JP2002343772A - 局所プラズマエッチング方法 - Google Patents
局所プラズマエッチング方法Info
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- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 42
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 65
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 37
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 75
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 30
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 21
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 11
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 abstract description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 4
- 241001422033 Thestylus Species 0.000 description 4
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 101150000715 DA18 gene Proteins 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000004441 surface measurement Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32366—Localised processing
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大量加工に入る前に、半導体ウェハの各ロッ
ト毎に局所プラズマエッチング加工特性が把握し、ナノ
トポグラフィーによる不良品発生を低減させること、お
よびナノトポグラフィーと計算負荷との相反する要求に
応えることを課題とする。 【解決手段】 予め凹凸の状況がわかっているウェハＷ
にレジストｒを塗布し、レジストｒのテストライン（中
心線）Ｌｅに沿ってエッチングする。ウェハＷからレジ
ストｒを除去し、触針式形状測定器Ｓを使用して、テス
トラインＬｅと直交する横断ラインＬｍに沿ってウェハ
Ｗの凹凸を測定し、計算によりロットのエッチングプロ
ファイルを導き出す。エッチングプロファイルにより走
査速度を計算する。ナノトポグラフィーが許容の範囲内
に入るまでピッチ幅ｐを変更し計算を繰り返す。得られ
たピッチ幅ｐで本加工のための各ウェハの走査速度をも
とめながら大量加工する。
ト毎に局所プラズマエッチング加工特性が把握し、ナノ
トポグラフィーによる不良品発生を低減させること、お
よびナノトポグラフィーと計算負荷との相反する要求に
応えることを課題とする。 【解決手段】 予め凹凸の状況がわかっているウェハＷ
にレジストｒを塗布し、レジストｒのテストライン（中
心線）Ｌｅに沿ってエッチングする。ウェハＷからレジ
ストｒを除去し、触針式形状測定器Ｓを使用して、テス
トラインＬｅと直交する横断ラインＬｍに沿ってウェハ
Ｗの凹凸を測定し、計算によりロットのエッチングプロ
ファイルを導き出す。エッチングプロファイルにより走
査速度を計算する。ナノトポグラフィーが許容の範囲内
に入るまでピッチ幅ｐを変更し計算を繰り返す。得られ
たピッチ幅ｐで本加工のための各ウェハの走査速度をも
とめながら大量加工する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、局所プラズマエッ
チング法による半導体ウェハの平坦化加工法の分野に関
し、更には、大量に加工する前に、予め局所プラズマエ
ッチングの加工特性を測定し、ナノトポグラフィーが発
生しない加工条件を見つけだしてから半導体ウェハの大
量加工を行う加工法に関する。
チング法による半導体ウェハの平坦化加工法の分野に関
し、更には、大量に加工する前に、予め局所プラズマエ
ッチングの加工特性を測定し、ナノトポグラフィーが発
生しない加工条件を見つけだしてから半導体ウェハの大
量加工を行う加工法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、シリコンウェーハの平坦化加工す
るために、プラズマ中に発生する活性種によってシリコ
ンウェーハを局所的にエッチングする局所プラズマエッ
チング装置（例えば、特開平１１−０５２９９３号公報
に一例が見られる。）が使用されるようになってきた。
図１にはこのような局所プラズマエッチング装置２００
の一般的な例の断面図を示す。
るために、プラズマ中に発生する活性種によってシリコ
ンウェーハを局所的にエッチングする局所プラズマエッ
チング装置（例えば、特開平１１−０５２９９３号公報
に一例が見られる。）が使用されるようになってきた。
図１にはこのような局所プラズマエッチング装置２００
の一般的な例の断面図を示す。
【０００３】局所プラズマエッチング装置２００では、
ＳＦ６（六フッ化硫黄）ガス等をプラズマ発生器１００
で放電させて、Ｆ活性種等を生成し、このＦ活性種ガス
Ｇをノズル部１０１からチャック１２０上のシリコンウ
ェーハＷの表面Ｗａに噴射することで、表面Ｗａの部分
のうち基準厚さ値よりも厚い部分、相対厚部を局所的に
エッチングが行われる。
ＳＦ６（六フッ化硫黄）ガス等をプラズマ発生器１００
で放電させて、Ｆ活性種等を生成し、このＦ活性種ガス
Ｇをノズル部１０１からチャック１２０上のシリコンウ
ェーハＷの表面Ｗａに噴射することで、表面Ｗａの部分
のうち基準厚さ値よりも厚い部分、相対厚部を局所的に
エッチングが行われる。
【０００４】このとき、厚い相対厚部に対しては、チャ
ック１２０を移動速度、即ちノズル部１０１の相対速度
を遅くして、Ｆ活性種ガスＧの噴射時間を長くし、逆に
薄い部分に対しては、ノズル部１０１の相対速度を速く
して、Ｆ活性種ガスＧの噴射時間を短くすることによっ
て、各部分毎にエッチング総量（除肉量）を加減し、シ
リコンウェーハＷの表面Ｗａ全体が平坦化される。
ック１２０を移動速度、即ちノズル部１０１の相対速度
を遅くして、Ｆ活性種ガスＧの噴射時間を長くし、逆に
薄い部分に対しては、ノズル部１０１の相対速度を速く
して、Ｆ活性種ガスＧの噴射時間を短くすることによっ
て、各部分毎にエッチング総量（除肉量）を加減し、シ
リコンウェーハＷの表面Ｗａ全体が平坦化される。
【０００５】ノズル部１０１から噴射される活性種ガス
Ｇが単位時間にウェハＷから材料を除去する量をエッチ
ングレートＥといい、図２に示すように、その中心軸か
らの距離に応じて分布している。なお、エッチングレー
トＥの分布全体を指してエッチングプロファイルともい
う。
