JP2002526793A - 新規な光感受性ポリベンゾオキサゾール前駆体組成物 - Google Patents
新規な光感受性ポリベンゾオキサゾール前駆体組成物Info
- Publication number
- JP2002526793A JP2002526793A JP2000572720A JP2000572720A JP2002526793A JP 2002526793 A JP2002526793 A JP 2002526793A JP 2000572720 A JP2000572720 A JP 2000572720A JP 2000572720 A JP2000572720 A JP 2000572720A JP 2002526793 A JP2002526793 A JP 2002526793A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- acid
- aliphatic
- integer
- labile
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 title claims abstract description 66
- 239000002243 precursor Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 34
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 27
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- -1 diamine compound Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 18
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims abstract description 18
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims abstract description 17
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 125000005373 siloxane group Chemical group [SiH2](O*)* 0.000 claims description 10
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 125000002777 acetyl group Chemical class [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 claims description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 9
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 7
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical compound C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 claims description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical compound [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 claims description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 5
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 5
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 4
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 4
- JNELGWHKGNBSMD-UHFFFAOYSA-N xanthone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3OC2=C1 JNELGWHKGNBSMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RJLKIAGOYBARJG-UHFFFAOYSA-N 1,3-dimethylpiperidin-2-one Chemical compound CC1CCCN(C)C1=O RJLKIAGOYBARJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 10H-phenothiazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3SC2=C1 WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 2
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 claims description 2
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 125000004427 diamine group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 claims description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 2
- GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N fluorescein Chemical class O1C(=O)C2=CC=CC=C2C21C1=CC=C(O)C=C1OC1=CC(O)=CC=C21 GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000005155 haloalkylene group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229950000688 phenothiazine Drugs 0.000 claims description 2
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 claims description 2
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000005346 substituted cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000005537 sulfoxonium group Chemical group 0.000 claims description 2
- DYHSDKLCOJIUFX-UHFFFAOYSA-N tert-butoxycarbonyl anhydride Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)OC(=O)OC(C)(C)C DYHSDKLCOJIUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 3
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxybutane Chemical compound CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 claims 2
- HUKPVYBUJRAUAG-UHFFFAOYSA-N 7-benzo[a]phenalenone Chemical compound C1=CC(C(=O)C=2C3=CC=CC=2)=C2C3=CC=CC2=C1 HUKPVYBUJRAUAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims 1
- 150000001989 diazonium salts Chemical class 0.000 claims 1
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical group C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical class I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000004714 phosphonium salts Chemical class 0.000 claims 1
- 125000000612 phthaloyl group Chemical group C(C=1C(C(=O)*)=CC=CC1)(=O)* 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 abstract description 16
- 238000009472 formulation Methods 0.000 abstract description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 10
