KR100503466B1 - 방전램프용냉음극,상기냉음극이장치된방전램프,및상기방전램프의동작방법 - Google Patents

방전램프용냉음극,상기냉음극이장치된방전램프,및상기방전램프의동작방법 Download PDF

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Abstract

유전체적으로 지연되는 방전에 의해 동작되는 방전 램프(6)용 냉음극(1)은 강유전체가 샌드위치 방식으로 배열되는 두 개의 전기 전도성, 상호 반대 전극을 가진다. 적어도 하나의 전극은 하나 이상의 개구부가 제공된다. 동작 동안, 빠르게 반전하는 극성의 전압은 두 개의 전극에 제공된다. 그 결과 방전 램프의 동작 전압에 의해, 개구부를 통하여 램프 양극(8)으로 가속되고 램프(6)의 방전을 점화 또는 유지하기 위하여 사용하는 전자를 강유전체의 표면상에서 방출한다.

Description

방전 램프용 냉음극, 상기 냉음극이 장치된 방전 램프, 및 상기 방전 램프의 동작 방법{COLD CATHODE FOR DISCHARGE LAMPS, DISCHARGE LAMP FITTED WITH SAID COLD CATHODE, AND PRINCIPLE OF OPERATION OF SAID DISCHARGE LAMP}
본 발명은 방전 램프용 냉음극(cold chathode)에 관한 것으로서, 특히 청구범위 제 1 항의 전제부에 따른 유전체적 지연 방전에 의해 동작되는 방전 램프용 냉음극에 관한 것이다.
유전체적 지연 방전 램프에서, 적어도 하나의 전극은 유전체 층에 의해 방전 공간으로부터 분리된다.
본 발명은 냉음극을 가지는 방전 램프, 특히 청구범위 제 9 항의 전제부에 따른 유전체적 지연 방전에 의해 동작되는 방전 램프와 청구범위 제 12 항의 전제부에 따른 상기 램프를 동작시키기 위한 방법에 관한 것이다.
여기서, "방전 램프"는 가시적 전자기 방사선, 또는 다른 자외선(UV) 및 진공 자외선(VUV) 방사선으로서, 광을 방사하는 라디에이터를 의미한다.
방전 램프 전극의 임무는 특히 자체 유지 방전(self-maintain discharge)을 지속하는데 필요한 자유 전자 수를 공급하는 것이다. 이들 전자는 음극(변하지 않는 극성의 전압, 예를들어 DC 전압 또는 단극성(unipolar) 펄스 전압으로 동작하는 경우) 또는 순시(instantaneous) 음극(가변 극성의 전압, 예를들어 AC 전압 또는 양극성(bipolar) 펄스 전압으로 동작하는 경우)에 의해 공급된다. 게다가, 자유 전자는 (순시) 음극의 전면에 배치된 음극 폴(fall) 공간에서 생성된다.
음극 폴 공간은 전극 사이의 남은 공간과 비교하여 높은 자기장 세기를 특징으로 한다. 즉 음극에 대한 전위가 이러한 영역에서 비교적 강하게 강하하는 것을 말한다. 결과적으로, 음극 폴 공간에서 자유 전자의 생성은 일반적으로 대응하는 높은 전력 반전과 연관된다. 유용한 광선, 즉 광 또는 UV/VUV 광선의 가능한 효과적인 생성에 관련하여, 방전 램프의 음극 폴을 감소시키는 것이 목표된다. 최종적인 분석에서, 이것은 전자가 음극 표면으로부터 방출되는 효율성 증가를 요구한다.
한가지 방법은 필라멘트로서 전극을 설계하고, 상기 전극을 가열하고, 가능하다면, 부가적으로 이미터 페이스트(emitter paste)로 상기 전극을 코팅하여 열적 전자 방사를 개선하는 것이다. 이런 비교적 복잡한 기술은 예를들어 형광 램프의 경우에 사용된다. 게다가 이들 소위 핫 전극과 연관된 단점은 램프의 제한된 서비스 수명 및 충진 가스의 온도 상승이다.
DE-U 295 01 343은 냉음극을 가지는 글로우(glow) 형광 램프를 개시한다. 전극은 음극 폴을 감소시키기 위하여 망간 또는 란탄으로 도핑된다.