Ｇが単位時間にウェハＷから材料を除去する量をエッチ
ングレートＥといい、図２に示すように、その中心軸か
らの距離に応じて分布している。なお、エッチングレー
トＥの分布全体を指してエッチングプロファイルともい
う。
【０００６】ナノトポグラフィーは、半導体ウェーハの
表面にできた凹凸であり、その空間波長はおおよそ０．
２ｍｍ乃至２０ｍｍ、波頂と波底との高さの差（以下波
高という。）は１乃至数百ｎｍである。図３にはナノト
ポグラフィーの例を示す。
表面にできた凹凸であり、その空間波長はおおよそ０．
２ｍｍ乃至２０ｍｍ、波頂と波底との高さの差（以下波
高という。）は１乃至数百ｎｍである。図３にはナノト
ポグラフィーの例を示す。
【０００７】半導体デバイスに多層配線技術が採用され
るようになり、この配線技術からの要求を満たすためＣ
ＭＰ（Chemo-Mechanical Polishing）と呼ばれる化学・
機械複合研磨法が開発された。このＣＭＰ技術によっ
て、半導体ウェーハの表面は非常に高精度に平坦化する
ことが可能となったが、このＣＭＰ装置によっても除去
できない、レベルの異なる微細な凹凸、いわゆるナノト
ポグラフィー、が問題にされるようになってきた。これ
は、ナノトポグラフィーによって、半導体ウェーハの表
面の絶縁層膜の膜厚むらが発生するため、半導体デバイ
スの歩留まりが悪化することから注目されるようになっ
た問題である。なお、ナノトポグラフィーが問題となり
始めたのは最近であり、ナノトポグラフィーに関する技
術は未だ確立していないため、対比すべき技術文献もほ
とんど知られていないが、特願２０００−３２５９２５
号、特願２００１−０２７６３９号を挙げることができ
る。
るようになり、この配線技術からの要求を満たすためＣ
ＭＰ（Chemo-Mechanical Polishing）と呼ばれる化学・
機械複合研磨法が開発された。このＣＭＰ技術によっ
て、半導体ウェーハの表面は非常に高精度に平坦化する
ことが可能となったが、このＣＭＰ装置によっても除去
できない、レベルの異なる微細な凹凸、いわゆるナノト
ポグラフィー、が問題にされるようになってきた。これ
は、ナノトポグラフィーによって、半導体ウェーハの表
面の絶縁層膜の膜厚むらが発生するため、半導体デバイ
スの歩留まりが悪化することから注目されるようになっ
た問題である。なお、ナノトポグラフィーが問題となり
始めたのは最近であり、ナノトポグラフィーに関する技
術は未だ確立していないため、対比すべき技術文献もほ
とんど知られていないが、特願２０００−３２５９２５
号、特願２００１−０２７６３９号を挙げることができ
る。
【０００８】ナノトポグラフィーは、半導体シリコンウ
ェーハ製造のあらゆる工程、例えばシリコン結晶の引き
上げ工程におけるドープむら、ラップ痕、ポリッシュ
痕、スライシング痕、エッチング痕など、にその原因が
あるといわれている。
ェーハ製造のあらゆる工程、例えばシリコン結晶の引き
上げ工程におけるドープむら、ラップ痕、ポリッシュ
痕、スライシング痕、エッチング痕など、にその原因が
あるといわれている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、大量加工に
入る前に、半導体ウェハの各ロット毎、つまり各インゴ
ット毎に局所プラズマエッチング加工特性を把握し、こ
の把握された特性に基づいて、ナノトポグラフィーが発
生しない加工条件、すなわちピッチ幅を導き出すことに
より、この条件下でナノトポグラフィーが問題にならな
い大量加工を可能とすることを課題とする。
入る前に、半導体ウェハの各ロット毎、つまり各インゴ
ット毎に局所プラズマエッチング加工特性を把握し、こ
の把握された特性に基づいて、ナノトポグラフィーが発
生しない加工条件、すなわちピッチ幅を導き出すことに
より、この条件下でナノトポグラフィーが問題にならな
い大量加工を可能とすることを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題は以下の手段に
より解決される。すなわち、第１番目の発明の解決手段
は、一つのロット中の予めその表面の凹凸データがある
代表ウェハに対しプラズマエッチングするためのテスト
エッチング工程と、上記テストエッチングを経た代表ウ
ェハの凹凸を測定するための測定工程と、上記測定工程
で得られた上記代表ウェハの凹凸データと上記最初の凹
凸データから、エッチングプロファイルを計算により導
き出すためのプロファイル計算工程と、上記プロファイ
ル計算工程により導き出されたエッチングプロファイル
を用いて、上記ウェハを適宜のピッチ幅で局所プラズマ
エッチングにより平坦化加工するための走査速度、及
び、この加工によるナノトポグラフィーの量、を計算す
る平坦化計算工程と、上記平坦化計算工程で計算された
ナノトポグラフィーが許容範囲内にないとき、これが上
記許容範囲に入るまで上記ピッチ幅を異なる値に変更し
て上記平坦化計算工程を繰り返すピッチ幅変更工程とを
有する局所プラズマエッチング方法である。
より解決される。すなわち、第１番目の発明の解決手段
は、一つのロット中の予めその表面の凹凸データがある
代表ウェハに対しプラズマエッチングするためのテスト
エッチング工程と、上記テストエッチングを経た代表ウ
ェハの凹凸を測定するための測定工程と、上記測定工程
で得られた上記代表ウェハの凹凸データと上記最初の凹
凸データから、エッチングプロファイルを計算により導
き出すためのプロファイル計算工程と、上記プロファイ
ル計算工程により導き出されたエッチングプロファイル
を用いて、上記ウェハを適宜のピッチ幅で局所プラズマ
エッチングにより平坦化加工するための走査速度、及
び、この加工によるナノトポグラフィーの量、を計算す
る平坦化計算工程と、上記平坦化計算工程で計算された
ナノトポグラフィーが許容範囲内にないとき、これが上
記許容範囲に入るまで上記ピッチ幅を異なる値に変更し
て上記平坦化計算工程を繰り返すピッチ幅変更工程とを
有する局所プラズマエッチング方法である。
【００１１】第２番目の発明は、第１番目の発明の局所
プラズマエッチング方法において、更に、上記テストエ
ッチング工程が、上記代表ウェハ上のテストラインに沿
って予め定められた走査速度で行われるテストエッチン
グ工程であり、上記測定工程が、上記ラインと直交する
方向の横断ラインに沿った凹凸データが得られる測定工
程である局所プラズマエッチング方法である。
プラズマエッチング方法において、更に、上記テストエ
ッチング工程が、上記代表ウェハ上のテストラインに沿
って予め定められた走査速度で行われるテストエッチン
グ工程であり、上記測定工程が、上記ラインと直交する
方向の横断ラインに沿った凹凸データが得られる測定工
程である局所プラズマエッチング方法である。
【００１２】第３番目の発明は、第２番目の発明の局所
プラズマエッチング方法において、更に、この局所プラ
ズマエッチング方法が、上記テストエッチング工程の前
には、上記テストラインがその中央を通るような２つの
位置に充分な間隔があけられたマスキングラインを作る
ためのマスク工程と、上記テストエッチング工程の後で
あって、上記測定工程の前には、上記マスキングライン
を除去するためのマスク除去工程とを有し、上記測定工
程では、上記マスキングラインにより保護されていた面
