KR100493117B1 - 레이저가공장치 및 레이저가공용 마스크 및 그 제조방법 - Google Patents

레이저가공장치 및 레이저가공용 마스크 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

마스크(10)는, 레이저가공용 가공패턴을 갖는 금속재료에 의한 마스크부재층(12)과, 마스크부재층을 상하양면에서 끼우고 있는 레이저광의 투과재료로 이루어지는 제1, 제2기판부재(11, 13)로 이루어진다.

Description

레이저가공장치 및 레이저가공용 마스크 및 그 제조방법{Laser machining device and laser machining mask and production method therefor}
본 발명은, 레이저발진기로부터의 레이저빔을, 사전에 정해진 가공패턴을 갖는 마스크를 통하여 워크(work)에 조사함으로써, 워크에 대하여 가공패턴으로 규정된 가공을 행하는 레이저가공장치 및 레이저가공용 마스크 및 그 제조방법에 관한 것이다.
레이저빔을 프린트배선기판의 수지층에 조사하여 천공을 행하는 레이저천공 가공장치가 제공되어 있다. 특히, 최근에는, 복수의 천공을 일괄적으로 행하는 레이저천공 가공장치도 제공되고 있다. 도 1을 참조하여, 그 일예를 설명한다. 도 1에 있어서, CO2레이저발진기(21)로부터의 펄스상의 레이저빔을 균일광학계(22)에 입사시켜서 그 단면(斷面)에 관한 에너지밀도분포를 균일하게 한다. 균일광학계(22)를 나온 레이저빔은 반사미러(23)에서 아래쪽으로 반사되어, 변환광학계(24)에 입사한다. 변환광학계(24)에 입사하는 레이저빔은 원형모양 혹은 직사각형모양의 단면형상을 갖는다. 변환광학계(24)는, 레이저빔의 단면형상을 원형모양 혹은 직사각형모양으로부터 일정한 폭(W) 및 길이(L)를 갖는 선형(linear) 레이저빔으로 변환하기 위한 것이다. 이를 위해, 변환광학계(24)는, 폭(W)을 규정하기 위한 실린더리컬 렌즈계(24-1)와, 길이(L)를 규정하기 위한 실린더리컬 렌즈계(24-2)를 갖는다. 이와 같은 변환광학계(24)는 주지하는 바이고, 폭(W)으로서는 0.1㎜에서 수㎜ 정도, 길이(L)는 수십㎜ 정도의 사이즈가 얻어진다.
변환광학계(24)의 바로 아래에는, 마스크(26)를 일축방향으로 구동하기 위한 마스크 스테이지(25)가 배치되어 있다. 마스크(26)는, 나중에 설명되는 바와 같이, 프린트배선기판과 같은 워크(27)의 수지층에 대한 가공패턴을 규정하는 다수의 구멍을 갖는다. 마스크 스테이지(25)와 워크(27) 사이에는, 이미징 렌즈계(28)가 배치되어 있다. 이미징 렌즈계(28)는, 워크(27)에 투영되는 마스크(26)의 가공패턴의 축소비를 규정하기 위한 것이다. 여기서는, 축소비는 1:1로 한다.
워크(27)는, 적어도 마스크 스테이지(25)의 이동과 동일 축방향이면서 또한 역방향으로 움직일 수 있는 워크 스테이지(29)에 탑재되어 있다. 특히, 마스크 스테이지(25)와 워크 스테이지(29)는, 도시하지 않은 제어장치에 의해 동기하여 이동하도록 제어된다.
도 2는, 마스크(26)와, 변환광학계(24)에 의해 변환된 선형 레이저빔(사선을 부가하여 나타내고 있다)의 단면형상과의 관계를 나타낸다. 마스크(26)는, 화살표로 나타낸 이동방향에 관하여 일정 피치(P)로 복수의 구멍(26-1)이 랜덤 혹은 정렬로 형성되어 이루어지는 가공패턴을 갖는다. 선형 레이저빔은, 폭(W)이 구멍(26-1)의 직경보다 크고, 길이(L)가 마스크(26)의 폭방향에 관한 가공패턴의 범위보다도 커지도록 된다.
