KR100476801B1 - 신규한 감광성 폴리벤즈옥사졸 전구체 조성물 - Google Patents

신규한 감광성 폴리벤즈옥사졸 전구체 조성물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 산 불안정 관능 그룹을 갖는 폴리벤즈옥사졸 전구체, 광산 발생제, 광증감제 및 용매를 포함하는 내열성 포지티브-작용성 감광성 조성물에 관한 것이다. 산 불안정 관능 그룹을 갖는 폴리벤즈옥사졸 전구체는 화학식 I의 구조를 나타낸다.
화학식 I
위의 화학식 I에서,
k1은 1 또는 2의 정수이고,
k2는 0 또는 1의 정수이며,
k1과 k2의 합은 2이고,
Ar1은 4가 방향족, 지방족 또는 헤테로사이클릭 그룹이거나 이들의 혼합물이며,
Ar2는 2가 방향족, 지방족 또는 헤테로사이클릭 그룹이거나 실록산 그룹이고,
D는 1가 산 불안정 그룹이며,
n은 20 내지 200의 정수이고,
Ar1 중의 일부는, 디아민 화합물의 비율이 0 내지 60몰%이고 디아민과 디아미노 디하이드록시 화합물의 총합이 100%로 되도록 하는, 2가 방향족, 지방족 또는 헤테로사이클릭 디아민 잔기일 수 있다.
본 발명은 또한 화학적 증폭을 기본으로 하는 포지티브-작용성의 수성 염기 현상가능한 감광성 폴리벤즈옥사졸(PBO) 전구체의 제조방법, 이들 수지 조성물의 제형 및 이들 수지 조성물로부터 내열성 릴리프 구조를 제조하는 방법에 관한 것이다. 포지티브 감광성 수지 조성물은 마이크로전자공학에 응용하기에 특히 적합하다.

Description

신규한 감광성 폴리벤즈옥사졸 전구체 조성물 {Novel photosensitive polybenzoxazole precursor compositions}
발명의 분야
본 발명은 마이크로전자공학 분야에 사용하기에 적합한 포지티브형 감광성 수지 조성물에 관한 것이다. 보다 특히, 본 발명은 화학적 증폭을 기본으로 하는 포지티브-작용성의 수성 염기 현상가능한 감광성 폴리벤즈옥사졸(PBO) 전구체의 합성, 이들 수지 조성물의 제형 및 이들 수지 조성물로부터 내열성 릴리프 구조(relief structure)를 제조하는 방법에 관한 것이다.
발명의 배경
통상의 포지티브-작용성 감광성 폴리벤즈옥사졸 조성물은 미국 특허 제4,371,685호에 기재되어 있는 바와 같이 알칼리 가용성 PBO 전구체와 디아조퀴논 광활성 화합물을 함유한다. 디아조퀴논 화합물은 수성 염기 중의 PBO 전구체의 용해도를 저하시킨다. 그러나, 빛에 노출시킨 후, 디아조퀴논 화합물은 광분해되어 수성 염기 중의 PBO 전구체의 용해도를 향상시키는 인덴 카복실산으로 전환된다.
발명의 간략한 요지
본 발명은 산 불안정 관능 그룹을 갖는 폴리벤즈옥사졸 전구체, 광산 발생제(photoacid generator) 및 용매를 함유하는 내열성 포지티브-작용성 감광성 조성물이다. 임의로, 이들 조성물은 광증감제, 접착 촉진제, 균전제 또는 그외의 첨가제를 함유할 수 있다. 산 불안정 관능 그룹을 갖는 폴리벤즈옥사졸 전구체의 일반적인 구조는 화학식 I과 같다.
위의 화학식 I에서,
k1은 1 또는 2의 정수이고,
k2는 0 또는 1의 정수이며,
k1과 k2의 합은 2이고,
Ar1은 4가 방향족, 지방족 또는 헤테로사이클릭 그룹이거나 이들의 혼합물이며,
Ar2는 2가 방향족, 지방족 또는 헤테로사이클릭 그룹이거나 실록산 그룹이고,
D는 1가 산 불안정 그룹이며,
n은 20 내지 200의 정수이다.
Ar1 중의 일부는, 디아민 화합물의 비율이 0 내지 60몰%이고 디아민과 디아미노 디하이드록시 화합물의 총합이 100%로 되도록 하는, 2가 방향족, 지방족 또는 헤테로사이클릭 디아민 잔기일 수 있다.
본 발명은 또한 화학적 증폭을 기본으로 하는 포지티브-작용성의 수성 염기 현상가능한 감광성 폴리벤즈옥사졸 전구체의 제조방법, 이들 수지 조성물의 제형 및 이들 수지 조성물로부터 내열성 릴리프 구조를 제조하는 방법에 관한 것이다.
발명의 상세한 설명
본 발명은 화학적으로 증폭되고 보호된 폴리벤즈옥사졸 전구체의 광산 촉매된 개열(開裂: cleavage)에 기초한다. PBO 전구체의 수성 염기 가용성은 산 불안정 그룹의 결합에 의한 PBO 전구체 중의 방향족 하이드록실 그룹의 보호에 의해 감소된다. 중합체 알칼리 가용성의 회복은 광산 발생제(PAG)의 광분해에 의해 생성되는 산의 작용을 통해 성취된다. 보호 그룹은 아세탈, 케탈, 카보네이트, 에테르, 실릴 에테르, t-부틸 에스테르 함유 잔기, 이들의 혼합물 등과 같은 모든 적합한 산 불안정 그룹일 수 있다. 이러한 개념을 사용하여, 산 불안정 관능 그룹을 갖는 PBO 전구체, 광산 발생제 및 용매를 포함하는 포지티브-작용성 감광성 수지 조성물을 제조할 수 있다. 임의로, 이들 조성물은 광증감제를 함유할 수 있다. 석판 인쇄 가공 후, 추가로 가열하면, 패턴화된 층이 내열성 폴리벤즈옥사졸 피막으로 전환된다. 수지 조성물은 열 및 기계적 응력 완충 피막, α 입자 차단막, 중간층 유전체 및 패턴화된 공업용 수지층과 같은 마이크로전자 장치를 제조하는 데 사용할 수 있다.
