KR100604649B1 - 영구자석 시스템을 갖춘 캐소드를 구비한 스퍼터링 장치 - Google Patents
영구자석 시스템을 갖춘 캐소드를 구비한 스퍼터링 장치 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (5)
- 타겟의 스퍼터링 표면에서 먼 쪽의 타켓 측에 배치되어 자계를 생성하여 자계의 자력선이 스퍼터링 표면 위를 지나가고 그 표면을 투과하게 하는 영구자석 시스템에 의해 자력이 강화되며, 적어도 부분적으로는 스퍼터링 표면에 의해 이루어지는 캐소드를 구비하며, 전계를 생성하는 애노드가 캐소드와 간격을 두고 배치되며, 요크(9)를 통해 서로 연결된 상기 개별 자석들(5,5',...;6,6',...)의 두 세트가 각자 원형 또는 타원형의 완결체를 이루고 동축으로 배치되어 영구자석 시스템을 이루는, 스퍼터링 장치에 있어서,삽입물의 형상이 요크(9)의 형상에 맞게 끼워맞춰지고 단면이 바람직하게는 U자형을 이루어지고 강자성체로 되어 있는 삽입물(10)이 두 영구자석 세트(7, 8) 사이에 마련되며, 타겟(3)에서 먼 쪽의 삽입물(10) 배후면이, 두 영구자석 세트(7, 8)와 경계를 이루어 타겟(3)을 마주보는 자석 요크(9) 면에 대하여 놓여지며, U자형의 삽입물(10)의 두 레그가 각자 영구자석 세트(7, 8)와 일정한 간격(a, b)을 유지하며 타겟(3) 쪽으로 연장되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 타겟의 스퍼터링 표면에서 먼 쪽의 타켓 측에 배치되어 자계를 생성하여 자계의 자력선이 스퍼터링 표면 위를 지나가고 그 표면을 투과하게 하는 영구자석 시스템에 의해 자력이 강화되며, 적어도 부분적으로는 스퍼터링 표면에 의해 이루어지는 캐소드를 구비하며, 전계를 생성하는 애노드가 캐소드와 간격을 두고 배치되며, 요크(9)를 통해 서로 연결된 상기 개별 자석들(5,5',...;6,6',...)의 두 세트가 각자 원형 또는 타원형의 완결체를 이루고 동축으로 배치되어 영구자석 시스템을 이루는, 스퍼터링 장치에 있어서,영구자석 세트(7, 8)에서 먼 쪽의 타겟(3) 면이 서로 비스듬하게 연장되는 2개의 부분 표면(3a, 3b)으로 이루어지며, 이 두 부분 표면(3a, 3b)이 함께 만나 이루는 모서리(3c)가 영구자석들(5, 5', ...; 6, 6', ...)의 세트(7, 8)와 평행을 이루며, 자석 요크(15)와 자석 요크(15)를 마주보는 타겟(3) 면 사이에 강자성체로 된 삽입물(14)이 끼워지는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 안쪽에 있는 영구자석 세트(7)와 마주보는 삽입물(14)의 면은 타겟 표면에 대해 수직을 이루며, 바깥쪽에 있는 영구자석 세트(8)와 마주보는 삽입물(14)의 면은 요크(15)의 평면에 대하여 경사진 면(14a)으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 영구자석 세트(7, 8)의 개별 영구자석들(5, 5', ...; 6, 6', ...)은 직각 기둥, 바람직하게는 주사위 또는 직6면체로 형성되며, 이들의 바닥면과 측면이 타겟 표면에 대하여 비스듬하게 되어 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 강자성체로 된 삽입물(10, 14)은 평평한 둥근링 원통 형태를 보이거나 평평한 타원형 링으로 형성되며, 강자성체로 되어 타겟(3)을 마주보는 삽입물(10, 14)의 면에는 홈 또는 슬롯 형태의 함몰부(11, 16)가 두 영구자석 세트(7, 8)와 평형을 이루며 연장되어 형성되어 있으며, 홈(11, 16)의 경계를 반경 방향으로 이루고 삽입물(10, 14)의 두 부분 표면(10b,10c; 14b, 14c)은 실링을 통해 플레이트 또는 박막 단편(4)에 대하여 놓여지고, 이 플레이트 또는 박막 단편(4)은 타겟(3)과 삽입물(10, 14) 사이에 끼워져서 홈(11, 16)과 함께 냉각제 통로를 이루는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19836125.4 | 1998-08-10 | ||
DE19836125A DE19836125C2 (de) | 1998-08-10 | 1998-08-10 | Zerstäubungsvorrichtung mit einer Kathode mit Permanentmagnetanordnung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20000017180A KR20000017180A (ko) | 2000-03-25 |
KR100604649B1 true KR100604649B1 (ko) | 2006-07-25 |
Family
ID=7877040
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019990032490A KR100604649B1 (ko) | 1998-08-10 | 1999-08-09 | 영구자석 시스템을 갖춘 캐소드를 구비한 스퍼터링 장치 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6207028B1 (ko) |
EP (1) | EP0980090B1 (ko) |
JP (1) | JP4243388B2 (ko) |
KR (1) | KR100604649B1 (ko) |
CN (1) | CN100383276C (ko) |
AT (1) | ATE361548T1 (ko) |
DE (2) | DE19836125C2 (ko) |
TW (1) | TW442823B (ko) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1258616C (zh) * | 2001-02-07 | 2006-06-07 | 旭硝子株式会社 | 溅射装置及溅射成膜方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1998
- 1998-08-10 DE DE19836125A patent/DE19836125C2/de not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-07-30 AT AT99114913T patent/ATE361548T1/de not_active IP Right Cessation
- 1999-07-30 DE DE59914321T patent/DE59914321D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-07-30 EP EP99114913A patent/EP0980090B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-08-02 TW TW088113172A patent/TW442823B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-08-06 JP JP22408899A patent/JP4243388B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-08-09 KR KR1019990032490A patent/KR100604649B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-08-10 CN CNB991197895A patent/CN100383276C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1999-08-10 US US09/371,605 patent/US6207028B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19836125A1 (de) | 2000-02-24 |
DE19836125C2 (de) | 2001-12-06 |
US6207028B1 (en) | 2001-03-27 |
KR20000017180A (ko) | 2000-03-25 |
EP0980090B1 (de) | 2007-05-02 |
EP0980090A2 (de) | 2000-02-16 |
CN1248640A (zh) | 2000-03-29 |
DE59914321D1 (de) | 2007-06-14 |
JP4243388B2 (ja) | 2009-03-25 |
TW442823B (en) | 2001-06-23 |
CN100383276C (zh) | 2008-04-23 |
ATE361548T1 (de) | 2007-05-15 |
EP0980090A3 (de) | 2004-12-01 |
JP2000096225A (ja) | 2000-04-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
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