도 1, 도 2에 있어서, 선형 레이저빔의 조사영역을 횡단하도록 마스크(26)가 통과함으로써, 마스크(26)의 일렬의 구멍(26-1)을 투과한 복수의 레이저빔이 이미징 렌즈(28)를 통하여 워크(27)에 조사된다. 특히, 마스크 스테이지(25)의 이동과 워크 스테이지(29)의 이동이 동일 축방향에서 역방향으로 또한 동기하도록 제어되기 때문에, 워크(27)에는 마스크(26)의 가공패턴에 의한 천공이 일렬씩 차례로 연속하여 행하여진다. 물론, CO2레이저발진기(21)로부터의 레이저빔의 펄스주파수는, 마스크 스테이지(25)에 있어서의 1피치 해당의 이동에 동기하도록 설정된다. 예컨대, 마스크(26)의 동일 열의 구멍(26-1)에는 레이저빔의 에너지강도에 따라 적어도 1회, 필요하다면 2회 레이저빔이 조사된다. 이것은, 워크(27)의 동일 영역에 적어도 1회, 필요하다면 2회의 레이저빔의 조사가 행하여지는 것을 의미한다. 그 결과, 레이저빔이 조사된 워크(27)의 영역에는 구멍이 형성된다.
상기 예는, 레이저빔이 고정이고, 마스크 스테이지(25), 워크 스테이지(29)가 가동인 경우의 예이다. 이 대신에, 워크에 형성되는 구멍의 직경, 열방향의 간격, 피치가 모두 동일하고 또한 레이저빔의 펄스폭이 μsec 오더인 경우, 도 3에 나타낸 바와 같이, 일렬분의 구멍(26-1')을 갖는 마스크(26')가 사용된다. 이 경우, 마스크 스테이지의 레이저조사 중에 있어서의 구동은 불필요하다. 즉, 변환광학계(24)로부터의 선형 레이저빔은 항상 고정상태에 놓여 있는 마스크(26')에 조사되고, 워크 스테이지(29)만 도 3 중, 화살표방향으로 가동하면 좋다.
또한, 마스크(26)를 고정으로 하고, 선형 레이저빔을 갈바노 스캐너에 의해 마스크(26) 상에서 일축방향으로 스캔하여 워크(27)에 조사하는 경우도 있다. 이를 위해서는, 변환광학계(24)와 마스크(26)의 사이에 갈바노 스캐너가 배치된다. 이 경우, 워크 스테이지(29)는, 갈바노 스캐너에 의한 스캔종료후, 워크(27)의 다음 가공영역을 갈바노 스캐너에 의한 스캔영역으로 이동시키기 위해 사용된다.
어느 쪽이든, 상기 천공가공에 의해 형성되는 구멍의 직경은 30∼300㎛정도이다. 이 경우, 이미징 렌즈계(28)의 축소비를 1:1로 하면, 마스크(26)에 형성되는 구멍(26-1)의 직경도 30∼300㎛가 된다. 마스크(26)는, 통상적으로 금속재료로 만들어지고, 구멍(26-1)의 어스펙트비(구멍의 직경과 깊이의 비율)는 1 정도이다. 따라서, 구멍(26-1)의 직경이 50㎛이면 마스크(26)의 두께도 50㎛가 된다. 이것은, 도 3에 나타낸 마스크(26')의 경우에도 동일하다.
그렇지만, 상기와 같은 두께의 마스크에서는, 구멍(26-1)의 밀도가 커지면, 레이저빔조사에 의한 열의 방산량이 적기 때문에, 마스크(26)가 고온이 되어 변형되어 버리는 문제점이 있다. 마스크(26)가 변형되면, 가공되는 구멍의 위치가 어긋나거나, 구멍의 형상이 일그러져 버린다.
그래서, 본 발명의 목적은, 레이저빔조사에 기인하는 발열에 의해 변형을 발생시키지 않는 레이저가공용 마스크를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 다른 목적은, 상기 마스크에 적합한 제조방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은, 상기 마스크를 사용한 레이저가공장치를 제공하는 것에 있다.
도 1은, 본 발명이 적용될 수 있는 복수의 구멍의 일괄형성에 사용되는 레이저가공장치의 구성의 일예를 나타낸 도면이고,
도 2는, 도 1에 나타낸 레이저가공장치에 사용되는 마스크의 일예와 단면이 선형인 레이저광의 단면형상과의 관계를 나타낸 도면이고,
도 3은, 마스크의 다른 예와 단면이 선형인 레이저광의 단면형상과의 관계를 나타낸 도면이고,
도 4는, 본 발명에 의한 마스크의 제조공정을 설명하기 위한 단면도이다.
