KR100455401B1 - 유동층을 이용한 형광체 표면처리 방법 - Google Patents

유동층을 이용한 형광체 표면처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유동층 반응기를 이용하여 표면처리 전구체가 형광체 입자의 표면에 고르게 도포되도록 하는 유동층을 이용한 형광체 표면처리 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 유동층을 이용한 형광체 표면처리 방법은 표면처리 전구체를 준비하는 단계, 형광체 입자를 반응관에 충진하는 단계, 상기 반응관을 반응 온도로 가열하는 단계, 상기 전구체를 증기 또는 액적 상태로 전환하는 단계 및 상기 증기 또는 액적 상태의 전구체에 불활성 가스를 주입하여 상기 반응관내로 운반함으로써 형광체를 유동시킴과 동시에 상기 반응관 상부에서 반응기체를 유입하여 상기 전구체에 의해 상기 형광체 입자의 표면을 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면 형광체 표면에 다양한 전구체를 고르게 도포시켜 형광체의 특성향상을 가져올 수 있다.

Description

유동층을 이용한 형광체 표면처리 방법{Method for phosphor coating using fluidization}
본 발명은 유동층을 이용한 형광체 표면처리 방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 유동층 반응기를 이용하여 표면처리 전구체가 형광체 입자의 표면에 고르게 도포되도록 하는 유동층을 이용한 형광체 표면처리 방법에 관한 것이다.
형광체는 에너지 자극에 의해 온도방사 이외의 원인으로 발광하는 성질을 지니는물질로 형광램프, 형광수은램프, 복사용 램프등과 같은 광원용, 음극선관, 전계발광소자, 플라즈마 디스플레이 패널 등과 같은 다양한 표시장치(display)소자에 뿐 아니라 X선 증감지, 신틸레이터(scintillater) 등과 같은 검지용 기기 등에도 사용되고 있다.
특히, 표시장치 분야에 사용되고 있는 형광체의 경우, 형광체 표면 보호막을 통한 발광 안정성 유지, 발광 효율 향상을 위한 표면 처리물 부착, 형광막 제조시 슬러리 상에서 분산성과 막의 도포성 향상 또는 콘트라스트 향상을 위한 안료부착 등의 특성향상을 이유로 형광체의 표면에 여러가지 물질을 도포한다.
형광체를 표면처리하는 방법으로 졸-겔(sol-gel)법이 가장 일반적으로 사용되고 있는데 졸-겔법은 도포할 물질을 용액상태로 제조하여 콜로이드 상태로 유지한 다음, 이 콜로이드 상태의 용액을 도포하고자 하는 형광체와 혼합한 후 적정한 온도와 산성도를 유지하여 교반하면서 형광체를 도포한다. 일정 시간이 경과한 후, 표면처리가 된 형광체는 여과 및 건조 과정을 거침으로써 형광체의 표면처리를 완성한다.
이러한 졸-겔법을 이용한 도포 방법은 매우 쉽게 이용할 수 있다는 장점이 있어 다양한 분야에서 널리 이용되고 있으나, 높은 온도에서 표면처리를 실행할 수 없다는 단점이 있다. 따라서 부착된 물질이 형광체와의 결착력이 높지 않고 형광체 표면에 고르게 부착되지 않는 문제점이 있다.
이에 본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로 고온에서 형광체 입자를 유동화시켜 표면처리 전구체와의 반응을 유도하는 유동층 반응기를 이용하여 형광체 입자의 표면을 처리하는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 유동층 반응기를 이용하여 표면처리 전구체가 형광체의 표면에 고르게 부착되도록 하는 형광체 표면처리 방법을 제공하는데 있다.
도1은 본 발명에 따른 형광체 표면처리에 사용되는 유동층(fluidized bed) 반응기의 모식도이다.
도2는 본 발명에 따라 얻어진 형광체 표면의 전자현미경(SEM) 사진이다.
※도면의 주요부분에 대한 간단한 설명
1 : 반응관 2 : 가열챔버
3 : 임펠러 4 : 고주파 분해기 또는 버블러
5 : 불활성 가스 6 : 유리필터 또는 메쉬(mesh)
7 : 사이클론
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유동층을 이용한 형광체 표면처리 방법은 표면처리 전구체를 탈이온수 또는 알콜 용액에 희석하여 1시간 내지 3일동안 교반하여 준비하는 단계, 형광체 입자를 반응관에 충진하는 단계, 상기 반응관을 반응 온도로 가열하는 단계, 상기 전구체를 증기 또는 액적 상태로 전환하는 단계 및 상기 증기 또는 액적 상태의 전구체에 불활성 가스를 주입하여 상기 반응관내로 운반함으로써 형광체를 유동시킴과 동시에 상기 반응관 상부에서 반응기체를 유입하여 상기 전구체에 의해 상기 형광체 입자의 표면을 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 전구체는 pH 4 내지 6으로 조절되는 것이 바람직하며, 증기 또는 액적 상태로 전환시 고주파 분해기 또는 버블러를 이용하는 것이 바람직하다.