US 5 418 424는 포토 음극을 가지는 VUV 방사 소스를 기술한다. 특히 방사 소스 내부에 단파 VUV 방사선을 생성하는 Xe 엑시머(excimer)가 형성된다. 포도 음극은 스테인레스 스틸 표면에 제공된 50 ㎚ 두께의 광방사층 및 상기 층과 평행한 그리드 전극을 포함한다. VUV 방사선은 그리드 전극을 통하여 광방사 층으로 통과하고 광 효과에 의해 거기에 전자를 방출한다. 이들 전자는 그리드 전극을 통하여 통과하여 방전을 유지한다. 전자를 생성하기 위한 전술한 메카니즘은 방전 그 자체에 의해 생성된 VUV 방사선을 기반으로 하는 단점을 가진다. 그래서, 방전의 점화 동안, 이 전자 소스는 유용하지 않거나, 제한된 범위에만 유용하다. 이것은 펄스로 동작되는 방전의 경우에 효율 손실에 부정적인 방식으로 보여진다.
EP 675 520 A2는 자동 조명을 위한 소형 네온 램프용 팟(pot) 모양 또는 비이커 모양 전극을 개시한다. 전극의 내부 벽은 이미터 층으로 균일하게 커버된다.
마지막으로, US 5 159 238은 편평한 방전 램프용 전극을 개시한다. 음극은 낮은 용해점 유리, 예를들어 납유리에 포함되는 전기 전도성 산화물 입자들을 포함한다.
도 1a는 샌드위치 설계의 강유전체 전자 이미터를 가지는 본 발명에 따른 스트립 모양 냉음극의 평면도이다.
도 1b는 도 1a의 샌드위치 음극의 라인 AA를 따르는 단면도이다.
도 2a는 도 1의 스트립 모양 샌드위치 음극을 가지는 UV/VUV 편평한 라디에이터의 평면도이다.
도 2b는 도 2a의 UV/VUV 편평한 라디에이터의 라인 BB을 따르는 단면도이다.
도 3은 도 2 전극 장치의 전기 회로도이다.
도 4a는 펄스 모드의 동작의 경우에 램프 전극에서 전압의 시간 특성을 도시한다.
도 4b는 본 발명에 따른 동작 방법에 따라 샌드위치 음극에서 도 4a에 해당하는 전압의 시간 특성을 도시한다.
본 발명의 목적은 상기 단점을 제거하고 저온 전극에서 개선된 전자 방사 특성을 가지는 전극을 제공하는 것이다.
이런 목적은 본 발명에 따라 특허 청구범위 제 1 항의 특징들에 의해 달성된다. 특히 본 발명의 바람직한 실시예는 이하 종속항에 기술된다.
본 발명의 다른 목적은 상기 음극을 포함하는 방전 램프를 제공하는 것이다. 이런 목적은 본 발명에 따라 청구범위 제 9 항의 특징들에 의해 달성된다.
마지막으로, 본 발명의 다른 목적은 방전 램프를 동작시키기 위한 방법에 관한 것이다. 이런 목적은 본 발명에 따라 청구범위 제 12 항의 특징들에 의해 달성된다.
본 발명의 기본적인 생각은 R. Miller 및 S. Savage에 의해 설명된 바와 같이(R. Miller 및 S. Savage, Applied Physics 21의 저널, 1960, 페이지 662) 개선된 전자 방사 특성을 가지는 냉음극이 전자를 방사하기 위하여 강유전체 재료의 능력을 사용하는데 있다. 전자 방출 메카니즘은 공지된 바와 같이 강유전체 내부의 빠른 극성 반전을 기반으로 한다.
본 발명은 샌드위치 형태의 설계를 가지는 냉음극을 제안한다. 이 장치에서, 강유전체 재료, 예를들어 납 지르코늄 티탄산염(PZT) 또는 납 란탄 지르코늄 티탄산염(PLZT)으로 만들어진 세라믹은 플레이트, 포일, 막 등으로 만들어진 두 개의 전기 전도성 표면 사이에 배열된다. 한쪽 또는 양쪽 표면은 관통된 플레이트, 와이어 그리드 또는 적절히 도포된 층의 형태에 적어도 하나 또는 그 이상의 개구부를 가진다. 강유전체 물질은 개구부의 위치에는 커버되지 않아서, 강유전체에 의해 생성된 자유 전자는 방전 장치의 양극 방향으로 이들 개구부를 관통할 수 있다. 본 발명에 따른 샌드위치 형태의 냉음극은 간략화를 위하여 이하에서 샌드위치 음극이라 부른다.
