KR100582969B1 - 플라스마-처리의 표면 프로파일을 예측하는 방법 및 장치 - Google Patents
플라스마-처리의 표면 프로파일을 예측하는 방법 및 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100582969B1 KR100582969B1 KR1020007009723A KR20007009723A KR100582969B1 KR 100582969 B1 KR100582969 B1 KR 100582969B1 KR 1020007009723 A KR1020007009723 A KR 1020007009723A KR 20007009723 A KR20007009723 A KR 20007009723A KR 100582969 B1 KR100582969 B1 KR 100582969B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- test
- surface profile
- profile
- generating
- input variable
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Management, Administration, Business Operations System, And Electronic Commerce (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
Claims (29)
- 처리 기판 상에 원하는 표면 프로파일(surface profile)을 생성하기 위한 플라스마(plasma) 처리 시퀀스를 관리하는 적어도 하나의 입력 변수의 각 처리값을 결정하는 방법에 있어서,a. 상기 적어도 하나의 입력 변수의 각 테스트값을 선택하는 단계;b. 상기 각 테스트값에 의해 정의된 테스트 처리를 테스트 기판에 실행하여, 그에 의해 테스트 표면 프로파일을 생성하는 단계;c. 상기 적어도 하나의 입력 변수 및 적어도 하나의 미지 계수의 항으로 초기 표면 프로파일 모델을 제공하는 단계;d. 상기 적어도 하나의 입력 변수의 상기 각 테스트값과 상기 초기 표면 프로파일 모델로부터 근사 프로파일 예측을 발생하는 단계;e. 상기 테스트 표면 프로파일과 상기 근사 프로파일 예측 간의 차이의 표시자를 발생하는 단계;f. 상기 차이의 표시자를 최소화하는 상기 적어도 하나의 미지 계수의 각 최적값을 발생하는 단계;g. 상기 적어도 하나의 최적값을 포함하도록 상기 초기 표면 프로파일 모델을 수정함으로써 상기 적어도 하나의 입력 변수의 항으로 최종 모델을 제공하는 단계; 및h. 상기 원하는 표면 프로파일 및 상기 최종 모델로부터 상기 적어도 하나의 입력 변수의 상기 각 처리값을 발생하는 단계를 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 테스트 표면 프로파일은 다수의 스냅샷(snapshot)을 포함하고, 상기 근사 프로파일 예측은 각 스냅샷에 대응하는 프레임(frame)을 포함하고, 상기 테스트 표면 프로파일과 상기 근사 프로파일 예측 간의 차이의 표시자를 발생하는 상기 단계는 각 스냅샷을 상기 각 대응하는 프레임과 쌍으로 비교하는 단계를 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서,근사 프로파일 예측을 발생하는 상기 단계는 상기 적어도 하나의 미지 계수의 각 대략적인 예비값을 사용하는 단계를 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 미지 계수의 각 최적값을 발생하는 상기 단계는 상기 적어도 하나의 미지 계수의 적어도 하나의 각 대략적인 예비값 중 적어도 하나를 변화시키고 상기 적어도 하나의 변화된 값을 포함하는 상기 근사 프로파일 예측과 상기 테스트 표면 프로파일을 비교하는 단계를 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 차이의 표시자는 다중차원의 비선형 최소 제곱(least-square) 기술에 의해 발생되는 방법.
- 원하는 표면 프로파일을 생성하도록 처리 기판을 처리하는 방법에 있어서,상기 처리는 상기 처리 기판에 플라스마 처리를 적용하는 단계를 포함하고, 상기 플라스마 처리는 제1항의 방법에 의해 결정된 상기 적어도 하나의 입력 변수의 각 처리값에 의해 정의되는 방법.
- 제2항에 정의된 바와 같이 처리 기판을 처리함으로서 이루어지는 디바이스.
