KR20240073667A - 벤조옥사졸계 공중합체 및 이를 포함하는 포지티브형 감광성 조성물 - Google Patents
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
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Abstract
본 발명에 따라 벤조옥사졸계 공중합체 수지의 성분에 기계적 물성을 증가시킬수 있는 단량체를 도입한 공중합체를 포함하는 감광성 조성물로부터 제조된 패턴은 인장강도 0.05MPa 이상과 신율 4% 이상의 물성을 증가시키며, 현상시 잔사 문제가 없고 패턴 구현의 정확도가 높아지는 효과가 있다.
Description
본 발명은 벤조옥사졸계 공중합체 및 이를 이용하여 제조한 반도체장치 또는 표시장치에 사용되는 포지티브형 감광성 조성물에 관한 것이다.
포토 리소그라피 공정은 크게 기판에 포토레지스트 조성물을 도포하는 코팅단계, 마스크를 통과한 광원, E-beam등으로 포토레지스트 막에 패턴을 형성하는 노광단계, 패턴이 새겨진 포토레지스트 막의 특정 영역을 제거하는 현상단계의 순서로 이루어지며 포토레지스트 조성물로부터 용매를 제거하거나 막을 경화하기 위한 열처리(Baking) 단계를 각 단계 중간에 추가하여 진행된다.
상기 포토 리소그라피 공정은 크게 네가티브와 포지티브 공정으로 나뉘며 현상단계에서 노광부가 현상액과 화학반응하고 그 반응 생성물이 용해되어 제거되는 포지티브 공정과 반대로 비노광부가 현상액과 화학반응되어 그 반응 생성물이 용해되어 제거되는 네가티브 공정으로 나뉠수 있다. 이중 포지티브 공정은 노광단계에서 빛을 흡수하여 용해도가 증가하는 감광제 (Photo active compound)를 사용하여 현상단계에서 노광부만을 정확하게 제거 가능하여 네가티브 공정에 비하여 좀 더 정밀하고 정확한 패턴을 얻을 수 있다.
종래 반도체장치나 디스플레이 장치에 사용되는 포지티브 감광형 수지 조성물에는 폴리이미드 혹은 폴리벤조옥사졸등의 수지가 높은 내열성, 내화학성, 내후성 등으로 인하여 이용되고 있으나, 현상 단계에서 알칼리성 수용액으로 현상을 진행하여 정밀한 회로 구현을 위하여 사용되는 고분자 수지의 분자량이 제한되므로 구현할 수 있는 기계적 물성에 한계를 보인다.
상기 종래 기술의 문제점을 해결하고자, 본 발명은 벤조옥사졸계 공중합체 수지의 성분에 기계적 물성을 증가시킬수 있는 단량체를 도입하여 인장강도 및 신율을 증가시킨 공중합체를 제공하자 한다.
또한, 상기 벤조옥사졸계 공중합체 수지를 사용하여 포지티브 감광형 조성물을 제공하고자 한다.
또한, 상기 포지티브 감광성 조성물로 형성된 패턴 또는 필름과, 이를 이용하여 제조된 반도체장치 또는 표시장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 벤조옥사졸계 공중합체는 하기 화학식 1-1, 화학식 1-2 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 반복단위를 포함하는 것이 바람직하다.
<화학식 1-1>
<화학식 1-2>
상기 화학식 1-1 및 화학식 1-2에서,
1) *는 반복단위로 결합이 연결되는 부분이고,
2) X는 하기 화학식 2이고,
3) Y는 C6~C30의 아릴렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C30의 헤테로고리기; C6~C30의 지방족고리와 방향족고리의 융합고리기; C1~C20의 알킬렌기; C1~C20의 시클로알킬렌기; C2~C20의 알케닐렌기; C3~C20의 시클로알케닐렌기; C2~C20의 알킨일렌기; C3~C20의 시클로알킨일렌기; 화학식 2; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고,
<화학식 2>
상기 화학식 2에서,
4) L1은 단일결합, -CH2-, -CH2CH2-, -CH2OCH2-, -CH(CH3)-, -C(CH3)2-, -O-, -CH(CF3)-, -C(CF3)2-, -S-, -SO2-, Si(CH3)2-, -C6H4-, -CO-, -NHCO-, -COO-로 이루어진 군에서 선택되고,
5) R1 내지 R10 중 2개는 화학식 1-1 또는 화학식 1-2의 아미드기와의 연결부위이며
6) 상기 연결부위를 제외한 나머지 R1 내지 R10은 서로 독립적으로 수소; 중수소; 히드록시기; C6~C30의 아릴기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C30의 헤테로고리기; C6~C30의 지방족고리와 방향족고리의 융합고리기; C1~C20의 알킬기; C2~C20의 알케닐기; C2~C20의 알킨일기; C1~C20의 알콕시기; C6~C30의 아릴옥시기; 플루오렌일기; 카르보닐기; 에테르기; 카르복실기; 또는 C1~C20의 알콕시카르보닐기이며,
7) L1이 단일결합인 경우, 상기 연결부위가 아닌 인접한 R1 및 R10; 및 R5 및 R6은 고리를 형성할 수 있으며,
8) m 및 n은 서로 독립적으로 1~200의 정수이며,
9) Z는 하기 화학식 3-1 또는 화학식 3-2이고,
<화학식 3-1>
<화학식 3-2>
상기 화학식 3-1 및 화학식 3-2에서,
9-1) R11 내지 R14는 서로 독립적으로 수소; 중수소; 히드록시기; 카르복실기; C6~C30의 아릴기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C30의 헤테로고리기; C6~C30의 지방족고리와 방향족고리의 융합고리기; C1~C20의 알킬기; C2~C20의 알케닐기; C2~C20의 알킨일기; C1~C20의 알콕시기; C6~C30의 아릴옥시기; 플루오렌일기; 카르보닐기; 에테르기; 또는 C1~C20의 알콕시카르보닐기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며,
10) 상기 Y, L1 및 R1 내지 R14는 각각 중수소; 할로겐; C1~C30의 알킬기 또는 C6~C30의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 아미노기; 니트로기; C1~C30의 알킬싸이오기; C1~C30의 알콕시기; C6~C30의 아릴알콕시기; C1~C30의 알킬기; C2~C30의 알켄일기; C2~C30의 알킨일기; C6~C30의 아릴기; 중수소로 치환된 C6~C30의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C30의 헤테로고리기; C3~C30의 지방족고리기; C7~C30의 아릴알킬기; C8~C30의 아릴알켄일기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 추가로 치환될 수 있다.
상기 벤조옥사졸계 공중합체는 디아민 단량체; 디아실클로라이드 단량체; 및 디안하이드라이드 단량체로부터 제조되는 것이 바람직하다.
상기 디아민은 2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐) 헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판, 3,3'-디히드록시벤지딘 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 단량체를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 디아실클로라이드는 4,4'-옥시비스벤조일 클로라이드, 1,2-시클로부탄디카르복시산 디클로라이드, 1,4-시클로헥산디카르복실산 디클로라이드 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 단량체를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 디안하이드라이드는 4,4'-(헥사플루오르이소프로필리딘)디프탈릭안하이드라이드, 바이시클로옥탄데트라카르복실디안하이드라이드 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 단량체를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 공중합체의 중량평균분자량은 5,000 내지 40,000 g/mol인 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 구체예로서, 본 발명에 따른 포지티브 감광성 조성물은 상기 벤조옥사졸계 공중합체; 감광제; 용매; 및 첨가제를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 감광제는 하기 화학식 P-1 내지 P-7 중 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 P-1 내지 P-7에서,
R''은 수소; 하기 화학식 S-1; 또는 화학식 S-2이다.
<화학식 S-1>
<화학식 S-2>
상기 용매는 N,N-디메틸포름아미드, N-메틸포름아닐라드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 디메틸술폭시드, 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 아세틸아세톤, 감마-부티로락톤, 디에틸렌 글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌 글리콜 메틸에틸에테르, 디에틸렌 글리콜 디에틸에테르, 프로필렌 글리콜 메틸에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 프로필에테르 아세테이트 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 첨가제는 실란계 커플링제; 표면평활제; 계면활성제; 가교제; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 벤조옥사졸계 공중합체는 조성물의 총량에 대하여 5 내지 50 중량%로 포함되는 것이 바람직하다.