を含んで測定が行われる局所プラズマエッチング方法で
ある。
プラズマエッチング方法において、更に、この局所プラ
ズマエッチング方法が、上記テストエッチング工程の前
には、上記テストラインがその中央を通るような２つの
位置に充分な間隔があけられたマスキングラインを作る
ためのマスク工程と、上記テストエッチング工程の後で
あって、上記測定工程の前には、上記マスキングライン
を除去するためのマスク除去工程とを有し、上記測定工
程では、上記マスキングラインにより保護されていた面
を含んで測定が行われる局所プラズマエッチング方法で
ある。
【００１３】第４番目の発明は、第１番目の発明の局所
プラズマエッチング方法において、更に、上記テストエ
ッチング工程が、上記代表ウェハ上の一点に停止したノ
ズルから活性種ガスを予め定められた時間だけ噴出させ
ることによって行われるテストエッチング工程であり、
上記測定工程が、少なくとも上記一点を通るライン上の
凹凸データが得られる測定工程である局所プラズマエッ
チング方法である。
プラズマエッチング方法において、更に、上記テストエ
ッチング工程が、上記代表ウェハ上の一点に停止したノ
ズルから活性種ガスを予め定められた時間だけ噴出させ
ることによって行われるテストエッチング工程であり、
上記測定工程が、少なくとも上記一点を通るライン上の
凹凸データが得られる測定工程である局所プラズマエッ
チング方法である。
【００１４】第５番目の発明は、第４番目の発明の局所
プラズマエッチング方法において、更に、この局所プラ
ズマエッチング方法が、上記テストエッチング工程の前
には、上記一点がその中央にあるような環状のマスキン
グサークルを作るためのマスク工程と、上記テストエッ
チング工程の後であって、上記測定工程の前には、上記
マスキングサークルを除去するためのマスク除去工程と
を有し、上記測定工程では、上記マスキングサークルに
より保護されていた面を含んで測定が行われるものであ
る局所プラズマエッチング方法である。
プラズマエッチング方法において、更に、この局所プラ
ズマエッチング方法が、上記テストエッチング工程の前
には、上記一点がその中央にあるような環状のマスキン
グサークルを作るためのマスク工程と、上記テストエッ
チング工程の後であって、上記測定工程の前には、上記
マスキングサークルを除去するためのマスク除去工程と
を有し、上記測定工程では、上記マスキングサークルに
より保護されていた面を含んで測定が行われるものであ
る局所プラズマエッチング方法である。
【００１５】第６番目の発明は、第１番目から第５番目
までの発明の局所プラズマエッチング方法において、こ
の局所プラズマエッチング方法が、更に、ナノトポグラ
フィーが上記許容範囲内に入ったときのピッチ幅によっ
て、上記ウェハが属するロットの各ウェハに対して、上
記走査速度を求め、この速度により上記各ウェハに対し
て局所プラズマエッチングを行う局所プラズマエッチン
グ方法である。
までの発明の局所プラズマエッチング方法において、こ
の局所プラズマエッチング方法が、更に、ナノトポグラ
フィーが上記許容範囲内に入ったときのピッチ幅によっ
て、上記ウェハが属するロットの各ウェハに対して、上
記走査速度を求め、この速度により上記各ウェハに対し
て局所プラズマエッチングを行う局所プラズマエッチン
グ方法である。
【００１６】第７番目の発明は、第１番目から第６番目
までの発明の局所プラズマエッチング方法において、上
記測定工程においては、触針式表面測定器を用いるもの
である局所プラズマエッチング方法である。
までの発明の局所プラズマエッチング方法において、上
記測定工程においては、触針式表面測定器を用いるもの
である局所プラズマエッチング方法である。
【００１７】第８番目の発明は、第１番目から第６番目
までの発明の局所プラズマエッチング方法において、上
記測定工程においては、光学式表面測定器を用いるもの
である局所プラズマエッチング方法である。
までの発明の局所プラズマエッチング方法において、上
記測定工程においては、光学式表面測定器を用いるもの
である局所プラズマエッチング方法である。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照して説明する。図４は、局所プラズマエッ
チング装置の概要を説明するための説明図である。この
局所プラズマエッチング装置は、プラズマ発生器１、ガ
ス供給装置３、Ｘ−Ｙ駆動機構５を具備している。プラ
ズマ発生器１はアルミナ放電管のガスをプラズマ化させ
て中性ラジカルを含んだ活性種ガスＧを生成するための
機器であり、マイクロ波発振器１０と導波管１１とより
なる。マイクロ波発振器１０は、マグネトロンであり、
所定周波数のマイクロ波Ｍを発振することができる。
て図面を参照して説明する。図４は、局所プラズマエッ
チング装置の概要を説明するための説明図である。この
局所プラズマエッチング装置は、プラズマ発生器１、ガ
ス供給装置３、Ｘ−Ｙ駆動機構５を具備している。プラ
ズマ発生器１はアルミナ放電管のガスをプラズマ化させ
て中性ラジカルを含んだ活性種ガスＧを生成するための
機器であり、マイクロ波発振器１０と導波管１１とより
なる。マイクロ波発振器１０は、マグネトロンであり、
所定周波数のマイクロ波Ｍを発振することができる。
【００１９】導波管１１は、マイクロ波発振器１０から
発振されたマイクロ波Ｍを伝搬するためのもので、アル
ミナ放電管２に外挿されている。
発振されたマイクロ波Ｍを伝搬するためのもので、アル
ミナ放電管２に外挿されている。
【００２０】このような導波管１１の左側端内部には、
マイクロ波Ｍを反射して定在波を形成する反射板（ショ
ートプランジャー）１２が取り付けられている。また、
導波管１１の中途には、マイクロ波Ｍの位相合わせを行
うスタブチューナ１３と、マイクロ波発振器１０に向か
う反射マイクロ波Ｍを９０°方向に（図４の表面方向）
に曲げるアイソレータ１４とが取り付けられている。
マイクロ波Ｍを反射して定在波を形成する反射板（ショ
ートプランジャー）１２が取り付けられている。また、
導波管１１の中途には、マイクロ波Ｍの位相合わせを行
うスタブチューナ１３と、マイクロ波発振器１０に向か
う反射マイクロ波Ｍを９０°方向に（図４の表面方向）
に曲げるアイソレータ１４とが取り付けられている。
【００２１】アルミナ放電管２は、下端部にノズル部２
０を有した円筒体であり、上端部には、ガス供給装置３
の供給パイプ３０が連結されている。
０を有した円筒体であり、上端部には、ガス供給装置３
の供給パイプ３０が連結されている。
【００２２】ガス供給装置３は、アルミナ放電管２内に
ガスを供給するための装置であり、ＳＦ６（六フッ化硫
黄）ガスのボンベ３１を有し、ボンベ３１がバルブ３２
と流量制御器３３を介して供給パイプ３０に連結されて
いる。なお、六フッ化硫黄ガスは、このように単独のガ
スとすることもできるが、供給パイプ３０に他のガスを
同時に供給し、六フッ化硫黄ガスを含んだ混合ガスとす
ることもできる。
ガスを供給するための装置であり、ＳＦ６（六フッ化硫
黄）ガスのボンベ３１を有し、ボンベ３１がバルブ３２
と流量制御器３３を介して供給パイプ３０に連結されて
いる。なお、六フッ化硫黄ガスは、このように単独のガ
スとすることもできるが、供給パイプ３０に他のガスを