상기 증기 또는 액적 상태의 전구체는 유리필터 또는 메쉬(mesh)를 통과하여 상기 반응관내로 운반되며 상기 반응기체는 비어있는 임펠러 내부를 통하여 반응관 하단부로 도입되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 형광체의 유동시에 임펠러에 의한 교반이 수반되는 것이 보다 바람직하다.
이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
본 발명은 유동층(fluidized bed) 반응기를 이용하여 특정 용도의 형광체의 하단부에서 특정 용도의 전구체를 포함한 운반기체를 주입시킴으로써 개개의 형광체 입자들이 서로 일정한 거리를 유지하여 상기 전구체가 형광체 입자의 표면에 일정한 두께로 도포되도록 하는데 그 특징이 있다.
일반적으로 유동층 반응기는 고체를 액체나 기체를 이용하여 유동화시킴으로써 고체와 기체, 고체와 액체간의 반응을 유도하여 고온에서 고체의 표면에 고른 분포의 반응물을 생성시킬 수 있는 것으로, 본 발명에서는 이러한 유동층 반응기를 이용하여 형광체 입자의 하단부에서 주입된 운반기체에 의해 형광체 입자를 유동화시킴으로써 전구체에 의해 형광체 표면이 도포되도록 한다.
본 발명에서 사용되는 상기 형광체는 본 발명의 분야에서 통상적으로 사용가능한 형광체라면 특별하게 제한되지는 않으나, 특히 BaMgAl10O17:Eu, BaAl12O19:Mn, ZnSiO4:Mn 등의 PDP용 형광체, Y2O3:Eu, ZnGa(2-x)Al(x)O4:Mn, ZnO:Zn 등의 FED용 옥사이드 계열의 형광체 및 ZnS 형광체로 이루어진 그룹으로부터 선택된 것으로서 입자 사이즈가 500㎚ 에서 20㎛인 것이 바람직하게 사용될 수 있다.
상기 전구체는 상기 형광체에 전하균형 유지, 수명 및 효율 향상 또는 안정성 향상 등의 특성을 부여하기 위해 사용가능한 전구체로서 유기금속 용액, 알킬 실리케이트, 나이트레이트 및 알콕사이드 계열로 이루어진 군으로부터 선택된 것이 바람직하게 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 유동층 반응기는 도1에 도시된 바와 같은 구조를 가질 수 있으며,도1을 참조하여 본 발명에 따른 유동층을 이용한 형광체 표면의 처리 방법을 상술한다.
먼저 형광체 입자를 반응관(1)에 충진한 후 반응관을 감싸고 있는 가열챔버(2)를 이용하여 상기 반응관(1)을 반응온도로 가열한다. 상기 반응관은 100 내지 1500℃범위의 반응온도로 조절될 수 있도록 내열성이 강한 석영관(quartz tube)으로 이루어져 있으며, 반응관내에 반응기체가 유입될 수 있도록 속이 비어 있고 하단부에 가스 유출구가 있는 임펠러(3)가 장착되어 있다.
반응온도는 도포하고자 하는 표면처리 전구체의 종류에 따라 달라질 수 있으며, 예컨대 유기금속 계통의 전구체인 경우에는 100℃ 정도에서 도포가 가능하나 알콕사이드 계통의 전구체인 경우에는 1000℃ 이상의 고온에서 반응이 진행한다.
다음으로 형광체의 표면을 처리할 전구체는 탈이온수, 알콜 등의 용매에 희석하고 염산, 질산 등의 산을 이용하여 pH 4 내지 6정도로 조절한 후 전구체가 완전히 녹을 수 있도록 1시간 내지 3일동안 교반하여 용액화하여 사용한다. 이때 전구체의 pH를 4 내지 6으로 조절하는 것은 전구체가 형광체 표면에 도포되기 전에 고주파 분해기나 버블러 및 반응관내로의 유입관에서 반응이 일어나는 것을 막고 표면 도포시의 특성을 향상시키기 위함이다.