상기 감광제는 조성물의 총량에 대하여 1 내지 50 중량%로 포함되는 것이 바람직하다.
상기 용매는 조성물의 총량에 대하여 50 내지 95 중량%로 포함되는 것이 바람직하다.
상기 첨가제는 조성물의 총량에 대하여 0.001 내지 10 중량%로 포함되는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 구체예로서, 상기 포지티브 감광형 조성물로부터 제조되는 패턴 또는 필름을 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 구체예로서, 상기 패턴 또는 필름을 사용하여 제조되는 반도체 장치 또는 표시장치를 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 구체예로서, 상기 반도체 장치 또는 표시장치와 이를 구동하는 제어부;를 포함하는 전자장치를 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따라 벤조옥사졸계 공중합체 수지의 성분에 기계적 물성을 증가시킬수 있는 단량체를 도입한 공중합체를 포함하는 감광성 조성물로부터 제조된 패턴은 인장강도 0.05MPa 이상과 신율 4% 이상의 물성을 증가시키며, 현상시 잔사 문제가 없고 패턴 구현의 정확도가 높아지는 효과가 있다.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성 요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다.
본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다. 본 명세서 상에서 언급된 "포함한다", "갖는다", "이루어진다" 등이 사용되는 경우 "~만"이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별한 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다.
구성 요소들의 위치 관계에 대한 설명에 있어서, 둘 이상의 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속" 등이 된다고 기재된 경우, 둘 이상의 구성 요소가 직접적으로 "연결", "결합" 또는 "접속" 될 수 있지만, 둘 이상의 구성 요소와 다른 구성 요소가 더 "개재"되어 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 여기서, 다른 구성 요소는 서로 "연결", "결합" 또는 "접속" 되는 둘 이상의 구성 요소 중 하나 이상에 포함될 수도 있다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 구성 요소가 다른 구성 요소 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 경우, 이는 다른 구성 요소 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 구성 요소가 있는 경우도 포함할 수 있다고 이해되어야 할 것이다. 반대로, 어떤 구성 요소가 다른 부분 "바로 위에" 있다고 하는 경우에는 중간에 또 다른 부분이 없는 것을 뜻한다고 이해되어야 할 것이다.
구성 요소들이나, 동작 방법이나 제작 방법 등과 관련한 시간적 흐름 관계에 대한 설명에 있어서, 예를 들어, "~후에", "~에 이어서", "~다음에", "~전에" 등으로 시간적 선후 관계 또는 흐름적 선후 관계가 설명되는 경우, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
한편, 구성 요소에 대한 수치 또는 그 대응 정보가 언급된 경우, 별도의 명시적 기재가 없더라도, 수치 또는 그 대응 정보는 각종 요인(예: 공정상의 요인, 내부 또는 외부 충격, 노이즈 등)에 의해 발생할 수 있는 오차 범위를 포함하는 것으로 해석될 수 있다.
본 명세서 및 첨부된 청구의 범위에서 사용된 용어는, 통상적이거나 사전적인 의미로 한정되어 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
본 출원에서 사용된 용어 "할로" 또는 "할로겐"은 다른 설명이 없는 한 불소(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 및 요오드(I)를 포함한다.
본 출원에서 사용된 용어 "알킬" 또는 "알킬기"는 다른 설명이 없는 한 단일결합으로 연결된 1 내지 60의 탄소를 가지며, 직쇄 알킬기, 분지쇄 알킬기, 사이클로알킬(지환족)기, 알킬-치환된 사이클로알킬기, 사이클로알킬-치환된 알킬기를 비롯한 포화 지방족 작용기의 라디칼을 의미한다.
본 출원에서 사용된 용어 "할로알킬기" 또는 "할로겐알킬기"는 다른 설명이 없는 한 할로겐이 치환된 알킬기를 의미한다.
본 출원에서 사용된 용어 "알케닐" 또는 "알키닐"은 다른 설명이 없는 한 각각 이중결합 또는 삼중결합을 가지며, 직쇄형 또는 측쇄형 사슬기를 포함하고, 2 내지 60의 탄소수를 가지나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 출원에서 사용된 용어 "사이클로알킬"은 다른 설명이 없는 한 3 내지 60의 탄소수를 갖는 고리를 형성하는 알킬을 의미하며, 여기에 한정되는 것은 아니다.
본 출원에서 사용된 용어 "알콕시기" 또는 "알킬옥시기"는 산소 라디칼이 결합된 알킬기를 의미하며, 다른 설명이 없는 한 1 내지 60의 탄소수를 가지나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 출원에서 사용된 용어 "알켄옥실기", "알켄옥시기", "알켄일옥실기", 또는 "알켄일옥시기"는 산소 라디칼이 부착된 알켄일기를 의미하며, 다른 설명이 없는 한 2 내지 60의 탄소수를 가지나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 출원에서 사용된 용어 "아릴기" 및 "아릴렌기"는 다른 설명이 없는 한 각각 6 내지 60의 탄소수를 가지나, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 출원에서 아릴기 또는 아릴렌기는 단일 고리형, 고리 집합체, 접합된 여러 고리계 화합물 등을 포함한다. 예를 들면, 상기 아릴기는 페닐기, 바이페닐의 1가 작용기, 나프탈렌의 1가 작용기, 플루오렌일기, 치환된 플루오렌일기를 포함할 수 있고, 아릴렌기는 플루오렌일렌기, 치환된 플루오렌일렌기를 포함할 수 있다.
본 출원에서 사용된 용어 "고리 집합체(ring assemblies)"는 둘 또는 그 이상의 고리계(단일고리 또는 접합된 고리계)가 단일결합이나 또는 이중결합을 통해서 서로 직접 연결되어 있고, 이와 같은 고리 사이의 직접 연결의 수가 그 화합물에 들어 있는 고리계의 총 수보다 1개가 적은 것을 의미한다. 고리 집합체는 동일 또는 상이한 고리계가 단일결합이나 이중결합을 통해 서로 직접 연결될 수 있다.
본 출원에서 아릴기는 고리 집합체를 포함하므로, 아릴기는 단일 방향족고리인 벤젠고리가 단일결합에 의해 연결된 바이페닐, 터페닐을 포함한다. 또한, 아릴기는 방향족 단일 고리와 접합된 방향족 고리계가 단일결합에 의해 연결된 화합물도 포함하므로, 예를 들면, 방향족 단일 고리인 벤젠 고리와 접합된 방향족 고리계인 플루오렌이 단일결합에 의해 연결된 화합물도 포함한다.
본 출원에서 사용된 용어 "접합된 여러 고리계"는 적어도 두 개의 원자를 공유하는 접합된(fused) 고리 형태를 의미하며, 둘 이상의 탄화수소류의 고리계가 접합된 형태 및 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 헤테로고리계가 적어도 하나 접합된 형태 등을 포함한다. 이러한 접합된 여러 고리계는 방향족고리, 헤테로방향족고리, 지방족 고리 또는 이들 고리의 조합일 수 있다. 예를 들어 아릴기의 경우, 나프탈렌일기, 페난트렌일기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정된 것은 아니다.
본 출원에서 사용된 용어 "스파이로 화합물"은 '스파이로 연결 (spiro union)'을 가지며, 스파이로 연결은 2개의 고리가 오로지 1개의 원자를 공유함으로써 이루어지는 연결을 의미한다. 이때, 두 고리에 공유된 원자를 '스파이로 원자'라 하며, 한 화합물에 들어 있는 스파이로 원자의 수에 따라 이들을 각각 '모노스파이로-', '다이스파이로-', '트라이스파이로-' 화합물이라 한다.
본 출원에서 사용된 용어 "플루오렌일기", "플루오렌일렌기", "플루오렌트리일기"는 다른 설명이 없는 한 각각 하기 구조에서 R, R', R" 및 R'"이 모두 수소인 1가, 2가 또는 3가의 작용기를 의미하며, "치환된 플루오렌일기", "치환된 플루오렌일렌기" 또는 "치환된 플루오렌트리일기"는 치환기 R, R', R", R'"중 적어도 하나가 수소 이외의 치환기인 것을 의미하며, R과 R'이 서로 결합되어 이들이 결합된 탄소와 함께 스파이로 화합물을 형성한 경우를 포함한다. 본 명세서에서는 1가, 2가, 3가 등과 같은 가수와 상관없이 플루오렌일기, 플루오렌일렌기, 플루오렌트리일기를 모두 플루오렌기라고 명명할 수도 있다.