본 발명에 의한 레이저가공용 마스크는, 사전에 정해진 가공패턴을 갖는다. 이 마스크는, 상기 가공패턴을 가지고, 레이저빔의 반사재료로 이루어지는 마스크부재와, 이 마스크부재를 상하양면에서 끼우고 있는 레이저빔의 투과재료로 이루어지는 기판부재로 형성된다.
상기 레이저광은, 예컨대 적외광이고, 마스크부재의 재료는 Au, Cu, Ni, 베릴륨동 중 어느 하나이고, 기판부재의 재료는 Ge, ZnS, ZnSe 중 어느 하나이다.
본 발명에 의한 레이저가공장치는, 레이저발진기로부터의 레이저빔을, 사전에 정해진 가공패턴을 갖는 마스크를 통하여 워크에 조사함으로써, 워크에 대하여 가공패턴으로 규정된 가공을 행한다. 이 마스크도, 상기 가공패턴을 가지고, 레이저빔의 반사재료로 이루어지는 마스크부재와, 이 마스크부재를 상하양면에서 끼우고 있는 레이저빔의 투과재료로 이루어지는 기판부재로 형성된다.
상기 레이저발진기는, 예컨대 CO2레이저발진기이고, 마스크부재의 재료는 Au, Cu, Ni, 베릴륨동 중 어느 하나이고, 기판부재의 재료는 Ge, ZnS, ZnSe 중 어느 하나이다.
본 발명에 의하면 또한, 사전에 정해진 가공패턴을 갖는 레이저가공용 마스크의 제조방법이 제공된다. 이 제조방법은, 레이저빔의 투과재료에 의한 제1기판부재의 일면(一面)측에 레이저빔의 반사재료로 이루어지는 재료층을 형성하는 제1공정과, 재료층에 상기 가공패턴을 형성하는 제2공정과, 가공패턴이 형성된 재료층의, 제1기판부재가 형성되어 있지 않은 측에, 레이저빔의 투과재료로 이루어지는 제2기판부재를 접합하는 제3공정을 포함한다.
상기 제1공정은, 증착법 혹은 도금법에 의해 행하여지고, 상기 제2공정은, 리소그래피 또는 에칭 혹은 레이저가공에 의해 행하여진다.
상기 제3공정에서는, 가공패턴이 형성된 재료층과 제1기판부재의 조합체와 제2기판부재의 적어도 한쪽에 고주파진동을 부여함으로써, 양자가 접합된다.
도 4를 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시형태에 의한 마스크의 제조방법에 관하여 설명한다. 여기서는, 레이저발진기가, 도 1에 나타낸 바와 같은 CO2레이저발진기인 경우에 관하여 설명한다.
도 4(a)에 있어서, CO2레이저빔의 파장(9.3㎛, 9.4㎛, 혹은 10.6㎛ 등)에 대하여 투과율이 좋은 Ge에 의한 기판부재(11)(제1기판부재)의 일면(一面)측에, 증착법(蒸着法)에 의해, Au를 증착시켜 두께 50㎛정도의 마스크부재층(12)을 형성한다. 증착법을 대신하여 도금법을 사용하여도 좋다.
다음으로, 도 4(b)에 있어서, 주지(周知)의 리소그래피기술과 에칭방법 혹은 레이저가공에 의한 직접묘화가공(直接描畵加工)에 의해, 마스크부재층(12)에, 가공패턴을 규정하는 직경 50㎛의 복수의 구멍(12-1)을 형성한다.
이어서, 도 4(c)에 있어서, 다수의 구멍(12-1)을 갖는 마스크부재층(12)의 기판부재(11)와는 반대측의 면에, 기판부재(11)와 동일 재료에 의한 기판부재(13)(제2기판부재)를 얹어 접합시킨다. 접합의 한 방법으로서, 기판부재(11)와 마스크부재층(12)과의 조합체, 기판부재(13)의 적어도 한쪽을, 면에 평행한 방향으로 고주파수로 진동시킨다. 그러면, 마스크부재층(12)과 기판부재(13)의 사이에 발생하는 마찰열에 의해 양자는 접착된다.
