TW442823B - The cathode spattering device wide the permanent magnetic arrangement - Google Patents

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TW442823B
TW442823B TW088113172A TW88113172A TW442823B TW 442823 B TW442823 B TW 442823B TW 088113172 A TW088113172 A TW 088113172A TW 88113172 A TW88113172 A TW 88113172A TW 442823 B TW442823 B TW 442823B
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Wolfgang Buschbeck
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Description

4 4 2 :,< „ , Α7 ^2 8 2-2·· Β7 五、發明說明(/ ) 本發明是有關一種濺鍍装置,其具有經由一永久磁鐵 裝置而做磁性放大的功能。它是配置在從靶之濺鍍表面 上遠離的靶的面上,並且産生一磁場,其力線在濺鍍的 表面上經過並將其穿過;此裝置具有一陰極,其至少部 份由濺鍍表面所形成,並具有一値與陰極相間隔配置的 陽極以産生一電場。因而,此永久磁鐵經由一由軟鐵所 形成的軛而連接。 習知的是一個在有問題存在技術中的濺鍍裝置(DE 2 9 2 ϋ 7 8 0 C2),在其措施中是具有,經由靶之濺鍍表 面所産生的磁場力線平坦的走向。對此,此永久磁鐵配 置是多數個各自彼此附加的磁鐵元件所形成,其相對於 彼此的方向與配置是如此的選擇,致使此磁場的力線不 僅在磁鐵配置之中,而且還經由此靶的濺鍍表面的大部 份而基本上平行於它而伸展》 在一特別的實施形式中,此習知的濺鍍裝置具有一對 於濺鍍表面傾斜而進行極性之方向的第一紐磁鐵元件, 以及一個對濺鍍表面平行進行磁極之方向的第二組磁鐵 元件》 此外習知的是一濺鍍陰極(DS 4,461,6δ8),其具有一 板形靶與多個在遠離基板之靶之面上所配置之U形磁鐵 單元。因而,此第一 ϋ形磁鐵單元的兩傾股以其正面表 面附加在被遠靶面之邊緣部份上,以及S —對的U形磁 鐵元件各自在被遠離靶面的一半上以其股的正面表面附 在其上;以及另一第二對較小的U形磁鐵單元,以其兩 本紙張尺度適用中囤國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) t---------勒! 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 137 A/ 五、發明說明( > 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 可 單 由來 經因方之。靶儘, 鐵佳靶所本 之。的 鐵DE同道極。長源展其料刷 磁較離之股 靶成鐵 磁(D不隧之接是磁伸,原冲 久面遠靶個。之構磁 對極 $有的源連佳此而極之的。永截其着兩伸列所久 二 陰 U 之中磁此較而斜陰靶極法値横。向的延鐵面永 成 第鍍 後其之彼,因傾鍍用陰方兩在成近件向磁表於 被濺 靶於靶而形。面濺使於佈此,構接部方久份行 之的iip的含開軛柱面表 一被對塗在軛所之入的永部平 面理 ^ 置包離鐵稜平礎立此劑的即合料列插靶離之縳 ^原>配値此磁正範基建有凍率,適材鐵此在遠伸邊 離。管Ϊ/一 一 而的是於的以具冷積決中性磁 ,而此延成 至 遠上控由有少因成體行體 *者由沈解構磁久而,,而形 被半磁 具至,構實平實礎或是高而結鐵永因離中斜此 在 一據, 其由成所的準此基命不箸明狀由個。距式傾彼 有 附的根 I ,經形料成對對為壽鐵有發形其兩上有形相面 具 自側議 ζ 成其所材形緣度的用磁具本其,此面具施互表 其 各外建 構 ,線性所邊角目使其獨據在件 ,表行寅此份 面之人),所統力鐵源礎個此的 e於根個部在之鐵的彼部 表份有 g 料糸的磁來基一以高性用此一入附軛磁代個値 面部經85材鐵曲軟場其以是別用身因有插面鐵久替兩兩 正越已? 