또한, 상기 R, R', R" 및 R'"은 각각 독립적으로, 1 내지 20의 탄소수를 가지는 알킬기, 1 내지 20의 탄소수를 가지는 알케닐기, 6 내지 30의 탄소수를 가지는 아릴기, 2 내지 30의 탄소수를 가지는 헤테로고리기일 수 있고, 예를 들면, 상기 아릴기는 페닐, 바이페닐, 나프탈렌, 안트라센 또는 페난트렌일 수 있으며, 상기헤테로고리기는 피롤, 푸란, 티오펜, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 피리딘, 피리미딘, 피리다진, 피라진, 트리아진, 인돌, 벤조퓨란, 퀴나졸린 또는 퀴녹살린일 수 있다. 예를 들면, 상기 치환된 플루오렌일기 및 플루오렌일렌기는 각각 9,9-디메틸플루오렌, 9,9-디페닐플루오렌 및 9,9'-스파이로바이[9H-플루오렌]의 1가 작용기 또는 2가 작용기일 수 있다.
본 출원에서 사용된 용어 "헤테로고리기"는 "헤테로아릴기" 또는 " 헤테로아릴렌기"와 같은 방향족 고리뿐만 아니라 비방향족 고리도 포함하며, 다른설명이 없는 한 각각 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 탄소수 2 내지 60의 고리를 의미하나 여기에 한정되는 것은 아니다. 본 출원에서 사용된 용어 "헤테로원자"는 다른 설명이 없는 한 N, O, S, P 또는 Si를 나타내며, 헤테로고리기는 헤테로원자를 포함하는 단일고리형, 고리집합체, 접합된 여러 고리계, 스파이로 화합물 등을 의미한다.
예를 들어, “헤테로고리기”는 고리를 형성하는 탄소 대신에 하기 화합물과 같이 SO2, P=O 등과 같은 헤테로원자단을 포함하는 화합물도 포함할 수있다.
본 출원에서 사용된 용어 "고리"는 단일환 및 다환을 포함하며, 탄화수소고리는 물론 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 헤테로고리를 포함하고, 방향족 및 비방향족 고리를 포함한다.
본 출원에서 사용된 용어 "다환"은 바이페닐, 터페닐 등과 같은 고리 집합체(ring assemblies), 접합된(fused) 여러 고리계 및 스파이로 화합물을 포함하며, 방향족뿐만 아니라 비방향족도 포함하고, 탄화수소고리는 물론 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 헤테로고리를 포함한다.
본 출원에서 사용된 용어 "지방족고리기"는 방향족탄화수소를 제외한 고리형 탄화수소를 의미하며, 단일고리형, 고리집합체, 접합된 여러 고리계, 스파이로 화합물 등을 포함하며, 다른 설명이 없는 한 탄소수 3 내지 60의 고리를 의미하나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 방향족고리인 벤젠과 비방향족고리인사이클로헥산이 융합된 경우에도 지방족 고리에 해당한다.
또한, 접두사가 연속으로 명명되는 경우 먼저 기재된 순서대로 치환기가 나열되는 것을 의미한다. 예를 들어, 아릴알콕시기의 경우 아릴기로 치환된알콕시기를 의미하며, 알콕시카르보닐기의 경우 알콕시기로 치환된 카르보닐기를의미하며, 또한 아릴카르보닐알켄일기의 경우 아릴카르보닐기로 치환된 알켄일기를 의미하며 여기서 아릴카르보닐기는 아릴기로 치환된 카르보닐기이다.
또한 명시적인 설명이 없는 한, 본 출원에서 사용된 용어 "치환 또는 비치환된"에서 "치환"은 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C30의 알킬기, C1~C30의 알콕시기, C1~C30의 알킬아민기, C1~C30의 알킬티오펜기, C6~C30의아릴티오펜기, C2~C30의 알켄일기, C2~C30의 알킨일기, C3~C30의 사이클로알킬기, C6~C30의 아릴기, 중수소로 치환된 C6~C30의 아릴기, C8~C30의 아릴알켄일기, 실란기, 붕소기, 게르마늄기, 및 O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C30의 헤테로고리기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환됨을 의미하며, 이들 치환기에 한정되는 것은 아니다.
본 출원에서 각 기호 및 그 치환기의 예로 예시되는 아릴기, 아릴렌기, 헤테로고리기 등에 해당하는 '작용기 명칭'은 '가수를 반영한 작용기의 명칭'을 기재할 수도 있지만, '모체 화합물 명칭'으로 기재할 수도 있다. 예컨대, 아릴기의 일종인 '페난트렌'의 경우, 1가의 '기'는 '페난트릴(기)'로, 2가의 기는 '페난트릴렌(기)' 등과 같이 가수를 구분하여 기의 이름을 기재할 수도 있지만, 가수와 상관없이 모체 화합물 명칭인 '페난트렌'으로 기재할 수도 있다.
유사하게, 피리미딘의 경우에도, 가수와 상관없이 '피리미딘'으로 기재하거나, 1가인 경우에는 피리미딘일(기)로, 2가의 경우에는 피리미딘일렌(기)등과 같이 해당 가수의 '기의 이름'으로 기재할 수도 있다. 따라서, 본 출원에서 환기의 종류를 모체 화합물 명칭으로 기재할 경우, 모체 화합물의 탄소 원자 및/또는 헤테로원자와 결합하고 있는 수소 원자가 탈리되어 형성되는 n가의 '기'를 의미할 수 있다.
또한, 본 명세서에서는 화합물 명칭이나 치환기 명칭을 기재함에 있어 위치를 표시하는 숫자나 알파벳 등은 생략할 수도 있다. 예컨대, 피리도[4,3-d]피리미딘을 피리도피리미딘으로, 벤조퓨로[2,3-d]피리미딘을 벤조퓨로피리미딘으로, 9,9-다이메틸-9H-플루오렌을 다이메틸플루오렌 등과 같이 기재할 수 있다. 따라서, 벤조[g]퀴녹살린이나 벤조[f]퀴녹살린을 모두 벤조퀴녹살린이라고 기재할 수있다.
또한 명시적인 설명이 없는 한, 본 출원에서 사용되는 화학식은 하기 화학식의 지수 정의에 의한 치환기 정의와 동일하게 적용된다.
여기서, a가 0의 정수인 경우 치환기 R1은 부존재하는 것을 의미하는데, 즉 a가 0인 경우는 벤젠고리를 형성하는 탄소에 모두 수소가 결합된 것을 의미하며, 이때 탄소에 결합된 수소의 표시를 생략하고 화학식이나 화합물을 기재할 수 있다. 또한, a가 1의 정수인 경우 하나의 치환기 R1은 벤젠 고리를 형성하는 탄소 중 어느 하나의 탄소에 결합하며, a가 2 또는 3의 정수인 경우 예컨대 아래와같이 결합할 수 있고, a가 4 내지 6의 정수인 경우에도 이와 유사한 방식으로 벤젠고리의 탄소에 결합하며, a가 2 이상의 정수인 경우 R1은 서로 같거나 상이할 수 있다.
본 출원에서 다른 설명이 없는 한, 고리를 형성한다는 것은, 인접한 기가 서로 결합하여 단일고리 또는 접합된 여러고리를 형성하는 것을 의미하고, 단일고리 및 형성된 접합된 여러 고리는 탄화수소고리는 물론 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 헤테로고리를 포함하고, 방향족 및 비방향족 고리를 포함할 수 있다.
또한, 본 명세서에서 다른 설명이 없는 한, 축합환을 표시할 때 '숫자-축합환'에서 숫자는 축합되는 고리의 개수를 나타낸다. 예컨데, 안트라센, 페난트렌, 벤조퀴나졸린 등과 같이 3개의 고리가 서로 축합한 형태는 3-축합환으로 표기할 수 있다.