- PGYJSURPYAAOMM-UHFFFAOYSA-N 2-ethenoxy-2-methylpropane Chemical compound CC(C)(C)OC=C PGYJSURPYAAOMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- GEWWCWZGHNIUBW-UHFFFAOYSA-N 1-(4-nitrophenyl)propan-2-one Chemical compound CC(=O)CC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 GEWWCWZGHNIUBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKBWZSYXEWHXQN-UHFFFAOYSA-N 10h-benzo[a]anthracen-9-one Chemical class C1=CC=C2C3=CC4=CCC(=O)C=C4C=C3C=CC2=C1 GKBWZSYXEWHXQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGWYICAEPBCRBL-UHFFFAOYSA-N 1h-indene-1-carboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2C(C(=O)O)C=CC2=C1 KGWYICAEPBCRBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSTZGVRUOMBULC-UHFFFAOYSA-N 2-amino-4-[2-(3-amino-4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]phenol Chemical compound C1=C(O)C(N)=CC(C(C=2C=C(N)C(O)=CC=2)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)=C1 MSTZGVRUOMBULC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCXUSBICWPJFTN-UHFFFAOYSA-N [[cyano-(4-methoxyphenyl)methylidene]amino] 4-methylbenzenesulfonate Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C(C#N)=NOS(=O)(=O)C1=CC=C(C)C=C1 PCXUSBICWPJFTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- FDQSRULYDNDXQB-UHFFFAOYSA-N benzene-1,3-dicarbonyl chloride Chemical compound ClC(=O)C1=CC=CC(C(Cl)=O)=C1 FDQSRULYDNDXQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N benzo-alpha-pyrone Natural products C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 125000000332 coumarinyl group Chemical class O1C(=O)C(=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 238000010511 deprotection reaction Methods 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O diazynium Chemical compound [NH+]#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical compound CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 229920006351 engineering plastic Polymers 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000007765 extrusion coating Methods 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005457 ice water Substances 0.000 description 1
- MGFYSGNNHQQTJW-UHFFFAOYSA-N iodonium Chemical compound [IH2+] MGFYSGNNHQQTJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O phosphonium Chemical compound [PH4+] XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006239 protecting group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N sec-butyl acetate Chemical compound CCC(C)OC(C)=O DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical class [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 150000003871 sulfonates Chemical class 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O sulfonium Chemical compound [SH3+] RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
- C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
- C08G73/22—Polybenzoxazoles
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0751—Silicon-containing compounds used as adhesion-promoting additives or as means to improve adhesion
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/106—Binder containing
- Y10S430/107—Polyamide or polyurethane
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
Description
物に関する。より特定的に、本発明は化学増幅を基礎としてポジとして作用し、
水性の塩基で現像可能な光感受性ポリベンゾオキサゾール(PBO)前駆体の合
成、この樹脂組成物の処方物、そしてこの樹脂組成物から耐熱性のレリーフ構造
を作成するための方法に関する。
特許第4,371,685号に開示されているアルカリ可溶性のPBO前駆体とジ
アゾキノン光活性化合物を含有する。ジアゾキノン化合物は水性の塩基中でのP
BO前駆体の溶解性を阻害する。しかしながら、ジアゾキノン化合物は露光後、
光分解を受け、PBO前駆体の水性の塩基中の溶解性を助長するインデンカルボ
ン酸に転化する。
る酸の生成剤(photoacid generator)、および溶媒を含有するポジとして作用
する耐熱性光感受性組成物である。この組成物は場合によっては光増感剤、接着
促進剤、平坦化剤、または他の添加剤を含有してよい。酸に不安定な官能基を有
するポリベンゾオキサゾール前駆体は一般的な構造
k2との合計は2であり;Ar1は4価の芳香族、脂肪族または複素環基あるいは
これらの混合物であり;Ar2は2価の芳香族、脂肪族または複素環基あるいは
シロキサン基であり;Dは酸に不安定な1価の基であり;そしてnは20〜20
0の整数である) を有する。Ar1の一部は、ジアミン化合物の割合が0〜60モル%であり、ジ
アミンとジアミノジヒドロキシ化合物との合計が100%であるように、2価の
芳香族、脂肪族または複素環のジアミン部分であってよい。
能な光感受性ポリベンゾオキサゾール前駆体の製造、この樹脂組成物の処方物、
そしてこの樹脂組成物から耐熱性のレリーフ構造を作成するための方法にも関す
る。
を光による酸の生成剤で接触して開裂することをベースとする。PBO前駆体の
水性塩基溶解度は、酸に不安定な基を結合することによりPBO前駆体中の芳香
族ヒドロキシル基を保護することによって低下される。ポリマーのアルカリ溶解
度の回復は光による酸の生成剤(PAG)の光分解によって生成される酸の作用
を通じて達せられる。保護基はアセタール、ケタール、カーボネート、エーテル
、シリルエーテル、t−ブチルエステルを含む部分、およびこれらの混合物など
のような酸に不安定な好適な任意の基であってよい。この考えを採用して、酸に
不安定な官能基を有するPBO前駆体、光による酸の生成剤、および溶媒を含有
するポジとして作用する感光性樹脂組成物を製造することができる。組成物は場
合によっては光増感剤を含有してよい。フォトリトグラフィー処理の後、パター
ン化された層は追加的な加熱を行うことにより耐熱性のポリベンゾオキサゾール
コーティングに転化される。樹脂組成物は熱的なそして機械的なストレスへのバ
ッファーコーティング、アルファー粒子バリアーフィルム、層内誘電体、および
パターン化されたエンジニアリングプラスチック層のような超小型電子技術デバ
イスの製造で使用されることができる。
k2との合計は2であり;そしてnは20〜200の整数である)を有する、酸
に不安定な官能基を含むPBO前駆体を含有するポジとして作用する光感受性樹
脂組成物を提供する。Ar1は4価の芳香族基、脂肪族基、複素環基あるいはこ
れらの混合物であり、これには構造
−SO2−、−NHCO−、−C(=O)−および−C(=O)−C(=O)−、−C(
=O)−O−、そして、ZがHまたはアルキルである
ミンとジアミノジヒドロキシ化合物との合計が100%であるように、2価の芳
香族、脂肪族または複素環のジアミン部分であってよい。
の混合物であり、これには構造
キルであり、pが1〜6の整数である
−SO2−、−NHCO−、および−C(=O)−である)を有する部分が含まれ
るが、これらに限定されない。ポリマーは1つまたはそれ以上の異なるAr1お