그 결과, 어스펙트비 1에 의한 직경 50㎛의 복수의 구멍(12-1)을 갖는 마스크(10)가 얻어진다. 그리고, 제1, 제2기판부재(11, 13)의 두께는, 수십∼수백㎛ 정도로 한다.
이와 같은 마스크(10)에 의하면, 마스크부재층(12)의 구멍(12-1)에 대응하는 부분에는 Ge밖에 없어서, CO2레이저빔의 투과성이 좋다. 그리고, Au의 레이저빔 반사성은 높고, 흡수된 열은 제1, 제2기판부재(11, 13)를 통하여 방산되기 때문에, 고온으로 되지 않고, 변형도 생기지 않는다. 또한, 제1, 제2기판부재(11, 13)는, 그들 사이에 있는 마스크부재층(12)의 열에 의한 변형을 기계적으로 억제하는 효과도 있다.
다음으로, 마스크(10)의 각 구성요소의 재료로서는, 이하의 조합을 생각할 수 있다. 제1, 제2기판부재(11, 13)의 재료로서는, Ge의 이외에, ZnS(zinc surfate), ZnSe(Zinc selenium)을 사용할 수 있다. 한편, 마스크부재층(12)의 재료로서는, Au의 이외에, Cu, Ni, 베릴륨동을 사용할 수 있다.
그 중에서도, 바람직한 조합은, Ge-Au, Ge-Cu, Ge-Ni이다. Ge-Au의 경우에는, 대부분 용합(溶合)되지 않고 공정(共晶)합금이 된다. 공정조성은, 27at%Ge이고, 공정온도는 356℃로 낮고, 저융점 합금이다.
Ge-Cu의 경우, Ge는 Cu에 약 10at% 녹아 들어간다. 그리고 Ge가 많은 영역에서는, 다양한 금속간화합물(金屬間化合物; intermetallic compound)을 형성하고, 약 25at% 이상에서는 Cu3Ge와 Ge의 공정합금(공정점 약 640℃)이 된다.
또, Ge-Ni의 경우, Ge는 Ni에 약 12at% 녹아 들어간다. 그리고 Ge가 많은 영역에서는, 다양한 금속간화합물을 형성하고, 약 50at% 이상에서는 NiGe와 Ge의 공정합금(공정점 약 780℃)이 된다.
이상의 설명으로부터, 합금이 되기 쉽다는 점에서는 Ge-Au계가 가장 바람직하지만, 저융점이기 때문에 356℃에서 용융한다는 점에 유의할 필요가 있다. Ge와 Au는 공정합금이 되기 쉽기 때문에, Ge와 Au는 일체구조로 되어 열전달이 부드럽게 되고, 이에 더하여, 약간 Au에서 흡수되는 레이저빔에 의한 발열도 제1, 제2기판부재(11, 13)을 통하여 달아나기 쉬워진다.
상기 실시형태에 의한 마스크는, 도 1에 나타낸 바와 같은 프린트배선기판의 수지층에 천공을 행하는 레이저천공 가공장치의 마스크(26)에 적합하다. 그러나, 본 발명에 의한 마스크는, 레이저천공 가공장치용 마스크에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 일렬상으로 배열된 복수의 미소한 세라믹기판에 각각, 복수의 레이저빔을 일괄적으로 조사하여 각 세라믹기판에 미소한 뒤틀림(distortion)을 부여하는 가공을 행하기 위한 레이저뒤틀림 가공장치에 있어서의 마스크에도 적용될 수 있다.
또, 레이저발진기도 CO2레이저발진기에 한정되지 않고, 다른 레이저발진기, 예컨대 YAG 혹은 YLF레이저발진기를 사용할 수 있고, 이에 따라 제1, 제2기판부재, 마스크부재층의 재료가 선정된다.
본 발명에 의하면, 제1, 제2기판부재에 의해 마스크부재층의 방열이 행하여지고, 게다가 마스크부재층을 기계적으로 억제할 수 있기 때문에, 레이저광조사에 기인하는 발열에 의해 변형을 발생시키지 않는 레이저가공용 마스크를 제공할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명에 관련되는 마스크는, 워크에 천공을 행하는 레이저천공 가공장치나, 워크에 뒤틀림을 부여하는 레이저뒤틀림 가공장치의 마스크에 적합하다.