한편, 본 출원에서 사용된 용어 "다리걸친 고리 화합물(bridged bicyclic compound)"은 다른 설명이 없는 한, 2개의 고리가 3개 이상의 원자를 공유하여 고리를 형성한 화합물을 말한다. 이때 공유하는 원자는 탄소 또는 헤테로원자를 포함할 수 있다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 일 구현예에 따른 벤조옥사졸계 공중합체를 포함한 포지티브 감광성 조성물은 반도체 장치의 절연막, 표면 보호막, 재배선층; 디스플레이 장치의 화소정의층(PDL)을 제조하는데 사용될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 장치 또는 디스플레이 장치에 적용하기 위한 포지티브 감광성 조성물을 제조함에 있어서, 요구되는 특성을 개선하기 위하여 다음과 같은 첨가제를 추가적으로 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구현예 따라 추가할 수 있는 첨가제로서, 기재에 코팅시 도막의 두께를 일정하게 하기 위하여 표면평활제를 추가로 포함할 수 있다. 기재 표면의 특성에 따라 일정하게 코팅을 하기 위하여 계면활성제를 추가로 포함할 수 있으며, 기재 표면과의 접착력을 조절하기 위하여 실란계 커플링제를 추가로 포함할 수 있다. 열처리 단계에서 고분자 분자간 결합을 강하게 하기 위하여 가교제를 추가로 포함할 수 있다.
포지티브형 감광성 조성물을 구성하는 요소는 하기와 같다
(1) 벤조옥사졸계 공중합체 수지
본 발명의 일 실시예에 따른 패터닝용 수지는 벤조옥사졸계 공중합체 수지를 포함할 수 있다.
상기 벤조옥사졸계 공중합체 수지는 화학적 또는 열적 처리를 통하여 벤조옥사졸계 공중합체로 진행될 수 있는 히드록시아미드계 공중합체 및, 화학적 또는 열적 처리가 진행된 벤조옥사졸계 공중합체를 포함하는 수지를 말한다.
상기 벤조옥사졸계 공중합체 수지는 상기 포지티브형 감광성 조성물 총량에 대하여 5 중량% 내지 50 중량%, 바람직하게는 10 중량% 내지 40 중량%로 포함될 수 있다.
상기 벤조옥사졸계 공중합체 수지는 하기 화학식 1-1 또는 화학식 1-2로 표현되는 공중합체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이들을 단독 또는 2종 이상을 배합하여 사용할 수도 있다. 상기 벤조옥사졸계 공중합체 수지의 중량평균 분자량은 5,000 g/mol 내지 40,000 g/mol, 바람직하게는 5,000 g/mol 내지 35,000 g/mol, 보다 바람직하게는 7,000 g/mol 내지 25,000 g/mol 일 수 있다.
벤조옥사졸계 공중합체는 하기 화학식 1-1, 화학식 1-2 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 반복단위를 포함하는 것이 바람직하다.
<화학식 1-1>
<화학식 1-2>
상기 화학식 1-1 및 화학식 1-2에서,
1) *는 반복단위로 결합이 연결되는 부분이고,
2) X는 하기 화학식 2이고,
3) Y는 C6~C30의 아릴렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C30의 헤테로고리기; C6~C30의 지방족고리와 방향족고리의 융합고리기; C1~C20의 알킬렌기; C1~C20의 시클로알킬렌기; C2~C20의 알케닐렌기; C3~C20의 시클로알케닐렌기; C2~C20의 알킨일렌기; C3~C20의 시클로알킨일렌기; 화학식 2; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고,
<화학식 2>
상기 화학식 2에서,
4) L1은 단일결합, -CH2-, -CH2CH2-, -CH2OCH2-, -CH(CH3)-, -C(CH3)2-, -O-, -CH(CF3)-, -C(CF3)2-, -S-, -SO2-, Si(CH3)2-, -C6H4-, -CO-, -NHCO-, -COO-로 이루어진 군에서 선택되고,
5) R1 내지 R10 중 2개는 화학식 1-1 또는 화학식 1-2의 아미드기와의 연결부위이며
6) 상기 연결부위를 제외한 나머지 R1 내지 R10은 서로 독립적으로 수소; 중수소; 히드록시기; C6~C30의 아릴기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C30의 헤테로고리기; C6~C30의 지방족고리와 방향족고리의 융합고리기; C1~C20의 알킬기; C2~C20의 알케닐기; C2~C20의 알킨일기; C1~C20의 알콕시기; C6~C30의 아릴옥시기; 플루오렌일기; 카르보닐기; 에테르기; 카르복실기; 또는 C1~C20의 알콕시카르보닐기이며,
7) L1이 단일결합인 경우, 상기 연결부위가 아닌 인접한 R1 및 R10; 및 R5 및 R6은 고리를 형성할 수 있으며,
8) m 및 n은 서로 독립적으로 1~200의 정수이며,
9) Z는 하기 화학식 3-1 또는 화학식 3-2이고,
<화학식 3-1>
<화학식 3-2>
상기 화학식 3-1 및 화학식 3-2에서,
9-1) R11 내지 R14는 서로 독립적으로 수소; 중수소; 히드록시기; 카르복실기; C6~C30의 아릴기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C30의 헤테로고리기; C6~C30의 지방족고리와 방향족고리의 융합고리기; C1~C20의 알킬기; C2~C20의 알케닐기; C2~C20의 알킨일기; C1~C20의 알콕시기; C6~C30의 아릴옥시기; 플루오렌일기; 카르보닐기; 에테르기; 또는 C1~C20의 알콕시카르보닐기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며,
10) 상기 Y, L1 및 R1 내지 R14는 각각 중수소; 할로겐; C1~C30의 알킬기 또는 C6~C30의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 아미노기; 니트로기; C1~C30의 알킬싸이오기; C1~C30의 알콕시기; C6~C30의 아릴알콕시기; C1~C30의 알킬기; C2~C30의 알켄일기; C2~C30의 알킨일기; C6~C30의 아릴기; 중수소로 치환된 C6~C30의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C30의 헤테로고리기; C3~C30의 지방족고리기; C7~C30의 아릴알킬기; C8~C30의 아릴알켄일기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 추가로 치환될 수 있다.
상기 R1 내지 R14가 아릴기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 C6~C18의 아릴기, 예컨대 페닐, 바이페닐, 나프틸, 터페닐 등일 수 있다.
상기 R1 내지 R14가 헤테로고리기인 경우, 바람직하게는 C2~C30의 헤테로고리기, 더욱 바람직하게는 C2~C18의 헤테로고리기, 예컨대 다이벤조퓨란, 다이벤조싸이오펜, 나프토벤조싸이오펜, 나프토벤조퓨란 등일 수 있다.
상기 R1 내지 R14가 플루오렌일기인 경우, 바람직하게는 9,9-다이메틸-9H-플루오렌, 9,9-다이페닐-9H-플루오렌일기, 9,9'-스파이로바이플루오렌 등일 수 있다.
상기 R1 내지 R14가 알킬기인 경우, 바람직하게는 C1~C20의 알킬기, 더욱 바람직하게는 C1~C10의 알킬기, 예컨대 메틸, 에틸, t-부틸 등일 수 있다.
상기 R1 내지 R14가 알콕실기인 경우, 바람직하게는 C1~C20의 알콕실기, 더욱 바람직하게는 C1~C10의 알콕실기, 예컨대 메톡시, 에톡시, t-부톡시 등일 수 있다.
상기 Y 및 L1이 아릴렌기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴렌기, 더욱 바람직하게는 C6~C18의 아릴렌기, 예컨대 페닐, 바이페닐, 나프틸, 터페닐 등일 수 있다.
상기 Y 및 L1이 알킬렌기인 경우, 바람직하게는 C1~C20의 알킬렌기, 더욱 바람직하게는 C1~C10의 알킬렌기, 예컨대 메틸렌, 에틸렌, t-부틸렌 등일 수 있다.
상기 Y 및 L1이 알콕실렌기인 경우, 바람직하게는 C1~C20의 알콕실렌기, 더욱 바람직하게는 C1~C10의 알콕실렌기, 예컨대 메톡실렌, 에톡실렌, t-부톡실렌 등일 수 있다.
상기 벤조옥사졸계 공중합체 수지의 무게평균 분자량은 5,000 내지 40,000 g/mol고, 바람직하게는 5,000 내지 30,000 g/mol 더 바람직하게는 7,000 내지 25,000 g/mol일 수 있다. 상기 수지의 무게평균 분자량이 상기 범위 내일 경우, 현상시 노광층의 잔사가 잔류하지 않고, 비노광층의 막 두께의 손실을 최소화하며, 양호한 패턴을 얻을 수 있다. 상기 수지는 상기 감광성 조성물 총량에 대하여 5 내지 50 중량%, 더 바람직하게는 15 내지 45 중량%로 포함될 수 있다. 상기 수지가 상기 범위 내로 포함되는 경우, 코팅 단계에서 일정한 막 두께를 얻을수 있으며 우수한 감도, 현상성 및 부착성(밀착성)을 얻을 수 있다.