방전 램프의 동작 동안, 일련의 빠르게 교번하는 전압 펄스는 두 개의 전기 전도 표면에 제공된다. 그러므로 샌드위치 음극은 전기 커패시터처럼 작용하고, 상기 표면은 커패시터 전극에 대응한다. 이런 시나리오에서, 강유전체는 커패시터 유전체 역할을 한다. 처음에 기술된 강유전체 내부의 빠른 극성 반전은 이런 방식으로 달성된다.
극성 반전을 위하여 요구된 전압 펄스 레벨을 가능한 한 낮게 유지하기 위하여 샌드위치 음극 및 특히 강유전체층이 얇게 설계되는 것이 바람직하다. 상기 층 두께에 대한 통상적인 값은 1㎜ 이하이고, 대략 10㎛의 영역에서 0.2㎜가 바람직하다. 본 발명에 따른 상기 강유전체의 두께는 대략 50㎛ 내지 500㎛ 범위이다.
샌드위치 음극은 다양한 형태의 냉음극 방전 램프가 사용될 수 있다. 본 발명에 따른 냉음극은 양극이 유전체 지연을 받는지 아닌지에 무관하게 바람직한 효과를 가진다. 이런 관점에서 중대한 요소는 샌드위치 음극 그 자체가 유전체 지연 없이 방전관내에 배치된다는 것이다. 이 경우, 샌드위치 음극의 기하구조는 방전관의 기하구조에 가능한 최적으로 적응된다.
샌드위치 음극은 처음에 언급된 DE-U 295 01 343의 글로우 형광 램프, 또는 EP 700 074에 개시된 글로우 형광 램프 같은 관모양 방전 램프에 대하여 중공 실린더 모양이다. 샌드위치 음극의 금속 내벽 및 외벽 각각은 인입(leading-in) 와이어를 가진다. 두 개의 인입 와이어는 기밀 방식으로 방전관으로부터 외측으로 유도된다. 그것에 의해 샌드위치 음극에 빠른 교번 전압 펄스를 유도하는 것이 가능하다.
바람직한 사용은 한 측면 상에서 유전체적으로 지연되는 방전에 의해 동작되는 방전 램프의 샌드위치 음극으로 이루어진다. 샌드위치 음극은 예를 들면, 내벽에 직접적으로 제공됨으로써 방전관의 내부에 배열된다. 양극은 방전관의 외벽 또는 내벽의 어느 한 측면 상에 장치된다. 추후의 경우에, 양극은 부가적인 유전체, 예를 들어 얇은 유리층에 의해 실제 방전관으로부터 분리된다.
샌드위치 음극의 하나의 장점은 전자 방출 순간의 정밀한 제어 가능성을 포함한다. 특히, 이용할 수 있는 방사선의 생성 효율은 빠른 극성 반전 또는 방전을 위한 전압 신호의 일시적 조정에 의해 증가된다. 이것은 이용 가능한 방사선의 개선된 효율에 의해 임의의 경우에 이미 식별된 WO 94/23442에 따른 펄스 방전을 위하여 유지된다. 효율의 증가는 가스 방전의 점화 바로 전에 샌드위치 음극의 표면상에 적당한 수의 전자를 제공함으로써 달성된다.
본 발명에 따른 샌드위치 음극의 사용에 의한 효율의 증가는 유전체적으로 지연되는 방전의 경우에 사용된 AC 전압 여기를 위하여 제한되는데, 왜냐하면 여기서 샌드위치 음극은 각 제 2 위상의 양극으로서 작용하고, 결과적으로 방출된 전자는 방전에 사용되지 않기 때문이다.
본 발명에 따른 동작 방법은 펄스로 동작되는 유전체적으로 지연되는 방전의 경우에 따른다. 첫째, 빠르게 반전하는 극성의 전압 신호는 샌드위치 음극의 두 개의 전기 단자에 인가된다. 강유전체의 빠른 극성 반전이 이루어짐으로써 충분한 수의 전자가 샌드위치 음극의 표면상에 방출되는 즉시, 전압 펄스가 샌드위치 음극 및 양극 사이에 인가된다. 전자는 결과적으로 양극의 방향으로 가속화되고 방전은 점화된다. 본 발명에 따른 상기 펄스 폭은 0.1㎲ 내지 10㎲ 범위이며, 바람직하게는 0.5㎲ 내지 5㎲ 범위이다. 또한, 본 발명에 따른 상기 펄스 반복 주파수는 1 kHz 내지 1 MHz 범위이고, 바람직하게는 10 kHz 내지 100 kHz 범위이다.
본 발명은 몇몇 실시예를 참조하여 하기에 상세히 설명된다.
도 1a, 1b는 평면도로 스트립 모양 샌드위치 음극(1) 및 라인 AA을 따른 단면도를 개략적으로 도시한다. 대략 2㎜ 두께의 샌드위치 음극(1)은 하부층(2), 상부층(3) 및 상기 하부 및 상부층 사이에 배열된 강유전체층(4)을 포함한다. 강유전체 층(4)은 PZT(납 지르코늄 티탄산염)로 만들어진 대략 100㎛ 두께의 기판을 포함한다. 하부층(2) 및 상부층(3)은 백금으로 구성되고 각각의 경우에 대략 1㎛의 층 두께를 가지는 강유전체 기판(4)의 상부측 및 하부측에 제공된다. 대략 200㎛의 규칙적인 간격에서, 상부층(3)은 200·200㎛2 크기의 사각형 개구부(5)를 가진다. 하부층(2) 및 상부층(3)은 방전 램프를 동작시키기 위하여 인입 와이어(도시되지 않음)에 각각 접속된다. 샌드위치 음극(1)이 샌드위치 음극(1)에 포함된 상부층(3)의 개구부(5)로부터 전자를 방사하기 위하여, 두 개의 인입 와이어는 전압 신호에 빠른 극성 반전을 공급하는 전압 소스(도시되지 않음)에 접속된다.
도 2a, 2b는 UV 또는 VUV 방사선의 효과적인 방사를 위하여 설계된 UV/VUV 편평한 라디에이터(6), 즉 편평한 방전 램프의 평면도 및 라인 BB를 따른 단면도이다. 편평한 라디에이터(6)는 사각형 베이스 영역을 가지는 편평한 방전관(7), 도 1에 따른 스트립형 샌드위치 음극(1) 및 두 개의 스트립형 금속 양극(8)을 포함한다. 방전관(7)은 사각형 바닥판(9) 및 도랑(trough)형 커버(10)(도 2a에 도시되지 않음)를 포함하고, 둘 다는 유리로 만들어진다. 바닥판(9) 및 커버(10)는 주변 에지 영역에서 기밀 방식으로 서로 접합되고, 편평한 라디에이터(6)의 충진 가스를 밀봉한다. 충진 가스는 10 kpa의 충진 압력에서 크세논을 포함한다. 양극(8)들은 동일한 폭을 가지며 샌드위치 음극(1)과 같이 바닥판(9)의 내부 벽상에서 서로 평행하게 제공된다. 샌드위치 음극(1)과 비교하여, 두 개의 양극(8)은 대략 150㎛의 두께인 유리층(11)에 의해 완전히 커버된다.
하나의 변형에서(도시되지 않음), 커버(10)의 내부 벽은 방전에 의해 생성된 UV/VUV 광선을 가시 광으로 전환하는 형광 재료 또는 형광 재료의 혼합 재료로 커버된다. 이런 변형은 예를들어 LCD(액정 디스플레이)인 일반적인 디스플레이의 일반적인 조명 또는 배경 조명에 적당하다.
샌드위치 음극을 가지는 방전 램프를 동작시키기 위한 방법을 설명하기 위하여, 도 2의 장치 및 전기 회로는 도 3에 개략적으로 도시된다. 이 경우, 동일 참고 번호는 동일 특징부를 나타낸다. 샌드위치 음극(1)의 전극, 특히 하부층(2) 및 상부층(3)은 전압 신호(U1)를 공급하는 제 1 전압 소스(12)의 출력 극에 각각 접속된다. 양극(8)(간략화를 위하여 양극 스트립은 단면으로 도시됨)은 전압 신호(U2)를 공급하는 제 2 전압 소스(13)의 제 1 극에 접속된다. 게다가, 샌드위치 음극(1)의 상부층(3)은 제 2 전압 소스(13)의 제 2 극에 접속된다.
도 4a 및 4b는 펄스로 동작되는 방전을 참조하여 본 발명에 따른 동작 방법 원리를 설명하기 위하여 사용한다. 이들은 도 3에 언급된 두 개의 전압 신호(U1 및 U2)의 시간 특성을 도시한다. 원칙적으로 제한되지 않는 전압 펄스 시퀀스중 단지 하나의 전압 펄스가 각각의 경우에 도시된다. 두 개의 전압 신호(U1 및 U2)의 일시적인 동기화가 필요하다. 제 1 전압 신호(U1)는 순시(t2)에서 극성을 빠르게 반전하고 강유전체층(4)으로부터 전자 방출을 시작하도록 선택된다. 그후, 추후의 순시(t3>t2)에서, 전압 신호(U2)의 전압 펄스는 양극(8) 방향으로 방출된 전자를 가속하고 방전을 점화 또는 유지하도록 선택된다. 전압 신호(U1)의 극성 반전을 위한 주기(순시 t1 및 t4에서 하나의 양극을 따라 다른 극성의 두 전압 펄스 피크 사이 일시적 간격 ??=t4-t1로서 계산됨)은 대략 500ns 및 그 이하이다. 통상적인 값은 100 ns 또는 수 100 ns 크기 정도이다.