본 발명은 산 불안정 관능 그룹을 갖는 화학식 I의 PBO 전구체를 함유하는 포지티브-작용성 감광성 수지 조성물을 제공한다.
화학식 I
위의 화학식 I에서,
k1은 1 또는 2의 정수이고,
k2는 0 또는 1의 정수이며,
k1과 k2의 합은 2이고,
n은 20 내지 200의 정수이다.
Ar1은 화학식 의 잔기(여기서, X1은 , , , 또는 이고, Z는 H 또는 알킬이다)를 포함하지만 이에 국한되지 않는, 4가 방향족 그룹, 지방족 그룹, 헤테로사이클릭 그룹 또는 이들의 혼합물이다.
또한, Ar1 중의 일부는, 디아민 화합물의 비율이 0 내지 60몰%이고 디아민과 디아미노 디하이드록시 화합물의 총합이 100%로 되도록 하는, 2가 방향족, 지방족 또는 헤테로사이클릭 디아민 잔기일 수 있다.
Ar2는 화학식 의 잔기(여기서, Z는 H 또는 알킬이고, p는 1 내지 6의 정수이며, X2는 , 이다)를 포함하지만 이에 국한되지 않는, 2가 방향족 그룹, 지방족 그룹, 헤테로사이클릭 그룹, 실록산 그룹 또는 이들의 혼합물이다. 중합체가 하나 이상의 상이한 Ar1 그룹과 Ar2 그룹을 함유할 수 있다.
D는 화학식 의 잔기를 포함하지만 이에 국한되지 않는, 아세탈, 케탈, 카보네이트, 에테르, 실릴 에테르, t-부틸 에스테르 함유 잔기 및 이들의 혼합물과 같은 모든 적합한 1가 산 불안정 그룹이다.
감광성 PBO 전구체 조성물은 산 불안정 관능 그룹을 갖는 PBO 전구체, 광산 발생제 및 용매를 포함한다. 임의로, 이들 조성물은 광증감제, 접착 촉진제, 균전제 또는 그외의 첨가제를 함유할 수 있다. 반응식 1에 도시된 바와 같이, 빛에 노출시킨 후, 광에 의해 발생된 산이 보호된 PBO 전구체의 탈차단(deblocking)을 촉매하여 이를 수성 염기 가용성 PBO 전구체로 전환시킨다.
모든 적합한 광산 발생제 화합물이 감광성 수지 조성물에 사용될 수 있다. 바람직한 광산 발생제 화합물에는, 예를 들면, 트리아진 화합물, 설포네이트, 디설폰, 오늄염 및 이들의 혼합물이 포함된다. 가장 바람직한 것은 요오도늄염, 설포늄염, 포스포늄염, 디아조늄염, 설폭소늄염 및 이들의 혼합물과 같은 오늄염이다. 또한, 바람직한 광산 발생제에는 g선, i선, 248nm 및 광폭밴드 석판인쇄에 사용할 수 있는 것들이 포함된다.
이러한 수지 조성물에 사용되는 용매는 불활성이어야 하고, 조성물 중의 모든 성분들을 용해시킬 수 있어야 하며, 피복 후 건조시키면 제거되어야 한다. 모든 적합한 용매를 사용할 수 있으며, 예를 들면, N-메틸-2-피롤리디논(NMP), γ-부티로락톤(GBL), 디글림, 테트라하이드로푸란(THF), 디메틸-2-피페리돈(DMPD) 및 이들의 혼합물이 포함된다. 가장 바람직한 것은 γ-부티로락톤이다.
조성물의 화학선 파장 흡수를 증가시키기 위해, 광증감제 또는 염료를 감광성 수지 조성물에 가할 수 있다. 모든 적합한 광증감제를 사용할 수 있으며, 예를 들면, 플루오레논 유도체, 나프탈렌, 안트라센 유도체, 쿠마린, 피렌 유도체, 벤질, 플루오레세인 유도체, 벤조페논, 벤즈안트론, 크산톤, 페노티아진 및 이들의 혼합물일 수 있다.
감광성 수지 조성물은 접착 촉진제 및 계면활성제와 같은 첨가제를 추가로 포함할 수 있다. 바람직한 접착 촉진제의 예는 아미노실란 유도체 및 실록산 그룹 함유 폴리암산이다.
PBO 전구체는 방향족 디아미노 디하이드록시 화합물, 하나 이상의 방향족 또는 지방족 디아민 및 하나 이상의 방향족 또는 지방족 산을 반응시켜 제조한다. 적합한 산의 예는 방향족 또는 지방족 디카복실산 및 디카복실산 클로라이드이다. 합성된 PBO 전구체는 단독중합체이거나 공중합체일 수 있다.