よびAr2基を含んでよい。
−ブチルエステルを含む部分、これらの混合物のような酸に不安定な好適な任意
の1価の基であり、これには式
光による酸の生成剤、および溶媒を含む。組成物は場合によっては光増感剤、接
着促進剤、平坦化剤または他の添加剤を含有してよい。露光の後、光で生成され
た酸は、保護されたPBO前駆体の脱ブロック化を接触し、これを反応(1)に
よって示すように水性の塩基に可溶なPBO前駆体に転化する。
い。光により酸を生成する好ましい化合物には、例えば、トリアジン化合物、ス
ルホネート、ジスルホン、オニウム塩、およびこれらの混合物がある。最も好ま
しいものは、ヨードニウム、スルホニウム、ホスホニウム、ジアゾニウム、スル
ホキソニウムおよびこれらの混合物のようなオニウム塩である。やはり好ましい
光による酸の生成剤には、g−ライン、i−ライン、248nm、および広帯域リ
トグラフィーで使用できるものがある。
ての成分を溶解させるべきであり、コーティングの後の乾燥に際して除去される
べきである。好適な任意の溶媒が使用されてよく、またこれには例えば、N−メ
チル−2−ピロリドン(NMP)、γ−ブチロラクトン(GBL)、ジグリム、
テトラヒドロフラン(THF)、ジメチル−2−ピペリドン(DMPD)、およ
びこれらの混合物のような有機溶媒がある。最も好ましいものはγ−ブチロラク
トンである。
染料が添加されてよい。好適な任意の光増感剤が使用されてよく、これは例えば
、フルオレノン誘導体、ナフタレン、アントラセン誘導体、クマリン、ピレン誘
導体、ベンジル、フルオレセイン誘導体、ベンゾフェノン、ベンゾアントロン、
キサントン、フェノチアジン、およびこれらの混合物であってよい。 光感受性樹脂組成物はさらに接着促進剤および界面活性剤のような添加剤を含
有してよい。好ましい接着促進剤の例はアミノシラン誘導体およびシロキサン基
を含むポリアミド酸である。
香族または脂肪族のジアミン、そして1つまたはそれ以上の芳香族または脂肪族
の酸を反応させることによりつくられる。好適な酸の例は芳香族または脂肪族の
ジカルボン酸およびジカルボン酸塩化物である。合成されたPBO前駆体はホモ
ポリマーまたはコポリマーであってよい。
)好ましくは1〜10個の炭素原子を有する線状、分枝状または環状のアルキレ
ン基、(b)好ましくは1〜10個の炭素原子を有する線状、分枝状または環状
のハロアルキレン基、または(c)アルアルキレン基である式R1=CH−OR2 を有するビニルエーテルにPBO前駆体を酸触媒の存在下で反応させることから
得ることができる。R2は、好ましくは1〜10個の炭素原子を有する、線状、
分枝状または環状のアルキル、アルアルキル、あるいはシクロアルキル、置換シ
クロアルキル、アリール、および置換アリール基を含む線状または分枝状のアル
キル基である。酸に不安定な官能基を含むPBO前駆体を誘導する好適な別の方
法は、塩基の存在下でPBO前駆体をジ−t−ブチルジカーボネートと反応させ
ることによる。酸に不安定な官能基を含むPBO前駆体は、酸の存在下でPBO
前駆体、アルコール、およびt−ブチルビニルエーテルを反応させることにより
合成されることもできる。
であり;Ar2は2価の芳香族基、脂肪族基、複素環基、シロキサン基またはこ
れらの混合物であり、そしてnは20〜200の整数である。Ar1の一部は、
ジアミン化合物の割合が0〜60モル%であり、ジアミンとジアミノジヒドロキ
シ化合物との合計が100%であるように、2価の芳香族、脂肪族、複素環のジ
アミン部分であってよい)を有する。
酸で接触させる付加反応によって製造し得る。反応のために好適な任意の酸触媒
、例えば塩酸、p−トルエンスルホン酸およびピリジウム−p−トルエンスルホ
ネートが使用されてよい。酸触媒は約0.001〜約3.0重量%の範囲の量で添
加されてよい。この反応では、酸で誘発される脱保護に役立つ範囲の活性化エネ
ルギーを有するいくつかのビニルエーテルを使用することができる。本発明で有
用な保護されているポリマーは、PBO前駆体、t−ブチルビニルエーテル、お
よびアルキル−、アルキレン−、シクロアルキル−、またはアリールアルキル−
アルコールの酸で接触される反応からなる方法を用いて製造されることもできる
。
構は反応(2)によって示される。
ただしt−ブトキシカルボニル基、エーテル、シリルエーテル、およびカーボネ
ートは除外され、R2は例えばt−ブチル、イソブチル、エチル、シクロヘキシ
ル、エチルシクロヘキシル、またはフェネチルである)。しかしながら、R2は
これらの基に限定されず、すでに定義したような任意の基であってよい。PBO
前駆体は1つまたはそれ以上のAr1およびAr2を含んでよい。反応(2)にさ
らに関して、k1は1または2の整数であり、k2は0または1の整数であり、k 1 とk2との合計は2であり、nは20〜200の整数である。Ar1の一部は、
ジアミン化合物の割合が0〜60モル%であり、ジアミンとジアミノジヒドロキ
シ化合物との合計が100%であるように、2価の芳香族、脂肪族、または複素
環のジアミン部分であってよい。
PBO前駆体とのモル比、反応温度、反応時間および酸触媒の種類によって調整
されることができる。ブロック化水準の異なるPBO前駆体は水性の塩基現像剤
中で異なる溶解速度を示した。例えば、t−ブチルビニルエーテルブロック化基
を92%含むPBO前駆体粉末は0.262Nのテトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド(TMAH)および0.145NのTMAH溶液の双方中に可溶でなか
った。対照的に、t−ブチルビニルエーテルブロック化基を31%含むPBO前
駆体粉末は0.145NのTMAHに可溶でなかったが、0.262NのTMAH
溶液中には可溶であった。最後に、t−ブチルビニルエーテルブロック化基を1
8%含むPBO前駆体粉末は0.262NのTMAH溶液および0.145NのT
MAH溶液の双方中に可溶であった。従って、保護されたPBO前駆体の溶解度
は、約1〜100%で変化してよいブロック化水準によって制御されることがで
きる。
法には、a)酸に不安定な官能基を有するポリベンゾオキサゾール前駆体、光に
よる酸の生成剤、および溶媒からなるポジとして作用する耐熱性の光感受性組成
物を適切な基板にコートすることによりコートされた基板をつくり;b)コート
されたこの基板を化学線に露光し;c)コートされたこの基板を露光後に高めら
れた温度、好ましくは約50〜150℃でベーキングし;d)コートされたこの
基板を水性の現像剤で現像することにより現像された基板をつくり;そしてe)
ポリベンゾオキサゾール前駆体をポリベンゾオキサゾールに転化するために、現
像されたこの基板を高められた温度、好ましくは約250〜400℃でベーキン
グする段階が含まれる。ポジとして作用する耐熱性の光感受性組成物は光増感剤
をさらに含有してよい。コートされた基板は場合によっては、コートされた基板
が形成された後そしてコートされた基板を露光する前に予備的なベーキング段階
に付されてよい。好ましい態様では、酸に不安定な官能基を含むポリベンゾオキ
サゾール前駆体は、構造
k2との合計は2であり;Ar1は4価の芳香族、脂肪族または複素環基あるいは
これらの混合物であり;Ar2は2価の芳香族、脂肪族または複素環基あるいは
シロキサン基であり;Dは酸に不安定な1価の基であり;そしてnは20〜20
0の整数である)を有する。
性組成物がシリコンウェーハ、セラミック基板などのような好適な基板上にコー
トされる。コーティングの方法には、スピンコーティング、ローラーコーティン
グ、オフセット印刷、スクリーン印刷、押し出しコーティング、メニスカスコー
ティング、カーテンコーティング、浸漬コーティング、およびスプレーコーティ
ングがあるがこれらに限られることはない。得られるフィルムは、溶媒を蒸発さ
せるために70〜120℃の温度で数分間予めベーキングされてよい。引きつづ
いて、得られるフィルムがマスクを通じて化学線に露光される。化学線として、
X線、電子ビーム、紫外線、可視光線などが使用できる。最も好ましい放射線は
436nm(g−ライン)および365nm(i−ライン)の波長を有するものであ
る。
加熱するのが有利である。コートされた基板はこの温度範囲で短時間、典型的に
は数秒から数分間加熱される。このプロセス段階は当技術で普通、露光後ベーキ
ングと称される。
る。水性の現像剤には、無機アルカリ(例えば、水酸化カリウム、水酸化ナトリ
ウム、アンモニア水)、1級アミン(例えば、エチルアミン、n−プロピルアミ
ン)、2級アミン(例えば、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン)、3級
アミン(例えば、トリエチルアミン)、アルコールアミン(例えば、トリエタノ
ールアミン)、4級アンモニウム塩(例えば、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド)、およびこれら
の混合物がある。最も好ましい現像剤はテトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイドを含有するものである。現像剤には適当な量の界面活性剤が添加されてよ
い。現像は浸漬、噴霧、パドリング(puddling)または他の同様な現像方法によ
って実施されることができる。
ポリマーの最終的なパターンを得るために、レリーフパターンを硬化することに
よりオキサゾール環が生成される。硬化は現像された基板を250〜400℃で
ベーキングしてポリベンゾオキサゾール前駆体をポリベンゾオキサゾールに転化
することにより実施される。 本発明を説明するために以下の実施例が示される。本発明はここに記載する実
施例に限定されないことを理解すべきである。
ラスコに、3.66g(0.010モル)のヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−
アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1.70g(0.021モル)のピ
リジンおよび15gのN−メチルピロリジノン(NMP)を添加した。溶液が透
明になるまで室温で撹拌しそして0〜5℃の氷水浴中で冷却した。この溶液に5
gのNMP中に溶解した2.03g(0.010モル)の塩化イソフタリルを滴状
に添加した。添加の後、得られる混合物を室温で18時間撹拌した。800mlの