- 적어도 하나의 입력 변수의 각 처리값에 의해 정의된 플라스마 처리 시퀀스로 처리 기판 상에 생성될 처리 표면 프로파일을 예측하여 계산하는 방법에 있어서,a. 상기 적어도 하나의 입력 변수의 각 테스트값을 선택하는 단계 - 상기 적어도 하나의 각 테스트값 중 적어도 하나는 상기 적어도 하나의 각 처리값 중 적어도 하나와 동일하지 않음 -;b. 상기 각 테스트값에 의해 정의된 테스트 처리를 테스트 기판에 실행함으로써 테스트 표면 프로파일을 생성하는 단계;c. 상기 적어도 하나의 입력 변수 및 적어도 하나의 미지 계수의 항으로 초기 표면 프로파일 모델을 제공하는 단계;d. 상기 적어도 하나의 입력 변수의 상기 각 테스트값과 상기 초기 표면 프로파일 모델로부터 근사 프로파일 예측을 발생하는 단계;e. 상기 테스트 표면 프로파일과 상기 근사 프로파일 예측 간의 차이의 표시자를 발생하는 단계;f. 상기 차이의 표시자를 최소화하는 상기 적어도 하나의 미지 계수의 각 최적값을 발생하는 단계;g. 상기 적어도 하나의 최적값을 포함하도록 상기 초기 표면 프로파일 모델을 수정함으로써 상기 적어도 하나의 입력 변수의 항으로 최종 모델을 제공하는 단계; 및h. 상기 적어도 하나의 입력 변수의 상기 각 처리값을 상기 최종 모델로 도입함으로써 상기 처리 표면 프로파일의 서술을 형성하는 단계를 포함하는 방법.
- 제8항에 있어서,상기 테스트 표면 프로파일은 다수의 스냅샷을 포함하고, 상기 근사 프로파일 예측은 각 스냅샷에 대응하는 프레임을 포함하고, 상기 테스트 표면 프로파일과 상기 근사 프로파일 예측 간의 차이의 표시자를 발생하는 상기 단계는 각 스냅샷을 상기 각 대응하는 프레임과 쌍으로 비교하는 단계를 포함하는 방법.
- 제8항에 있어서,근사 프로파일 서술을 발생하는 상기 단계는 상기 적어도 하나의 미지 계수의 각 대략적인 예비값을 사용하는 단계를 포함하는 방법.
- 제10항에 있어서,상기 적어도 하나의 미지 계수의 각 최적값을 발생하는 상기 단계는 상기 적어도 하나의 미지 계수의 상기 적어도 하나의 각 대략적인 예비값 중 적어도 하나를 변화시키고 상기 적어도 하나의 변화된 값을 포함하는 상기 근사 프로파일 예측과 상기 테스트 표면 프로파일을 비교하는 단계를 포함하는 방법.
- 제8항에 있어서,상기 적어도 하나의 입력 변수의 상기 각 처리값은 시간에 따라 변하는 방법.
- 적어도 하나의 입력 변수의 각 처리값에 의해 정의된 플라스마 처리 시퀀스에 따라 처리 기판을 처리하기 위한 것으로 플라스마 반응기(plasma reactor)를 포함하는 장치를 구성하고, 상기 적어도 하나의 입력 변수가 적어도 하나의 반응 변수를 포함하는 방법에 있어서,a. 상기 적어도 하나의 입력 변수의 각 테스트값을 선택하는 단계;b. 상기 각 테스트값에 의해 정의된 테스트 처리를 테스트 기판에 실행함으로써 테스트 표면 프로파일을 생성하는 단계;c. 상기 적어도 하나의 입력 변수 및 적어도 하나의 미지 계수의 항으로 초기 표면 프로파일 모델을 제공하는 단계;d. 상기 적어도 하나의 입력 변수의 상기 각 테스트값과 상기 초기 표면 프로파일 모델로부터 근사 프로파일 예측을 발생하는 단계;e. 상기 테스트 표면 프로파일과 상기 근사 프로파일 예측 간의 차이의 표시자를 발생하는 단계;f. 상기 차이의 표시자를 최소화하는 상기 적어도 하나의 미지 계수의 각 최적값을 발생하는 단계;g. 상기 적어도 하나의 최적값을 포함하도록 상기 초기 표면 프로파일 모델을 수정함으로써 상기 적어도 하나의 입력 변수의 항으로 최종 모델을 제공하는 단계;h. 상기 원하는 표면 프로파일 및 상기 최종 모델로부터 상기 적어도 하나의 입력 변수의 상기 각 처리값을 발생하는 단계; 및i. 상기 적어도 하나의 반응 변수의 유도된 각 처리값에 따라 처리 기판을 처리하도록 반응기를 구성하는 단계를 포함하는 방법.