同時に供給し、六フッ化硫黄ガスを含んだ混合ガスとす
ることもできる。
【００２３】プラズマ発生器１がかかる構成を採ること
により、ガス供給装置３からアルミナ放電管２にガスを
供給すると共に、マイクロ波発振器１０からマイクロ波
Ｍを発振すると、アルミナ放電管２内においてガスのプ
ラズマ化が行われ、プラズマ化によって生成された活性
種ガスＧがノズル部２０から噴射される。
により、ガス供給装置３からアルミナ放電管２にガスを
供給すると共に、マイクロ波発振器１０からマイクロ波
Ｍを発振すると、アルミナ放電管２内においてガスのプ
ラズマ化が行われ、プラズマ化によって生成された活性
種ガスＧがノズル部２０から噴射される。
【００２４】シリコンウェーハＷは、チャンバー４内の
ウェーハテーブル４０上に配置されると、ウェーハテー
ブル４０の静電気力で吸着されるようになっている。チ
ャンバー４には、真空ポンプ４１がとりつけられてお
り、この真空ポンプ４１によってチャンバー４内を真空
にする（減圧する）ことができる。また、チャンバー４
の上面中央部には、孔４２が穿設され、この孔４２を介
してアルミナ放電管２のノズル部２０がチャンバー４内
に外挿されている。また、孔４２とアルミナ放電管２と
の間にはＯ−リング４３が装着され、孔４２とアルミナ
放電管２との間が気密に保持されている。そして、この
ような孔４２に挿入されたノズル部２０の周囲にはダク
ト４４が設けられ真空ポンプ４５の駆動によって、エッ
チング時の反応生成ガスをチャンバー４の外部に排出す
ることができる。
ウェーハテーブル４０上に配置されると、ウェーハテー
ブル４０の静電気力で吸着されるようになっている。チ
ャンバー４には、真空ポンプ４１がとりつけられてお
り、この真空ポンプ４１によってチャンバー４内を真空
にする（減圧する）ことができる。また、チャンバー４
の上面中央部には、孔４２が穿設され、この孔４２を介
してアルミナ放電管２のノズル部２０がチャンバー４内
に外挿されている。また、孔４２とアルミナ放電管２と
の間にはＯ−リング４３が装着され、孔４２とアルミナ
放電管２との間が気密に保持されている。そして、この
ような孔４２に挿入されたノズル部２０の周囲にはダク
ト４４が設けられ真空ポンプ４５の駆動によって、エッ
チング時の反応生成ガスをチャンバー４の外部に排出す
ることができる。
【００２５】Ｘ−Ｙ駆動機構５は、このようなチャンバ
ー４内に配されており、ウェーハテーブル４０の下方か
ら支持している。このＸ−Ｙ駆動機構５は、そのＸ駆動
モータ５０によってウェーハテーブル４０を図４の左右
方向に移動させ、そのＹ駆動モータ５１によってウェー
ハテーブル４０とＸ駆動モータ５０とを一体に図４の紙
面表裏方向に移動させる。すなわち、このＸ−Ｙ駆動機
構５によってノズル部２０をシリコンウェーハＷに対し
て相対的にＸ−Ｙ方向に移動させることができる。
ー４内に配されており、ウェーハテーブル４０の下方か
ら支持している。このＸ−Ｙ駆動機構５は、そのＸ駆動
モータ５０によってウェーハテーブル４０を図４の左右
方向に移動させ、そのＹ駆動モータ５１によってウェー
ハテーブル４０とＸ駆動モータ５０とを一体に図４の紙
面表裏方向に移動させる。すなわち、このＸ−Ｙ駆動機
構５によってノズル部２０をシリコンウェーハＷに対し
て相対的にＸ−Ｙ方向に移動させることができる。
【００２６】ガス供給装置３のバルブ３２を開くと、ボ
ンベ３１内のＳＦ６ガスが供給パイプ３０に流出して、
アルミナ放電管２に供給される。この時、バルブ３２の
開度によってＳＦ６ガスの流量が調整される。
ンベ３１内のＳＦ６ガスが供給パイプ３０に流出して、
アルミナ放電管２に供給される。この時、バルブ３２の
開度によってＳＦ６ガスの流量が調整される。
【００２７】上記ＳＦ６ガス又はこの混合ガスの供給作
業と平行して、マイクロ波発振器１０を駆動する。する
と、ＳＦ６ガスがマイクロ波Ｍによってプラズマ化さ
れ、中性ラジカルであるＦ（フッ素）ラジカル（中性活
性種）を含んだ活性種ガスＧが生成される。これにより
活性種ガスＧがアルミナ放電管２のノズル部２０に案内
されて、ノズル部２０の開口２０ａからシリコンウェー
ハＷ側に向けて噴射される。
業と平行して、マイクロ波発振器１０を駆動する。する
と、ＳＦ６ガスがマイクロ波Ｍによってプラズマ化さ
れ、中性ラジカルであるＦ（フッ素）ラジカル（中性活
性種）を含んだ活性種ガスＧが生成される。これにより
活性種ガスＧがアルミナ放電管２のノズル部２０に案内
されて、ノズル部２０の開口２０ａからシリコンウェー
ハＷ側に向けて噴射される。
【００２８】活性種ガスの噴射と平行して、制御コンピ
ュータ４９によりＸ−Ｙ駆動機構５を駆動し、シリコン
ウェーハＷを吸着したウェーハテーブル４０をＸ−Ｙ方
向に移動する。このＸ−Ｙ方向の移動によってウェハＷ
をノズル部２０が走査する。図５にはノズル部２０の走
査軌跡を示しており、ピッチｐのピッチ幅でもってウェ
ハＷの全面を覆うような軌跡である。
ュータ４９によりＸ−Ｙ駆動機構５を駆動し、シリコン
ウェーハＷを吸着したウェーハテーブル４０をＸ−Ｙ方
向に移動する。このＸ−Ｙ方向の移動によってウェハＷ
をノズル部２０が走査する。図５にはノズル部２０の走
査軌跡を示しており、ピッチｐのピッチ幅でもってウェ
ハＷの全面を覆うような軌跡である。
【００２９】シリコンウェーハの表面の材料は活性種ガ
スと化学反応を起こし、生成したガス状の生成物は噴射
されたガスとともにその場から流れ去るため、これによ
ってシリコンウェーハＷの表面から材料が除去される。
除去される量は活性種ガスに曝される時間に略比例する
ので、シリコンウェーハＷとノズル部２０との相対速度
を制御することにより除肉量が制御される。
スと化学反応を起こし、生成したガス状の生成物は噴射
されたガスとともにその場から流れ去るため、これによ
ってシリコンウェーハＷの表面から材料が除去される。
除去される量は活性種ガスに曝される時間に略比例する
ので、シリコンウェーハＷとノズル部２０との相対速度
を制御することにより除肉量が制御される。
【００３０】本発明では、ウェハの大量加工に先立っ
て、そのロットの中の予め表面の凹凸データがわかって
いるウェハＷを用い予定されている加工条件（例えば、
活性種ガスおよび添加ガスの種類、流量、マイクロ波の
出力、等）下、及び予め決められた走査速度でエッチン
グすることにより、そのロットに対するエッチング特性
が測定される。これはロット毎（一つのインゴット毎）
に微妙に異なるウェハＷの被加工特性の違いから生じる
影響をなくすためである。上記テストエッチングでは一
つのインゴットからスライスされたウェハの内の１枚又
は復数枚が代表として選ばれる。代表を複数枚とする場
合、インゴットの中央部及び両端近傍からスライスされ
た３枚といったように、採取箇所を分散させるのが好ま
しい。
て、そのロットの中の予め表面の凹凸データがわかって
いるウェハＷを用い予定されている加工条件（例えば、
活性種ガスおよび添加ガスの種類、流量、マイクロ波の
出力、等）下、及び予め決められた走査速度でエッチン
グすることにより、そのロットに対するエッチング特性
が測定される。これはロット毎（一つのインゴット毎）
に微妙に異なるウェハＷの被加工特性の違いから生じる
影響をなくすためである。上記テストエッチングでは一
つのインゴットからスライスされたウェハの内の１枚又
は復数枚が代表として選ばれる。代表を複数枚とする場
合、インゴットの中央部及び両端近傍からスライスされ
た３枚といったように、採取箇所を分散させるのが好ま
しい。
【００３１】「実施例１」図６、および、図７は本発明
の実施例１について処理の説明をするための説明図およ
びフローチャートである。ここで行われる局所プラズマ
エッチングは、大量加工に使用される局所プラズマエッ
チング装置と同一（そのもの）が用いられる。
の実施例１について処理の説明をするための説明図およ
びフローチャートである。ここで行われる局所プラズマ
エッチングは、大量加工に使用される局所プラズマエッ
チング装置と同一（そのもの）が用いられる。
【００３２】（１） まず、予め凹凸のデータが得られ
ている代表のウェハＷに対し、適宜の幅をもち予想され
るエッチングプロファイルの及ぶ径よりも大きい適宜の
間隔で２本のマスキングラインを作る（図６（ａ）、図
７−Ｓ０１）。マスキングラインは例えばレジストｒを
塗布することにより得られる。マスキングライン（レジ
ストｒ）は、測定の基準となる面がテストエッチングに
よって除肉されないように保護するためのものである。
ている代表のウェハＷに対し、適宜の幅をもち予想され
るエッチングプロファイルの及ぶ径よりも大きい適宜の
間隔で２本のマスキングラインを作る（図６（ａ）、図
７−Ｓ０１）。マスキングラインは例えばレジストｒを
塗布することにより得られる。マスキングライン（レジ
ストｒ）は、測定の基準となる面がテストエッチングに
よって除肉されないように保護するためのものである。
【００３３】（２） ２本のマスキングライン（２本の
レジストｒ）の中心線、すなわちテストラインＬｅに沿
ってエッチングする（図６（ｂ）、図７−Ｓ０２）。テ
ストラインＬｅは一本の直線である。エッチング条件
は、エッチングの軌跡と走査速度を除いて予定されてい
る大量加工時のそれと同じである。
レジストｒ）の中心線、すなわちテストラインＬｅに沿
ってエッチングする（図６（ｂ）、図７−Ｓ０２）。テ
ストラインＬｅは一本の直線である。エッチング条件
は、エッチングの軌跡と走査速度を除いて予定されてい
る大量加工時のそれと同じである。
【００３４】（３） ウェハＷからマスキングライン
（レジストｒ）を除去する（図７−Ｓ０３）。マスキン
グラインの除去によって基準となる面が表面に現れる。
触針式形状測定器Ｓを使用して、先のテストラインＬｅ
と直交する横断ラインＬｍに沿って、上記２つの基準面
とテストラインＬｅを横断するように触針を移動させ
て、ウェハＷの横断ラインＬｍに沿った凹凸を測定する
（図６（ｃ）、図７−Ｓ０４）。
（レジストｒ）を除去する（図７−Ｓ０３）。マスキン
グラインの除去によって基準となる面が表面に現れる。
触針式形状測定器Ｓを使用して、先のテストラインＬｅ
と直交する横断ラインＬｍに沿って、上記２つの基準面
とテストラインＬｅを横断するように触針を移動させ
て、ウェハＷの横断ラインＬｍに沿った凹凸を測定する
（図６（ｃ）、図７−Ｓ０４）。
【００３５】（４） 測定されたデータにはエッチング
されていない、したがって除肉されていないことが明確
な基準面のデータが含まれるので、この測定されたデー
タと最初の凹凸データから、その条件下でのエッチング
プロファイル（エッチングレートＥ）を計算により導き
出す（図７−Ｓ０５）。なお、代表ウェハを複数枚とし
たときには、それぞれで求めたエッチングプロファイル
を平均することにより、求めるエッチングプロファイル
とする。また、もともとエッチングプロファイルは３次
元のデータであるが、この実施例では一定速度で走査し
たときの２次元のエッチングプロファイルが得られてい
るから、次の工程で行うべき走査方向に３次元のエッチ
ングプロファイルを重ね合わせる計算が実質的に済んで
いる（つまり、各位置での速度の逆数を掛けるだけ）た
め、次の工程の計算の負荷が低減できる。
されていない、したがって除肉されていないことが明確
な基準面のデータが含まれるので、この測定されたデー
タと最初の凹凸データから、その条件下でのエッチング
プロファイル（エッチングレートＥ）を計算により導き
出す（図７−Ｓ０５）。なお、代表ウェハを複数枚とし
たときには、それぞれで求めたエッチングプロファイル
を平均することにより、求めるエッチングプロファイル
とする。また、もともとエッチングプロファイルは３次
元のデータであるが、この実施例では一定速度で走査し
たときの２次元のエッチングプロファイルが得られてい
るから、次の工程で行うべき走査方向に３次元のエッチ
ングプロファイルを重ね合わせる計算が実質的に済んで
いる（つまり、各位置での速度の逆数を掛けるだけ）た
め、次の工程の計算の負荷が低減できる。
【００３６】（５） あるピッチｐと上で導き出された
エッチングプロファイルを用いて、ウェハＷを局所プラ
ズマエッチングにより平坦化加工するための走査速度を
計算する。この計算により、この条件で局所プラズマエ
ッチングしたときのナノトポグラフィーの様子がわかる
（同時に計算される。図７−Ｓ０６）。ナノトポグラフ
ィーが許容の範囲にないとき（図７−Ｓ０７「Ｎ
Ｏ」）、先のピッチ幅ｐを異なる値（例えばより小さい
値）に変更し再度同じ計算を行う（図７−Ｓ０６）。こ
れをナノトポグラフィーが許容の範囲内に入る（図７−
Ｓ０７「ＹＥＳ」）ピッチ幅が得られるまで繰り返す。
こうして得られたピッチ幅ｐの加工条件下でそのロット
の各ウェハについて走査速度を求めて、局所プラズマエ
ッチング、すなわち本加工である大量のウェハの平坦化
加工（図７−Ｓ０８、Ｓ０９、Ｓ１０）を行う。
エッチングプロファイルを用いて、ウェハＷを局所プラ
ズマエッチングにより平坦化加工するための走査速度を
計算する。この計算により、この条件で局所プラズマエ
ッチングしたときのナノトポグラフィーの様子がわかる
（同時に計算される。図７−Ｓ０６）。ナノトポグラフ
ィーが許容の範囲にないとき（図７−Ｓ０７「Ｎ
Ｏ」）、先のピッチ幅ｐを異なる値（例えばより小さい
値）に変更し再度同じ計算を行う（図７−Ｓ０６）。こ
れをナノトポグラフィーが許容の範囲内に入る（図７−
Ｓ０７「ＹＥＳ」）ピッチ幅が得られるまで繰り返す。
こうして得られたピッチ幅ｐの加工条件下でそのロット
の各ウェハについて走査速度を求めて、局所プラズマエ
ッチング、すなわち本加工である大量のウェハの平坦化
加工（図７−Ｓ０８、Ｓ０９、Ｓ１０）を行う。
【００３７】「実施例２」図８は、実施例２について処
理の説明をするための説明図であり、図７のフローチャ
ートはこの実施例においても変わらない。また、使用さ
れる局所プラズマエッチング装置は実施例１と同様本番
で使用されるものと同一の装置である。
理の説明をするための説明図であり、図７のフローチャ
ートはこの実施例においても変わらない。また、使用さ
れる局所プラズマエッチング装置は実施例１と同様本番
で使用されるものと同一の装置である。
【００３８】この例では、テストエッチングはノズルを
走査することなく一点に止め、決められた時間だけ行わ
れる。マスキング（レジストｒ）は上記一点、例えばウ
ェハＷの中心、を中心として環状に設けられる。