산 불안정 관능 그룹을 갖는 화학식 I의 PBO 전구체는 산 촉매의 존재하에서 PBO 전구체와 화학식 R1=CH-OR2의 비닐 에테르(여기서, R1은 바람직하게는 탄소수 1 내지 10의 직쇄, 측쇄 또는 사이클릭 알킬렌 그룹(a), 바람직하게는 탄소수 1 내지 10의 직쇄, 측쇄 또는 사이클릭 할로알킬렌 그룹(b) 또는 아르알킬렌 그룹(c)이고, R2는 바람직하게는 탄소수 1 내지 10의 직쇄, 측쇄, 사이클릭 알킬 또는 아르알킬이거나, 직쇄 또는 측쇄 알킬 그룹 함유 사이클로알킬, 치환된 사이클로알킬, 아릴 또는 치환된 아릴 그룹이다)의 반응으로부터 유도될 수 있다. 산 불안정 관능 그룹을 갖는 PBO 전구체를 유도하는 또다른 적합한 방법은 PBO 전구체를 염기의 존재하에서 디-t-부틸 디카보네이트와 반응시키는 것이다. 산 불안정 관능 그룹을 갖는 PBO 전구체는 PBO 전구체, 알콜 및 t-부틸 비닐 에테르를 산의 존재하에서 반응시켜 합성할 수도 있다.
PBO 전구체는 화학식 II의 구조를 나타낼 수 있다.
위의 화학식 II에서,
Ar1은 4가 방향족 그룹, 지방족 그룹, 헤테로사이클릭 그룹 또는 이들의 혼합물이고,
Ar2는 2가 방향족 그룹, 지방족 그룹, 헤테로사이클릭 그룹, 실록산 그룹 또는 이들의 혼합물이며,
n은 20 내지 200의 정수이다.
Ar1 중의 일부는, 디아민 화합물의 비율이 0 내지 60몰%이고 디아민과 디아미노 디하이드록시 화합물의 총합이 100%로 되도록 하는, 2가 방향족, 지방족 또는 헤테로사이클릭 디아민 잔기일 수 있다.
아세탈 보호된 PBO 전구체는 비닐 에테르와 PBO 전구체와의 산 촉매된 부가 반응에 의해 제조할 수 있다. 모든 적합한 산 촉매, 예를 들면, 염산, p-톨루엔 설폰산 및 피리듐-p-톨루엔 설폰산을 반응에 사용할 수 있다. 산 촉매는 약 0.001 내지 약 3.0중량%의 양으로 가할 수 있다. 산 유도된 탈보호에 적합한 활성화 에너지 범위를 갖는 몇가지 비닐 에테르를 이 반응에 사용할 수 있다. 본 발명에 유용한 보호된 중합체는 또한 PBO 전구체, t-부틸 비닐 에테르 및 알킬-, 알킬렌-, 사이클로알킬- 또는 아릴알킬-알콜의 산 촉매된 반응으로 이루어진 공정을 사용하여 제조할 수 있다.
아세탈 보호된 PBO 전구체를 제조하기 위한 통상의 합성 반응 메카니즘이 반응식 2에 도시되어 있다.
위의 반응식 2에서,
R1은 위에 정의한 바와 같고,
D는 t-부톡시카보닐 그룹, 에테르, 실릴 에테르 및 카보네이트를 제외하고는 위에 정의한 바와 같으며,
R2는 t-부틸, 이소부틸, 에틸, 사이클로헥실, 에틸 사이클로헥실 또는 펜에틸을 예로 들 수 있지만, 이러한 그룹으로 제한되는 것이 아니라 위에 정의한 바와 같은 모든 그룹일 수 있고,
k1은 1 또는 2의 정수이며,
k2는 0 또는 1의 정수이고,
k1과 k2의 합은 2이며,
n은 20 내지 200의 정수이다.
PBO 전구체는 Ar1과 Ar2를 하나 이상 함유할 수 있다. Ar1 중의 일부는, 디아민 화합물의 비율이 0 내지 60몰%이고 디아민과 디아미노 디하이드록시 화합물의 총합이 100%로 되도록 하는, 2가 방향족, 지방족 또는 헤테로사이클릭 디아민 잔기일 수 있다.
산 불안정 그룹에 의한 보호도 또는 차단도는 비닐 에테르와 PBO 전구체의 몰 비, 반응 온도, 반응 시간 및 산 촉매 유형에 의해 조절할 수 있다. 상이한 차단도를 갖는 PBO 전구체들은 수성 염기 현상액 속에서 상이한 용해율을 나타낸다. 예를 들면, 92% t-부틸 비닐 에테르 차단 그룹을 갖는 PBO 전구체 분말은 0.262N 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH)와 0.145N TMAH 용액 둘 다에 불용성이다. 반대로, 31% t-부틸 비닐 에테르 차단 그룹을 갖는 PBO 전구체 분말은 0.145N TMAH에는 불용성이지만 0.262N TMAH 용액에는 가용성이다. 마지막으로, 18% t-부틸 비닐 에테르 차단 그룹을 갖는 PBO 전구체 분말은 0.262N TMAH 용액과 0.145N TMAH 용액 둘 다에 가용성이다. 따라서, 보호된 PBO 전구체의 용해도는 약 1 내지 100%로 다양할 수 있는 차단도에 의해 조절할 수 있다.