的磁 _ 由磁 ,自明特利本的設的表磁永個由此 之跨後19鍍之形値此體各發一的其目間形側之於一是 , 股的最 8濺性拱一 -面線本有高且此之 U 背接對在面而 値元19可源由由此六力 具能並 列是之附身 表因 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ΐ滴用φ闽圃京標革現格(::!]0 ' 297 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 ,f 4 42 82 3 五、發明說明(3 ) 兩列而伸展。並且因此在磁鐵軛與向著磁鐵軛之靶之表 面之間插入一個由鐵磁性材料所構成之插入部件。 本發明之其他的特徵與細節詳情是在申請專利範圔中 作更進一步的說明與標示。 本發明允許不同的實施可能性,其中兩個是在所附的 圖中*其顯示兩個不同之圓環形陰極之部份截面,是純 粹的圖式說明,因而此轉動軸或對稱軸以R表示。 圖式之簡單說明 第1圖爲根據本發明之正六面體或長方六面體所形成 之永久磁鐵5,5’..或6,6’之配置。 第2圖爲顯示將第1圖的永久磁鐵5,5’...6,6’配置於 對靶平面或對轉動軸傾斜的位置中。 第3與4圖顯示根據第1與2圖之陰極,然而是 牢固的圖解說明,因而簡述磁力線的走向。 此陰極是根據第1圖由一個圓環形的靶3所構成其 具有一橫截表面。此橫截面是由一個五邊形所構成,其 具有兩個互相平行且本身對基礎邊緣成直角伸展的邊 緣,而形成相同的長度,以及包含一彼此延伸角度之兩 個邊緣;以及一個圓環形箔形件4·兩個圓環形圓筒, 各由一多數個各自爲長方六面體的永久磁鐵或 是6,6'...所組成的永久磁鐵行7,8,一個大約圓環圓柱 形在橫截面中爲U形之磁鐵軛9,一個具有U形橫截 面之插入部件10,其適合各個磁鐵轭9,一個由箔形件 4鎖住而在插入部件〗0之中被作成凹口的通道11,以 及兩個密封環12,13,其保證此經由通道11而流動的 冷凍劑不會侵入至陰極的區域之中,在其中配置永久磁 鐵 5,5’...,或 。 此兩個被轉向基板之靶3的部份表面是以3a,3b表示。 此由兩個部份表面3a,3b所形成之共同邊緣以3c表示 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) --— — — — — HI--— — --------- (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明說明(4 A7 B7 是 封 密 4 件 形 0 對 是 面 表 面 正 個。 兩明 之標 10號 件编 部0C 11- 入 插 b 此10 ο 以 其配 ,所 定 B. 域 0 構下 所 3 3 靶 靶在 的個 形一 環 〇 圓應 一 對 由相 是的 極圖 陰 1 之第 圖據 2 根 第與 據造 根構 此狀 形 性約 磁大 鐵個 由一 個有 1 具 其 3 5 1X 1E > 2 I 1 鐵 環磁 封値 密 一 個 , 4 兩 1 4 物 件入 形插 箔的 形成 環構 _ 所 之料 置材 列鐵 鐵磁 磁個 久各 永之 個形 兩體 及面 以六 ,方 面長 截呈 横個 之各 形舾 梯數 多 i 由 各 其 8 或 體根 面此 六在 正 , 為- 自 1 r 6 各 -6 此 是 施 : 實 5 的 5 圖鐵 1 磁 第久 據永 根的 地形 反體 相面 。六 成方 組長 所或 或 ^.1111^S3T 斜之 _- 5 傾 1 軸IE 動之 轉坦 對平 或形 面盤 平圓 靶約 對大 於此 置於 配定 , 固 中它 極 , 陰而 的因 圖 0 2 中 第置 據® 或 是傾平。鐵。 體緣各展磁45 實邊線伸久約 的礎力而永大 成基場線的是 形其的邊形丨 α 所,源面體 上源一磁侧面 之來'此的六 JD Β · 5 場,,.方 IL"3 · 磁 而,長 由**因,6此度 15此:。e ,角 面 ,5 面顯斜 表是5,平 :明傾 邊的體靶 5 很的 側到面準 δ 是 · 之提六對體圖, 面要方 α 面 2,6 斜所長度六第 e 成來或角方由 : 使下柱以長同 : 著剩稜或於如 5 鐃 正斜行5, --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本I) _線- 經濟部智慧財產局員工消f合作杜印絮 圖 4 第 考 參 明 說 之 號 符 面 表 份線 部邊 面 平 靶 於 對 五、發明說明(r ) 經濟邨智慧財產局員工消費合作杜印製 ^..... •汨形什 5,5'.. .永久磁鐵 6,61.. .永久磁鐵 7,8.*. .永久磁鐵列 9..... .磁鐵軛 10,14. ...插入部件 1 0 b , 1 〇 C ...部份表面 11.... .通道 12,13. ..密封環 15,,.. .軛 1 5 a,1 5 b ....侧邊表面 7 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1·,. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 * 29?公釐)