- 처리 기판 상에 원하는 표면 프로파일을 생성하기 위한 플라스마 처리 시퀀스를 관리하는 적어도 하나의 입력 변수의 각 처리값을 결정하는 장치에 있어서,a. 상기 원하는 표면 프로파일을 저장하는 컴퓨터 메모리;b. 상기 적어도 하나의 입력 변수의 각 테스트값에 의해 정의된 테스트 처리를 테스트 기판에 실행함으로서 생성된 테스트 표면 프로파일을 저장하는 컴퓨터 메모리;c. 상기 적어도 하나의 입력 변수 및 적어도 하나의 미지 계수의 항으로 초기 표면 프로파일 모델을 발생하는 수단;d. 상기 적어도 하나의 입력 변수의 상기 각 테스트값과 상기 초기 표면 프로파일 모델로부터 근사 프로파일 예측을 발생하는 수단;e. 상기 테스트 표면 프로파일과 상기 근사 프로파일 예측 간의 차이의 표시자를 발생하는 수단;f. 상기 차이의 표시자를 최소화하는 상기 적어도 하나의 미지 계수의 각 최적값을 발생하는 수단;g. 상기 적어도 하나의 최적값을 포함하도록 상기 초기 표면 프로파일 모델을 수정함으로써 상기 적어도 하나의 입력 변수의 항으로 최종 모델을 제공하는 수단; 및h. 상기 원하는 표면 프로파일 및 상기 최종 모델로부터 상기 적어도 하나의 입력 변수의 상기 각 처리값을 발생하는 수단을 포함하는 장치.
- 제14항에 있어서,상기 테스트 표면 프로파일은 다수의 스냅샷을 포함하고, 상기 근사 프로파일 예측은 각 스냅샷에 대응하는 프레임을 포함하고, 상기 테스트 표면 프로파일과 상기 근사 프로파일 예측 간의 차이의 표시자를 발생하는 상기 수단은 각 스냅샷을 상기 각 대응하는 프레임과 비교하도록 구성되는 장치.
- 적어도 하나의 입력 변수의 각 처리값에 의해 정의된 플라스마 처리 시퀀스로 처리 기판 상에 생성될 처리 표면 프로파일을 예측하여 계산하는 장치에 있어서,a. 상기 각 처리값을 저장하는 컴퓨터 메모리;b. 상기 적어도 하나의 입력 변수의 각 테스트값에 의해 정의된 테스트 처리를 테스트 기판에 실행함으로서 생성된 테스트 표면 프로파일을 저장하는 컴퓨터 메모리;c. 상기 적어도 하나의 입력 변수 및 적어도 하나의 미지 계수의 항으로 초기 표면 프로파일 모델을 발생하는 수단;d. 상기 적어도 하나의 입력 변수의 상기 각 테스트값과 상기 초기 모델로부터 근사 프로파일 예측을 발생하는 수단;e. 상기 테스트 표면 프로파일과 상기 근사 프로파일 예측 간의 차이의 표시자를 발생하는 수단;f. 상기 차이의 표시자를 최소화하는 상기 적어도 하나의 미지 계수의 각 최적값을 발생하는 수단;g. 상기 적어도 하나의 최적값을 포함하도록 상기 초기 표면 프로파일 모델을 수정함으로써 상기 적어도 하나의 입력 변수의 항으로 최종 모델을 제공하는 수단; 및h. 상기 적어도 하나의 입력 변수의 상기 각 처리값을 상기 최종 모델로 도입함으로써 상기 처리 표면 프로파일의 서술을 형성하는 수단를 포함하는 장치.