본 발명은 또한 내열성 릴리프 화상을 제조하는 방법을 포함한다. 당해 방법은, 산 불안정 관능 그룹을 갖는 폴리벤즈옥사졸 전구체, 광산 발생제 및 용매를 포함하는 내열성 포지티브-작용성 감광성 조성물을 적당한 기판에 피복시켜 피복된 기판을 형성하는 단계(a), 피복된 기판을 화학선에 노광시키는 단계(b), 피복된 기판을 승온, 바람직하게는 약 50 내지 150℃에서 노광 후 베이킹시키는 단계(c), 피복된 기판을 수성 현상액으로 현상하여 현상된 기판을 형성하는 단계(d) 및 현상된 기판을 승온, 바람직하게는 약 250 내지 400℃에서 베이킹하여 폴리벤즈옥사졸 전구체를 폴리벤즈옥사졸로 전환시키는 단계(e)를 포함한다. 내열성 포지티브-작용성 감광성 조성물은 광증감제를 추가로 포함할 수 있다. 임의로, 피복된 기판을 형성한 후 노광시키기 전에, 피복된 기판이 예비베이킹 단계를 거칠 수도 있다. 바람직한 양태에서, 산 불안정 관능 그룹을 갖는 폴리벤즈옥사졸 전구체는 화학식 I의 구조를 나타낸다.
화학식 I
위의 화학식 I에서,
k1은 1 또는 2의 정수이고,
k2는 0 또는 1의 정수이며,
k1과 k2의 합은 2이고,
Ar1은 4가 방향족, 지방족 또는 헤테로사이클릭 그룹이거나 이들의 혼합물이며,
Ar2는 2가 방향족, 지방족 또는 헤테로사이클릭 그룹이거나 실록산 그룹이며,
D는 1가 산 불안정 그룹이고,
n은 20 내지 200의 정수이다.
수지 조성물을 도포하는 제1 단계에서, 본 발명의 포지티브-작용성 감광성 조성물을 실리콘 웨이퍼, 세라믹 기판 등과 같은 적당한 기판 위에 피복시킨다. 피복법은 스핀 피복법, 롤러 피복법, 오프셋 인쇄, 스크린 인쇄, 압출 피복법, 메니스커스 피복법(meniscus coating), 커튼 피복법, 침지 피복법 및 분무 피복법을 포함하지만 이에 국한되는 것은 아니다. 용매를 증발시키기 위해, 생성된 필름을 임의로 70 내지 120℃의 온도에서 수 분 동안 예비베이킹시킬 수 있다. 이어서, 생성된 필름을 마스크를 통해 화학선에 노광시킨다. 화학선으로서 X선, 전자빔, 자외선, 가시광선 등을 사용할 수 있다. 가장 바람직한 광선은 파장이 436nm(g선) 및 365nm(i선)인 광선이다.
화학선에 노광시킨 후, 피복된 기판을 약 50 내지 150℃의 온도로 가열하는 것이 유리하다. 피복된 기판을 이러한 온도 범위에서 단시간, 통상적으로 몇 초 내지 몇 분 동안 가열한다. 이러한 가공 단계를 당해 기술분야에서는 통상적으로 노광 후 베이킹(post exposure baking)이라고 한다.
필름을 수성 현상액으로 현상하여 릴리프 패턴을 수득한다. 수성 현상액에는 무기 알칼리(예를 들면, 수산화칼륨, 수산화나트륨, 암모니아수)와 같은 알칼리, 1급 아민(예를 들면, 에틸아민, n-프로필아민), 2급 아민(예를 들면, 디에틸아민, 디-n-프로필아민), 3급 아민(예를 들면, 트리에틸아민), 알콜아민(예를 들면, 트리에탄올아민), 4급 암모늄염(예를 들면, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 테트라에틸암모늄 하이드록사이드) 및 이들의 혼합물의 용액이 포함된다. 가장 바람직한 현상액은 테트라메틸암모늄 하이드록사이드를 포함하는 것이다. 적당량의 계면활성제를 현상액에 가할 수 있다. 현상은 침지법, 분무법, 교련법(puddling) 또는 그외의 유사한 현상법으로 수행할 수 있다.
그후, 탈염수를 사용하여 릴리프 패턴을 세정한다. 이어서, 릴리프 패턴을 경화시켜 옥사졸 환을 형성함으로써 내열성이 높은 중합체로 이루어진 최종 패턴을 수득한다. 현상된 기판을 250 내지 400℃에서 베이킹하여 경화를 수행함으로써 폴리벤즈옥사졸 전구체를 폴리벤즈옥사졸로 전환시킨다.
본 발명을 예시하기 위해, 다음의 실시예를 제공한다. 본 발명이 기재된 실시예로 제한되지 않는 것으로 이해해야 한다.
합성 실시예 A
PBO 전구체의 합성 :
기계적 교반기, 질소 유입구 및 첨가 펀넬이 장착된 100㎖ 용량의 3구 환저 플라스크에 헥사플루오로-2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로판 3.66g (0.010mol), 피리딘 1.70g(0.021mol) 및 N-메틸피롤리디논(NMP) 15g을 가한다. 이들 용액이 투명해질 때까지 실온에서 교반한 다음 0 내지 5℃의 빙수욕 속에서 냉각시킨다. 이들 용액에, NMP 5g에 용해시킨 이소프탈릴 클로라이드 2.03g(0.010mol)을 적가한다. 첨가한 후, 생성된 혼합물을 실온에서 18시간 동안 교반한다. 점성 용액을 탈염수 800㎖ 속에서 침전시킨다. 여과하여 중합체를 수거하고 탈염수로 세척한 다음 물/메탄올 혼합물(50/50)로 세척한다. 중합체를 진공하에 105℃에서 24시간 동안 건조시킨다.
수율은 거의 정량적이며 25℃에서 0.5g/㎗의 농도의 NMP 중에서 측정한 중합체의 고유 밀도는 0.28㎗/g이다.
실시예 1
t-부틸 비닐 에테르 보호된 PBO 전구체의 합성 :
질소 유입구와 자기 교반기가 장착된 250㎖ 용량의 3구 플라스크에 합성 실시예 A의 반응으로부터 수득한 PBO 전구체 7.5g과 디글림 67.5g을 가한다. 중합체를 용해시킨 후, t-부틸 비닐 에테르 6.06g을 가한다. 10분 동안 교반한 후, 반응 혼합물을 빙욕으로 0 내지 5℃로 냉각시킨 다음 p-톨루엔설폰산 0.15g을 서서히 가한다. 이어서, 반응 온도를 실온으로 가온시킨다. 실온에서 2시간 동안 교반한 후, 디글림 6g 중의 트리에틸아민 0.3g을 가하여 반응을 중단시킨다. 반응 혼합물을 탈염수 1200㎖ 속에서 침전시킨다. 여과하여 중합체를 수거하고 탈염수로 2회 세척한다. 중합체를 진공 오븐 속에서 60℃에서 24시간 동안 건조시킨다. 1H NMR에서, PBO 전구체의 하이드록실 그룹의 65%가 아세탈로 보호된 것으로 나타났다.
실시예 2
감광성 내식막 제형의 제조 및 석판 인쇄 평가 :
광산 발생제(4-메톡시-α-[[[(4-메틸페닐)설포닐]옥시]이미노]-벤젠아세토니트릴) 0.1g과 FLUORAD FC 430 계면활성제(3M 캄파니에서 시판하는 불화 알킬 에스테르)(프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 중의 1w/w%) 0.03g을 황색 병 속에서 γ-부티로락톤 8g에 용해시킨다. 광산 발생제 화합물과 계면활성제를 용해시킨 후, 실시예 1의 아세탈 보호된 PBO 전구체 2g을 가한다. 용액을 균질하게 혼합하여 0.8μ 필터에 통과시킨다. 용액을 800rpm으로 실리콘 웨이퍼에 스핀 피복시키고 100℃에서 3분 동안 예비베이킹시킨다. 피복물을 400nm에서 측정한 단일필터의 수은 아크 램프로 1000mJ/㎠로 노광시키고 85℃에서 2분 동안 후-베이킹시킨다. 웨이퍼를 0.145N TMAH 현상액에서 현상한다. 질소 대기에서 350℃에서 60분 동안 베이킹한 후, 수득된 내열성 릴리프 패턴은 행과 열이 2 내지 4마이크론인 해상도와 포스트 패턴(post pattern)을 나타낸다.
본 발명을 이의 바람직한 양태에 대한 특정의 참조문헌과 함께 기재하였다. 당해 기술분야의 통상의 숙련가들에게는, 하기의 청구의 범위에 정의된 바와 같은 본 발명의 취지 및 범위를 벗어나지 않으면서 변화 및 변경이 이루어질 수 있음이 자명할 것이다.

Claims (27)

  1. 산 불안정 관능 그룹을 갖는 폴리벤즈옥사졸 전구체, 광산(photoacid) 발생제, 용매 및 임의의 광증감제를 포함하는, 포지티브-작용성 감광성 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 산 불안정 관능 그룹을 갖는 폴리벤즈옥사졸 전구체가 화학식 I의 화합물인, 포지티브-작용성 감광성 조성물.
    화학식 I
    위의 화학식 I에서,
    k1은 1 또는 2의 정수이고,
    k2는 0 또는 1의 정수이며,
    k1과 k2의 합은 2이고,
    Ar1은 4가 방향족, 지방족 또는 헤테로사이클릭 그룹이거나 이들의 혼합물이며,
    Ar2는 2가 방향족, 지방족 또는 헤테로사이클릭 그룹이거나 실록산 그룹이고,
    D는 1가 산 불안정 그룹이며,
    n은 20 내지 200의 정수이다.
  3. 제2항에 있어서, Ar1이 헥사플루오로프로판-2,2(비페닐) 라디칼이고, Ar2가 프탈로일 라디칼인, 포지티브-작용성 감광성 조성물.
  4. 제2항에 있어서, 치환체 D의 1가 산 불안정 그룹이 아세탈, 케탈, 카보네이트, 에테르, 실릴 에테르, t-부틸 에스테르 그룹 함유 잔기 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는, 포지티브-작용성 감광성 조성물.
  5. 제2항에 있어서, 치환체 D의 1가 산 불안정 그룹이 화학식
    로 이루어진 그룹으로부터 선택되는, 포지티브-작용성 감광성 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 광산 발생제가 트리아진 화합물, 설포네이트, 디설폰, 오늄염 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는, 포지티브-작용성 감광성 조성물.
  7. 제6항에 있어서, 광산 발생제가 요오도늄염, 설포늄염, 포스포늄염, 디아조늄염, 설폭소늄염 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 오늄염인, 포지티브-작용성 감광성 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 광증감제가 플루오레논 유도체, 나프탈렌, 안트라센 유도체, 쿠마린, 피렌 유도체, 벤질, 플루오레세인 유도체, 벤조페논, 벤즈안트론, 크산톤, 페노티아진 또는 이들의 혼합물인, 포지티브-작용성 감광성 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 용매가 N-메틸-2-피롤리디논, γ-부티로락톤, 디글림, 테트라하이드로푸란, 디메틸-2-피페리돈 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는, 포지티브-작용성 감광성 조성물.
  10. 제9항에 있어서, 용매가 γ-부티로락톤인, 포지티브-작용성 감광성 조성물.
  11. 제1항에 있어서, 접착 촉진제, 계면활성제 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 성분을 추가로 포함하는, 포지티브-작용성 감광성 조성물.
  12. 제11항에 있어서, 성분이 실록산 그룹을 함유하는 폴리암산을 포함하는 접착 촉진제인, 포지티브-작용성 감광성 조성물.
  13. 화학식 I의 산 불안정 관능 그룹을 갖는 폴리벤즈옥사졸 전구체를 포함하는 감광성 수지.
    화학식 I
    위의 화학식 I에서,
    k1은 1 또는 2의 정수이고,
    k2는 0 또는 1의 정수이며,
    k1과 k2의 합은 2이고,
    Ar1은 4가 방향족, 지방족 또는 헤테로사이클릭 그룹이거나 이들의 혼합물이며,
    Ar2는 2가 방향족, 지방족 또는 헤테로사이클릭 그룹이거나 실록산 그룹이고,
    D는 1가 산 불안정 그룹이며,
    n은 20 내지 200의 정수이고,
    Ar1 중의 일부는, 디아민 화합물의 비율이 0 내지 60몰%이고 디아민과 디아미노 디하이드록시 화합물의 총합이 100%로 되도록 하는, 2가 방향족, 지방족 또는 헤테로사이클릭 디아민 잔기일 수 있다.
  14. 제13항에 있어서, 치환체 D의 1가 산 불안정 그룹이 아세탈, 케탈, 카보네이트, 에테르, 실릴 에테르, t-부틸 에스테르 그룹 함유 잔기 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는, 감광성 수지.
  15. 제13항에 있어서, 치환체 D의 1가 산 불안정 그룹이 화학식
    로 이루어진 그룹으로부터 선택되는, 감광성 수지.
  16. 폴리벤즈옥사졸 전구체를 산 촉매의 존재하에 비닐 에테르와 반응시키는 단계(a),
    폴리벤즈옥사졸 전구체를 염기의 존재하에 디-t-부틸 디카보네이트와 반응시키는 단계(b) 및
    폴리벤즈옥사졸 전구체, 알콜 및 t-부틸 비닐 에테르를 산의 존재하에 반응시키는 단계(c) 중의 한 가지 단계를 포함하는, 차단도가 약 1 내지 100%인 산 불안정 관능 그룹을 갖는 폴리벤즈옥사졸 전구체의 제조방법.
  17. 제16항에 있어서, 폴리벤즈옥사졸 전구체가 화학식 II의 화합물이고 비닐 에테르가 화학식 R1=CH-OR2의 화합물(여기서, R1은 탄소수 1 내지 10의 직쇄, 측쇄 또는 사이클릭 알킬렌 그룹(a), 탄소수 1 내지 10의 직쇄, 측쇄 또는 사이클릭 할로알킬렌 그룹(b) 또는 아르알킬렌 그룹(c)이고, R2는 바람직하게는 탄소수 1 내지 10의 직쇄, 측쇄, 사이클릭 알킬 또는 아르알킬이거나, 직쇄 또는 측쇄 알킬 그룹 함유 사이클로알킬, 치환된 사이클로알킬, 아릴 또는 치환된 아릴 그룹이다)인 방법.
    화학식 II
    위의 화학식 II에서,
    Ar1은 4가 방향족 그룹, 지방족 그룹, 헤테로사이클릭 그룹 또는 이들의 혼합물이고,
    Ar2는 2가 방향족 그룹, 지방족 그룹, 헤테로사이클릭 그룹, 실록산 그룹 또는 이들의 혼합물이며,
    n은 20 내지 200의 정수이고,
    Ar1 중의 일부는, 디아민 화합물의 비율이 0 내지 60몰%이고 디아민과 디아미노 디하이드록시 화합물의 총합이 100%로 되도록 하는, 2가 방향족, 지방족 또는 헤테로사이클릭 디아민 잔기일 수 있다.
  18. 산 불안정 관능 그룹을 갖는 폴리벤즈옥사졸 전구체, 광산 발생제 및 용매를 포함하는 내열성 포지티브-작용성 감광성 조성물을 기판에 피복시켜 피복된 기판을 형성하는 단계(a),
    피복된 기판을 화학선에 노광시키는 단계(b),
    피복된 기판을 승온에서 노광 후 베이킹시키는 단계(c),
    피복된 기판을 수성 현상액으로 현상하여 현상된 기판을 형성하는 단계(d) 및
    현상된 기판을 승온에서 베이킹하여 폴리벤즈옥사졸 전구체를 폴리벤즈옥사졸로 전환시키는 단계(e)를 포함하는, 내열성 릴리프 화상의 제조방법.
  19. 제18항에 있어서, 내열성 포지티브-작용성 감광성 조성물이 광증감제를 추가로 포함하는 방법.
  20. 제18항에 있어서, 피복된 기판을 형성한 후 노광시키기 전에 피복된 기판을 예비베이킹시키는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  21. 제18항에 있어서, 화학선이 X선, 전자빔선, 자외선 및 가시광선으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 방법.
  22. 제18항에 있어서, 화학선의 파장이 436nm 및 365nm인 방법.
  23. 제18항에 있어서, 수성 현상액이 알칼리, 1급 아민, 2급 아민, 3급 아민, 알콜아민, 4급 암모늄염 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 용액인 방법.
  24. 제18항에 있어서, 산 불안정 관능 그룹을 갖는 폴리벤즈옥사졸 전구체가 화학식 I의 화합물인 방법.
    화학식 I
    위의 화학식 I에서,
    k1은 1 또는 2의 정수이고,
    k2는 0 또는 1의 정수이며,
    k1과 k2의 합은 2이고,
    Ar1은 4가 방향족, 지방족 또는 헤테로사이클릭 그룹이거나 이들의 혼합물이며,
    Ar2는 2가 방향족, 지방족 또는 헤테로사이클릭 그룹이거나 실록산 그룹이고,
    D는 1가 산 불안정 그룹이며,
    n은 20 내지 200의 정수이고,
    Ar1 중의 일부는, 디아민 화합물의 비율이 0 내지 60몰%이고 디아민과 디아미노 디하이드록시 화합물의 총합이 100%로 되도록 하는, 2가 방향족, 지방족 또는 헤테로사이클릭 디아민 잔기일 수 있다.