Claims (1)

  1. ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 第88113172號「具有永久磁鐵配置之陰極的濺鍍裝置」專 利案 (90年3月修正) A申請專利範圍: 1. 一種濺鍍裝置,其經由一永久磁鐵配置,而具有磁性放 大功能,其配置於遠離靶之濺鍍表面之靶面上並且產 生一磁場,其磁力線在濺鍍表面上經過並穿過此表面, 它具有一陰極,其至少部份由濺鑛表面形成,並且具 有一在陰極前隔著距離而配置的陽極,以產生一電場, 因而此永久磁鐵配置是由兩個圓形或橢圓形其各自由 各個磁鐵(5,5'...,6,6'...)所組成之互相包含且同軸配置 之列所構成,其經由一軛(9)而互相連接,其特徵爲: 介於兩個永久磁鐵列(7,8)之間,設有一個由磁鐵性 材料所構成,在其形狀結構中適合軛(9)而其橫截面較 佳是U —形的插入部件(10),其背離靶(3)之背側表面 是附在與永久磁鐵列(7,8)之面向靶(3)相鄰接之磁鐵軛 (9)的表面上,因而此U形插入部件(10)之兩個股本身 各與永久磁鐵列(7,8)保持距離(a,b),在靶(3)的方向 延伸。 2. —種濺鍍裝置,其經由一永久磁鐵配置,而具有磁性放 大功能,其配置於遠離靶之濺鍍表面之靶面上,並且 產生一磁場,其磁力線在濺鍍表面上經過並穿過此表 面,它具有一陰極,其至少部份由濺鍍表面所形成, 並且具有一在陰極前隔著距離而配置的陽極,以產生 一電場,因而,此永久磁鐵配置是由兩個圓形或橢圓 -1 - 本紙張尺度適用中西國家標準(CNSM4規_格(2〕(; X 297公f ) ---------------------訂---------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印?# B8 I C8 Φ 4? 9 2 3 08 六、申請專利範圍 形其各自由各個磁鐵(5,5_...,6,6\..)所組成之互相包含 且同軸配置之列所構成,其經由一軛(15)而互相連接, 其特徵爲: 此遠離永久磁鐵(7,8)之列的靶(3)面,是由兩個本 身彼此彎曲延伸之部份表面之部件表面(3a,3b)所構成 因而此由兩個部件表面(3a,3b)所互相形成的邊緣(3c) 平行於永久磁鐵(5,5’...,6,6_...)之列(7,8)而伸展,因 而在磁鐵軛(15)與被磁鐵軛(15)所轉向之靶(3)面之間, 插入一個由鐵磁性材料所構成的插入部件(14)。 3. 如申請專利範圍第1或2項之裝置,其中接近位於徑 向內部之永久磁鐵列(7)之插入部件(14)之表面,本身垂 直於靶面;以及接近位於徑向外部之永久磁鐵列(8)之 插入部件(14)之表面,構成一對於軛(15)表面傾斜的表 面(14a)。 4. 如申請專利範圍第1或2項之裝置,其中此永久磁鐵 列(7, 8)之各個泳久磁鐵(5,5_...,6,6'...)形成爲正稜柱, 較佳是正六面體或長方六面體,其基礎邊緣與側邊邊 緣對靶表面呈傾斜走向。 5. 如申請專利範圍第3項之裝置,其中此永久磁鐵列(7, 8)之各個永久磁鐵(5,5'.._,6,61...)形成爲正稜柱,較佳 是正六面體或長方六面體,其基礎邊緣與側邊邊緣對 IE表面呈傾斜走向。 6. 如申請專利範圍第1或2項之裝置,其中此由鐵磁性 材料所構成之插入部件(10,14)具有在基本上扁平的圓 本紙張尺度遶用中國國家標準(CNS)A4規格(2〗0 X 297公釐) I — — — — — — —ΊΙ-Ι1* . ! I I I I I 訂·!!11 ^^ C請先J5S-讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 環柱形或是形成一個大約扁平的橢圓形環,因而在靠 近靶(3)之平面中,此由鐵磁性材料所構成的插入部件 U〇’ 14),形成一溝槽或一溝渠形的凹處(Π,】6),其 本身平行於兩個永久磁鐵列(7,8)而伸展,並且因此, 此徑向限制溝渠(11,16)之插入部件(10,14)之兩個部 件表面(10b,10c或14b,14c)密封附在一板或一箱形件 (4)上,其介於靶(3)與被插入之插入部件(10,14)之間, 並且其與溝槽(11,16)共同限制一冷凍劑通道。 