走査することなく一点に止め、決められた時間だけ行わ
れる。マスキング（レジストｒ）は上記一点、例えばウ
ェハＷの中心、を中心として環状に設けられる。
【００３９】（１） まず、代表とするウェハＷに環状
のマスキングサークルを作る（図８（ａ）、図７−Ｓ０
１）。マスキングサークルは、例えば、レジストｒを塗
布することによって得られる。
のマスキングサークルを作る（図８（ａ）、図７−Ｓ０
１）。マスキングサークルは、例えば、レジストｒを塗
布することによって得られる。
【００４０】（２） 上記中心にエッチングノズルＮｚ
の中心を合わせ、一定の時間だけテストエッチング（ポ
イントエッチング）を行う（図８（ｂ）、図７−Ｓ０
２）。
の中心を合わせ、一定の時間だけテストエッチング（ポ
イントエッチング）を行う（図８（ｂ）、図７−Ｓ０
２）。
【００４１】（３） ウェハＷからマスキングサークル
（レジストｒ）を除去する（図８（ｂ）、図７−Ｓ０
３）。マスキングサークルの除去によって基準となる面
が表面に現れる。触針式形状測定器Ｓを使用して上記基
準となるマスキングサークルを除去した領域を含めて、
図８（ｃ）で示すように矢印で示すような何本かの軌跡
に沿ってウェハＷの表面形状を測定する（図７−Ｓ０
４）。なお、上記軌跡の本数は中心を通る１本の直線で
もよい。
（レジストｒ）を除去する（図８（ｂ）、図７−Ｓ０
３）。マスキングサークルの除去によって基準となる面
が表面に現れる。触針式形状測定器Ｓを使用して上記基
準となるマスキングサークルを除去した領域を含めて、
図８（ｃ）で示すように矢印で示すような何本かの軌跡
に沿ってウェハＷの表面形状を測定する（図７−Ｓ０
４）。なお、上記軌跡の本数は中心を通る１本の直線で
もよい。
【００４２】（４） 測定されたデータにはエッチング
されていない基準面のデータが含まれるので、このデー
タと予め得られている最初のデータから各位置毎の単位
時間に除肉される量、すなわちエッチングプロファイル
が求められる。（図７−Ｓ０５）。
されていない基準面のデータが含まれるので、このデー
タと予め得られている最初のデータから各位置毎の単位
時間に除肉される量、すなわちエッチングプロファイル
が求められる。（図７−Ｓ０５）。
【００４３】（５） あるピッチｐと上で導き出された
エッチングプロファイルを用いて、ウェハＷを局所プラ
ズマエッチングにより平坦化加工するための走査速度を
計算する。この計算により、この条件で局所プラズマエ
ッチングしたときのナノトポグラフィーの様子がわかる
（同時に計算される。図７−Ｓ０６）。ナノトポグラフ
ィーが許容の範囲にないとき（図７−Ｓ０７「Ｎ
Ｏ」）、先のピッチ幅ｐをより小さい値に変更し再度同
じ計算を行う（図７−Ｓ０６）。
エッチングプロファイルを用いて、ウェハＷを局所プラ
ズマエッチングにより平坦化加工するための走査速度を
計算する。この計算により、この条件で局所プラズマエ
ッチングしたときのナノトポグラフィーの様子がわかる
（同時に計算される。図７−Ｓ０６）。ナノトポグラフ
ィーが許容の範囲にないとき（図７−Ｓ０７「Ｎ
Ｏ」）、先のピッチ幅ｐをより小さい値に変更し再度同
じ計算を行う（図７−Ｓ０６）。
【００４４】（６） ステップＳ０８以降は、実施例１
のステップＳ０８−Ｓ９９と同様である。以下の説明を
省略する。
のステップＳ０８−Ｓ９９と同様である。以下の説明を
省略する。
【００４５】「実施例３」実施例１及び実施例２では、
マスキング（レジストｒ）で保護することによりテスト
エッチングによってウェハの表側にある測定の基準面が
除肉されないようにしている。実施例３では、測定の基
準面をウェハＷの裏側面にとり、測定基準面の保護を不
要にしている。以下に手順を示す。
マスキング（レジストｒ）で保護することによりテスト
エッチングによってウェハの表側にある測定の基準面が
除肉されないようにしている。実施例３では、測定の基
準面をウェハＷの裏側面にとり、測定基準面の保護を不
要にしている。以下に手順を示す。
【００４６】（１） 予め厚さに関する凹凸データが得
られているウェハに対して、実施例１のような１ライン
のテストエッチング又は実施例２のようなポイントエッ
チングを行う。 （２） テストエッチングした裏側面を基準にしてウェ
ハＷの厚さ（凹凸データ）を測定する。 （３） 予め得られている凹凸データと測定によって得
られた凹凸データと、上記の測定データから、エッチン
グプロファイルを計算する。 （４） 以下、図７のステップＳ０６以降の処理と同様
の処理を行う。以下の説明を省略する。 実施例３では、マスキングを作る、あるいは、これを除
去する手数がかからないというメリットがある。
られているウェハに対して、実施例１のような１ライン
のテストエッチング又は実施例２のようなポイントエッ
チングを行う。 （２） テストエッチングした裏側面を基準にしてウェ
ハＷの厚さ（凹凸データ）を測定する。 （３） 予め得られている凹凸データと測定によって得
られた凹凸データと、上記の測定データから、エッチン
グプロファイルを計算する。 （４） 以下、図７のステップＳ０６以降の処理と同様
の処理を行う。以下の説明を省略する。 実施例３では、マスキングを作る、あるいは、これを除
去する手数がかからないというメリットがある。
【００４７】以上に示した実施例１ないし３において表
面測定に使用されている触針式形状測定器は、これに限
定されるものではなく、他の測定手段、例えば、光の干
渉あるいは反射を利用した光学式形状測定器、とするこ
とも可能である。また、マスキングはレジストｒを塗布
することによって得られる例を示したが、これは基準面
をエッチングから保護できればよいので、レジスト膜に
限定されるものではなく、他の耐エッチングマスク材を
使用すること、あるいはポリイミドテープなどのマスキ
ングテープを貼り付けることによっても同様の機能を果
たすことが可能である。
面測定に使用されている触針式形状測定器は、これに限
定されるものではなく、他の測定手段、例えば、光の干
渉あるいは反射を利用した光学式形状測定器、とするこ
とも可能である。また、マスキングはレジストｒを塗布
することによって得られる例を示したが、これは基準面
をエッチングから保護できればよいので、レジスト膜に
限定されるものではなく、他の耐エッチングマスク材を
使用すること、あるいはポリイミドテープなどのマスキ
ングテープを貼り付けることによっても同様の機能を果
たすことが可能である。
【００４８】上記実施例に示すように、本発明では、あ
るウェハロットの中で、事前にその凹凸データがわかっ
ているウェハについてテストエッチングが行われる。テ
ストエッチング後に測定された凹凸データと事前にわか
っている凹凸データから、その条件下でのエッチングプ
ロファイルが計算される。このエッチングプロファイル
のデータを用い平坦化加工後に生じるナノトポグラフィ
ーの量が計算される。このときのピッチ幅が適正かどう
かをチェックし、適正になるまでエッチングのピッチ幅
が求められる。
るウェハロットの中で、事前にその凹凸データがわかっ
ているウェハについてテストエッチングが行われる。テ
ストエッチング後に測定された凹凸データと事前にわか
っている凹凸データから、その条件下でのエッチングプ
ロファイルが計算される。このエッチングプロファイル