- 제16항에 있어서,상기 테스트 표면 프로파일은 다수의 스냅샷을 포함하고, 상기 근사 프로파일 예측은 각 스냅샷에 대응하는 예측을 포함하고, 상기 테스트 표면 프로파일과 상기 근사 프로파일 예측 간의 차이의 표시자를 발생하는 상기 수단은 각 스냅샷을 상기 각 대응하는 예측과 비교하도록 구성되는 장치.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/033,997 | 1998-03-03 | ||
US09/033,997 US6151532A (en) | 1998-03-03 | 1998-03-03 | Method and apparatus for predicting plasma-process surface profiles |
US9/033,997 | 1998-03-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20010041543A KR20010041543A (ko) | 2001-05-25 |
KR100582969B1 true KR100582969B1 (ko) | 2006-05-24 |
Family
ID=21873691
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020007009723A KR100582969B1 (ko) | 1998-03-03 | 1999-02-18 | 플라스마-처리의 표면 프로파일을 예측하는 방법 및 장치 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (6) | US6151532A (ko) |
EP (1) | EP1060501B1 (ko) |
JP (2) | JP4641619B2 (ko) |
KR (1) | KR100582969B1 (ko) |
AT (1) | ATE293840T1 (ko) |
DE (1) | DE69924834T2 (ko) |
TW (1) | TW452827B (ko) |
WO (1) | WO1999045567A1 (ko) |
Families Citing this family (79)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000061498A2 (en) | 1999-04-13 | 2000-10-19 | Semitool, Inc. | System for electrochemically processing a workpiece |
US6749391B2 (en) | 1996-07-15 | 2004-06-15 | Semitool, Inc. | Microelectronic workpiece transfer devices and methods of using such devices in the processing of microelectronic workpieces |
US6749390B2 (en) | 1997-12-15 | 2004-06-15 | Semitool, Inc. | Integrated tools with transfer devices for handling microelectronic workpieces |
US6752584B2 (en) | 1996-07-15 | 2004-06-22 | Semitool, Inc. | Transfer devices for handling microelectronic workpieces within an environment of a processing machine and methods of manufacturing and using such devices in the processing of microelectronic workpieces |
US6921467B2 (en) * | 1996-07-15 | 2005-07-26 | Semitool, Inc. | Processing tools, components of processing tools, and method of making and using same for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
US20090129992A1 (en) * | 1997-07-22 | 2009-05-21 | Blacklight Power, Inc. | Reactor for Preparing Hydrogen Compounds |
EP1031169A4 (en) * | 1997-07-22 | 2000-10-18 | Blacklight Power Inc | INORGANIC HYDROGEN COMPOUNDS, SEPARATION METHODS AND FUEL APPLICATIONS |
US20090142257A1 (en) * | 1997-07-22 | 2009-06-04 | Blacklight Power, Inc. | Inorganic hydrogen compounds and applications thereof |
US6151532A (en) * | 1998-03-03 | 2000-11-21 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for predicting plasma-process surface profiles |
US6565729B2 (en) | 1998-03-20 | 2003-05-20 | Semitool, Inc. | Method for electrochemically depositing metal on a semiconductor workpiece |
US6916412B2 (en) * | 1999-04-13 | 2005-07-12 | Semitool, Inc. | Adaptable electrochemical processing chamber |
US7020537B2 (en) * | 1999-04-13 | 2006-03-28 | Semitool, Inc. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
US6623609B2 (en) | 1999-07-12 | 2003-09-23 | Semitool, Inc. | Lift and rotate assembly for use in a workpiece processing station and a method of attaching the same |
US6546306B1 (en) * | 1999-08-11 | 2003-04-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for adjusting incoming film thickness uniformity such that variations across the film after polishing minimized |
GB0007898D0 (en) * | 2000-03-31 | 2000-05-17 | British Telecomm | Apparatus for optimising configuration parameters of a network |
US20020055193A1 (en) * | 2000-04-28 | 2002-05-09 | Trw, Inc. | Process perturbation to measured-modeled method for semiconductor device technology modeling |
WO2001090434A2 (en) * | 2000-05-24 | 2001-11-29 | Semitool, Inc. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
JP2001351848A (ja) * | 2000-06-07 | 2001-12-21 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システム及び基板処理方法 |
US6618638B1 (en) * | 2001-04-30 | 2003-09-09 | Lam Research Corporation | Method for scaling processes between different etching chambers and wafer sizes |
JP2002343772A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-29 | Speedfam Co Ltd | 局所プラズマエッチング方法 |
JP4506030B2 (ja) * | 2001-05-18 | 2010-07-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び成膜方法 |
JP3708031B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2005-10-19 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置および処理方法 |
US20030024900A1 (en) * | 2001-07-24 | 2003-02-06 | Tokyo Electron Limited | Variable aspect ratio plasma source |