7. 如申請專利範圍第3項之裝置,其中此由鐵磁性材料所 構成之插入部件(10,14)具有在基本上扁平的圓環柱形 或是形成一個大約扁平的橢圓形環,因而在靠近靶(3) 之平面中,此由鐵磁性材料所構成的插入部件(10, 14), 形成一溝槽或一溝渠形的凹處(11,16),其本身平行於 兩個永久磁鐵列(7,8)而伸展,並且因此,此徑向限制 溝渠(11,16)之插入部件(10,14)之兩個部件表面(10b, 10c或14b,14c)密封附在一板或一箔形件(4)上,其介 於靶(3)與被插入之插入部件(10,14)之間,並且其與溝 槽(1 1,16)共同限制一冷凍劑通道。 8. 如申請專利範圍第4項之裝置,其中此由鐵磁性材料所 構成之插入部件(10,14)具有在基本上扁平的圓環柱形 或是形成一個大約扁平的橢圓形環,因而在靠近靶(3) 之平面中,此由鐵磁性材料所構成的插入部件(10, 14), 形成一溝槽或一溝渠形的凹處(Π,16),其本身平行於 兩個永久磁鐵列(7,8)而伸展,並且因此,此徑向限制 本紙張纥度適用中画國家標值(CKS)A4規格(2]0 X 29Γ公t ) It *^1 «^1 .^1 I n 1.1 n n 1 I {請先閱讀背面之注音-5.'事項再填寫本頁> 4 / AS B8 C8 D8 六、申請專利範圍 溝渠(11,16)之插入部件(10,14)之兩個部件表面(10b, 10c或14b,14c)密封附在一板或一箔形件(4)上,其介 於靶(3)與被插入之插入部件(10,14)之間,並且其與溝 槽(11,16)共同限制一冷凍劑通道。 ----I------I--Λ--- (請先"'讀背面之注意事項再填寫本頁) · •線丨Μ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1258616C (zh) * 2001-02-07 2006-06-07 旭硝子株式会社 溅射装置及溅射成膜方法
CA2483260C (en) * 2002-05-06 2008-12-09 Guardian Industries Corp. Sputter coating apparatus including ion beam source(s), and corresponding method
DE102004007813A1 (de) * 2004-02-18 2005-09-08 Applied Films Gmbh & Co. Kg Sputtervorrichtung mit einem Magnetron und einem Target
US7485210B2 (en) * 2004-10-07 2009-02-03 International Business Machines Corporation Sputtering target fixture
JP5461264B2 (ja) * 2010-03-25 2014-04-02 キヤノンアネルバ株式会社 マグネトロンスパッタリング装置、及び、スパッタリング方法
CN103474314B (zh) * 2013-09-27 2016-01-20 西南交通大学 径向无箔二极管引导磁场系统
CN111022275B (zh) * 2019-12-23 2020-12-29 北京航空航天大学 一种磁等离子体推力器的阳极结构及磁等离子体推力器

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2028377B (en) 1978-08-21 1982-12-08 Vac Tec Syst Magnetically-enhanced sputtering device
US4265729A (en) * 1978-09-27 1981-05-05 Vac-Tec Systems, Inc. Magnetically enhanced sputtering device
US4461688A (en) * 1980-06-23 1984-07-24 Vac-Tec Systems, Inc. Magnetically enhanced sputtering device having a plurality of magnetic field sources including improved plasma trapping device and method