(2) 감광제
포토리쏘그라피로 포지티브 패턴을 구현하기 위해서는 광라디칼 개시제를 사용해야 한다. 상기 감광제는 g-line(436nm), h-line (405nm), i-line (365nm), Deep UV(<260nm) 등의 사용되는 파장에 따라 적절한 구조를 선택하여 각각 또는 혼합하여 사용이 가능하다.
상기 감광제는 포지티브 감광성 조성물에 일반적으로 사용되는 감광제로서, 예를 들면 감광성 디아조퀴논 화합물을 들수 있고, 구체적으로는 페놀 화합물과 하기 화학식 P-1 내지 화학식 P-7로 표시되는 광감광성 화합물을 포함할 수 있으며, R"의 구체예로는 수소; 중수소; 1,2-나프토퀴논-2-디아지도-5-설폰산 또는 1,2-나프토퀴논-2-디아지도-4-설폰산이 구조에 포함된 화합물을 들수 있다.
상기 P-1 내지 P-7에서, R''은 수소; 하기 화학식 S-1; 또는 화학식 S-2이다.
<화학식 S-1>
<화학식 S-2>
상기 화학식 S-1 및 화학식 S-2에서, *은 연결부위를 나타낸다.
(3) 용매
상기 용매는 상기 벤조옥사졸계 공중합체 수지, 상기 감광제 및 상기 안료에 상용성을 가지되 반응하지 않는 물질들이 사용될 수 있다.
상기 용매의 예로는, 메탄올, 에탄올 등의 알코올류; 디클로로에틸 에테르, n-부틸 에테르, 디이소아밀 에테르, 메틸페닐 에테르, 테트라히드로퓨란 등의 에테르류; 에틸렌 글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸에테르 등의 글리콜 에테르류; 메틸 셀로솔브 아세테이트, 에틸 셀로솔브 아세테이트, 디에틸 셀로솔브 아세테이트 등의 셀로솔브 아세테이트류; 메틸에틸 카르비톨, 디에틸 카르비톨, 디에틸렌 글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌 글리콜 메틸에틸에테르, 디에틸렌 글리콜 디에틸에테르 등의 카르비톨류; 프로필렌 글리콜 메틸에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 프로필에테르 아세테이트 등의 프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트류; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화 수소류; 메틸에틸케톤, 사이클로헥사논, 4-히드록시-4-메틸-2-펜타논, 메틸-n-프로필케톤, 메틸-n-부틸케톤, 메틸-n-아밀케톤, 2-헵타논 등의 케톤류; 초산 에틸, 초산-n-부틸, 초산 이소부틸 등의 포화 지방족 모노카르복실산 알킬 에스테르류; 젖산 메틸, 젖산 에틸 등의 젖산 에스테르류; 옥시 초산 메틸, 옥시 초산 에틸, 옥시 초산 부틸 등의 옥시 초산 알킬 에스테르류; 메톡시 초산 메틸, 메톡시 초산 에틸, 메톡시 초산 부틸, 에톡시 초산 메틸, 에톡시 초산 에틸 등의 알콕시 초산 알킬 에스테르류; 3-옥시 프로피온산 메틸, 3-옥시 프로피온산 에틸 등의 3-옥시 프로피온산 알킬에스테르류; 3-메톡시 프로피온산 메틸, 3-메톡시 프로피온산 에틸, 3-에톡시 프로피온산 에틸, 3-에톡시 프로피온산 메틸 등의 3-알콕시 프로피온산 알킬 에스테르류; 2-옥시 프로피온산 메틸, 2-옥시 프로피온산 에틸, 2-옥시 프로피온산 프로필 등의 2-옥시 프로피온산 알킬 에스테르류; 2-메톡시 프로피온산 메틸, 2-메톡시 프로피온산 에틸, 2-에톡시 프로피온산 에틸, 2-에톡시 프로피온산 메틸 등의 2-알콕시 프로피온산 알킬 에스테르류; 2-옥시-2-메틸 프로피온산 메틸, 2-옥시-2-메틸 프로피온산 에틸 등의 2-옥시-2-메틸 프로피온산 에스테르류, 2-메톡시-2-메틸 프로피온산 메틸, 2-에톡시-2-메틸 프로피온산 에틸 등의 2-알콕시-2-메틸 프로피온산 알킬류의 모노옥시 모노카르복실산 알킬 에스테르류; 2-히드록시 프로피온산 에틸, 2-히드록시-2-메틸 프로피온산 에틸, 히드록시 초산 에틸, 2-히드록시-3-메틸 부탄산 메틸 등의 에스테르류; 피루빈산 에틸 등의 케톤산 에스테르류 등이 있다.
또한, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸포름아닐라드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 디메틸술폭시드, 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 아세틸아세톤, 이소포론, 카프론산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노난올, 벤질알코올, 초산 벤질, 안식향산 에틸, 옥살산 디에틸, 말레인산 디에틸, γ-부티로락톤, 탄산 에틸렌, 탄산 프로필렌, 페닐 셀로솔브 아세테이트 등의 고비점 용매도 사용될 수 있다.
상기 용매들 중 상용성 및 반응성을 고려하여, 에틸렌 글리콜 모노에틸에테르등의 글리콜 에테르류; 에틸 셀로 솔브 아세테이트 등의 에틸렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트류; 2-히드록시 프로피온산 에틸 등의 에스테르류; 디에틸렌 글리콜 모노메틸에테르 등의 카르비톨류; 프로필렌 글리콜 메틸에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 프로필에테르 아세테이트 등의 프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트류가 사용될 수 있다.
상기 용매는 상기 감광성 조성물 총량에 대하여 잔부량으로 포함될 수 있으며, 구체적으로는 50 내지 95 중량%로 포함될 수 있다. 상기 용매가 상기 범위 내로 포함될 경우, 상기 포지티브형 감광성 조성물이 적절한 점도를 가짐에 따라 패턴층 제조시 공정성이 우수하다.
(4) 기타 첨가제
상기 포지티브 감광성 조성물은 도포시 얼룩이나 반점을 방지하고, 레벨링 성능을 개선하기 위해, 또한 미현상에 의한 잔사의 생성을 방지하기 위하여, 말론산; 3-아미노-1,2-프로판디올; 비닐기 또는 (메타)아크릴옥시기를 포함하는 실란계 커플링제; 표면평활제; 계면활성제; 가교제 등의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
상기 첨가제는 조성물의 총량에 대하여 0.001 내지 10 중량%로 포함되는 것이 바람직하다.
예컨대, 상기 감광성 조성물은 기판과의 밀착성 등을 개선하기 위해 비닐기, 카르복실기, 메타크릴옥시기, 이소시아네이트기, 에폭시기 등의 반응성 치환기를 갖는 실란계 커플링제를 더 포함할 수 있다.
상기 실란계 커플링제의 예로는, 트리메톡시실릴 벤조산, γ메타크릴 옥시프로필 트리메톡시실란, 비닐 트리아 세톡시실란, 비닐 트리메톡시실란, γ이소시아네이트 프로필 트리에톡시실란, γ글리시독시 프로필 트리메톡시 실란, β에폭시 사이클로헥실 에틸트리메톡시실란, Shinetsu silicon社의 KBM-502, KBM-602, KBM-573, KBE-9007N 등의 명칭으로 시판되고 있는 실란계 커플링제 등이 있으며, 이들을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 실란계 커플링제는 상기 감광성 조성물 100 중량부에 대하여 0.001 중량부 내지 10 중량부로 포함될 수 있다. 실란계 커플링제가 상기 범위 내로 포함될 경우 밀착성, 저장성 등이 우수하다.
또한 상기 감광성 조성물은 필요에 따라 코팅 단계에서 막 두께를 일정하게 형성하기 위해 표면평활제를 더 포함할 수 있다.
상기 표면평활제로는, DIC社의 F-554®, F-556®, F-557®, F-559®, F-560®, F-563®, RS-72-K®, R-40®, R-41®, R-43®등; BASF社의 Efka® FL3740, Efka® FL3741, Efka® FL3745, Efka® FL3770등의 명칭으로 시판되고 있는 표면평활제를 사용할 수 있다.