脱イオン水中で粘稠な溶液を沈殿させた。濾過によってポリマーを収集しそして
脱イオン水で、次いで水/メタノールの50/50混合物で洗浄した。ポリマー
を105℃で24時間真空下で乾燥させた。 収量はほとんど定量的でありまたポリマーの固有粘度を濃度0.5g/dL、温
度25℃のNMP中で測定すると0.28dL/gであった。
の反応から得られる7.5gのPBO前駆体、67.5gのジグリムを添加した。
ポリマーを溶解した後、6.06gのt−ブチルビニルエーテルを添加した。1
0分間撹拌した後、反応混合物を氷浴によって0〜5℃まで冷却し、次いで0.
15gのp−トルエンスルホン酸をゆっくりと添加した。反応温度を次いで室温
まで昇温した。室温で2時間撹拌した後、反応をクエンチするために6gのジグ
リム中の0.3gのトリエチルアミンを添加した。反応混合物を1200mlの脱
イオン水中で沈殿させた。濾過によりポリマーを収集しそして脱イオン水で2回
洗浄した。ポリマーを真空オーブン内で60℃で24時間乾燥させた。1H−N
MRによると、PBO前駆体のヒドロキシル基の65%がアセタールとして保護
された。
ホニル]オキシ]イミノ]−ベンゼンアセトニトリル)0.1g、そしてFLU
ORAD FC 430界面活性剤(3M Company から入手されるフッ素化アルキ
ルエステル(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート中の1重量/
重量%))0.03gを、琥珀色のビン内の8gのγ−ブチロラクトン中に溶解
した。光による酸の生成剤化合物と界面活性剤とを溶解した後、実施例1のアセ
タールで保護されたPBO前駆体2gを添加した。溶液を均一に混合し、そして
0.8μのフィルターを通じて濾過した。溶液を800rpmでシリコンウェーハ上
にスピンコーティングし、100℃で3分間予めベーキングした。コーティング
を、400nmと測定されるフィルターされていない水銀アークランプによって1
000mJ/cm2で露光したその後85℃で2分間ベーキングした。ウェーハを0.
145NのTMAH現像剤中で現像した。窒素雰囲気中で60分間350℃でベ
ーキングした後、耐熱性のレリーフパターンを得た。これは解像度2〜4ミクロ
ンの線およびスペース、バイア、およびポストパターンを示した。
によって定義される本発明の趣意および範囲から逸脱することなく、変更および
改良を行うことができることは通常の技術を有する者にとって明らかであろう。
Claims (27)
- 【請求項1】 酸に不安定な官能基を含むポリベンゾオキサゾール前駆体、 光による酸の生成剤、 溶媒、および 場合によっては光増感剤 を含むポジとして作用する光感受性組成物。
- 【請求項2】 酸に不安定な官能基を含むポリベンゾオキサゾール前駆体が
構造 【化1】 (式中、k1は1または2の整数であり、k2は0または1の整数であり、k1と
k2との合計は2であり;Ar1は4価の芳香族基、脂肪族基または複素環基ある
いはこれらの混合物であり;Ar2は2価の芳香族基、脂肪族基または複素環基
あるいはシロキサン基であり;Dは酸に不安定な1価の基であり;そしてnは2
0〜200の整数である) を有する請求項1に記載のポジとして作用する光感受性組成物。 - 【請求項3】 Ar1がヘキサフルオロプロパン−2,2(ビフェニル)基で
あり、Ar2がフタロイル基である請求項2に記載の組成物。 - 【請求項4】 酸に不安定な1価の基Dがアセタール、ケタール、カーボネ
ート、エーテル、シリルエーテル、t−ブチルエステル基を含む部分、およびこ
れらの混合物からなる群から選択される請求項2に記載のポジとして作用する光
感受性組成物。 - 【請求項5】 酸に不安定な1価の基Dが 【化2】 からなる群から選択される請求項2に記載のポジとして作用する光感受性組成物
。 - 【請求項6】 光による酸の生成剤が、トリアジン化合物、スルホネート、
ジスルホン、オニウム塩、およびこれらの混合物からなる群から選択される請求
項1に記載のポジとして作用する光感受性組成物。 - 【請求項7】 光による酸の生成剤が、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、
ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、スルホキソニウム塩およびこれらの混合物か
らなる群から選択されるオニウム塩である請求項6に記載のポジとして作用する
光感受性組成物。 - 【請求項8】 光増感剤が、フルオレノン誘導体、ナフタレン、アントラセ
ン誘導体、クマリン、ピレン誘導体、ベンジル、フルオレセイン誘導体、ベンゾ
フェノン、ベンズアントロン、キサントン、フェノチアジン、およびこれらの混
合物である請求項1に記載のポジとして作用する光感受性組成物。 - 【請求項9】 溶媒が、N−メチル−2−ピロリジノン、γ−ブチロラクト
ン、ジグリム、テトラヒドロフラン、ジメチル−2−ピペリドン、およびこれら
の混合物からなる群から選択される請求項1に記載のポジとして作用する光感受
性組成物。 - 【請求項10】 溶媒がγ−ブチロラクトンである請求項9に記載のポジと
して作用する光感受性組成物。 - 【請求項11】 接着促進剤、界面活性剤、およびこれらの混合物からなる
群から選択される少なくとも1つの成分をさらに含む請求項1に記載のポジとし
て作用する光感受性組成物。 - 【請求項12】 成分が、シロキサン基を含むポリアミド酸からなる接着促
進剤である請求項11に記載のポジとして作用する光感受性組成物。 - 【請求項13】 構造 【化3】 (式中、k1は1または2の整数であり、k2は0または1の整数であり、k1と
k2との合計は2であり;Ar1は4価の芳香族基、脂肪族基または複素環基ある
いはこれらの混合物であり;Ar2は2価の芳香族基、脂肪族基または複素環基
あるいはシロキサン基であり;Dは酸に不安定な1価の基であり;そしてnは2
0〜200の整数であり、この場合、ジアミン化合物の割合が0〜60モル%で
あり、ジアミンとジアミノジヒドロキシ化合物との合計が100%であるように
、Ar1の一部が2価の芳香族、脂肪族または複素環のジアミン部分であってよ
い) を有する酸に不安定な官能基をもつポリベンゾオキサゾール前駆体を含有する光
感受性樹脂。 - 【請求項14】 酸に不安定な1価の基Dがアセタール、ケタール、カーボ
ネート、エーテル、シリルエーテル、t−ブチルエステル基を含む部分、および
これらの混合物からなる群から選択される請求項13に記載の光感受性樹脂。 - 【請求項15】 酸に不安定な1価の基Dが 【化4】 からなる群から選択される請求項13に記載の光感受性樹脂。
- 【請求項16】 (a) 酸触媒の存在下でポリベンゾオキサゾール前駆体を
ビニルエーテルと反応させる、 (b) 塩基の存在下でポリベンゾオキサゾール前駆体をジ−t−ブチルジカー
ボネートと反応させる、または (c) 酸の存在下でポリベンゾオキサゾール前駆体、アルコール、およびt−
ブチルビニルエーテルを反応させる、 段階の1つを包含する、約1〜100%のブロック化水準を有する酸に不安定な
官能基を有するポリベンゾオキサゾール前駆体を製造する方法。 - 【請求項17】 ポリベンゾオキサゾール前駆体が構造 【化5】 [式中、Ar1は4価の芳香族基、脂肪族基または複素環基あるいはこれらの混
合物であり;Ar2は2価の芳香族基、脂肪族基、複素環基、シロキサン基また
はこれらの混合物であり;nは20〜200の整数であり;この場合、ジアミン
化合物の割合が0〜60モル%であり、ジアミンとジアミノジヒドロキシ化合物
との合計が100%であるように、Ar1の一部が2価の芳香族、脂肪族または
複素環のジアミン部分であってよく、そしてビニルエーテルが式 R1=CH−OR2 (式中、R1は(a)炭素原子1〜10個を有する線状、分枝状または環状のア
ルキレン基、(b)炭素原子1〜10個を有する線状、分枝状または環状のハロ
アルキレン基、または(c)アルアルキレン基であり、R2は好ましくは炭素原
子1〜10個を有する、線状、分枝状、環状のアルキル、アルアルキル、あるい
はシクロアルキルを有する線状または分枝状のアルキル基、置換シクロアルキル
、アリール、および置換アリール基である)を有する] を有する請求項16に記載の方法。 - 【請求項18】 a) 酸に不安定な官能基を有するポリベンゾオキサゾール
前駆体、光による酸の生成剤、および溶媒からなるポジとして作用する耐熱性の
光感受性組成物を基板にコートすることによりコートされた基板をつくり、 b) コートされたこの基板を化学線に露光し、 c) コートされたこの基板を露光後に高められた温度でベーキングし、 d) コートされたこの基板を水性の現像剤で現像することにより現像された基
板をつくり、そして e) ポリベンゾオキサゾール前駆体をポリベンゾオキサゾールに転化するため
に、現像されたこの基板を高められた温度でベーキングする 段階を包含する耐熱性のレリーフイメージを作成するための方法。 - 【請求項19】 ポジとして作用する耐熱性の感光性組成物が、光増感剤を
さらに含有する請求項18に記載の方法。 - 【請求項20】 コートされた基板がつくられた後、そしてコートされたこ
の基板が露光される前に、コートされた基板を予めベーキングする段階をさらに
包含する請求項18に記載の方法。 - 【請求項21】 化学線が、X線、電子ビーム線、紫外線、および可視光線
からなる群から選択される請求項18に記載の方法。 - 【請求項22】 化学線が436〜365nmの波長を有する請求項18に
記載の方法。 - 【請求項23】 水性の現像剤がアルカリ、1級アミン、2級アミン、3級
アミン、アルコールアミン、4級アンモニウム塩、およびこれらの混合物からな
る群から選択される溶液である請求項18に記載の方法。 - 【請求項24】 酸に不安定な官能基を有するポリベンゾオキサゾール前駆
体が構造 【化6】 (式中、k1は1または2の整数であり、k2は0または1の整数であり、k1と
k2との合計は2であり;Ar1は4価の芳香族、脂肪族または複素環基あるいは
これらの混合物であり;Ar2は2価の芳香族、脂肪族または複素環基あるいは
シロキサン基であり;Dは酸に不安定な1価の基であり;そしてnは20〜20
0の整数であり、この場合、ジアミン化合物の割合が0〜60モル%であり、ま
たジアミンとジアミノジヒドロキシ化合物との合計が100%であるように、A