Claims (21)

  1. 유전체적으로 지연되는 방전에 의해 동작되는 방전 램프용 냉음극(clod cathode)에 있어서,
    상기 냉음극(1)은 전기 전도성인 2개의 서로 대향하는 전극들(2, 3)을 가지며, 상기 전극들(2, 3) 사이에 강유전체(4)가 배열되고, 적어도 하나의 전극(3)은 하나 이상의 개구부(5)를 가져서, 동작 동안, 두 개의 전극들(2, 3)에 빠른 반전 극성 전압을 인가함으로써 전자들이 상기 개구부(5)를 통하여 방출되며, 상기 전자들은 방전 램프의 방전을 점화 또는 유지하도록 작용하는, 방전 램프용 냉음극.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 전극들(2, 3) 및 강유전체(4)는 2차원 또는 스트립형 구조를 형성하고, 각각의 경우에 상기 강유전체(4)의 상부 및 하부 표면은 상기 서로 대향하는 전극들(2, 3)의 내부 측면과 접하는 것을 특징으로 하는 방전 램프용 냉음극.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 2차원 구조는 중공 실린더(hollow cylinder)로서 형성되는 것을 특징으로 하는 방전 램프용 냉음극.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 냉음극은 샌드위치 형태의 구조물(1)을 가지며, 상기 전극들(2, 3)은 상기 강유전체(4)의 상부 및 하부 표면에 직접적으로 적용되는 것을 특징으로 하는 방전 램프용 냉음극.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 강유전체(4)의 두께는 1 mm 미만인 것을 특징으로 하는 방전 램프용 냉음극.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 전극들(2, 3)은 백금과 같은 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방전 램프용 냉음극.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 전극들 중 적어도 하나(3)의 개구부(5)들은 격자 또는 그리드 형태로 구현되는 것을 특징으로 하는 방전 램프용 냉음극.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 강유전체(4)는 납 지르코늄 티탄산염(PZT) 또는 납 란탄 지르코늄 티탄산염(PLZT)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방전 램프용 냉음극.
  9. 밀봉되고 가스 충진물로 충진되거나, 개방되고 이를 통하여 흐르는 가스 또는 가스 혼합물을 가지며, 전기 비전도성 물질로 제조되는 적어도 부분적으로 투명한 방전관(7), 및 상기 방전관의 내부에 배열된 하나 이상의 음극(캐소드)(1)의 전극과 하나 이상의 양극(애노드)(8)의 전극을 갖는 방전 램프(6)로서,
    상기 음극(1)은 전기 전도성인 두 개의 서로 대향하는 전극들(2, 3)을 가지며, 상기 전극들(2, 3) 사이에 강유전체(4)가 배열되고, 적어도 하나의 전극(3)은 하나 이상의 개구부(5)를 가져서, 동작 동안, 두 개의 전극들(2, 3)에 빠른 반전 극성 전압을 인가함으로써 전자들이 상기 개구부(5)를 통하여 방출되며, 상기 전자들은 방전 램프의 방전을 점화 또는 유지하도록 작용하는, 방전 램프.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 음극(1)은 상기 음극(1)의 개구부(5)가 상기 방전관(7)의 내부 방향으로 향하도록 상기 방전관(7)의 내벽 상에 스트립 형태로 배열되는 것을 특징으로 하는 방전 램프.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 양극 또는 양극들(8)은 상기 방전관(7)의 내부로부터 유전체 재료(11)에 의해 서로 분리되는 것을 특징으로 하는 방전 램프.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 양극(8)은 상기 방전관(7)의 내벽 상에서 스트립 형태로 배열되고, 각각의 양극 스트립(8)은 유전체층(11)에 의해 완전히 커버되는 것을 특징으로 하는 방전 램프.
  13. 청구항 제 9 항에 따른 특징들을 가지는 방전 램프(6)를 동작시키기 위한 방법으로서,
    빠른 극성 반전들을 갖는 제 1 시변 전압 신호(U1)를 제공하는 단계;
    제 2 시변 전압 신호(U2)를 제공하는 단계;
    상기 제 1 신호(U1)의 빠른 극성 반전에 의해 상기 제 2 신호(U2)의 진폭의 절대 값이 증가하도록, 상기 제 1 및 제 2 신호를 동기화하는 단계;
    냉음극(1)의 전극들(2, 3)에 상기 제 1 전압 신호(U1)를 인가함으로써, 상기 냉음극(1)이 각각의 극성 반전시 상기 개구부(5)를 통해 전자들을 방출하는 단계; 및
    상기 제 2 전압 신호(U2)의 진폭 절대값의 각각의 증가를 통해 상기 방출된 전자들이 상기 양극(8)의 방향으로 가속됨으로써 방전을 점화 또는 유지하도록, 상기 방전 램프(6)의 양극(8) 및 냉음극(1)에 상기 제 2 전압 신호(U2)를 인가하는 단계
    를 포함하는 방전 램프 동작 방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 제 1 전압 신호(U1)의 극성 반전 주기는 대략 500 ns 미만인 것을 특징으로 하는 방전 램프 동작 방법.
  15. 제 13 항에 있어서, 상기 제 2 시변 전압 신호(U2)는 오프 주기들에 의해 분리된 전압 펄스들을 포함하는 것을 특징으로 하는 방전 램프 동작 방법.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 펄스 폭은 0.1㎲ 내지 10㎲ 범위인 것을 특징으로 하는 방전 램프 동작 방법.
  17. 제 15 항에 있어서, 상기 펄스 반복 주파수는 1 kHz 내지 1 MHz 범위인 것을 특징으로 하는 방전 램프 동작 방법.
  18. 제 13 항에 있어서, 상기 제 2 시변 전압 신호(U2)는 AC 전압을 포함하는 것을 특징으로 하는 방전 램프 동작 방법.
  19. 제 1 항에 있어서, 상기 강유전체(4)의 두께는 대략 50㎛ 내지 500㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 방전 램프용 냉음극.
  20. 제 15 항에 있어서, 상기 펄스 폭은 0.5㎲ 내지 5㎲ 범위인 것을 특징으로 하는 방전 램프 동작 방법.
  21. 제 15 항에 있어서, 상기 펄스 반복 주파수는 10 kHz 내지 100 kHz 범위인 것을 특징으로 하는 방전 램프 동작 방법.
KR10-1998-0706198A 1996-12-11 1997-12-10 방전램프용냉음극,상기냉음극이장치된방전램프,및상기방전램프의동작방법 KR100503466B1 (ko)

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Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2789223B1 (fr) * 1999-01-29 2001-03-23 Univ Nantes Corps de cathode ferroelectrique pour la production d'electrons
FR2789221B1 (fr) * 1999-01-29 2001-04-06 Univ Nantes Corps de cathode pour l'emission d'electrons
DE19915616A1 (de) * 1999-04-07 2000-10-12 Philips Corp Intellectual Pty Gasentladungslampe
DE19928438A1 (de) * 1999-06-23 2000-12-28 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren zum Betrieb einer Entladungslampe
US6420822B1 (en) * 1999-07-15 2002-07-16 Northrop Grumman Corporation Thermionic electron emitter based upon the triple-junction effect
DE10048409A1 (de) * 2000-09-29 2002-04-11 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe mit kapazitiver Feldmodulation
WO2002052600A1 (fr) * 2000-12-22 2002-07-04 Ngk Insulators, Ltd. Element d'emission electronique et utilisation dans un affichage a emission de champ
US6936972B2 (en) * 2000-12-22 2005-08-30 Ngk Insulators, Ltd. Electron-emitting element and field emission display using the same
DE10121097A1 (de) * 2001-04-27 2002-10-31 Philips Corp Intellectual Pty Gasentladungslampe mit Down-Conversion-Leuchtstoff
DE10126958A1 (de) * 2001-06-01 2002-12-05 Philips Corp Intellectual Pty Flüssigkristallbildschirm mit verbesserter Hintergrundbeleuchtung
WO2003073458A1 (fr) * 2002-02-26 2003-09-04 Ngk Insulators, Ltd. Dispositif d'emission d'electrons, procede d'activation d'un dispositif d'emission d'electrons, afficheur et procede d'activation d'un afficheur
US6897620B1 (en) 2002-06-24 2005-05-24 Ngk Insulators, Ltd. Electron emitter, drive circuit of electron emitter and method of driving electron emitter
JP3822551B2 (ja) * 2002-09-30 2006-09-20 日本碍子株式会社 発光素子及びそれを具えるフィールドエミッションディスプレイ
US7067970B2 (en) * 2002-09-30 2006-06-27 Ngk Insulators, Ltd. Light emitting device
JP2004172087A (ja) * 2002-11-05 2004-06-17 Ngk Insulators Ltd ディスプレイ
US7187114B2 (en) * 2002-11-29 2007-03-06 Ngk Insulators, Ltd. Electron emitter comprising emitter section made of dielectric material
US7129642B2 (en) * 2002-11-29 2006-10-31 Ngk Insulators, Ltd. Electron emitting method of electron emitter
JP2004228065A (ja) * 2002-11-29 2004-08-12 Ngk Insulators Ltd 電子パルス放出装置
JP3867065B2 (ja) * 2002-11-29 2007-01-10 日本碍子株式会社 電子放出素子及び発光素子
JP3839792B2 (ja) * 2002-11-29 2006-11-01 日本碍子株式会社 電子放出素子の電子放出方法
JP3829128B2 (ja) * 2002-11-29 2006-10-04 日本碍子株式会社 電子放出素子
US6975074B2 (en) * 2002-11-29 2005-12-13 Ngk Insulators, Ltd. Electron emitter comprising emitter section made of dielectric material
JP3869819B2 (ja) * 2002-11-29 2007-01-17 日本碍子株式会社 電子放出素子
US6894438B2 (en) * 2002-12-13 2005-05-17 General Electric Company Lighting system and method incorporating pulsed mode drive for enhanced afterglow
US7379037B2 (en) * 2003-03-26 2008-05-27 Ngk Insulators, Ltd. Display apparatus, method of driving display apparatus, electron emitter, method of driving electron emitter, apparatus for driving electron emitter, electron emission apparatus, and method of driving electron emission apparatus
US7176609B2 (en) * 2003-10-03 2007-02-13 Ngk Insulators, Ltd. High emission low voltage electron emitter
US20040189548A1 (en) * 2003-03-26 2004-09-30 Ngk Insulators, Ltd. Circuit element, signal processing circuit, control device, display device, method of driving display device, method of driving circuit element, and method of driving control device
US20040256995A1 (en) * 2003-03-26 2004-12-23 Ngk Insulators, Ltd. Display and method for driving display
JP2005070349A (ja) * 2003-08-22 2005-03-17 Ngk Insulators Ltd ディスプレイ及びその駆動方法
US7474060B2 (en) * 2003-08-22 2009-01-06 Ngk Insulators, Ltd. Light source
JP2005183361A (ja) * 2003-10-03 2005-07-07 Ngk Insulators Ltd 電子放出素子、電子放出装置、ディスプレイ及び光源
US7336026B2 (en) * 2003-10-03 2008-02-26 Ngk Insulators, Ltd. High efficiency dielectric electron emitter
US20050116603A1 (en) * 2003-10-03 2005-06-02 Ngk Insulators, Ltd. Electron emitter
US7719201B2 (en) * 2003-10-03 2010-05-18 Ngk Insulators, Ltd. Microdevice, microdevice array, amplifying circuit, memory device, analog switch, and current control unit
JP2005116232A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Ngk Insulators Ltd 電子放出素子及びその製造方法
US20050073234A1 (en) * 2003-10-03 2005-04-07 Ngk Insulators, Ltd. Electron emitter
US7528539B2 (en) * 2004-06-08 2009-05-05 Ngk Insulators, Ltd. Electron emitter and method of fabricating electron emitter
JP2006185888A (ja) * 2004-06-08 2006-07-13 Ngk Insulators Ltd 表示装置
EP1768153A4 (en) * 2004-06-08 2008-11-26 Ngk Insulators Ltd ELECTRON EMISSION ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
JP4678832B2 (ja) * 2004-07-27 2011-04-27 日本碍子株式会社 光源
JP2006278319A (ja) * 2005-03-25 2006-10-12 Ngk Insulators Ltd 光源
JP2006278318A (ja) * 2005-03-25 2006-10-12 Ngk Insulators Ltd 光源
JP2007087937A (ja) * 2005-08-26 2007-04-05 Matsushita Electric Works Ltd 放電プラズマ生成補助装置
TW200721907A (en) * 2005-11-18 2007-06-01 Delta Optoelectronics Inc An improved startup method for the mercury-free flat-fluorescent lamp
JP5237538B2 (ja) * 2006-01-18 2013-07-17 パナソニック株式会社 放電プラズマ装置
JP4618145B2 (ja) * 2006-01-31 2011-01-26 パナソニック電工株式会社 放電プラズマ装置
JP4944502B2 (ja) * 2006-06-09 2012-06-06 パナソニック株式会社 放電点灯装置および照明器具。
JP4944503B2 (ja) * 2006-06-09 2012-06-06 パナソニック株式会社 放電点灯装置およびそれを用いた照明器具
JP4797815B2 (ja) * 2006-06-09 2011-10-19 パナソニック電工株式会社 放電点灯装置および照明器具
JP2008053023A (ja) * 2006-08-24 2008-03-06 Ngk Insulators Ltd 誘電体素子及び電子放出素子
DE102007055014A1 (de) 2007-11-14 2009-05-28 Forschungsverbund Berlin E.V. Verfahren und Einrichtung zur Zündung und Aufrechterhaltung eines Plasmas
WO2009121385A1 (en) * 2008-04-03 2009-10-08 Carl Zeiss Smt Ag Cleaning module and euv lithography device with cleaning module
WO2012043705A1 (ja) * 2010-09-30 2012-04-05 株式会社Ｇｓユアサ 誘電体バリア放電ランプ装置
GB2573570A (en) * 2018-05-11 2019-11-13 Univ Southampton Hollow cathode apparatus

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1431093A (en) * 1972-04-18 1976-04-07 Fujitsu Ltd Gas discharge panel
US5159238A (en) * 1989-08-17 1992-10-27 Oki Electric Industry Co., Ltd. Gas discharge panel
DE3938752A1 (de) * 1989-11-23 1991-05-29 Riege Hans Kathode zur grossflaechigen erzeugung von intensiven, modulierten ein- oder mehrkanal-elektronenstrahlen
JP3164876B2 (ja) * 1992-04-08 2001-05-14 松下電子工業株式会社 蛍光ランプ
US5631664A (en) * 1992-09-18 1997-05-20 Olympus Optical Co., Ltd. Display system utilizing electron emission by polarization reversal of ferroelectric material
JP3330394B2 (ja) * 1992-09-18 2002-09-30 オリンパス光学工業株式会社 電子ビーム発生装置
JP3236109B2 (ja) * 1993-03-26 2001-12-10 オリンパス光学工業株式会社 電子ビーム発生装置
DE4311197A1 (de) * 1993-04-05 1994-10-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Verfahren zum Betreiben einer inkohärent strahlenden Lichtquelle
US5418424A (en) * 1993-07-09 1995-05-23 Univ Columbia Vacuum ultraviolet light source utilizing rare gas scintillation amplification sustained by photon positive feedback
US5523655A (en) * 1994-08-31 1996-06-04 Osram Sylvania Inc. Neon fluorescent lamp and method of operating
CA2145624A1 (en) * 1994-03-29 1995-09-30 Clifford E. Hilchey, Sr. Miniature rare gas discharge lamp electrode and method of making
US5508590A (en) * 1994-10-28 1996-04-16 The Regents Of The University Of California Flat panel ferroelectric electron emission display system
DE29501343U1 (de) * 1995-01-28 1995-05-18 Brand-Erbisdorfer Lichtquellenproduktions- und Vertriebsgesellschaft mbH, 09618 Brand-Erbisdorf Elektrisches Leuchtmittel
JP3431385B2 (ja) * 1995-03-10 2003-07-28 株式会社東芝 強誘電体冷陰極、それを備えた電子装置及びその製造方法
JPH08262996A (ja) * 1995-03-24 1996-10-11 Olympus Optical Co Ltd ２次元ディスプレイ
JPH08264105A (ja) * 1995-03-27 1996-10-11 Kanebo Ltd 強誘電体電子放出冷陰極
JPH08264104A (ja) * 1995-03-27 1996-10-11 Kanebo Ltd 強誘電体電子放出冷陰極
DE19517515A1 (de) * 1995-05-12 1996-11-14 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Entladungslampe und Verfahren zum Betreiben derartiger Entladungslampen
KR100195102B1 (ko) * 1995-12-15 1999-06-15 윤종용 디스플레이용 광량 조절 소자

Also Published As

Publication number Publication date
HU220261B (hu) 2001-11-28
DE19651552A1 (de) 1998-06-18
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ATE219861T1 (de) 2002-07-15
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HUP9900333A3 (en) 2000-09-28
US6157145A (en) 2000-12-05
CN1118860C (zh) 2003-08-20
KR19990082465A (ko) 1999-11-25
ES2179384T3 (es) 2003-01-16

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