Claims (7)

  1. 사전에 정해진 가공패턴을 갖는 레이저가공용 마스크로서,
    상기 마스크를,
    상기 가공패턴을 갖는 레이저광의 반사재료로 이루어지는 마스크부재와,
    이 마스크부재를 상하양면에서 끼우고 있는 레이저광의 투과재료로 이루어지는 기판부재로 형성하고,
    상기 마스크부재는 Au, Cu, Ni, 베릴륨동(copper-beryllium) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 레이저가공용 마스크.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 레이저광은 적외광이고,
    상기 기판부재는 Ge, ZnS, ZnSe 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 레이저가공용 마스크.
  3. 레이저광을 발생시키는 레이저발진기와;
    사전에 정해진 가공패턴을 가지는 마스크와;
    상기 마스크를 통하여 상기 레이저광을 워크에 조사함으로써, 워크에 대하여 상기 가공패턴으로 규정된 가공을 행하는 레이저가공장치에 있어서,
    상기 마스크는,
    상기 가공패턴을 가지며, 상기 레이저광을 반사하는 재료로 이루어지는 마스크부재와;
    상기 마스크부재를 그 양면에서 끼우고, 상기 레이저광을 투과하는 재료로 이루어지는 기판부재;
    로 형성하고,
    상기 마스크부재는 Au, Cu, Ni, 베릴륨동 중의 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저가공장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 레이저발진기는 CO2레이저발진기이고,
    상기 기판부재는 Ge, ZnS, ZnSe 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 레이저가공장치.
  5. 사전에 정해진 가공패턴을 갖는 레이저가공용 마스크의 제조방법에 있어서,
    레이저광의 투과재료에 의한 제1기판부재의 일면(一面)측에 레이저광의 반사재료로 이루어지는 재료층을 형성하는 제1공정과,
    상기 재료층에 상기 가공패턴을 형성하는 제2공정과,
    상기 가공패턴이 형성된 상기 재료층의, 상기 제1기판재료가 형성되어 있지 않은 측에, 레이저광의 투과재료로 이루어지는 제2기판부재를 접합하는 제3공정을 포함하고,
    상기 반사재료는 Au, Cu, Ni, 베릴륨동 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 레이저가공용 마스크의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1공정은, 증착법(蒸着法) 혹은 도금법에 의해 행하여지고,
    상기 제2공정은, 리소그래피 또는 에칭 혹은 레이저가공에 의해 행하여지는 것을 특징으로 하는 레이저가공용 마스크의 제조방법.
  7. 사전에 정해진 가공패턴을 갖는 레이저가공용 마스크의 제조방법에 있어서,
    레이저광의 투과재료에 의한 제1기판부재의 일면측에 레이저광의 반사재료로 이루어지는 재료층을 형성하는 제1공정과,
    상기 재료층에 상기 가공패턴을 형성하는 제2공정과,
    상기 가공패턴이 형성된 상기 재료층의, 상기 제1기판부재가 형성되어 있지 않은 측에, 레이저광의 투과재료로 이루어지는 제2기판부재를 접합하는 제3공정을 포함하고,
    상기 제3공정은, 상기 가공패턴이 형성된 상기 재료층과 상기 제1기판부재의 조합체와 상기 제2기판부재의 적어도 한쪽에 고주파진동을 부여함으로써, 양자를 접합하는 것을 특징으로 하는 레이저가공용 마스크의 제조방법.