r1の一部が2価の芳香族、脂肪族または複素環のジアミン部分であってよい)
を有する請求項18に記載の方法。 - 【請求項25】 酸に不安定な1価の基Dがアセタール、ケタール、t−ブ
チルエステル、カーボネート、エーテル、シリルエーテル基、およびこれらの混
合物からなる群から選択される請求項24に記載の方法。 - 【請求項26】 酸に不安定な1価の基Dが 【化7】 からなる群から選択される請求項24に記載の方法。
- 【請求項27】 コートされた基板がつくられた後、そしてコートされたこ
の基板が露光される前に、コートされた基板を予めベーキングする段階をさらに
包含する請求項24に記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10292498P | 1998-10-01 | 1998-10-01 | |
US60/102,924 | 1998-10-01 | ||
US09/404,904 | 1999-09-24 | ||
US09/404,904 US6143467A (en) | 1998-10-01 | 1999-09-24 | Photosensitive polybenzoxazole precursor compositions |
PCT/US1999/022617 WO2000019273A1 (en) | 1998-10-01 | 1999-09-29 | Novel photosensitive polybenzoxazole precursor compositions |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002526793A true JP2002526793A (ja) | 2002-08-20 |
JP3763348B2 JP3763348B2 (ja) | 2006-04-05 |
Family
ID=26799885
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000572720A Expired - Fee Related JP3763348B2 (ja) | 1998-10-01 | 1999-09-29 | 新規な光感受性ポリベンゾオキサゾール前駆体組成物 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6143467A (ja) |
EP (1) | EP1171801B1 (ja) |
JP (1) | JP3763348B2 (ja) |
KR (1) | KR100476801B1 (ja) |
TW (1) | TW581932B (ja) |
WO (1) | WO2000019273A1 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001166484A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-06-22 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品 |
JP2005321467A (ja) * | 2004-05-06 | 2005-11-17 | Hitachi Chem Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及びこれを用いた電子部品 |
US7435525B2 (en) | 2004-05-07 | 2008-10-14 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd. | Positive photosensitive resin composition, method for forming pattern, and electronic part |
US7598009B2 (en) | 2007-07-31 | 2009-10-06 | Fujifilm Corporation | Photosensitive resin composition, production method for cured relief pattern using it, and semiconductor device |
US7615324B2 (en) | 2007-03-14 | 2009-11-10 | Fujifilm Corporation | Photosensitive composition, and cured relief pattern production method and semiconductor device using the same |
US7638254B2 (en) | 2004-05-07 | 2009-12-29 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | Positive photosensitive resin composition, method for forming pattern, and electronic part |
US8298747B2 (en) | 2007-03-12 | 2012-10-30 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. | Photosensitive resin composition, process for producing patterned hardened film with use thereof and electronic part |
US8420291B2 (en) | 2007-10-29 | 2013-04-16 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. | Positive photosensitive resin composition, method for forming pattern, electronic component |
KR101286189B1 (ko) * | 2011-07-13 | 2013-07-15 | 삼성정밀화학 주식회사 | 내열성 피막용 조성물 및 그 제조방법 |
US8758977B2 (en) | 2005-09-22 | 2014-06-24 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. | Negative-type photosensitive resin composition, pattern forming method and electronic parts |
JP2016212380A (ja) * | 2015-04-28 | 2016-12-15 | 富士フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびタッチパネル |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4330798B2 (ja) * | 1998-04-15 | 2009-09-16 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
US6727594B2 (en) * | 2002-01-02 | 2004-04-27 | Intel Corporation | Polybenzoxazine based wafer-level underfill material |
US6899960B2 (en) * | 2002-03-22 | 2005-05-31 | Intel Corporation | Microelectronic or optoelectronic package having a polybenzoxazine-based film as an underfill material |
WO2003100522A1 (fr) * | 2002-05-29 | 2003-12-04 | Toray Industries, Inc. | Composition de resine photosensible et procede de preparation d'une couche mince de resine thermoresistante |
KR20060002768A (ko) * | 2003-03-11 | 2006-01-09 | 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. | 새로운 감광성 수지 조성물들 |
WO2005000912A2 (en) | 2003-06-05 | 2005-01-06 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Novel positive photosensitive resin compositions |
TW200512543A (en) * | 2003-08-06 | 2005-04-01 | Sumitomo Bakelite Co | Polyamide resin, positive-working photosensitive resin composition, method for producing pattern-formed resin film, semiconductor device, display device, and method for producing the semiconductor device and the display device |
JP4244309B2 (ja) * | 2003-09-12 | 2009-03-25 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版 |
TW200702913A (en) * | 2005-06-03 | 2007-01-16 | Fujifilm Electronic Materials | Pretreatment compositions |
US7803510B2 (en) * | 2005-08-17 | 2010-09-28 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Positive photosensitive polybenzoxazole precursor compositions |