DE10136854A1 (de) * | 2001-07-27 | 2003-02-20 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Bestimmung der relevanten Ionen- und Teilchenflüsse in i-PVD-Verfahren |
CA2466953A1 (en) * | 2001-11-14 | 2003-08-14 | Blacklight Power, Inc. | Hydrogen power, plasma, and reactor for lasing, and power conversion |
US20030129117A1 (en) * | 2002-01-02 | 2003-07-10 | Mills Randell L. | Synthesis and characterization of a highly stable amorphous silicon hydride as the product of a catalytic hydrogen plasma reaction |
US6630360B2 (en) | 2002-01-10 | 2003-10-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Advanced process control (APC) of copper thickness for chemical mechanical planarization (CMP) optimization |
US20030159921A1 (en) * | 2002-02-22 | 2003-08-28 | Randy Harris | Apparatus with processing stations for manually and automatically processing microelectronic workpieces |
US6750447B2 (en) * | 2002-04-12 | 2004-06-15 | Agere Systems, Inc. | Calibration standard for high resolution electron microscopy |
US6893505B2 (en) * | 2002-05-08 | 2005-05-17 | Semitool, Inc. | Apparatus and method for regulating fluid flows, such as flows of electrochemical processing fluids |
US20030209518A1 (en) * | 2002-05-08 | 2003-11-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of detecting abnormal chamber conditions in etcher |
AU2003235901A1 (en) * | 2002-05-16 | 2003-12-02 | Tokyo Electron Limited | Method of predicting processing device condition or processed result |
US7797073B1 (en) * | 2002-05-28 | 2010-09-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Controlling processing of semiconductor wafers based upon end of line parameters |
AU2003256257A1 (en) * | 2002-06-28 | 2004-01-19 | Tokyo Electron Limited | Controlling a material processing tool and performance data |
US7114903B2 (en) | 2002-07-16 | 2006-10-03 | Semitool, Inc. | Apparatuses and method for transferring and/or pre-processing microelectronic workpieces |
US7247218B2 (en) * | 2003-05-16 | 2007-07-24 | Applied Materials, Inc. | Plasma density, energy and etch rate measurements at bias power input and real time feedback control of plasma source and bias power |
US7910013B2 (en) * | 2003-05-16 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling a chamber based upon predetermined concurrent behavior of selected plasma parameters as a function of source power, bias power and chamber pressure |
US7795153B2 (en) | 2003-05-16 | 2010-09-14 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling a chamber based upon predetermined concurrent behavior of selected plasma parameters as a function of selected chamber parameters |
US7901952B2 (en) | 2003-05-16 | 2011-03-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor control by translating desired values of M plasma parameters to values of N chamber parameters |
US7188033B2 (en) * | 2003-07-21 | 2007-03-06 | Blacklight Power Incorporated | Method and system of computing and rendering the nature of the chemical bond of hydrogen-type molecules and molecular ions |
US7773656B1 (en) | 2003-10-24 | 2010-08-10 | Blacklight Power, Inc. | Molecular hydrogen laser |
AU2005204618A1 (en) * | 2004-01-05 | 2005-07-28 | Blacklight Power, Inc. | Method and system of computing and rendering the nature of atoms and atomic ions |
JP4448335B2 (ja) * | 2004-01-08 | 2010-04-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
DE102004020466A1 (de) * | 2004-04-26 | 2005-11-17 | Applied Films Gmbh & Co. Kg | Verfahren zum Beschichten von Substraten in Inline-Anlagen |
US7689367B2 (en) * | 2004-05-17 | 2010-03-30 | Blacklight Power, Inc. | Method and system of computing and rendering the nature of the excited electronic states of atoms and atomic ions |
US7571078B2 (en) * | 2004-05-20 | 2009-08-04 | Sap Ag | Time dependent process parameters for integrated process and product engineering |
US20070198199A1 (en) * | 2004-07-19 | 2007-08-23 | Mills Randell L | Method and system of computing and rendering the nature of the chemical bond of hydrogen-type molecules and molecular ions |
JP5112624B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2013-01-09 | ラム リサーチ コーポレーション | プロセスチャンバ及びプラズマチャンバを操作する方法 |
JP4745035B2 (ja) * | 2005-11-24 | 2011-08-10 | 株式会社東芝 | シミュレーション装置、シミュレーションプログラムおよびシミュレーション方法 |
US20080304522A1 (en) * | 2006-04-04 | 2008-12-11 | Mills Randell L | Catalyst laser |