KR10-2002-7009627A 2000-01-28 2001-01-09 레이저가공장치 및 레이저가공용 마스크 및 그 제조방법 KR100493117B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101200484B1 (ko) * 2012-03-21 2012-11-12 한국기계연구원 프로젝션 어블레이션용 마스크의 제조 방법

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW521310B (en) * 2001-02-08 2003-02-21 Toshiba Corp Laser processing method and apparatus
JP2004537175A (ja) * 2001-08-02 2004-12-09 エスケーシー カンパニー，リミテッド レーザーを使用した化学的機械的研磨パッドの製造方法
US7468557B2 (en) * 2002-09-11 2008-12-23 Syracuse University Method of producing an ultra thin electrically conducting film with very low electrical resistance
JP2004243404A (ja) * 2003-02-17 2004-09-02 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 穴形成方法および穴形成装置
US7671297B2 (en) * 2003-11-20 2010-03-02 Ethicon, Inc. Method and apparatus for laser drilling workpieces
DE102004036662B3 (de) * 2004-07-28 2006-05-04 Lpkf Laser & Electronics Ag Verfahren zum Einringen von Durchbrechungen in eine Schablone oder Maske
KR20120103651A (ko) * 2009-12-23 2012-09-19 아이엠알에이 아메리카, 인코포레이티드. 구조화된 광학 요소 및 포커싱된 빔을 이용하는 레이저 패터닝
KR101097328B1 (ko) * 2010-01-07 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 밀봉에 사용되는 레이저 빔 조사 장치, 기판 밀봉 방법, 및 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
JP6046329B2 (ja) * 2010-01-08 2016-12-14 早川ゴム株式会社 レーザー光を用いた接合方法
KR101135537B1 (ko) * 2010-07-16 2012-04-13 삼성모바일디스플레이주식회사 레이저 조사 장치
JP5746960B2 (ja) * 2011-12-15 2015-07-08 豊田鉄工株式会社 赤外線加熱装置
CN107158445B (zh) * 2012-05-29 2021-01-15 3M创新有限公司 包括聚合物泡沫和中间体的吸收制品
US20150301444A1 (en) * 2012-06-18 2015-10-22 Indian Institute Of Technology Kanpur Systems and methods for dry processing fabrication of binary masks with arbitrary shapes for ultra-violet laser micromachining
CN103529507B (zh) * 2012-07-06 2016-05-25 三菱电机株式会社 偏振光相位差板以及激光加工机
JP5936574B2 (ja) * 2012-07-06 2016-06-22 三菱電機株式会社 偏光位相差板およびレーザ加工機
JP6142194B2 (ja) * 2012-11-15 2017-06-07 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスクの製造方法及び蒸着マスク
JP5958824B2 (ja) * 2012-11-15 2016-08-02 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスクの製造方法
KR20140133741A (ko) * 2013-05-10 2014-11-20 삼성디스플레이 주식회사 레이저 열전사용 마스크 및 이를 포함하는 레이저 조사 장치
JP6240960B2 (ja) * 2014-02-03 2017-12-06 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスクの製造方法及び成膜マスク
CN106471140B (zh) * 2014-07-03 2019-02-05 新日铁住金株式会社 激光加工装置
KR102374204B1 (ko) * 2016-03-25 2022-03-14 삼성전자주식회사 반도체 장치 제조 방법
KR20180089607A (ko) * 2017-01-31 2018-08-09 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크의 제조 방법
CN108941921A (zh) * 2018-07-10 2018-12-07 嘉善县飞虹钮扣厂 一种纽扣表面刻花的装置
JP7303053B2 (ja) * 2019-07-17 2023-07-04 ファナック株式会社 調整補助具及びレーザ溶接装置
KR102394825B1 (ko) * 2020-04-23 2022-05-06 주식회사 프로텍 빅셀 소자를 이용한 플립칩 본딩 장치

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4478677A (en) * 1983-12-22 1984-10-23 International Business Machines Corporation Laser induced dry etching of vias in glass with non-contact masking
JP2521299B2 (ja) 1987-08-18 1996-08-07 三菱電機株式会社 レ−ザマ−ク用文字マスク
US4887283A (en) * 1988-09-27 1989-12-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha X-ray mask and exposure method employing the same
JP2592369B2 (ja) 1991-08-22 1997-03-19 富士通株式会社 多層配線回路基板の製造方法及び誘電体ミラーマスクの製造方法
SG52140A1 (en) * 1994-03-04 1998-09-28 Canon Kk Ink jet recording head and method of manufacture therefor and laser processing apparatus and ink jet recording apparatus
JPH0876357A (ja) 1994-09-01 1996-03-22 Hitachi Ltd レーザ転写加工用マスク
TW289901B (ko) * 1994-12-28 1996-11-01 Ricoh Microelectronics Kk
AU3301197A (en) * 1996-06-05 1998-01-05 Larry W. Burgess Blind via laser drilling system
JPH11277282A (ja) * 1998-03-30 1999-10-12 Toppan Forms Co Ltd 光シャッタ装置
JP2000122266A (ja) * 1998-10-13 2000-04-28 Oki Electric Ind Co Ltd ペリクル

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101200484B1 (ko) * 2012-03-21 2012-11-12 한국기계연구원 프로젝션 어블레이션용 마스크의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN1396851A (zh) 2003-02-12
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JP2001205470A (ja) 2001-07-31

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