상기 표면평활제는 감광성 조성물 100 중량부에 대하여 0.001 중량부 내지 5 중량부로 사용될 수 있다. 표면평활제가 상기 범위 내로 포함될 경우 코팅 균일성이 확보되고, 막 두께가 일정하게 코팅될 수 있다.
또한 상기 감광성 조성물은 필요에 따라 코팅성 향상 및 결점 생성 방지 효과를 위해 계면 활성제를 추가로 포함할 수 있다.
상기 계면활성제로는, BM Chemie社의 BM-1000®, BM-1100® 등; 다이 닛폰 잉키 가가꾸 고교(주)社의 메카 팩 F 142D®, 메카 팩 F 172®, 메카 팩 F 173®, 메카 팩 F 183® 등; 스미토모 스리엠(주)社의 프로라드 FC-135®, 프로라드 FC-170C®, 프로라드 FC-430®, 프로라드 FC-431® 등; 아사히 그라스(주)社의 사프론 S-112®, 사프론 S-113®, 사프론 S-131®, 사프론 S-141®, 사프론 S145® 등; 도레이 실리콘(주)社의 SH-28PA®, SH-190®, SH-193®, SZ-6032®, SF-8428® 등의 명칭으로 시판되고 있는 계면활성제를 사용할 수 있다.
상기 계면활성제는 감광성 조성물 100 중량부에 대하여 0.001 중량부 내지 5 중량부로 사용될 수 있다. 계면활성제가 상기 범위 내로 포함될 경우 코팅 균일성이 확보되고, 얼룩이 발생하지 않으며, 유리 기판에 대한 습윤성(wetting)이 우수하다.
상기 가교제로는, 1,4-비스(메톡시메틸)벤젠, 디에틸설페이트, 3-아미노프로필트리에톡시실란, N,N'-메틸렌비스아크릴아미드 등을 사용할 수 있으며, 이들을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 가교제는 감광성 조성물 100 중량부에 대하여 0.001 중량부 내지 5 중량부로 사용될 수 있다. 가교제가 상기 범위 내로 포함될 경우 경화도막의 물성, 예를 들면 인장강도 등의 기계적 물성을 적절하게 부여하기에 유리하다.
또한, 포지티브 감광성 조성물에 첨가될 수 있는 상기 종류의 첨가제에 한정되지 않으며, 상기 감광성 조성물은 물성을 저해하지 않는 범위 내에서 조성물의 사용 목적에 따라 적당한 참가제를 선택하여 추가 혹은 제외하여 제조할 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 합성예 및 실시예를 구체적으로 기재하나, 본 발명의 합성예 및 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
(합성예 1)
250ml 3-목 둥근바닥 플라스크에 교반기, 질소주입장치, 적가깔때기, 온도조절기 및 냉각기를 부착하여 설치한 후 질소를 충진하며 N-메틸피롤리돈(NMP) 65.7g을 채운 후, 2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판 15g과 피리딘 0.52g을 투입하고 교반하며 40℃로 유지하였다. 여기에 프탈산무수물 0.910g을 천천히 투입한 뒤, 일정시간 교반하여 용해 및 반응시켰다. 이후 반응 진행 중인 플라스크에 NMP 54.77g 및 피리딘 2.06g을 추가한 뒤, 용액의 온도를 5℃로 유지하며 30분간 교반하였다. 이후 4,4'-옥시비스벤조일클로라이드 9.97g 및 바이시클로[2,2,2]옥타-7-엔-2,3,5,6-테트라카르복실산디하이드라이드 1.02g을 천천히 투입하여 12시간 동안 교반하며 용해 및 반응을 진행시켰다.
상기 폴리히드록시아미드 용액을 상온에서 1시간 교반한 후, 이를 메탄올 1506g로 침전시키고, 침전된 고형분을 60℃에서 진공으로 12시간 동안 건조하여 20.98g의 공중합 폴리히드록시아미드 분말을 수득하였다.
(합성예 2)
250ml 3-목 둥근바닥 플라스크에 교반기, 질소주입장치, 적가깔때기, 온도조절기 및 냉각기를 부착하여 설치한 후, 질소를 충진하며 N-메틸피롤리돈(NMP) 65.7g을 채운 후, 2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판 15g과 피리딘 0.52g을 투입하고 교반하며 40℃로 유지하였다. 여기에 프탈산무수물 0.910g을 천천히 투입한 뒤, 일정시간 교반하여 용해 및 반응시켰다. 이후 반응 진행 중인 플라스크에 NMP 52.70g 및 피리딘 2.06g을 추가한 뒤, 용액의 온도를 5℃로 유지하며 30분간 교반하였다. 이후 4,4'-옥시비스벤조일클로라이드 8.76g 및 바이시클로[2,2,2]옥타-7-엔-2,3,5,6-테트라카르복실산디하이드라이드 2.03g을 천천히 투입하여 12시간 동안 교반하며 용해 및 반응을 진행시켰다.
상기 폴리히드록시아미드 용액을 상온에서 1시간 교반한 후, 이를 메탄올 1506g로 침전시키고, 침전된 고형분을 60℃에서 진공으로 12시간 동안 건조하여 20.83g의 공중합 폴리히드록시아미드 분말을 수득하였다.
(합성예 3)
250ml 3-목 둥근바닥 플라스크에 교반기, 질소주입장치, 적가깔때기, 온도조절기 및 냉각기를 부착하여 설치한 후, 질소를 충진하며 N-메틸피롤리돈(NMP) 65.7g을 채운 후, 2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판 15g과 피리딘 0.52g을 투입하고 교반하며 40℃로 유지하였다. 여기에 프탈산무수물 0.910g을 천천히 투입한 뒤, 일정시간 교반하여 용해 및 반응시켰다. 이후 반응 진행 중인 플라스크에 NMP 52.70g 및 피리딘 2.06g을 추가한 뒤, 용액의 온도를 5℃로 유지하며 30분간 교반하였다. 이후 4,4'-옥시비스벤조일클로라이드 5.59g 및 바이시클로[2,2,2]옥타-7-엔-2,3,5,6-테트라카르복실산디하이드라이드 4.70g을 천천히 투입하여 12시간 동안 교반하며 용해 및 반응을 진행시켰다.
상기 폴리히드록시아미드 용액을 상온에서 1시간 교반한 후, 이를 메탄올 1506g로 침전시키고, 침전된 고형분을 60℃에서 진공으로 12시간 동안 건조하여 20.44g의 공중합 폴리히드록시아미드 분말을 수득하였다.
(합성예 4)
250ml 3-목 둥근바닥 플라스크에 교반기, 질소주입장치, 적가깔때기, 온도조절기 및 냉각기를 부착하여 설치한 후, 질소를 충진하며 N-메틸피롤리돈(NMP) 65.7g을 채운 후, 2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판 15g과 피리딘 0.52g을 투입하고 교반하며 40℃로 유지하였다. 여기에 프탈산무수물 0.91g을 천천히 투입한 뒤, 일정시간 교반하여 용해 및 반응시켰다. 이후 반응 진행 중인 플라스크에 NMP 52.70g 및 피리딘 2.06g을 추가한 뒤, 용액의 온도를 5℃로 유지하며 30분간 교반하였다. 이후 1,4-시클로헥산디카르복실릭산 디클로라이드 7.06g 및 바이시클로[2,2,2]옥타-7-엔-2,3,5,6-테트라카르복실산디하이드라이드 1.02g을 천천히 투입하여 12시간 동안 교반하며 용해 및 반응을 진행시켰다.
상기 폴리히드록시아미드 용액을 상온에서 1시간 교반한 후, 이를 메탄올 1306g로 침전시키고, 침전된 고형분을 60℃에서 진공으로 12시간 동안 건조하여 19.11g의 공중합 폴리히드록시아미드 분말을 수득하였다.
(합성예 5)
250ml 3-목 둥근바닥 플라스크에 교반기, 질소주입장치, 적가깔때기, 온도조절기 및 냉각기를 부착하여 설치한 후, 질소를 충진하며 N-메틸피롤리돈(NMP) 65.7g을 채운 후, 2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판 15g과 피리딘 0.52g을 투입하고 교반하며 40℃로 유지하였다. 여기에 프탈산무수물 0.91g을 천천히 투입한 뒤, 일정시간 교반하여 용해 및 반응시켰다. 이후 반응 진행 중인 플라스크에 NMP 52.70g 및 피리딘 2.06g을 추가한 뒤, 용액의 온도를 5℃로 유지하며 30분간 교반하였다. 이후 1,4-시클로헥산디카르복실릭산 디클로라이드 6.21g 및 바이시클로[2,2,2]옥타-7-엔-2,3,5,6-테트라카르복실산디하이드라이드 2.03g을 천천히 투입하여 12시간 동안 교반하며 용해 및 반응을 진행시켰다.