JP4659614B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2011-03-30 | 富士フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
US7851121B2 (en) * | 2006-02-10 | 2010-12-14 | Central Glass Co., Ltd. | Photosensitive polyimide composition and polyimide precursor composition |
US20100159217A1 (en) * | 2006-06-20 | 2010-06-24 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd | Negative-type photosensitive resin composition, method for forming patterns, and electronic parts |
JP5028059B2 (ja) * | 2006-09-28 | 2012-09-19 | 富士フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物、それを用いた硬化レリーフパターンの製造方法及び半導体装置 |
WO2008069812A1 (en) * | 2006-12-03 | 2008-06-12 | Central Glass Co., Ltd. | Photosensitive polybenzoxazines and methods of making the same |
US20100216070A1 (en) * | 2006-12-04 | 2010-08-26 | Central Glass Co., Ltd. | Photosensitive Polyimides and Methods of Making the Same |
WO2009052177A1 (en) * | 2007-10-16 | 2009-04-23 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Novel photosensitive resin compositions |
WO2009099954A1 (en) * | 2008-02-04 | 2009-08-13 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Novel positive photosensitive resin compositions |
KR101023089B1 (ko) | 2008-09-29 | 2011-03-24 | 제일모직주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
KR101333698B1 (ko) * | 2009-11-10 | 2013-11-27 | 제일모직주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
KR101333704B1 (ko) | 2009-12-29 | 2013-11-27 | 제일모직주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
KR20120066923A (ko) | 2010-12-15 | 2012-06-25 | 제일모직주식회사 | 신규 페놀 화합물 및 이를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
KR101423539B1 (ko) | 2010-12-20 | 2014-07-25 | 삼성전자 주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
KR101400192B1 (ko) | 2010-12-31 | 2014-05-27 | 제일모직 주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 사용하여 제조된 감광성 수지막 및 상기 감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자 |
KR101692758B1 (ko) * | 2013-10-23 | 2017-01-04 | 제일모직 주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막, 및 표시 소자 |
CN104356389A (zh) * | 2014-11-21 | 2015-02-18 | 沈阳化工大学 | 聚(亚萘基)苯并二噁唑的制备方法 |
TWI655507B (zh) * | 2016-03-11 | 2019-04-01 | 奇美實業股份有限公司 | 正型感光性聚矽氧烷組成物及其應用 |
WO2017200201A1 (en) * | 2016-05-19 | 2017-11-23 | Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. | Photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom |
KR20220120691A (ko) | 2020-01-16 | 2022-08-30 | 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. | 건식 필름 |
KR20240073667A (ko) | 2022-11-18 | 2024-05-27 | 덕산네오룩스 주식회사 | 벤조옥사졸계 공중합체 및 이를 포함하는 포지티브형 감광성 조성물 |
KR20240128262A (ko) | 2023-02-17 | 2024-08-26 | 덕산네오룩스 주식회사 | 벤조옥사졸아미드계 하이브리드 공중합체 및 이를 포함하는 포지티브형 감광성 조성물 |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2931297A1 (de) * | 1979-08-01 | 1981-02-19 | Siemens Ag | Waermebestaendige positivresists und verfahren zur herstellung waermebestaendiger reliefstrukturen |
DE2933805A1 (de) * | 1979-08-21 | 1981-03-12 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung hochwaermebestaendiger reliefstrukturen und deren verwendung |
DE3021748A1 (de) * | 1980-06-10 | 1981-12-17 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Strahlungsreaktive vorstufen hochwaermebestaendiger polymerer |
US4845183A (en) * | 1987-11-24 | 1989-07-04 | Hoechst Celanese Corporation | Heat resistant polyamide and polybenzoxazole from bis-((amino-hydroxyphenyl)hexafluoroisopropyl)diphenyl ethers |
US5011753A (en) * | 1987-11-24 | 1991-04-30 | Hoechst Celanese Corporation | Photoresist compositions containing polyamides polybenzoxa from bis((aminohydroxyphenyl)hexafluoroisopropyl)diphenyl ethers |
US5104960A (en) * | 1989-02-22 | 1992-04-14 | The Dow Chemical Company | Nucleophilic displacement method for synthesis of non-rigid PBZ polymers |
US4954610A (en) * | 1989-02-27 | 1990-09-04 | Hoechst Celanese Corp. | Polyamide-imide polymers having fluorine-containing linking groups |
US5114826A (en) * | 1989-12-28 | 1992-05-19 | Ibm Corporation | Photosensitive polyimide compositions |
EP0450189B1 (de) * | 1990-03-29 | 1996-10-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Hochwärmebeständige Negativresists und Verfahren zur Herstellung hochwärmebeständiger Reliefstrukturen |
DE69131529T2 (de) * | 1990-05-29 | 2000-01-20 | Sumitomo Bakelite Co. Ltd., Tokio/Tokyo | Positiv arbeitende lichtempfindliche Harzzusammensetzung |
ATE137231T1 (de) * | 1990-09-13 | 1996-05-15 | Ocg Microelectronic Materials | Säurelabile lösungsinhibitoren und darauf basierende positiv und negativ arbeitende strahlungsempfindliche zusammensetzung |