のデータを用い平坦化加工後に生じるナノトポグラフィ
ーの量が計算される。このときのピッチ幅が適正かどう
かをチェックし、適正になるまでエッチングのピッチ幅
が求められる。
【００４９】ピッチ幅ｐは精度の上からは小さい方がよ
り好ましいが、各ポイント毎の走査速度を多元の連立１
次方程式によって求めるため、これを小さくすると、飛
躍的に計算負荷が増大する。局所プラズマエッチングで
はウェハ毎に平坦化に必要な走査速度を求めるため、で
きるだけ計算負荷の少ないピッチ幅ｐを用いたい。本発
明では、ロット毎に、ナノトポグラフィーが生じない限
り最大のピッチ幅ｐを用いることになるので、ナノトポ
グラフィーの発生と計算負荷との相反する要求に応える
ことができる。
り好ましいが、各ポイント毎の走査速度を多元の連立１
次方程式によって求めるため、これを小さくすると、飛
躍的に計算負荷が増大する。局所プラズマエッチングで
はウェハ毎に平坦化に必要な走査速度を求めるため、で
きるだけ計算負荷の少ないピッチ幅ｐを用いたい。本発
明では、ロット毎に、ナノトポグラフィーが生じない限
り最大のピッチ幅ｐを用いることになるので、ナノトポ
グラフィーの発生と計算負荷との相反する要求に応える
ことができる。
【００５０】
【発明の効果】本発明によれば、大量加工に入る前に、
半導体ウェハの各ロット毎に局所プラズマエッチング加
工特性が把握され、この把握された特性に基づいて、ナ
ノトポグラフィーが発生しない加工条件、すなわちピッ
チ幅が導き出される。これにより、この条件下で大量加
工を行っても、ナノトポグラフィーによる不良品発生を
低減することができるという効果を奏する。さらに、ロ
ット毎に、ナノトポグラフィーが生じない限り最大のピ
ッチ幅ｐを用いることになるので、ナノトポグラフィー
と計算負荷との相反する要求に応えることができるとい
う効果を奏する。
半導体ウェハの各ロット毎に局所プラズマエッチング加
工特性が把握され、この把握された特性に基づいて、ナ
ノトポグラフィーが発生しない加工条件、すなわちピッ
チ幅が導き出される。これにより、この条件下で大量加
工を行っても、ナノトポグラフィーによる不良品発生を
低減することができるという効果を奏する。さらに、ロ
ット毎に、ナノトポグラフィーが生じない限り最大のピ
ッチ幅ｐを用いることになるので、ナノトポグラフィー
と計算負荷との相反する要求に応えることができるとい
う効果を奏する。
【図１】局所プラズマエッチング装置の一般的な例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】エッチングレートＥの分布の例を示すグラフで
ある。
ある。
【図３】ナノトポグラフィーの例を示すグラフである。
【図４】局所プラズマエッチング装置の概要を説明する
ための説明図である。
ための説明図である。
【図５】ノズル部の走査軌跡、すなわちピッチｐのピッ
チ幅でもってウェハＷの全面を覆うような軌跡を示す説
明図である。
チ幅でもってウェハＷの全面を覆うような軌跡を示す説
明図である。
【図６】ロット毎に微妙に異なるウェハＷの被加工特性
を測定する過程を説明するための説明図である（実施例
１）。
を測定する過程を説明するための説明図である（実施例
１）。
【図７】本発明を説明するためのフローチャートである
（実施例１、２及び実施例３の一部）。
（実施例１、２及び実施例３の一部）。
【図８】ロット毎に微妙に異なるウェハＷの被加工特性
を測定する過程を説明するための説明図である（実施例
２）。
を測定する過程を説明するための説明図である（実施例
２）。
２ アルミナ放電管 ３ ガス供給装置 ４ チャンバー ５ Ｘ−Ｙ駆動機構 １０ マイクロ波発振器 １１ 導波管 １３ スタブチューナ １４ アイソレータ ３０ 供給パイプ ３１ ボンベ ３２ バルブ ３３ 流量制御器 ４０ ウェーハテーブル ４１、４５ 真空ポンプ ４２ 孔 ４３ Ｏ−リング ４４ ダクト ４９ 制御コンピュータ ５０ Ｘ駆動モータ ５１ Ｙ駆動モータ １００、１ プラズマ発生器 １０１、２０ ノズル部 １２０ チャック ２００ 局所プラズマエッチング装置 ２０ａ 開口 Ｇ 活性種ガス Ｍ マイクロ波 Ｓ 触針式形状測定器 Ｗ シリコンウェーハ ｐ ピッチ幅 ｒ レジスト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G075 AA24 AA30 AA61 BC06 CA47 EB01 ED13 FB01 5F004 AA11 BA03 BB14 CA05 CA08 CB20 DA18 DB01
Claims (8)
- 【請求項１】 一つのロット中の予めその表面の凹凸デ
ータがある代表ウェハに対しプラズマエッチングするた
めのテストエッチング工程と、 上記テストエッチングを経た代表ウェハの凹凸を測定す
るための測定工程と、 上記測定工程で得られた上記代表ウェハの凹凸データと
上記最初の凹凸データから、エッチングプロファイルを
計算により導き出すためのプロファイル計算工程と、 上記プロファイル計算工程により導き出されたエッチン
グプロファイルを用いて、上記ウェハを適宜のピッチ幅
で局所プラズマエッチングにより平坦化加工するための
走査速度、及び、この加工によるナノトポグラフィーの
量、を計算する平坦化計算工程と、 上記平坦化計算工程で計算されたナノトポグラフィーが
許容範囲内にないとき、これが上記許容範囲に入るまで
上記ピッチ幅を異なる値に変更して上記平坦化計算工程
を繰り返すピッチ幅変更工程とを有することを特徴とす
る局所プラズマエッチング方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載された局所プラズマエッ
チング方法において、 上記テストエッチング工程は、上記代表ウェハ上のテス
トラインに沿って予め定められた走査速度で行われるテ
ストエッチング工程であり、 上記測定工程は、上記ラインと直交する方向の横断ライ
ンに沿った凹凸データが得られる測定工程であることを
特徴とする局所プラズマエッチング方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載された局所プラズマエッ
チング方法において、この局所プラズマエッチング方法
が、 上記テストエッチング工程の前には、上記テストライン
がその中央を通るような２つの位置に充分な間隔があけ
られたマスキングラインを作るためのマスク工程と、 上記テストエッチング工程の後であって、上記測定工程
の前には、上記マスキングラインを除去するためのマス
ク除去工程とを有し、 上記測定工程では、上記マスキングラインにより保護さ
れていた面を含んで測定が行われることを特徴とする局
所プラズマエッチング方法。 - 【請求項４】 請求項１に記載された局所プラズマエッ
チング方法において、 上記テストエッチング工程は、上記代表ウェハ上の一点
に停止したノズルから活性種ガスを予め定められた時間
だけ噴出させることによって行われるテストエッチング
工程であり、 上記測定工程は、少なくとも上記一点を通るライン上の
凹凸データが得られる測定工程であることを特徴とする
局所プラズマエッチング方法。 - 【請求項５】 請求項４に記載された局所プラズマエッ