상기 폴리히드록시아미드 용액을 상온에서 1시간 교반한 후, 이를 메탄올 1306g로 침전시키고, 침전된 고형분을 60℃에서 진공으로 12시간 동안 건조하여 19.11g의 공중합 폴리히드록시아미드 분말을 수득하였다.
(합성예 6)
250ml 3-목 둥근바닥 플라스크에 교반기, 질소주입장치, 적가깔때기, 온도조절기 및 냉각기를 부착하여 설치한 후, 질소를 충진하며 N-메틸피롤리돈(NMP) 65.7g을 채운 후, 2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판 15g과 피리딘 0.52g을 투입하고 교반하며 40℃로 유지하였다. 여기에 프탈산무수물 0.91g을 천천히 투입한 뒤, 일정시간 교반하여 용해 및 반응시켰다. 이후 반응 진행 중인 플라스크에 NMP 52.70g 및 피리딘 2.06g을 추가한 뒤 용액의 온도를 5℃로 유지하며 30분간 교반하였다. 이후 1,4-시클로헥산디카르복실릭산 디클로라이드 5.35g 및 바이시클로[2,2,2]옥타-7-엔-2,3,5,6-테트라카르복실산디하이드라이드 3.05g을 천천히 투입하여 12시간 동안 교반하며 용해 및 반응을 진행시켰다.
상기 폴리히드록시아미드 용액을 상온에서 1시간 교반한 후, 이를 메탄올 1306g로 침전시키고, 침전된 고형분을 60℃에서 진공으로 12시간 동안 건조하여 19.11g의 공중합 폴리히드록시아미드 분말을 수득하였다.
(합성예 7)
250ml 3-목 둥근바닥 플라스크에 교반기, 질소주입장치, 적가깔때기, 온도조절기 및 냉각기를 부착하여 설치한 후 질소를 충진하며 N-메틸피롤리돈(NMP) 65.7g을 채운 후, 2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판 15g과 피리딘 0.52g을 투입하고 교반하며 40℃로 유지하였다. 여기에 프탈산무수물 0.910g을 천천히 투입한 뒤, 일정시간 교반하여 용해 및 반응시켰다. 이후 반응 진행 중인 플라스크에 NMP 52.70g을 추가한 뒤, 용액의 온도를 5℃로 유지하며 30분간 교반하였다. 이후 4,4'-옥시비스벤조일클로라이드 11.18g을 천천히 투입하여 12시간 동안 교반하며 용해 및 반응을 진행시켰다.
상기 폴리히드록시아미드 용액을 상온에서 1시간 교반한 후, 이를 메탄올 1506g로 침전시키고, 침전된 고형분을 60℃에서 진공으로 12시간 동안 건조하여 21.13g의 공중합 폴리히드록시아미드 분말을 수득하였다.
(제조예 1) 포지티브 감광성 조성물의 제조
합성예 1 내지 7에서 수득한 벤조옥사졸계 공중합체 수지 14.881g, MIPHOTO TPD523 2.232g (미원상사社), F-563 (DIC社) 0.015g, KBM-573 (Shinetsu silicon社) 1.5g 및 1,4-비스(메톡시메틸)벤젠 1.0g을 감마-부티로락톤 32.5g과 함께 상온에서 12시간 동안 교반하였다. 이어서, 상기 조성물을 3회 여과하여 불순물을 제거함으로써 감광성 조성물을 제조하였다.
하기 표 1과 같은 조성으로 감광성 조성액을 제조하였다.
| 공중합체 |
MIPHOTO TPD523
(%) |
F-563
(%) |
KBM-573
(%) |
1,4-비스(메톡시 메틸)벤젠 (%) |
감마-부티로락톤
(%) |
|
| 실시예1 | 합성예1 29.77% | 4.47 | 0.01 | 0.45 | 0.30 | 65.0 |
| 실시예2 | 합성예 229.77% | 4.47 | 0.01 | 0.45 | 0.30 | 65.0 |
| 실시예3 | 합성예 329.77% | 4.47 | 0.01 | 0.45 | 0.30 | 65.0 |
| 실시예4 | 합성예 429.77% | 4.47 | 0.01 | 0.45 | 0.30 | 65.0 |
| 실시예5 | 합성예 529.77% | 4.47 | 0.01 | 0.45 | 0.30 | 65.0 |
| 실시예6 | 합성예 629.77% | 4.47 | 0.01 | 0.45 | 0.30 | 65.0 |
| 비교예1 | 합성예 729.77% | 4.47 | 0.01 | 0.45 | 0.30 | 65.0 |
상기 포지티브 감광성 조성물을 이용한 UTM(만능재료시험기)용 시편 제조 방법은 다음과 같다.
(1) 도포 및 코팅 단계
실시예 또는 비교예에서 제조된 감광성 조성물을, 세척한 10cm*10cm 유리 재질의 기재에 스핀 코터를 이용하여 일정 두께로 도포한 후, VCD (vacuum chamber dry)를 사용하여 용매를 일부 제거함으로써 도막을 형성한다. 상기 감광성 조성물의 코팅 두께는 VCD 후 11㎛ 내지 13㎛가 되도록 막을 형성한다.
(2) 프리베이크 단계
상기 얻어진 도막 내에 함유하고 있는 용매를 제거하기 위하여 핫 플레이트(hot plate) 위에서 100℃ 내지 140℃로 50초 내지 200초 동안 가열한다. 해당 공정에서 일정 양의 용매를 제거함으로써, 다음 공정(노광) 후 현상 단계에서도 일정한 두께의 도막을 얻을수 있다.
(3) 노광 단계
상기 얻어진 도막에 필요한 일정한 두께를 얻기 위해 노광기 190 nm 내지 600 nm의 활성선, 바람직하게는 ghi-line을 가지는 메탈 또는 LED 램프의 광원을 조사하여 패턴을 형성할 수 있다. 조사되는 노광량은 50~500 mJ/cm2이며, 형성되는 패턴은 포지티브 타입의 9cm*1cm 스트랩 형태의 패턴이다.
(4) 현상 단계
상기 노광 단계에 이어, TMAH(테트라메틸암모늄하이드록시드) 2.38wt% 현상액을 23±2℃에서 일정량 기판에 적시고 일정 시간(분) 동안 대기하여 현상하는 퍼들(puddle) 방법으로 현상한 뒤, 초순수(DI water)를 이용하여 수세하면, 노광 부분을 용해시켜 제거하고 비노광 부분만을 잔존시켜 화상 패턴을 형성시키며, 잔존 도막의 두께는 9.0~11.0㎛ 이다.
(5) 후열처리 단계
상기 현상에 의해 수득된 화상 패턴을 얻기 위해, 오븐에서 300~320℃로 30분~120분 동안 후열처리(post baking)을 진행하여 얻은 도막을 경화시킨다.
(6) 시편 박리
상기 후열처리 단계를 마친 기판에서 UTM 시편을 손상없이 수득하기 위하여, 기판을 2% 불산수용액에 23±2℃에서 일정시간 (분) 동안 침전(dipping)한 뒤 분리된 시편을 초순수(DI water)를 이용하여 수세한 뒤, 상온의 진공챔버에서 건조하여 UTM용 시편을 수득하였다.