US5851736A (en) * | 1991-03-05 | 1998-12-22 | Nitto Denko Corporation | Heat-resistant photoresist composition, photosensitive substrate, and process for forming heat-resistant positive or negative pattern |
DE4112970A1 (de) * | 1991-04-20 | 1992-10-22 | Hoechst Ag | Saeurespaltbare strahlungsempfindliche verbindungen, diese enthaltendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
DE4112969A1 (de) * | 1991-04-20 | 1992-10-22 | Hoechst Ag | Saeurespaltbare strahlungsempflindliche verbindungen, diese enthaltendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
EP0512339B1 (de) * | 1991-05-07 | 1997-10-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Hochwärmebeständige Positivresists und Verfahren zur Herstellung hochwärmebeständiger Reliefstrukturen |
US5506088A (en) * | 1991-09-17 | 1996-04-09 | Fujitsu Limited | Chemically amplified resist composition and process for forming resist pattern using same |
US5258257A (en) * | 1991-09-23 | 1993-11-02 | Shipley Company Inc. | Radiation sensitive compositions comprising polymer having acid labile groups |
US5580695A (en) * | 1992-02-25 | 1996-12-03 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Chemically amplified resist |
EP0608983B1 (en) * | 1993-01-25 | 1997-11-12 | AT&T Corp. | A process for controlled deprotection of polymers and a process for fabricating a device utilizing partially deprotected resist polymers |
KR960015081A (ko) * | 1993-07-15 | 1996-05-22 | 마쯔모또 에이이찌 | 화학증폭형 레지스트 조성물 |
EP0641831B1 (en) * | 1993-08-25 | 1997-11-12 | DOW CORNING ASIA, Ltd. | Organopolysiloxane-grafted polybenzobisoxazoles and method for preparing same |
US5399655A (en) * | 1993-10-29 | 1995-03-21 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Positive-working photodefinable polyimide precursors |
EP0659781A3 (de) * | 1993-12-21 | 1995-09-27 | Ciba Geigy Ag | Maleinimidcopolymere, insbesonder für Photoresists. |
EP0665220B1 (en) * | 1994-01-28 | 1999-04-07 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Novel sulfonium salt and chemically amplified positive resist composition |
JP2964874B2 (ja) * | 1994-06-10 | 1999-10-18 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト材料 |
JPH08110635A (ja) * | 1994-10-07 | 1996-04-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 化学増幅ポジ型レジスト材料 |
JP3340864B2 (ja) * | 1994-10-26 | 2002-11-05 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型化学増幅レジスト組成物 |
JP3579946B2 (ja) * | 1995-02-13 | 2004-10-20 | Jsr株式会社 | 化学増幅型感放射線性樹脂組成物 |
JPH08262743A (ja) * | 1995-03-24 | 1996-10-11 | Mitsubishi Electric Corp | レジスト材料およびレジストパターン形成方法 |
TW434458B (en) * | 1995-04-04 | 2001-05-16 | Shinetsu Chemical Co | Chemically amplified positive resist compositions |
US5700624A (en) * | 1995-05-09 | 1997-12-23 | Shipley Company, L.L.C. | Positive acid catalyzed resists having an alkali soluble resin with acid labile groups and inert blocking groups |
US5609989A (en) * | 1995-06-06 | 1997-03-11 | International Business Machines, Corporation | Acid scavengers for use in chemically amplified photoresists |
TW460753B (en) * | 1995-07-20 | 2001-10-21 | Shinetsu Chemical Co | Chemically amplified positive resist material |
-
1999
- 1999-09-24 US US09/404,904 patent/US6143467A/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-29 JP JP2000572720A patent/JP3763348B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-09-29 WO PCT/US1999/022617 patent/WO2000019273A1/en active IP Right Grant
- 1999-09-29 EP EP99950004.4A patent/EP1171801B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-09-29 KR KR10-2001-7004075A patent/KR100476801B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-11-17 TW TW088116827A patent/TW581932B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001166484A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-06-22 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品 |
JP4529252B2 (ja) * | 1999-09-28 | 2010-08-25 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品 |
JP2005321467A (ja) * | 2004-05-06 | 2005-11-17 | Hitachi Chem Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及びこれを用いた電子部品 |
JP4500100B2 (ja) * | 2004-05-06 | 2010-07-14 | 日立化成工業株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物及びパターン製造法 |
US7435525B2 (en) | 2004-05-07 | 2008-10-14 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd. | Positive photosensitive resin composition, method for forming pattern, and electronic part |
US7638254B2 (en) | 2004-05-07 | 2009-12-29 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | Positive photosensitive resin composition, method for forming pattern, and electronic part |