  25. 제24항에 있어서, 치환체 D의 1가 산 불안정 그룹이 아세탈, 케탈, t-부틸 에스테르, 카보네이트, 에테르, 실릴 에테르 그룹 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 방법.
  26. 제24항에 있어서, 치환체 D의 1가 산 불안정 그룹이 화학식
    로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 방법.
  27. 제24항에 있어서, 피복된 기판을 형성한 후 노광시키기 전에 피복된 기판을 예비베이킹시키는 단계를 추가로 포함하는 방법.
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Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999054787A1 (fr) * 1998-04-15 1999-10-28 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Composition de resine photosensible positive
JP4529252B2 (ja) * 1999-09-28 2010-08-25 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品
US6727594B2 (en) * 2002-01-02 2004-04-27 Intel Corporation Polybenzoxazine based wafer-level underfill material
US6899960B2 (en) * 2002-03-22 2005-05-31 Intel Corporation Microelectronic or optoelectronic package having a polybenzoxazine-based film as an underfill material
EP1508837B1 (en) * 2002-05-29 2014-10-15 Toray Industries, Inc. Photosensitive resin composition and method for preparing heat-resistant resin film
US6939659B2 (en) * 2003-03-11 2005-09-06 Arch Specialty Chemicals, Inc. Photosensitive resin compositions
EP1636648B1 (en) * 2003-06-05 2015-08-12 FujiFilm Electronic Materials USA, Inc. Novel positive photosensitive resin compositions
TW200512543A (en) * 2003-08-06 2005-04-01 Sumitomo Bakelite Co Polyamide resin, positive-working photosensitive resin composition, method for producing pattern-formed resin film, semiconductor device, display device, and method for producing the semiconductor device and the display device
JP4244309B2 (ja) * 2003-09-12 2009-03-25 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版
JP4500100B2 (ja) * 2004-05-06 2010-07-14 日立化成工業株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物及びパターン製造法
JP4775261B2 (ja) * 2004-05-07 2011-09-21 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造方法及び電子部品
US7638254B2 (en) * 2004-05-07 2009-12-29 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd Positive photosensitive resin composition, method for forming pattern, and electronic part
KR20080018899A (ko) * 2005-06-03 2008-02-28 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 전처리 조성물
US7803510B2 (en) * 2005-08-17 2010-09-28 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Positive photosensitive polybenzoxazole precursor compositions
KR100981830B1 (ko) * 2005-09-22 2010-09-13 히다치 가세이듀퐁 마이쿠로시스데무즈 가부시키가이샤 네거티브형 감광성 수지 조성물, 패턴 형성방법 및전자부품
JP4659614B2 (ja) * 2005-12-28 2011-03-30 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法
WO2007092011A1 (en) * 2006-02-10 2007-08-16 Central Glass Co., Ltd. Photosensitive polyimide composition and polyimide precursor composition
US20100159217A1 (en) * 2006-06-20 2010-06-24 Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd Negative-type photosensitive resin composition, method for forming patterns, and electronic parts
JP5028059B2 (ja) * 2006-09-28 2012-09-19 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、それを用いた硬化レリーフパターンの製造方法及び半導体装置
US20100009290A1 (en) * 2006-12-03 2010-01-14 Central Glass Co., Ltd. Photosensitive Polybenzoxazines and Methods of Making the Same
US20100216070A1 (en) * 2006-12-04 2010-08-26 Central Glass Co., Ltd. Photosensitive Polyimides and Methods of Making the Same
US8298747B2 (en) * 2007-03-12 2012-10-30 Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. Photosensitive resin composition, process for producing patterned hardened film with use thereof and electronic part
ATE547743T1 (de) 2007-03-14 2012-03-15 Fujifilm Corp Lichtempfindliche zusammensetzung und herstellungsverfahren für ein gehärtetes reliefmuster
JP4881811B2 (ja) 2007-07-31 2012-02-22 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、それを用いた硬化レリーフパターンの製造方法及び半導体装置
TW200927832A (en) * 2007-10-16 2009-07-01 Fujifilm Electronic Materials Novel photosensitive resin compositions
US8420291B2 (en) * 2007-10-29 2013-04-16 Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. Positive photosensitive resin composition, method for forming pattern, electronic component
US9519216B2 (en) * 2008-02-04 2016-12-13 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Positive photosensitive resin compositions
KR101023089B1 (ko) 2008-09-29 2011-03-24 제일모직주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물
KR101333698B1 (ko) * 2009-11-10 2013-11-27 제일모직주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물
KR101333704B1 (ko) 2009-12-29 2013-11-27 제일모직주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물
KR20120066923A (ko) 2010-12-15 2012-06-25 제일모직주식회사 신규 페놀 화합물 및 이를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물
KR101423539B1 (ko) 2010-12-20 2014-07-25 삼성전자 주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물
KR101400192B1 (ko) 2010-12-31 2014-05-27 제일모직 주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 사용하여 제조된 감광성 수지막 및 상기 감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자
KR101286189B1 (ko) * 2011-07-13 2013-07-15 삼성정밀화학 주식회사 내열성 피막용 조성물 및 그 제조방법
KR101692758B1 (ko) * 2013-10-23 2017-01-04 제일모직 주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막, 및 표시 소자
CN104356389A (zh) * 2014-11-21 2015-02-18 沈阳化工大学 聚(亚萘基)苯并二噁唑的制备方法
JP6349335B2 (ja) * 2015-04-28 2018-06-27 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびタッチパネル
TWI655507B (zh) * 2016-03-11 2019-04-01 奇美實業股份有限公司 正型感光性聚矽氧烷組成物及其應用
WO2017200201A1 (en) * 2016-05-19 2017-11-23 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2931297A1 (de) * 1979-08-01 1981-02-19 Siemens Ag Waermebestaendige positivresists und verfahren zur herstellung waermebestaendiger reliefstrukturen
DE2933805A1 (de) * 1979-08-21 1981-03-12 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung hochwaermebestaendiger reliefstrukturen und deren verwendung
DE3021748A1 (de) * 1980-06-10 1981-12-17 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Strahlungsreaktive vorstufen hochwaermebestaendiger polymerer
US4845183A (en) * 1987-11-24 1989-07-04 Hoechst Celanese Corporation Heat resistant polyamide and polybenzoxazole from bis-((amino-hydroxyphenyl)hexafluoroisopropyl)diphenyl ethers
US5011753A (en) * 1987-11-24 1991-04-30 Hoechst Celanese Corporation Photoresist compositions containing polyamides polybenzoxa from bis((aminohydroxyphenyl)hexafluoroisopropyl)diphenyl ethers
US5104960A (en) * 1989-02-22 1992-04-14 The Dow Chemical Company Nucleophilic displacement method for synthesis of non-rigid PBZ polymers
US4954610A (en) * 1989-02-27 1990-09-04 Hoechst Celanese Corp. Polyamide-imide polymers having fluorine-containing linking groups
US5114826A (en) * 1989-12-28 1992-05-19 Ibm Corporation Photosensitive polyimide compositions
DE59010552D1 (de) * 1990-03-29 1996-12-05 Siemens Ag Hochwärmebeständige Negativresists und Verfahren zur Herstellung hochwärmebeständiger Reliefstrukturen
EP0459395B1 (en) * 1990-05-29 1999-08-18 Sumitomo Bakelite Company Limited Positive photo-sensitive resin composition
DE59107712D1 (de) * 1990-09-13 1996-05-30 Ocg Microelectronic Materials Säurelabile Lösungsinhibitoren und darauf basierende positiv und negativ arbeitende strahlungsempfindliche Zusammensetzung
US5851736A (en) * 1991-03-05 1998-12-22 Nitto Denko Corporation Heat-resistant photoresist composition, photosensitive substrate, and process for forming heat-resistant positive or negative pattern
DE4112969A1 (de) * 1991-04-20 1992-10-22 Hoechst Ag Saeurespaltbare strahlungsempflindliche verbindungen, diese enthaltendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE4112970A1 (de) * 1991-04-20 1992-10-22 Hoechst Ag Saeurespaltbare strahlungsempfindliche verbindungen, diese enthaltendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
EP0512339B1 (de) * 1991-05-07 1997-10-15 Siemens Aktiengesellschaft Hochwärmebeständige Positivresists und Verfahren zur Herstellung hochwärmebeständiger Reliefstrukturen
US5506088A (en) * 1991-09-17 1996-04-09 Fujitsu Limited Chemically amplified resist composition and process for forming resist pattern using same
US5258257A (en) * 1991-09-23 1993-11-02 Shipley Company Inc. Radiation sensitive compositions comprising polymer having acid labile groups
US5580695A (en) * 1992-02-25 1996-12-03 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Chemically amplified resist
EP0608983B1 (en) * 1993-01-25 1997-11-12 AT&T Corp. A process for controlled deprotection of polymers and a process for fabricating a device utilizing partially deprotected resist polymers
KR960015081A (ko) * 1993-07-15 1996-05-22 마쯔모또 에이이찌 화학증폭형 레지스트 조성물
DE69406740T2 (de) * 1993-08-25 1998-03-26 Dow Corning Asia Ltd Organopolysiloxan-gepropfte Polybenzobisoxazole und deren Herstellung
US5399655A (en) * 1993-10-29 1995-03-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Positive-working photodefinable polyimide precursors
EP0659781A3 (de) * 1993-12-21 1995-09-27 Ciba Geigy Ag Maleinimidcopolymere, insbesonder für Photoresists.
DE69508812T2 (de) * 1994-01-28 1999-11-04 Shinetsu Chemical Co Sulfoniumsalz und chemisch verstärkte Positivresistzusammensetzungen
JP2964874B2 (ja) * 1994-06-10 1999-10-18 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料
JPH08110635A (ja) * 1994-10-07 1996-04-30 Shin Etsu Chem Co Ltd 化学増幅ポジ型レジスト材料
JP3340864B2 (ja) * 1994-10-26 2002-11-05 富士写真フイルム株式会社 ポジ型化学増幅レジスト組成物
JP3579946B2 (ja) * 1995-02-13 2004-10-20 Ｊｓｒ株式会社 化学増幅型感放射線性樹脂組成物
JPH08262743A (ja) * 1995-03-24 1996-10-11 Mitsubishi Electric Corp レジスト材料およびレジストパターン形成方法
TW434458B (en) * 1995-04-04 2001-05-16 Shinetsu Chemical Co Chemically amplified positive resist compositions
US5700624A (en) * 1995-05-09 1997-12-23 Shipley Company, L.L.C. Positive acid catalyzed resists having an alkali soluble resin with acid labile groups and inert blocking groups
US5609989A (en) * 1995-06-06 1997-03-11 International Business Machines, Corporation Acid scavengers for use in chemically amplified photoresists
TW460753B (en) * 1995-07-20 2001-10-21 Shinetsu Chemical Co Chemically amplified positive resist material

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