신호를 취급하는 회로 부분을 구성하는 회로 소자로서, 게이트 길이 및 게이트 폭이 각각 예를 들면 2배(2L, 2W)인 트랜지스터 사이즈의 박막 트랜지스터를 사용한다.
액정 표시 장치, 최단 게이트 길이 L, 게이트 폭, 구동 회로, 아날로그 신호.

Description

액정 표시 장치, 트랜지스터, 및 표시 장치 {LIQUID-CRYSTAL DISPLAY APPARATUS, TRANSISTOR, AND DISPLAY APPARATUS}
도 1은 본 발명이 적용되는 액티브 매트릭스(active-matrix)형 액정 표시 장치의 일예를 나타낸 개략 구성도.
도 2는 레벨 변환 회로의 회로 구성의 일예를 나타낸 회로도.
도 3은 트랜지스터 사이즈를 나타낸 도면이며, (A)는 종래 사이즈의 트랜지스터의 경우를, (B)는 본 실시 형태에 의한 사이즈의 트랜지스터의 경우를 각각 나타내고 있음.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
11: 레벨 변환 회로, 12: 수평 구동 회로, 13: 수직 구동 회로, 14-1∼14-n: 신호선, 15-1∼15-n: 아날로그 스위치, 16-1, 16-2: 게이트선, 17: 박막 트랜지스터(TFT), 18: 액정셀.
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것이며, 특히 박막 트랜지스터(TFT; thin film transistor) 등 특성의 불균일이 큰 회로 소자를 사용하여 구성되는 액정 표 시 장치의 구동 회로에 관한 것이다.
액정 표시 장치는, 특히 액티브 소자로서 박막 트랜지스터를 사용하여 구성된 화소가 매트릭스형으로 배치되어 이루어지는 액티브 매트릭스(active-matrix)형 액정 패널에, 각 화소를 구동하는 구동 회로가 일체적으로 내장된 이른바 구동 회로 일체형(집적형) 액정 표시 장치에서는 그 구성 상, 구동 회로 자체도 박막 트랜지스터를 사용하여 제작된다.
그런데, 박막 트랜지스터는 일반적으로, 실리콘 결정립(結晶粒)의 거칠음, 즉 결정립의 크기가 균일하지 않기 때문에, 이것이 원인이 되어 트랜지스터의 특성, 예를 들면 온(on) 전류 특성에 불균일을 발생시키게 된다.
이 박막 트랜지스터 등 특성의 불균일이 큰 회로 소자를 사용하여 액정 표시 장치의 구동 회로, 특히 아날로그 동작을 하는 비디오 라인의 스위치부나 입력 전압 변환 회로 등을 구성한 경우, 그 소자 특성의 불균일의 영향이 크기 때문에, 비디오 스위치부에 기인하여 수직선 등의 균일성 열화(劣化)로서 나타나, 입력 전압 변환 회로에서는 회로 동작의 불량을 발생하는 한 요인이 된다.
본 발명은 전술한 점을 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적으로 하는 바는 트랜지스터 특성의 불균일을 억제함으로써, 수율의 향상 및 화질의 향상을 가능하게 한 액정 표시 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 한 특징에 의한 액정 표시 장치는, 액정 표시 장치에 있어서, 화소 전극을 구비하는 화소부 및 상기 화소부를 구동하기 위한 구동 회로를 구비하는 구동부가 형성되는 제 1 기판; 제 1 기판과의 사이에 소정의 갭(간극)을 가진 상태로 제 1 기판과 대향하도록 배치된 2 기판; 및 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 유지되는 액정층을 포함하고, 화소부를 구동하기 위한 구동 회로로 구성되는 회로 소자가 게이트 길이 nL 및 게이트 폭 nW를 구비하는 트랜지스터를 포함하되, n은 1보다 큰 임의의 수이고, L은 절연 내압(dielectric strength)으로부터 결정되는 최단 게이트 길이를 표시하며, W는 상기 최단 게이트 길이 L에 따라 W/L의 소정 비율로부터 결정되는 게이트 폭을 나타내는 구성으로 되어 있다.
본 발명의 다른 특징에 의한 액정 표시 장치는, 기판; 상기 기판 상의 채널 영역; 기판 상의 게이트 절연막; 기판 상에서 소스 전극을 구비한 소스 영역; 기판 상에서 드레인 전극을 구비한 드레인 영역; 및 기판 상의 게이트 전극―여기서 게이트 전극은 게이트 길이 nL 및 게이트 폭 nW를 구비하되, n은 1보다 큰 임의의 수이고, L은 절연 내압(dielectric strength)으로부터 결정되는 최단 게이트 길이를 표시하며, W는 최단 게이트 길이 L에 따라 W/L의 소정 비율로부터 결정되는 게이트 폭을 나타냄―을 포함하는 구성으로 되어 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의한 액정 표시 장치는, 기판; 기판의 화소부; 및 기판상의 화소부를 구동하기 위한 구동 회로를 구비하는 구동부를 포함하고, 화소부를 구동하기 위한 구동 회로로 구성되는 회로 소자가 게이트 길이 nL 및 게이트 폭 nW를 구비하는 트랜지스터를 포함하되, n은 1보다 큰 임의의 수이고, L은 절연 내압(dielectric strength)으로부터 결정되는 최단 게이트 길이를 표시하며, W는 최단 게이트 길이 L에 따라 W/L의 소정 비율로부터 결정되는 게이트 폭을 나타내는 구성으로 되어 있다.
이러한 구성의 액정 표시 장치에 있어서, 트랜지스터의 게이트 길이는 절연 내압에 의해 결정되고, 일반적으로 회로 규모의 축소화를 목적으로 하여 트랜지스터 사이즈를 작게 하기 위해, 먼저 절연 내압으로 결정되는 최단 게이트 길이 L이 설정된다. 그리고, 최단 게이트 길이 L을 기초로 하여, 사용 목적에 따른 W/L(게이트 폭/게이트 길이)로부터 게이트 폭 W가 설정된다.
이에 대하여, W/L을 일정하게 한 채, 게이트 길이 및 게이트 폭을 각각 n배로 한 트랜지스터 사이즈를 설정한다. 이와 같은 트랜지스터 사이즈의 설정에 의해, 트랜지스터의 게이트 전극 아래의 면적이 넓어지기 때문에, 실리콘의 결정립 크기의 불균일을 흡수할 수 있다. 이에 따라, 트랜지스터의 온 전류를 변화시키지 않고, 트랜지스터 특성의 불균일을 억제할 수 있다.
다음에, 본 발명의 실시 형태에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 도 1은 본 발명이 적용되는 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치의 일예를 나타낸 개략 구성도이다.
도 1에서, 주변의 구동계(도시하지 않음)로부터는, 예를 들면 5 Vp-p의 클록계가 레벨 변환 회로(11)에 입력된다. 클록계로서는 수평 구동계의 수평 스타트 펄스 HST 및 제1, 제2 수평 클록 펄스 HCK1, HCK2와, 수직 구동계의 수직 스타트 펄스 VST 및 제1, 제2 수직 클록 펄스 VCK1, VCK2가 주어진다. 레벨 변환 회로(11)는 주변의 구동계와 매칭하기 위해 5 Vp-p의 클록 레벨을, 예를 들면 15 Vp-p의 클록 레벨로 레벨 변환한다.
이 레벨 변환 회로(11)에서 15 Vp-p로 레벨 변환된 수평 구동계의 수평 스타트 펄스 HST' 및 제1, 제2 수평 클록 펄스 HCK1', HCK2'는 시프트 레지스터(shift register) 등에 의해 구성되는 수평 구동 회로(12)에 공급되고, 마찬가지로, 수직 구동계의 수직 스타트 펄스 VST' 및 제1, 제2 수직 클록 펄스 VCK1', VCK2'는 시프트 레지스터 등에 의해 구성되는 수직 구동 회로(13)에 공급된다.
수평 구동 회로(12)는 수평 스타트 펄스 HST' 및 제1, 제2 수평 클록 펄스 HCK1', HCK2'에 따라, 수평 주사 펄스를 차례로 발생한다. 이 수평 주사 펄스는 수직 화소열마다 배치된 n개의 신호선(14-1, 14-2, …, 14-n)에 비디오 신호를 공급하는 아날로스 스위치(15-1, 15-2, …, 15-n)의 각 게이트에 차례로 주어진다. 아날로그 스위치(15-1, 15-2, …, 15-n)는 박막 트랜지스터에 의해 구성된다.
수직 구동 회로(13)는 수직 스타트 펄스 VST' 및 제2 수직 클록 펄스 VCK1', VCK2'에 따라, 수직 주사 펄스를 차례로 발생한다. 이 수직 주사 펄스는 수평 화소열마다 배치된 m개의 게이트선(16-1, 16-2, …, 16-m)에 차례로 주어진다.
행렬형으로 배선된 n개의 신호선(14-1∼14-n)과 m개의 게이트선(16-1∼16-m)과의 각 교점(交點) 부분에는 박막 트랜지스터(17)가 배설되어 있다. 그리고, 박막 트랜지스터(17)의 소스 전극이 신호선(15-1∼14-n)에, 게이트 전극이 게이트선(16-1∼16-m)에 각각 접속되어 있다. 또, 박막 트랜지스터(17)의 드레인 전극은 매트릭스형으로 배치된 액정 셀(화소)(18)의 각 투명 화소 전극에 접속되어 있다.
도 2에, 레벨 변환 회로(11)의 회로 구성의 일예를 나타냈다. 이 레벨 변환 회로(11)는 초퍼형(chopper-type) 비교 회로에 의한 회로 구성으로 되어 있으며, 그 회로 소자로서 박막 트랜지스터(TFT)가 사용되고 있다.
도 2에서, 예를 들면 15 V의 전원 VDD와 그라운드의 사이에 직렬로 접속된 p채널 TFT Qp11 및 n채널 TFT Qn11에 의해 CMOS 인버터(21)가 구성되어 있다. 이 CMOS 인버터(21)의 게이트 공통 접속점과 회로 입력 단자(22)의 사이에는, DC 콘덴서(23)가 접속되어 있다.
또, CMOS 인버터(21)의 게이트 공통 접속점과 드레인 공통 접속점의 사이에는 p채널 TFT Qp12가 리셋용 스위치 소자로서 접속되어 있다. 이 리셋용 p채널 TFT Qp12는 그 게이트 전극에 회로 입력 단자(22)를 통해 입력 신호가 주어지도록 되어 있고, 이에 따라 당해 입력 신호에 따라 그 역위상(逆位相)으로 켜짐(오프), 꺼짐(온)한다. CMOS 인버터(21)의 드레인 공통 접속점은 회로 출력 단자(24)에 접속되어 있다.
전술한 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치에 있어서는 그 구동 회로 중, 특히 아날로그 신호를 취급하는 회로 부분, 예를 들면 레벨 변환 회로(11)를 구성하는 회로 소자 및 아날로그 스위치(15-1∼15-n)로서 박막 트랜지스터가 사용되고 있다.
그런데, 트랜지스터의 게이트 길이는 절연 내압에 의해 결정된다. 일반적으로, 회로 규모를 작게 하기 위해서는 트랜지스터 사이즈를 작게 설계하게 되며, 그러므로 도 3 (A)에 나타낸 바와 같이, 절연 내압으로 결정되는 최단 게이트 길이 L 이 설정된다. 또, 이 최단 게이트 길이 L을 기초로 하여, 사용 목적에 따른 W/L로부터 게이트 폭 W가 설정되게 된다.
그런데, 일반적으로, 박막 트랜지스터는 실리콘의 결정립의 크기가 균일하지 않고, 이것이 원인이 되어 트랜지스터의 온 전류 특성에 불균일을 발생시킨다. 예를 들면, 레벨 변환 회로(11)에 있어서는, 회로 동작의 불량을 발생시키는 한 요인이 되고, 또 아날로그 스위치(15-1∼15-n)에서는 동작 불량에 기인하여 화질 열화로서 나타나게 된다.
이들의 문제점을 회피하기 위해, 본 실시 형태에서는 트랜지스터의 사이즈를 연구하고 있다. 즉, 도 3 (A)에 나타낸 바와 같이, 절연 내압으로 결정되는 최단 게이트 길이 L 및 이것을 기초로 하여 W/L로 결정되는 게이트 폭 W의 트랜지스터 사이즈에 대하여, 도 3 (B)에 나타낸 바와 같이, W/L을 일정하게 한 채, 게이트 길이 및 게이트 폭을 각각, 예를 들면 2배로 한 트랜지스터 사이즈를 설정한다.
이와 같이, 게이트 길이 및 게이트 폭을 각각 2배로 설정해도, W/L = 2W/2L이며, 트랜지스터의 능력으로서는 도 3 (A)에 나타낸 종래 사이즈의 트랜지스터와 거의 동일하다.
그런데, 게이트 길이 및 게이트 폭을 크게 한 쪽이 트랜지스터 사이즈는 커지지만, 이에 수반하여 게이트 전극 아래의 면적이 넓어지기 때문에, 실리콘의 결정립 크기의 불균일을 흡수할 수 있다. 이에 따라, 트랜지스터의 온 전류를 변화시키지 않고, 트랜지스터 특성의 불균일을 억제할 수 있다. 따라서, 트랜지스터의 오동작(誤動作)을 억제하는 것이 가능하게 된다.
그리고, 상기 실시 형태에서는 게이트 길이 및 게이트 폭을 각각 2배로 하기로 했지만, 2배에 한정되는 것이 아니고, 트랜지스터 특성을 안정시킬 필요 정도에 따라 n배(n은 1을 초과하는 임의의 수치)의 트랜지스터 사이즈로 설정하는 것이 가능하다. 다만, 게이트 길이 및 게이트 폭이 각각 2배 전후인 트랜지스터 사이즈를 설정함으로써, 바람직한 특성 결과가 얻어지고 있다.