EP2469337A1 (en) | 2004-05-07 | 2012-06-27 | Hitachi Chemical DuPont MicroSystems Ltd. | Positive photosensitive resin composition, method for forming pattern, and electronic component |
US8871422B2 (en) | 2005-09-22 | 2014-10-28 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd. | Negative-type photosensitive resin composition, pattern forming method and electronic parts |
US8758977B2 (en) | 2005-09-22 | 2014-06-24 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. | Negative-type photosensitive resin composition, pattern forming method and electronic parts |
US8298747B2 (en) | 2007-03-12 | 2012-10-30 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. | Photosensitive resin composition, process for producing patterned hardened film with use thereof and electronic part |
US7615324B2 (en) | 2007-03-14 | 2009-11-10 | Fujifilm Corporation | Photosensitive composition, and cured relief pattern production method and semiconductor device using the same |
US7598009B2 (en) | 2007-07-31 | 2009-10-06 | Fujifilm Corporation | Photosensitive resin composition, production method for cured relief pattern using it, and semiconductor device |
US8420291B2 (en) | 2007-10-29 | 2013-04-16 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. | Positive photosensitive resin composition, method for forming pattern, electronic component |
KR101286189B1 (ko) * | 2011-07-13 | 2013-07-15 | 삼성정밀화학 주식회사 | 내열성 피막용 조성물 및 그 제조방법 |
JP2016212380A (ja) * | 2015-04-28 | 2016-12-15 | 富士フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびタッチパネル |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1171801B1 (en) | 2015-11-11 |
WO2000019273A1 (en) | 2000-04-06 |
EP1171801A1 (en) | 2002-01-16 |
JP3763348B2 (ja) | 2006-04-05 |
KR100476801B1 (ko) | 2005-03-16 |
EP1171801A4 (en) | 2005-09-07 |
KR20010088824A (ko) | 2001-09-28 |
US6143467A (en) | 2000-11-07 |
TW581932B (en) | 2004-04-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3763348B2 (ja) | 新規な光感受性ポリベンゾオキサゾール前駆体組成物 | |
EP1609024B1 (en) | Photosensitive resin compositions | |
EP1636648B1 (en) | Novel positive photosensitive resin compositions | |
JP4314335B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP4529252B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品 | |
JP2001133980A (ja) | フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法および半導体素子 | |
JP3507798B2 (ja) | 新規な光感受性樹脂組成物 | |
US6214516B1 (en) | Photosensitive resin compositions | |
US7598009B2 (en) | Photosensitive resin composition, production method for cured relief pattern using it, and semiconductor device | |
EP1171802B1 (en) | Novel photosensitive resin compositions | |
KR101647519B1 (ko) | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 경화막, 보호막, 절연막 및 그것들을 이용한 반도체 장치, 표시체 장치 | |
JP4154953B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、それを用いたパターンの製造方法および電子部品 | |
JP4380178B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造方法及び電子部品 | |
JP2960810B2 (ja) | フッ素化エステルのジアゾ増感剤 | |
JPH11153866A (ja) | 感光性組成物 | |
US20030099904A1 (en) | Photosensitive formulation for buffer coatings, film containing the photosensitive formulation, and method for fabricating electronics with the photosensitive formulation | |
JP2003267949A (ja) | ピレンスルホン酸オニウム塩化合物、該化合物の製造方法、該化合物を用いた感光性樹脂組成物およびこれを用いた感光性材料。 | |
US6670090B1 (en) | Positive working photosensitive composition, article and process for forming a relief pattern | |
JP2003248314A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品 | |
KR101113149B1 (ko) | 실록산 단량체 및 이를 포함하는 포토레지스트용 중합체 | |
JP2003223000A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品 | |
JPH07140662A (ja) | パターン形成材料および新規な芳香族ビニルカーボネート | |
JP2003183358A (ja) | ポリナフチレンの合成方法、感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050802 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050809 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051109 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051213 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060110 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20060110 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060110 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3763348 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090127 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100127 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110127 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120127 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130127 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |