DE19915616A1 - Gasentladungslampe - Google Patents

Gasentladungslampe

Info

Publication number
DE19915616A1
DE19915616A1 DE19915616A DE19915616A DE19915616A1 DE 19915616 A1 DE19915616 A1 DE 19915616A1 DE 19915616 A DE19915616 A DE 19915616A DE 19915616 A DE19915616 A DE 19915616A DE 19915616 A1 DE19915616 A1 DE 19915616A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
gas discharge
coupling structures
discharge lamp
donor
ceramic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19915616A
Other languages
English (en)
Inventor
Detlev Hennings
Oliver Steigelmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Philips Intellectual Property and Standards GmbH
Original Assignee
Philips Corporate Intellectual Property GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Corporate Intellectual Property GmbH filed Critical Philips Corporate Intellectual Property GmbH
Priority to DE19915616A priority Critical patent/DE19915616A1/de
Priority to EP00201149A priority patent/EP1043751A1/de
Priority to CN00118061.4A priority patent/CN1272680A/zh
Priority to KR1020000017548A priority patent/KR20000071556A/ko
Priority to JP2000106537A priority patent/JP2000306547A/ja
Priority to US09/545,787 priority patent/US6417621B1/en
Publication of DE19915616A1 publication Critical patent/DE19915616A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02Details
    • H01J61/04Electrodes; Screens; Shields
    • H01J61/06Main electrodes
    • H01J61/067Main electrodes for low-pressure discharge lamps
    • H01J61/0675Main electrodes for low-pressure discharge lamps characterised by the material of the electrode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2261/00Gas- or vapour-discharge lamps
    • H01J2261/02Details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02Details
    • H01J61/04Electrodes; Screens; Shields
    • H01J61/06Main electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02Details
    • H01J61/04Electrodes; Screens; Shields
    • H01J61/06Main electrodes
    • H01J61/073Main electrodes for high-pressure discharge lamps
    • H01J61/0735Main electrodes for high-pressure discharge lamps characterised by the material of the electrode

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Discharge Lamp (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

Die Erfindung beschreibt eine Gasentladungslampe mit Einkoppelstrukturen (4) aus Ba(Ti¶1-x¶Zr¶x¶)O¶3¶ mit Donator/Akzeptor-Dotierungen. DOLLAR A Durch bestimmte Donator/Akzeptor-Kombinationen, einem optimierten Gehalt an Zirkon und einem optimierten atomaren Verhältnis der Kationen wird eine ferroelektrische Keramik erhalten, welche hohe Werte für die remanente Polarisation PÐ und die Dielektrizitätskonstante epsilon¶Ð¶, eine rechteckige Hystereseschleife und niedrige Koerzitivfeldstärken E¶c¶ aufweist. Bei Anlegen einer Wechselspannung an die ferroelektrischen Einkoppelstrukturen wird infolge der nichtlinearen Eigenschaften der Einkoppelstrukturen (4) die Zündung sowie der anschließende Dauerbetrieb der Lampe bewirkt.

Description

Die Erfindung betrifft eine Gasentladungslampe mit Einkoppelstrukturen aus Keramik.
Eine Gasentladungslampe enthält ein strahlungsdurchlässiges Entladungsgefäß, welches eine Entladungszone mit einer gasförmigen, ionisierbaren Füllung umschließt. In dieser Entladungszone befinden sich in geeignetem Abstand Elektroden.
Aus US 5 654 606 ist eine solche Gasentladungslampe bekannt. Anstelle der sonst üblichen Metallelektroden wurde eine gesinterte Mischung aus Metall und keramischem Material als Einkoppelstruktur verwendet. Durch Erzeugung einer hohen kapazitiven Spannung zwi­ schen den Einkoppelstrukturen erfolgt in solchen Gasentladungslampen die Erzeugung der Ladungsträger direkt im Gasvolumen. Die Zugabe von geringen Mengen Metall war bei den verwendeten keramischen Materialien notwendig, um eine ausreichende Stabilität der Einkoppelstrukturen bei Temperaturschwankungen, wie sie beim Einschalten einer solchen Gasentladungslampe auftreten können, zu gewährleisten.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Gasentladungslampe mit keramischen Einkoppelstrukturen, die verbesserte Eigenschaften haben, zur Verfügung zu stellen.
Die Aufgabe wird gelöst durch eine Gasentladungslampe mit Einkoppelstrukturen aus Ke­ ramik, dadurch gekennzeichnet, daß die Einkoppelstrukturen aus einer ferroelektrischen Keramik sind.
Ein keramische Material für solche Einkoppelstrukturen muß folgende Voraussetzungen erfüllen: eine möglichst rechteckige Hystereseschleife, eine hohe Dielektrizitätskonstante εr und eine hohe remanente Polarisation Pr.
Die meisten Dielektrika weisen eine geringe Höhe der Dielektrizitätskonstanten εr und eine niedrige Feldabhängigkeit εr(E) auf. Eine Ausnahme bilden einige ferroelektrische Materialien, bei denen sich εr bei einer kritischen Feldstärke Ec sprunghaft sehr stark ändert.
Scheiben aus ferroelektrischen Materialien, welche ein sogenanntes nichtlineares Verhalten aufweisen, können als Einkoppelstrukturen in Gasentladungslampen verwendet werden. Diese Scheiben wirken als keramische Plattenkondensatoren und beim Anlegen einer Wechselspannung laden sich die Innenflächen auf. Durch den hohen, nichtlinearen An­ stieg der Kondensatorladung wird die Zündung sowie der anschließenden Dauerbetrieb der Lampe bewirkt.
Es ist bevorzugt, daß die ferroelektrische Keramik Ba(Ti1-xZrx)O3 mit Dotierungen aus Donator/Akzeptor-Kombinationen enthält.
Ba(Ti1-xZrx)O3 mit Dotierungen aus Donator/Akzeptor-Kombinationen ist ein ferroelek- trisches Material mit den geforderten nichtlinearen Eigenschaften. In Ba(Ti1-xZrx)O3- Mischkristallkeramiken bewirken kleine Zusätze von Donator/Akzeptor-Kombinationen hohe Werte für die remanente Polarisation Pr und die Dielektrizitätskonstante εr. Außer­ dem besitzen diese Donator/Akzeptor-dotierten Ba(Ti1-xZrx)O3-Keramiken rechteckige Hystereseschleifen.
Es ist bevorzugt, daß die Donator/Akzeptor-Kombinationen Mn3+ und W6+ oder Yb3+ und Nb5+ oder Yb3+ und Mo6+ oder Mg2+ und W6+ oder Mn3+ und Nb5+ oder Yb3+ und W6+ oder Mg2+ und Nb5+ oder Mn3+ und Dy3+, Ho3+, Er3+ , Gd3+, Nd3+, Y3+ enthalten.
Diese Donator/Akzeptor-Kombinationen bewirken eine besonders starke Steigerung für die Werte der Dielektrizitätskonstanten εr und der remanenten Polarisation Pr.
Es ist auch bevorzugt, daß der Gehalt an Zirkon in der ferroelektrischen Keramik x = 0.09 beträgt.
Durch den Zusatz von BaZrO3 zu BaTiO3 erniedrigen sich in Mischkristallen der Zusam­ mensetzung Ba(Ti1-xZrx)O3 die Koerzitivfeldstärken auf Ec < 100 V/mm. Dies ist vorteil­ haft, um bei einer Betriebsspannung von 220 V Einkoppelstrukturen in einer Dicke ver­ wenden zu können, die eine ausreichende Durchschlagsfestigkeit aufweisen. Bei einem Zirkon-Gehalt von x = 0.09 beträgt die Koerzitivfeldstärke Ec ≅ 70 V/mm und die Curie­ temperatur Tc ist mit 90°C in einem Bereich, die noch über der Betriebstemperatur von Gasentladungslampen liegt.
Es ist weiterhin bevorzugt, daß das Verhältnis Ba/(Ti,Zr,Dotierungen) zwischen 0.997 und 0.998 liegt.
In Perowskiten übt das atomare Verhältnis der Kationen einen großen Einfluß auf die Eigenschaften der Keramik aus. In der Mischkristallreihe Ba(Ti1-xZrx)O3 ist die Erhöhung der Dielektrizitätskonstanten εr in Abhängigkeit von Ec bzw. Tc am größten, wenn das ato­ mare Verhältnis Ba/(Ti,Zr,Dotierungen) geringfügig kleiner 1 ist.
Im folgenden soll die Erfindung anhand einer Figur und eines Ausführungsbeispieles er­ läutert werden. Dabei zeigt Fig. 1 eine longitudinale Seitenansicht einer beispielhaften Gas­ entladungslampe.
Gemäß Fig. 1 weist eine Gasentladungslampe ein röhrenförmiges Entladungsgefäß 1 bei­ spielsweise aus Kalkglas auf, das eine Entladungszone 3 mit gasförmiger, ionisierbarer Füllung umschließt. Auf der inneren Oberfläche des Entladungsgefäßes 1 ist eine lumi­ neszierende Schicht 2 aufgebracht. Die gasförmige, ionisierbare Füllung kann zum Beispiel Quecksilber und Argon enthalten. Einkoppelstrukturen 4 aus Ba(Ti1-xZrx)O3 mit Do­ tierungen aus Donator/Akzeptor-Kombinationen sind in geeignetem Abstand an gegen­ überliegenden Seiten des Entladungsgefäßes 1 in der Entladungszone 3 angebracht. Die Einkoppelstrukturen 4 sind jeweils mit einer Stromzuführung 5, beispielsweise einem Metallstift, verbunden. Über eine integrierte Ausströmöffnung 6 wird das Entladungsgefäß 1 evakuiert und befüllt. Beim Anlegen einer Wechselspannung an die beiden Einkoppel­ strukturen 4, die zusammen wie ein keramischer Plattenkondensator wirken, werden die in der Lampe liegenden Innenflächen aufgeladen. Der hohe, nichtlineare Anstieg der Kon­ densatorladung bewirkt die Zündung sowie den anschließenden Dauerbetrieb der Lampe.
Das ferroelektrische Material für die Einkoppelstrukturen 4 muß folgende Voraussetzun­ gen erfüllen: hohe Werte für die remanente Polarisation Pr und die Dielektrizitätskonstante εr, eine rechteckige Hystereseschleife, eine über der Betriebstemperatur der Lampe liegenden Curietemperatur Tc und eine unterhalb der Betriebsspannung von 220 V liegende Koerzitivfeldstärke Ec.
Ba(Ti1-xZrx)O3 mit Dotierungen aus Donator/Akzeptor-Kombinationen ist ein Material mit den geforderten nichtlinearen Eigenschaften. Typische Akzeptor-Dotierungen stellen dabei Mn3+, Fe3+, Cr3+, Mg2+ und Lu3+ dar, die auf den Ti4+- und Zr4+-Plätzen des Perowskitgitters eingebaut werden. Als Donatoren eignen sich Nb5+, W6+, Mo6+, Mo5+ auf den Ti4+- und Zr4+-Plätzen und Y3+, Dy3+, Er3+, Nd3+ und Gd3+ auf den Ba2+-Plätzen.
Besonders vorteilhaft erwiesen sich die Kombinationen Mn3+ und W6+ (3 : 1 bis 2 : 1) oder Yb3+ und Nb5+ (1.5 : 1) oder Yb3+ und Mo6+ (2.5 : 1) oder Mg2+ und W6+ (2.5 : 1) oder Mn3+ und Nb5+ (1.5 : 1 bis 1 : 1) oder Yb3+ und W6+ (2.5 : 1) oder Mg2+ und Nb5+ (1.5 : 1) oder Mn3+ und Dy3+, Ho3+, Er3+, Gd3+, Nd3+, Y3+ (1.5 : 1 bis 1 : 1).
Tabelle 1
Einfluß der Dotierungen in Ba(Ti0,91Zr0,09)O3 (Σ Verunreinigungen ≅ 750 ppm, Tsinter = 1450°C, Ba/(Ti,Zr,Dotierungen) = 0.9975)
Auch der Gehalt an Zirkon, das Verhältnis der Kationen sowie die Sintertemperaturen der Herstellung, die Reinheit der Rohstoffe und die chemische Homogenität des ferroelek­ trischen Materials beeinflussen die Eigenschaften der Keramik.
Keramiken aus reinem BaTiO3 weisen Koerzitivfeldstärken von Ec < 100 V/mm auf. In Mischkristallen der Zusammensetzung Ba(T1-xZrx)O3 erniedrigen sich die Koerzitivfeld­ stärken auf Ec < 100 V/mm.
Die ferroelektrische Curietemperatur erniedrigt sich von Tc = 130°C im reinen BaTiO3 bei Zugabe von BaZrO3 um 4°C pro at. % Zr. Bei einem Zirkon-Gehalt von x = 0.09 beträgt die Koerzitivfeldstärke Ec ≅7 0 V/mm und die Curietemperatur Tc liegt bei ungefähr 90°C.
In Perowskiten kann das Verhältnis der Kationen einen großen Einfluß auf die Eigenschaf­ ten nehmen. In BaTiO3 übt das atomare Verhältnis von Ba/Ti einen großen Einfluß auf die Sinterbarkeit und die dielektrischen Eigenschaften der Keramik aus. So entstehen bei Ba/Ti ≅ 1 feinkörnige Keramiken mit hoher Dielektrizitätskonstante εr. In Mischkristallen der Zusammensetzung Ba(Ti0,91Zr0,09)O3 tritt eine Erhöhung der Dielektrizitätskonstanten εr in Abhängigkeit von Ec bzw. Tc auf, wenn das atomare Verhältnis geringfügig kleiner 1 ist.
Tabelle 2
Einfluß des atomaren Verhältnisses Ba/(Ti,Zr) in Ba(Ti0,91Zr0,09)O3 (Σ Verunreinigungen ≅ 750 ppm, Tsinter = 1450°C)
Die Sintertemperaturen bei der Herstellung sowie die Reinheit der Rohstoffe und die chemische Homogenität des Mischkristalls Ba(Ti1-xZrx)O3 haben entscheidenden Einfluß auf die Höhe der Dielektrizitätskonstanten εr sowie der remanenten Polarisation Pr und auf die Form der Hystereseschleife. Schon kleine Verunreinigungen oder unvollkommene Vermischung der Rohstoffe führen zu einer starken Erniedrigung der remanenten Polari­ sation Pr und zu schrägen Hystereseschleifen.
Tabelle 3
Einfluß der Rohstoffreinheit und der Sintertemperatur auf die Dielektrizitäts­ konstante εr bei der Curietemperatur Tc und bei der Koerzitivfeldstärke Ec in Ba(Ti0,91Zr0,09)O3

Claims (5)

1. Gasentladungslampe mit Einkoppelstrukturen (4) aus Keramik, dadurch gekennzeichnet, daß die Einkoppelstrukturen (4) aus einer ferroelektrischen Keramik sind.
2. Gasentladungslampe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die ferroelektrische Keramik Ba(Ti1-xZrx)O3 mit Dotierungen aus Donator/Akzeptor- Kombinationen enthält.
3. Gasentladungslampe nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Donator/Akzeptor-Kombinationen Mn3+ und W6+ oder Yb3+ und Nb5+ oder Yb3+ und Mo6+ oder Mg2+ und W6+ oder Mn3+ und Nb5+ oder Yb3+ und W6+ oder Mg2+ und Nb5+ oder Mn3+ und Dy3+, Ho3+, Er3+ , Gd3+, Nd3+, Y3+ enthalten.
4. Gasentladungslampe nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Gehalt an Zirkon in der ferroelektrischen Keramik x = 0.09 beträgt.
5. Gasentladungslampe nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis Ba/(Ti,Zr,Dotierungen) zwischen 0.997 und 0.998 liegt.
DE19915616A 1999-04-07 1999-04-07 Gasentladungslampe Withdrawn DE19915616A1 (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19915616A DE19915616A1 (de) 1999-04-07 1999-04-07 Gasentladungslampe
EP00201149A EP1043751A1 (de) 1999-04-07 2000-03-28 Gasentladungslampe
CN00118061.4A CN1272680A (zh) 1999-04-07 2000-04-03 气体放电灯
KR1020000017548A KR20000071556A (ko) 1999-04-07 2000-04-04 가스 방전 램프
JP2000106537A JP2000306547A (ja) 1999-04-07 2000-04-07 ガス放電ランプ
US09/545,787 US6417621B1 (en) 1999-04-07 2000-04-07 Gas discharge lamp having ferroelectric ceramic electrodes

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19915616A DE19915616A1 (de) 1999-04-07 1999-04-07 Gasentladungslampe

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19915616A1 true DE19915616A1 (de) 2000-10-12

Family

ID=7903740

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19915616A Withdrawn DE19915616A1 (de) 1999-04-07 1999-04-07 Gasentladungslampe

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6417621B1 (de)
EP (1) EP1043751A1 (de)
JP (1) JP2000306547A (de)
KR (1) KR20000071556A (de)
CN (1) CN1272680A (de)
DE (1) DE19915616A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1256971A2 (de) * 2001-05-09 2002-11-13 Philips Corporate Intellectual Property GmbH Gasentladungslampe
EP1263021A1 (de) * 2001-06-01 2002-12-04 Philips Corporate Intellectual Property GmbH Flüssigkristallbildschirm mit verbesserter Hintergrundbeleuchtung

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103558475B (zh) * 2013-11-08 2016-05-18 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种用于检测铁电陶瓷储能特性的方法
AT17569U1 (de) * 2019-09-30 2022-07-15 Tdk Electronics Ag Polykristalliner keramischer Festkörper, dielektrische Elektrode mit dem Festkörper, Vorrichtung mit der Elektrode und Verfahren zur Herstellung
JP2022061375A (ja) 2020-10-06 2022-04-18 フェニックス電機株式会社 ランプの封止構造、ランプ、およびランプの封止方法
DE102020133165B9 (de) * 2020-12-11 2024-06-06 Tdk Electronics Ag Keramikelektrode, Baugruppe mit der Keramikelektrode, Anordnung mit der Keramikelektrode und Verfahren zur Herstellung einer Keramikelektrode

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3745481A (en) * 1972-06-13 1973-07-10 Atomic Energy Commission Electrodes for obtaining uniform discharges in electrically pumped gas lasers
KR900008794B1 (ko) * 1986-06-11 1990-11-29 티 디 케이 가부시끼가이샤 방전 램프장치
KR920001845B1 (ko) * 1986-07-15 1992-03-05 티디 케이 가부시기가이샤 열음극형 방전 등 장치
TW270211B (de) * 1993-03-17 1996-02-11 Tdk Electronics Co Ltd
JPH0822804A (ja) * 1994-07-07 1996-01-23 Toshiba Lighting & Technol Corp 低圧放電灯およびこの点灯装置
EP0738423B1 (de) * 1994-11-08 1999-01-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Niederdruckentladundslampe
US5720859A (en) * 1996-06-03 1998-02-24 Raychem Corporation Method of forming an electrode on a substrate
DE19651552A1 (de) * 1996-12-11 1998-06-18 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Kaltkathode für Entladungslampen, Entladungslampe mit dieser Kaltkathode und Betriebsweise für diese Entladungslampe

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1256971A2 (de) * 2001-05-09 2002-11-13 Philips Corporate Intellectual Property GmbH Gasentladungslampe
EP1256971A3 (de) * 2001-05-09 2006-01-25 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Gasentladungslampe
EP1263021A1 (de) * 2001-06-01 2002-12-04 Philips Corporate Intellectual Property GmbH Flüssigkristallbildschirm mit verbesserter Hintergrundbeleuchtung

Also Published As

Publication number Publication date
EP1043751A1 (de) 2000-10-11
JP2000306547A (ja) 2000-11-02
KR20000071556A (ko) 2000-11-25
CN1272680A (zh) 2000-11-08
US6417621B1 (en) 2002-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10024236B4 (de) Keramisches Dielektrikum und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102010050554B4 (de) Dielektrische Keramikzusammensetzung und elektronische Komponente
DE3442121A1 (de) Ozonerzeuger mit einem dielektrikum auf keramikbasis
DE1667529B2 (de) Verfahren zum herstellen von hexagonalem diamant und hexagonalen diamant enthaltender polykristalliner stoff
DE2942187A1 (de) Nichtlineares dielektrisches element
DE69024340T2 (de) Halbleiterkeramikkondensator von laminiertem und zwischenkornisolationstyp und verfahren zu seiner herstellung
DE69202717T2 (de) Leistungsschalter und Leistungswiderstand.
DE904036C (de) Dielektrische keramische Komposition und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE10117352A1 (de) Keramiken und Pulver für dieselben für Szintillatoren sowie Verfahren zum Herstellen derselben
DE19915616A1 (de) Gasentladungslampe
DE69024280T2 (de) Halbleiterkeramikkondensator von dem laminierten typ mit zwischenkornisolation und verfahren zu seiner herstellung
DE10007261A1 (de) Piezoelektrische Keramikzusammensetzung und piezoelektrische keramische Vorrichtung unter Verwendung derselben
DE10007260A1 (de) Piezoelektrische Keramikzusammensetzung und piezoelektrische keramische Vorrichtung unter Verwendung derselben
DE19913867A1 (de) Dielektrische Keramik und dieselbe verwendender Kondensator
DE3445153C2 (de)
DE3444982A1 (de) Nicht-reduzierbare dielektrische keramische masse
DE3612705C2 (de) Verfahren zur Herstellung gepulverter keramischer Ausgangsstoffe von komplexen Oxiden
DE2116351A1 (de) Ferromagnetische Calcium-Vanadin-Granatverbindungen
DE602004001361T2 (de) Piezoelektrische keramische Zusammensetzung und daraus hergestelltes Bauteil
EP0513903A1 (de) Pyroelektrisches Keramikmaterial und dessen Verwendung
DE69815285T2 (de) Entladungslampe mit sekundarseite eines piezotransformators als elektrode
DE2256812C3 (de) Für die Verwendung in Hochfrequenzmagnetfeldern bestimmter Ferritmit einer Granat-Kristallstruktur
DE2930634A1 (de) Verfahren zur herstellung eines dielektrischen materials mit innerhalb des volumens verteilten isolierenden barrieren
DE1671166C2 (de) Piezoelektrisches Keramik-Material
DE2121452A1 (de) Wärmegealterte, gesinterte intermetallische Verbindung aus Kobalt und seltenem Erdmetall und Verfahren zu ihrer Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
8139 Disposal/non-payment of the annual fee