EP1988185A1 (de) * | 2007-04-25 | 2008-11-05 | Sulzer Metco AG | Computergestütztes Verfahren zum Einstellen partikelspezifischer Parameter in einem thermischen Spritzprozess |
JP4555881B2 (ja) * | 2008-03-18 | 2010-10-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び表示方法 |
US7895547B2 (en) * | 2008-05-01 | 2011-02-22 | International Business Machines Corporation | Test pattern based process model calibration |
US8103492B2 (en) * | 2008-09-05 | 2012-01-24 | Tokyo Electron Limited | Plasma fluid modeling with transient to stochastic transformation |
JP5428450B2 (ja) * | 2009-03-30 | 2014-02-26 | ソニー株式会社 | イオン照射ダメージの予測方法とイオン照射ダメージのシミュレータ、およびイオン照射装置とイオン照射方法 |
US8160728B2 (en) * | 2009-09-14 | 2012-04-17 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Methods of determining complete sensor requirements for autonomous mobility |
EP2549523A4 (en) * | 2010-03-16 | 2016-03-30 | Mizuho Information & Res Inst | SYSTEM, METHOD AND PROGRAM FOR PREDICTING A FINISHED FORM RESULTING FROM PLASMA PROCESSING |
US8472278B2 (en) | 2010-04-09 | 2013-06-25 | Qualcomm Incorporated | Circuits, systems and methods for adjusting clock signals based on measured performance characteristics |
JP5872141B2 (ja) * | 2010-05-20 | 2016-03-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、その制御装置およびその制御方法 |
JP5732843B2 (ja) * | 2010-12-21 | 2015-06-10 | ソニー株式会社 | シミュレータ、加工装置、ダメージ評価方法、及び、ダメージ評価プログラム |
JP5685762B2 (ja) * | 2011-03-07 | 2015-03-18 | みずほ情報総研株式会社 | プラズマ加工形状シミュレーション装置及びプログラム |
US8501499B2 (en) * | 2011-03-28 | 2013-08-06 | Tokyo Electron Limited | Adaptive recipe selector |
DE102013004116A1 (de) * | 2013-03-08 | 2014-09-11 | Johann Wolfgang Goethe-Universität | Verfahren zum Optimieren eines Abscheidungsprozesses, Verfahren zum Einstellen einer Depositionsanlage und Depositionsanlage |
CN104462711B (zh) * | 2014-12-22 | 2017-10-10 | 东南大学 | 表面活性剂作用下的单晶硅全晶面刻蚀速率的获取方法 |
US9727672B2 (en) * | 2015-02-26 | 2017-08-08 | Uchicago Argonne, Llc | Fast method for reactor and feature scale coupling in ALD and CVD |
US10386828B2 (en) | 2015-12-17 | 2019-08-20 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for etch profile matching by surface kinetic model optimization |
US9792393B2 (en) | 2016-02-08 | 2017-10-17 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for etch profile optimization by reflectance spectra matching and surface kinetic model optimization |
US10032681B2 (en) | 2016-03-02 | 2018-07-24 | Lam Research Corporation | Etch metric sensitivity for endpoint detection |
US10197908B2 (en) * | 2016-06-21 | 2019-02-05 | Lam Research Corporation | Photoresist design layout pattern proximity correction through fast edge placement error prediction via a physics-based etch profile modeling framework |
US10254641B2 (en) | 2016-12-01 | 2019-04-09 | Lam Research Corporation | Layout pattern proximity correction through fast edge placement error prediction |
US10534257B2 (en) | 2017-05-01 | 2020-01-14 | Lam Research Corporation | Layout pattern proximity correction through edge placement error prediction |
JP6914211B2 (ja) | 2018-01-30 | 2021-08-04 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置及び状態予測装置 |
JP7183195B2 (ja) | 2018-02-08 | 2022-12-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 情報処理装置、プログラム、プロセス処理実行装置及び情報処理システム |
US10572697B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Lam Research Corporation | Method of etch model calibration using optical scatterometry |
WO2019200015A1 (en) | 2018-04-10 | 2019-10-17 | Lam Research Corporation | Optical metrology in machine learning to characterize features |
US11624981B2 (en) | 2018-04-10 | 2023-04-11 | Lam Research Corporation | Resist and etch modeling |
US10977405B2 (en) | 2019-01-29 | 2021-04-13 | Lam Research Corporation | Fill process optimization using feature scale modeling |
CN113853519A (zh) * | 2019-05-22 | 2021-12-28 | 生物梅里埃公司 | 用于制造生产分析反应器的方法和系统 |
CN116137927A (zh) * | 2020-07-28 | 2023-05-19 | 朗姆研究公司 | 沉积工艺的计算表示 |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4663513A (en) * | 1985-11-26 | 1987-05-05 | Spectra-Physics, Inc. | Method and apparatus for monitoring laser processes |
DE3936541C2 (de) * | 1988-11-02 | 1998-05-20 | Ricoh Kk | Verfahren zum Messen von mindestens zwei unbekannten physikalischen Größen einer einlagigen Dünnschicht oder der obersten Lage einer mehrlagigen Dünnschicht-Struktur |
JPH03171301A (ja) * | 1989-11-30 | 1991-07-24 | Toshiba Corp | 物質の合成制御システム |
DE4011933C2 (de) * | 1990-04-12 | 1996-11-21 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur reaktiven Oberflächenbehandlung eines Werkstückes sowie Behandlungskammer hierfür |
JPH07122142B2 (ja) * | 1990-12-25 | 1995-12-25 | 中外炉工業株式会社 | シートプラズマcvd装置 |
US5270222A (en) * | 1990-12-31 | 1993-12-14 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for semiconductor device fabrication diagnosis and prognosis |
US5290382A (en) | 1991-12-13 | 1994-03-01 | Hughes Aircraft Company | Methods and apparatus for generating a plasma for "downstream" rapid shaping of surfaces of substrates and films |
US5225740A (en) * | 1992-03-26 | 1993-07-06 | General Atomics | Method and apparatus for producing high density plasma using whistler mode excitation |
JPH06196405A (ja) * | 1992-11-17 | 1994-07-15 | Ricoh Co Ltd | 薄膜堆積形状予測方法 |
SG70554A1 (en) * | 1992-12-14 | 2000-02-22 | At & T Corp | Active neural network control of wafer attributes in a plasma etch process |
US5399229A (en) * | 1993-05-13 | 1995-03-21 | Texas Instruments Incorporated | System and method for monitoring and evaluating semiconductor wafer fabrication |
US5642296A (en) * | 1993-07-29 | 1997-06-24 | Texas Instruments Incorporated | Method of diagnosing malfunctions in semiconductor manufacturing equipment |
US5737496A (en) * | 1993-11-17 | 1998-04-07 | Lucent Technologies Inc. | Active neural network control of wafer attributes in a plasma etch process |
SE9304246L (sv) * | 1993-12-22 | 1995-06-23 | Asea Brown Boveri | Förfarande vid övervakning av multivariata processer |
US5869402A (en) * | 1994-06-13 | 1999-02-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma generating and processing method and apparatus thereof |
JPH0855145A (ja) * | 1994-08-08 | 1996-02-27 | Fujitsu Ltd | 半導体プロセスシミュレーション方法及びそのための装置 |
DE4445762A1 (de) * | 1994-12-21 | 1996-06-27 | Adolf Slaby Inst Forschungsges | Verfahren und Vorrichtung zum Bestimmen absoluter Plasmaparameter |
US5711843A (en) * | 1995-02-21 | 1998-01-27 | Orincon Technologies, Inc. | System for indirectly monitoring and controlling a process with particular application to plasma processes |
US5679599A (en) * | 1995-06-22 | 1997-10-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Isolation using self-aligned trench formation and conventional LOCOS |
JPH0981610A (ja) * | 1995-09-12 | 1997-03-28 | Toshiba Corp | シミュレーション方法及びその装置 |
US5654903A (en) * | 1995-11-07 | 1997-08-05 | Lucent Technologies Inc. | Method and apparatus for real time monitoring of wafer attributes in a plasma etch process |
US5719796A (en) * | 1995-12-04 | 1998-02-17 | Advanced Micro Devices, Inc. | System for monitoring and analyzing manufacturing processes using statistical simulation with single step feedback |
US5871805A (en) * | 1996-04-08 | 1999-02-16 | Lemelson; Jerome | Computer controlled vapor deposition processes |
US6110214A (en) * | 1996-05-03 | 2000-08-29 | Aspen Technology, Inc. | Analyzer for modeling and optimizing maintenance operations |
US5933345A (en) * | 1996-05-06 | 1999-08-03 | Pavilion Technologies, Inc. | Method and apparatus for dynamic and steady state modeling over a desired path between two end points |
JPH1091207A (ja) * | 1996-09-13 | 1998-04-10 | Fujitsu Ltd | 内部表現自動生成方法及び装置 |
US5966527A (en) * | 1996-10-28 | 1999-10-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Apparatus, article of manufacture, method and system for simulating a mass-produced semiconductor device behavior |
US6136388A (en) * | 1997-12-01 | 2000-10-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing chamber with tunable impedance |
US6041734A (en) * | 1997-12-01 | 2000-03-28 | Applied Materials, Inc. | Use of an asymmetric waveform to control ion bombardment during substrate processing |
US5866437A (en) * | 1997-12-05 | 1999-02-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dynamic process window control using simulated wet data from current and previous layer data |
US5900633A (en) * | 1997-12-15 | 1999-05-04 | On-Line Technologies, Inc | Spectrometric method for analysis of film thickness and composition on a patterned sample |
US6151532A (en) * | 1998-03-03 | 2000-11-21 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for predicting plasma-process surface profiles |
US7137354B2 (en) | 2000-08-11 | 2006-11-21 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation apparatus including a plasma source having low dissociation and low minimum plasma voltage |