JPS59200763A (ja) * 1983-04-30 1984-11-14 Fujitsu Ltd スパツタリング装置
CH672319A5 (en) * 1987-12-20 1989-11-15 Bogdan Zega Sputtering target cooling system - has metal membrane sepg. cooling liq. circuit from sputtering chamber
DE3812379A1 (de) * 1988-04-14 1989-10-26 Leybold Ag Zerstaeubungskathode nach dem magnetron-prinzip
DE3912381A1 (de) * 1988-04-15 1989-10-26 Sharp Kk Auffaengereinheit
JPH0774439B2 (ja) * 1989-01-30 1995-08-09 三菱化学株式会社 マグネトロンスパッタ装置
DE3937558C2 (de) * 1989-11-11 1997-02-13 Leybold Ag Katodenzerstäubungsvorrichtung
DE4201551C2 (de) * 1992-01-22 1996-04-25 Leybold Ag Zerstäubungskathode
US5328585A (en) * 1992-12-11 1994-07-12 Photran Corporation Linear planar-magnetron sputtering apparatus with reciprocating magnet-array
DE4301516C2 (de) * 1993-01-21 2003-02-13 Applied Films Gmbh & Co Kg Targetkühlung mit Wanne
EP0704878A1 (en) * 1994-09-27 1996-04-03 Applied Materials, Inc. Uniform film thickness deposition of sputtered materials
JP3655334B2 (ja) * 1994-12-26 2005-06-02 松下電器産業株式会社 マグネトロンスパッタリング装置
CN1166811C (zh) * 1996-01-05 2004-09-15 日本真空技术株式会社 离子溅射泵
DE19607803A1 (de) * 1996-03-01 1997-09-04 Leybold Ag Vorrichtung zur Überwachung der Targetabnutzung von Sputterkathoden
CN2241698Y (zh) * 1996-03-08 1996-12-04 甘国工 平面磁控溅射源
DE19614487A1 (de) * 1996-04-12 1997-10-16 Leybold Ag Sputterkathode
DE19819785A1 (de) * 1998-05-04 1999-11-11 Leybold Systems Gmbh Zerstäubungskathode nach dem Magnetron-Prinzip

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Publication number Publication date
DE19836125A1 (de) 2000-02-24
DE19836125C2 (de) 2001-12-06
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DE59914321D1 (de) 2007-06-14
JP4243388B2 (ja) 2009-03-25
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EP0980090A3 (de) 2004-12-01
JP2000096225A (ja) 2000-04-04

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