チング方法において、この局所プラズマエッチング方法
が、 上記テストエッチング工程の前には、上記一点がその中
央にあるような環状のマスキングサークルを作るための
マスク工程と、 上記テストエッチング工程の後であって、上記測定工程
の前には、上記マスキングサークルを除去するためのマ
スク除去工程とを有し、 上記測定工程では、上記マスキングサークルにより保護
されていた面を含んで測定が行われることを特徴とする
局所プラズマエッチング方法。 - 【請求項６】 請求項１から請求項５までのいずれかに
記載された局所プラズマエッチング方法において、この
局所プラズマエッチング方法は、 更に、ナノトポグラフィーが上記許容範囲内に入ったと
きのピッチ幅によって、上記ウェハが属するロットの各
ウェハに対して、上記走査速度を求め、この速度により
上記各ウェハに対して局所プラズマエッチングを行うこ
とを特徴とする局所プラズマエッチング方法。 - 【請求項７】 請求項１から請求項６までのいずれかに
記載された局所プラズマエッチング方法において、 上記測定工程においては、触針式表面測定器を用いるこ
とを特徴とする局所プラズマエッチング方法。 - 【請求項８】 請求項１から請求項６までのいずれかに
記載された局所プラズマエッチング方法において、 上記測定工程においては、光学式表面測定器を用いるこ
とを特徴とする局所プラズマエッチング方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001149452A JP2002343772A (ja) | 2001-05-18 | 2001-05-18 | 局所プラズマエッチング方法 |
| US10/144,800 US6649528B2 (en) | 2001-05-18 | 2002-05-15 | Local dry etching method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001149452A JP2002343772A (ja) | 2001-05-18 | 2001-05-18 | 局所プラズマエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002343772A true JP2002343772A (ja) | 2002-11-29 |
Family
ID=18994620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001149452A Withdrawn JP2002343772A (ja) | 2001-05-18 | 2001-05-18 | 局所プラズマエッチング方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6649528B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002343772A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007214215A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Showa Shinku:Kk | エッチング装置、エッチング方法及びプログラム |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002231700A (ja) * | 2001-02-05 | 2002-08-16 | Speedfam Co Ltd | ナノトポグラフィ除去方法 |
| TW575932B (en) * | 2002-12-17 | 2004-02-11 | Ind Tech Res Inst | Structure and method for testing etching rate |
| KR100688776B1 (ko) * | 2004-12-27 | 2007-03-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 시즈닝 방법 |
| US7930058B2 (en) * | 2006-01-30 | 2011-04-19 | Memc Electronic Materials, Inc. | Nanotopography control and optimization using feedback from warp data |
| US9431262B2 (en) | 2014-03-14 | 2016-08-30 | Fujikoshi Machinery Corp. | Method for polishing work and work polishing apparatus |
| US11289386B2 (en) | 2016-04-26 | 2022-03-29 | Active Layer Parametrics, Inc. | Methods and apparatus for test pattern forming and film property measurement |
| WO2017189582A1 (en) | 2016-04-26 | 2017-11-02 | Active Layer Parametrics, Inc. | Methods and systems for material property profiling of thin films |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6151532A (en) * | 1998-03-03 | 2000-11-21 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for predicting plasma-process surface profiles |
| JP4212707B2 (ja) | 1998-11-26 | 2009-01-21 | スピードファム株式会社 | ウエハ平坦化システム及びウエハ平坦化方法 |
-
2001
- 2001-05-18 JP JP2001149452A patent/JP2002343772A/ja not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-05-15 US US10/144,800 patent/US6649528B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007214215A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Showa Shinku:Kk | エッチング装置、エッチング方法及びプログラム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6649528B2 (en) | 2003-11-18 |
| US20020173149A1 (en) | 2002-11-21 |
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