(7) UTM 측정
상기 시편 박리 단계에서 얻어진 실시예 및 비교예의 UTM 시편을 각각 QMESYS 社의 만능재료시험기인 QM100S를 이용하여 인장강도 및 신장율을 측정하였다. 측정 조건은 측정온도 25℃에서 인장속도 5mm/min, 표점거리 20mm로 측정하였다.
| 현상 후 잔사 | Hole 패턴 정확도 (10μm) | 신장율 (%) | 인장강도 (MPa) | |
| 실시예1 | X | 9.9876 | 6.3±0.2 | 0.26±0.2 |
| 실시예2 | X | 9.9342 | 6.9±0.3 | 0.35±0.1 |
| 실시예3 | X | 9.8465 | 7.2±0.3 | 0.42±0.3 |
| 실시예4 | X | 9.9354 | 6.1±0.4 | 0.32±0.2 |
| 실시예5 | X | 9.8678 | 6.5±0.2 | 0.38±0.1 |
| 실시예6 | X | 9.8625 | 6.8±0.4 | 0.44±0.5 |
| 비교예1 | X | 9.9534 | 2.1±0.3 | 0.21±0.1 |
상기 표 2에 개시한 현상 테스트 결과, 실시예1 내지 실시예 6 및 비교예 1 모두가 현상 후 잔사가 남는 현상은 나타나지 않는 것을 확인하였다. 또한 10μm Hole 마스크를 사용하여 패턴 구현의 정확도를 확인한 결과, 모두 0.2μm 이내의 오차로 패턴이 정확하게 구현됨을 확인하였다.
UTM 측정결과 상기 표 1의 실시예1~6에서 인장강도가 0.24 MPa 이상이며 비교예 1는 0.21 MPa로 측정되였다. 또한 신장율은 실시예 1~6에서 6% 이상이며 비교예 1는 2.1%로 측정되었으므로, 본 발명에 따른 벤조옥사졸계 공중합체가 인장강도 및 신장율의 개선에 효과가 있음을 확인하였다.
본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있다.
이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로, 본 발명에 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다.
따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명을 한정하기 위한 것이 아나라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 사상과 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술은 본 발명의 권리범위에 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
Claims (19)
- 하기 화학식 1-1, 화학식 1-2 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 반복단위를 포함하는 벤조옥사졸계 공중합체:
<화학식 1-1>
<화학식 1-2>
상기 화학식 1-1 및 화학식 1-2에서,
1) *는 반복단위로 결합이 연결되는 부분이고,
2) X는 하기 화학식 2이고,
3) Y는 C6~C30의 아릴렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C30의 헤테로고리기; C6~C30의 지방족고리와 방향족고리의 융합고리기; C1~C20의 알킬렌기; C1~C20의 시클로알킬렌기; C2~C20의 알케닐렌기; C3~C20의 시클로알케닐렌기; C2~C20의 알킨일렌기; C3~C20의 시클로알킨일렌기; 화학식 2; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되고,
<화학식 2>
상기 화학식 2에서,
4) L1은 단일결합, -CH2-, -CH2CH2-, -CH2OCH2-, -CH(CH3)-, -C(CH3)2-, -O-, -CH(CF3)-, -C(CF3)2-, -S-, -SO2-, Si(CH3)2-, -C6H4-, -CO-, -NHCO-, -COO-로 이루어진 군에서 선택되고,
5) R1 내지 R10 중 2개는 화학식 1-1 또는 화학식 1-2의 아미드기와의 연결부위이며
6) 상기 연결부위를 제외한 나머지 R1 내지 R10은 서로 독립적으로 수소; 중수소; 히드록시기; C6~C30의 아릴기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C30의 헤테로고리기; C6~C30의 지방족고리와 방향족고리의 융합고리기; C1~C20의 알킬기; C2~C20의 알케닐기; C2~C20의 알킨일기; C1~C20의 알콕시기; C6~C30의 아릴옥시기; 플루오렌일기; 카르보닐기; 에테르기; 카르복실기; 또는 C1~C20의 알콕시카르보닐기이며,
7) L1이 단일결합인 경우, 상기 연결부위가 아닌 인접한 R1 및 R10; 및 R5 및 R6은 고리를 형성할 수 있으며,
8) m 및 n은 서로 독립적으로 1~200의 정수이며,
9) Z는 하기 화학식 3-1 또는 화학식 3-2이고,
<화학식 3-1>
<화학식 3-2>
상기 화학식 3-1 및 화학식 3-2에서,
9-1) R11 내지 R14는 서로 독립적으로 수소; 중수소; 히드록시기; 카르복실기; C6~C30의 아릴기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C30의 헤테로고리기; C6~C30의 지방족고리와 방향족고리의 융합고리기; C1~C20의 알킬기; C2~C20의 알케닐기; C2~C20의 알킨일기; C1~C20의 알콕시기; C6~C30의 아릴옥시기; 플루오렌일기; 카르보닐기; 에테르기; 또는 C1~C20의 알콕시카르보닐기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며,
10) 상기 Y, L1 및 R1 내지 R14는 각각 중수소; 할로겐; C1~C30의 알킬기 또는 C6~C30의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 아미노기; 니트로기; C1~C30의 알킬싸이오기; C1~C30의 알콕시기; C6~C30의 아릴알콕시기; C1~C30의 알킬기; C2~C30의 알켄일기; C2~C30의 알킨일기; C6~C30의 아릴기; 중수소로 치환된 C6~C30의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C30의 헤테로고리기; C3~C30의 지방족고리기; C7~C30의 아릴알킬기; C8~C30의 아릴알켄일기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 추가로 치환될 수 있다. - 제 1 항에 있어서, 상기 공중합체는 디아민 단량체; 디아실클로라이드 단량체; 및 디안하이드라이드 단량체로부터 제조되는 것을 특징으로 하는 벤조옥사졸계 공중합체.
- 제 2 항에 있어서, 상기 디아민이 2,2'-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐) 헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판, 3,3'-디히드록시벤지딘 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 단량체를 포함하는 것을 특징으로 하는 벤조옥사졸계 공중합체.
- 제 2 항에 있어서, 상기 디아실클로라이드가 4,4'-옥시비스벤조일 클로라이드, 1,2-시클로부탄디카르복시산 디클로라이드, 1,4-시클로헥산디카르복실산 디클로라이드 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 단량체를 포함하는 것을 특징으로 하는 벤조옥사졸계 공중합체.
- 제 2 항에 있어서, 상기 디안하이드라이드가 4,4'-(헥사플루오르이소프로필리딘)디프탈릭안하이드라이드, 바이시클로옥탄데트라카르복실디안하이드라이드 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 단량체를 포함하는 것을 특징으로 하는 벤조옥사졸계 공중합체.
- 제 1 항에 있어서, 상기 공중합체의 중량평균분자량은 5,000 내지 40,000 g/mol인 것을 특징으로하는 벤조옥사졸계 공중합체.
- 제 1 항의 벤조옥사졸계 공중합체; 감광제; 용매; 및 첨가제를 포함하는 포지티브 감광성 조성물.
- 제 7 항에 있어서, 상기 감광제가 하기 화학식 P-1 내지 P-7 중 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 조성물.
상기 P-1 내지 P-7에서,
R''은 수소; 하기 화학식 S-1; 또는 화학식 S-2이다.
<화학식 S-1>
<화학식 S-2>
- 제 7 항에 있어서, 상기 용매가 N,N-디메틸포름아미드, N-메틸포름아닐라드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 디메틸술폭시드, 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 아세틸아세톤, 감마-부티로락톤, 디에틸렌 글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌 글리콜 메틸에틸에테르, 디에틸렌 글리콜 디에틸에테르, 프로필렌 글리콜 메틸에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 프로필에테르 아세테이트 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 조성물.
- 제 7 항에 있어서, 상기 첨가제가 실란계 커플링제; 표면평활제; 계면활성제; 가교제; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 조성물.
- 제 7 항에 있어서, 상기 벤조옥사졸계 공중합체가 조성물의 총량에 대하여 5 내지 50 중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 조성물.
- 제 7 항에 있어서, 상기 감광제가 조성물의 총량에 대하여 1 내지 50 중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 조성물.
- 제 7 항에 있어서, 상기 용매가 조성물의 총량에 대하여 50 내지 95 중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 조성물.
- 제 7 항에 있어서, 상기 첨가제가 조성물의 총량에 대하여 0.001 내지 10 중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 포지티브 감광성 조성물.
- 제 7 항의 포지티브 감광형 조성물로부터 제조된 패턴 또는 필름.
- 제 15 항의 패턴 또는 필름을 사용하여 제조되는 반도체 장치.
- 제 15 항의 패턴 또는 필름을 사용하여 제조되는 표시 장치.
- 제 16 항의 반도체 장치 및 이를 구동하는 제어부;를 포함하는 전자장치.
- 제 17 항의 표시장치 및 이를 구동하는 제어부;를 포함하는 전자장치.
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| KR20240073667A true KR20240073667A (ko) | 2024-05-27 |
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