또, 상기 실시 형태에 있어서는, 레벨 변환 회로(11)를 구성하는 회로 소자 및 아날로그 스위치(15-1∼15-n)에 적용한 경우에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고, 특히 아날로그 신호를 취급하는 회로 부분을 구성하는 회로 소자에 적용하여 유용한 것이다.
또한, 상기 실시 형태에서는 회로 소자로서 박막 트랜지스터를 사용한 경우에 대하여 설명했지만, 본 발명은 박막 트랜지스터에 한정되는 것이 아니고, 특성 불균일이 큰 트랜지스터 전반에 적용할 수 있는 것이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 절연 내압으로 결정되는 최단 게이트 길이 L, 이 최단 게이트 길이 L을 기초로, 소정의 W/L로 결정되는 게이트 폭을 W로 할 때, 각 화소를 구동하는 구동 회로를 구성하는 회로 소자로서, 게이트 길이가 nL, 게이트 폭이 nW(n은 1을 초과하는 임의의 수치)인 트랜지스터를 사용함으로써, 게이트 전극 아래의 면적이 넓어져, 실리콘의 결정립 크기의 불균일을 흡수할 수 있기 때문에, 트랜지스터의 특성을 향상시킬 수 있는 동시에, 수율의 향상 및 화질의 향상에 기여할 수 있게 된다.

Claims (16)

  1. 액정 표시 장치에 있어서,
    화소 전극을 구비하는 화소부 및 상기 화소부를 구동시키는 구동 회로를 구비하는 구동부가 형성되는 제 1 기판;
    상기 제 1 기판과의 사이에 소정의 갭(간극)을 가진 상태로 상기 제 1 기판과 대향하도록 배치되는 제 2 기판; 및
    상기 제 1 기판 및 제 2 기판 사이에 유지되는 액정층
    을 포함하고;
    상기 구동 회로는, n이 1보다 큰 임의의 정수이고, L이 요구되는 절연 내압을 계속해서 달성할 수 있는 최단 게이트 길이를 나타내며, W가 W/L의 소정 비율로부터 결정되는 게이트 폭을 나타내는 경우, nL의 게이트 길이와 nW의 게이트 폭을 갖는 트랜지스터를 구비하고;
    상기 n이 1을 초과하도록 설정하여, 평평하지 않은 실리콘 입자에 의해 유발되는 기능불량을 감소시키며;
    상기 구동 회로는 아날로그 신호를 처리하고 입력신호 레벨을 변환하기 위한 전압레벨 변환 회로로서 기능하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 구동 회로를 구성하는 회로 소자는 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터는 다결정 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 구동 회로는, 비디오 신호를, 화소열 단위로 화소에 선택적으로 전송하기 위한 스위칭 회로로서의 기능을 수행하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  5. 기판;
    상기 기판상의 채널 영역;
    상기 기판상의 게이트 절연막;
    상기 기판상에 소스 전극을 갖는 소스 영역;
    상기 기판상에 드레인 전극을 갖는 드레인 영역; 및
    상기 기판상에 형성되며, n이 1보다 큰 임의의 정수이고, L이 절연 내압으로부터 결정되는 최단 게이트 길이를 나타내며, W가 상기 최단 게이트 길이 L에 따라 W/L의 주어진 비율로부터 결정되는 게이트 폭을 나타내는 경우, nL의 게이트 길이와 nW의 게이트 폭을 갖는 게이트 전극
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 트랜지스터는 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터는 다결정 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
  8. 기판;
    상기 기판상의 화소부; 및
    상기 기판상에 상기 화소부를 구동시키는 구동 회로를 갖는 구동부
    를 구비하며,
    상기 화소부를 구동시키는 구동 회로를 구성하는 회로 소자는, n이 1보다 큰 임의의 정수이고, L이 요구되는 절연 내압을 계속해서 달성할 수 있는 최단 게이트 길이를 나타내며, W가 W/L의 소정 비율로부터 결정되는 게이트 폭을 나타내는 경우, nL의 게이트 길이와 nW의 게이트 폭을 갖는 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 구동 회로를 구성하는 회로 소자는 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터는 다결정 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 구동 회로는 아날로그 신호를 처리하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 구동 회로는 입력신호 레벨을 변환하기 위한 레벨 변환 회로로서 기능하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 구동 회로는, 비디오 신호를, 화소열 단위로 화소에 선택적으로 전송하기 위한 스위칭 회로로서 기능하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 화소부는 전계발광 소자로 이루어진 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 삭제
  16. 삭제
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