상기 용액화된 전구체를 반응관 하단에 설치된 고주파 분해기(4) 또는 일정한 온도하에서 전구체에 가스를 가하여 기포를 발생시키는 버블러(4)를 사용하여 증기 또는 액적 상태로 전환될 수 있다. 상기 증기 또는 액적 상태로 전환된 전구체에 질소, 아르곤 등의 불활성 가스(5)를 주입하여 상기 반응관(1)내로 운반함으로써 형광체를 유동시킴과 동시에 상기 반응관(1) 상부에서 반응기체를 유입하여 전구체에 의한 형광체 입자의 코팅 반응이 일어날 수 있도록 한다. 이때 상기 증기 또는 액적 상태의 전구체가 반응관(1)내로 고르게 분산하도록 유리필터 또는 메쉬(6)를 통과하여 운반되는 것이 바람직하다. 이러한 필터를 통과하지 않고 바로 반응관내로 운반될 경우 전구체를 포함한 운반가스의 분산이 제대로 이루어지지 않아 형광체의 표면이 고르게 도포되지 않는 문제점이 발생한다.
상기 반응기체는 반응관(1)의 상단부에서 임펠러(3)를 통해 주입함으로써 반응관의 하단부까지 반응기체가 유입되어 반응이 원활하게 진행하도록 한다. 즉, 본 발명에서는 내부가 비어 있는 상기 임펠러를 이용하여 반응기체를 도입함으로써 반응기체가 상부에서 직접적으로 유입되는 경우에 이미 유동되고 있는 형광체에 의해 반응기체가 반응관내에 전체적으로 고루 도달하지 못하게 되는 문제점과 반응기체가 반응관의 하부를 통해서 유입되는 경우에 유리필터나 메쉬에서 반응이 진행하여 유리필터나 메쉬가 막히게 되는 문제점을 해결할 수 있다.
상기 전구체에 의한 형광체의 코팅 반응이 진행되는 동안 코팅되지 않고 운반가스에 남아 있는 미세한 형광체 입자를 사이클론(7)에 포집하여 오염물이 외부로 배출되지 않도록 한다.
이하에서 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명할 것이다. 그러나, 이하의 실시예는 단지 예시를 위한 것이므로, 본 발명의 범위를 국한시키는 것으로 이해되어서는 안 될 것이다.
[실시예1]
입자 크기가 15㎛인 ZnS:Ce 형광체 600g을 반응관 내부로 충진한 후, 반응관의 온도를 400 ∼ 500℃로 조절하였다. 전구체로서 TEOS(tetraethyl-o-silicate)를 알콜에 녹인 후 질산으로 pH5로 조절한 다음 탈이온수를 첨가하여 용액화하여 버블러내로 첨가하고 버블러내의 온도를 20 ∼ 100℃로 유지하였다. 전구체가 들어 있는 버블러 내부로 질소를 주입시킴과 동시에 반응기체인 산소를 임펠러를 통하여 반응관 내부로 유입하여 실리카가 도포된 형광체를 수득하였다.
[실시예2]
전구체를 Y2O3를 사용한 것을 제외하고는 실시예1과 동일한 공정을 진행하여 유트리움(yuttrium)이 형광체 표면에 섬모양으로 부착된 ZnS:Ce 형광체를 수득하였다.
수득된 형광체의 표면을 전자현미경사진(SEM)을 촬영하여 도2a에 나타내었다.
[실시예3]
청색발광 형광체(BaMgAl10O17:Eu)를 사용하여 반응관의 온도를 500 ∼ 600℃로 조절하는 것을 제외하고는 실시예1과 동일한 공정을 진행하여 실리카가 표면에 고르게 도포된 청색발광 형광체를 수득하였다.
수득된 형광체의 표면을 전자현미경사진(SEM)을 촬영하여 도2b에 나타내었다.
상기 실시예에 따른 표면처리 방법으로 청색발광 형광체의 경우 산화물계 전구체를 도포함으로써 Xe가스 방전에 의한 형광체의 치명적인 손상을 방지하여 형광체의 수명을 연장할 수 있으며, ZnS 형광체에 실리카 전구체를 도포함으로써 전자선의 충돌에 의한 형광체의 분해를 억제하고 화학적으로 안정성을 부여할 수 있다.
또한, 도2에서 나타낸 바와 같이 표면처리된 형광체 입자의 표면이 고르게 분포되어 있으며, 형광체에 대한 전구체의 결착력 또한 우수하다.