US6830650B2 (en) | 2002-07-12 | 2004-12-14 | Advanced Energy Industries, Inc. | Wafer probe for measuring plasma and surface characteristics in plasma processing environments |
-
1998
- 1998-03-03 US US09/033,997 patent/US6151532A/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-02-18 AT AT99907143T patent/ATE293840T1/de not_active IP Right Cessation
- 1999-02-18 EP EP99907143A patent/EP1060501B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-02-18 KR KR1020007009723A patent/KR100582969B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-02-18 DE DE69924834T patent/DE69924834T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-02-18 WO PCT/US1999/003551 patent/WO1999045567A1/en active IP Right Grant
- 1999-02-18 JP JP2000535027A patent/JP4641619B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-03-26 TW TW088103151A patent/TW452827B/zh active
-
2000
- 2000-06-30 US US09/608,163 patent/US6577915B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-30 US US09/609,593 patent/US6804572B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-30 US US09/607,882 patent/US6301510B1/en not_active Ceased
-
2002
- 2002-11-22 US US10/302,567 patent/USRE39534E1/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-09-01 US US10/932,926 patent/US7139632B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-07-09 JP JP2010156714A patent/JP2010282636A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20010041543A (ko) | 2001-05-25 |
JP4641619B2 (ja) | 2011-03-02 |
JP2010282636A (ja) | 2010-12-16 |
EP1060501A1 (en) | 2000-12-20 |
US6577915B1 (en) | 2003-06-10 |
US6151532A (en) | 2000-11-21 |
DE69924834T2 (de) | 2006-02-23 |
TW452827B (en) | 2001-09-01 |
JP2003524701A (ja) | 2003-08-19 |
WO1999045567A1 (en) | 1999-09-10 |
USRE39534E1 (en) | 2007-03-27 |
US6804572B1 (en) | 2004-10-12 |
US20050278057A1 (en) | 2005-12-15 |
ATE293840T1 (de) | 2005-05-15 |
US6301510B1 (en) | 2001-10-09 |
EP1060501B1 (en) | 2005-04-20 |
DE69924834D1 (de) | 2005-05-25 |
US7139632B2 (en) | 2006-11-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100582969B1 (ko) | 플라스마-처리의 표면 프로파일을 예측하는 방법 및 장치 | |
US8103492B2 (en) | Plasma fluid modeling with transient to stochastic transformation | |
KR101273190B1 (ko) | 향상된 프로세스 및 프로파일 시뮬레이터 알고리즘 | |
US6173240B1 (en) | Multidimensional uncertainty analysis | |
US8845913B2 (en) | Ion radiation damage prediction method, ion radiation damage simulator, ion radiation apparatus and ion radiation method | |
US8050900B2 (en) | System and method for using first-principles simulation to provide virtual sensors that facilitate a semiconductor manufacturing process | |
US8073667B2 (en) | System and method for using first-principles simulation to control a semiconductor manufacturing process | |
US8296687B2 (en) | System and method for using first-principles simulation to analyze a process performed by a semiconductor processing tool | |
US8036869B2 (en) | System and method for using first-principles simulation to control a semiconductor manufacturing process via a simulation result or a derived empirical model | |
US8032348B2 (en) | System and method for using first-principles simulation to facilitate a semiconductor manufacturing process | |
TWI837123B (zh) | 光阻及蝕刻模型建立 | |
Colella et al. | A conservative finite difference method for the numerical solution of plasma fluid equations | |
KR100231503B1 (ko) | 몬테카를로법을 이용한 형상 시뮬레이션 장치 및 그 방법 | |
JP4068481B2 (ja) | シミュレーション方法、シミュレーションプログラム、シミュレーション装置および表面反応装置 | |
Berg et al. | Shape-based optimization of a plasma etching process | |
Du | Molecular Dynamics Simulation in Plasma Etching | |
Berg et al. | Shape-based optimal estimation and design of curve evolution processes with application to plasma etching | |
Grimard | Computer modeling of plasma processing and equipment for microelectronic applications | |
Cao et al. | On-line optimization of stop-etch time | |
JPH10284358A (ja) | 表面反応処理後の試料形状のシミュレーション方法、装置および記録媒体 | |
Saassouh et al. | Uncertainty analysis based on polynomial chaos expansions using Open TURNS |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130507 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140512 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150508 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160509 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170508 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180509 Year of fee payment: 13 |
|
EXPY | Expiration of term |