상기 실시예에 사용된 형광체외에 BaAl12O19:Mn, ZnSiO4:Mn 등의 PDP용 형광체, Y2O3:Eu, ZnGa(2-x)Al(x)O4:Mn, ZnO:Zn 등의 FED용 옥사이드 계열의 형광체 등에 전구체의 종류, 반응관의 온도, 버블러의 온도, 불활성 기체 및 반응기체의 유량 등을 조절함으로써 상기 형광체가 특정 효과를 갖도록 표면처리를 할 수 있다.
본 발명에 따르면 유동층 반응기를 이용하여 전구체를 포함한 반응기체가 형광체를 유동화시켜 형광체 입자들이 일정한 거리를 유지할 수 있도록 함으로써 전구체가 형광체의 표면에 고르게 도포될 수 있다. 또한, 유동층 반응기를 이용함으로써 고온에서 표면처리가 가능하여 형광체에 대한 전구체의 결착력을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따르면 유동층 반응기를 이용하여 간단한 반응조건을 변화시킴으로써 다양한 형광체에 원하는 특성을 부여할 수 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 기술되었지만, 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이다.

Claims (8)

  1. 표면처리 전구체를 탈이온수 또는 알콜 용액에 희석하고, 염산 또는 질산을 첨가하여 pH 4 내지 6으로 조절한 후 1시간 내지 3일동안 교반하여 전구체 용액을 제조하는 단계;
    형광체 입자를 반응관에 충진하는 단계;
    상기 반응관을 반응 온도로 가열하는 단계;
    상기 전구체 용액을 증기 또는 액적 상태로 전환하는 단계; 및
    상기 증기 또는 액적 상태의 전구체에 불활성 가스를 주입하여 상기 반응관내로 운반함으로써 형광체 입자를 유동시킴과 동시에 상기 반응관 상부에서 반응기체를 유입하여 상기 전구체에 의해 상기 형광체 입자의 표면을 코팅하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유동층을 이용한 형광체 표면처리 방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 전구체 용액이 고주파 분해기 또는 버블러를 이용하여 증기 또는 액적 상태로 전환됨을 특징으로 하는 상기 유동층을 이용한 형광체 표면처리 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 반응온도가 100 내지 600℃의 범위내에서 조절됨을 특징으로 하는 상기 유동층을 이용한 형광체 표면처리 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 증기 또는 액적 상태의 전구체는 유리필터 또는 메쉬(mesh)를 통과하여 상기 반응관내로 운반됨을 특징으로 하는 상기 유동층을 이용한 형광체 표면처리 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 형광체의 유동시에 임펠러에 의한 교반이 수반됨을 특징으로 하는 상기 유동층을 이용한 형광체 표면처리 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 형광체 입자의 사이즈가 500㎚ 내지 20㎛임을 특징으로 하는 상기 유동층을 이용한 형광체 표면처리 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 표면처리 전구체가 유기금속, 알킬 실리케이트 및 알콕사이드 계열로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 상기 유동층을 이용한 형광체 표면처리 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990037377A (ko) * 1997-10-27 1999-05-25 조셉 에스. 로마나우 장수명 전기발광 형광물질의 제조방법
KR20000005801A (ko) * 1998-06-02 2000-01-25 조셉 에스. 로마나우 고-효율및장수명의전기발광형광체의제조방법
KR20010002822A (ko) * 1999-06-18 2001-01-15 윤덕용 입자의 내부가 충진된 산화물 형광체 및 그의 제조방법
KR100325968B1 (ko) * 1998-06-02 2002-03-07 조셉 에스. 로마나우 장-수명 전기발광용 형광체의 제조방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990037377A (ko) * 1997-10-27 1999-05-25 조셉 에스. 로마나우 장수명 전기발광 형광물질의 제조방법
KR100366887B1 (ko) * 1997-10-27 2003-03-26 오스람 실바니아 인코포레이티드 전기발광용형광체코팅방법및그에따라제조된형광체
KR20000005801A (ko) * 1998-06-02 2000-01-25 조셉 에스. 로마나우 고-효율및장수명의전기발광형광체의제조방법
KR100325968B1 (ko) * 1998-06-02 2002-03-07 조셉 에스. 로마나우 장-수명 전기발광용 형광체의 제조방법
KR20010002822A (ko) * 1999-06-18 2001-01-15 윤덕용 입자의 내부가 충진된 산화물 형광체 및 그의 제조방법
KR100323404B1 (ko) * 1999-06-18 2002-02-19 윤덕용 입자의 내부가 충진된 산화물 형광체 및 그의 제조방법

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