KR100431225B1 - 수직배향형액정표시장치 - Google Patents

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KR100431225B1 KR10-1998-0041267A KR19980041267A KR100431225B1 KR 100431225 B1 KR100431225 B1 KR 100431225B1 KR 19980041267 A KR19980041267 A KR 19980041267A KR 100431225 B1 KR100431225 B1 KR 100431225B1
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노리오 고마
데쯔지 오무라
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산요덴키가부시키가이샤
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Abstract

복수 형성된 표시 전극과 공통 전극과의 사이에 수직 배향된 액정 분자를 가진 액정층이 설치되고, 전계에 의해 액정 분자의 배향을 제어하는 수직 배향 방식의 액정 표시 장치로서, 표시 전극에 배향 제어창을 설치하고, 표시 전극과 대향 전극간과의 거리(셀 갭)을 d, 표시 전극간의 거리를 Wp, 배향 제어창의 폭을 Ws로 한 경우, Wp≥d/2 및/또는 Ws≥d/2를 만족하도록 표시 전극간의 거리 및/또는 배향 제어창의 폭을 선택한다. 이것에 의해 시각을 넓혀서 시각 특성을 향상함과 동시에 디스클리네이션 라인의 발생등의 배향 이상을 방지해서 소위 화상의 비정상 상태를 방지한다.

Description

수직 배향형 액정 표시 장치 {VERTICAL ORIENTATION TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY}
본 발명은 액정의 전기 광학적 이방성을 이용해서 표시를 수행하는 액정 표시 장치(LCD : Liquid Crystal Display)에 관한 것으로, 특히, 시각 특성의 향상, 소위 화상의 비정상 상태가 방지된 액정 표시 장치에 관한 것이다.
LCD는 소형, 박형, 저소비 전력등의 이점이 있어서, OA 기기, AV 기기 등의 분야에서 실용화가 진척되고 있다. 특히 스위칭 소자로서 박막 트랜지스터(이하, TFT로 약술함)를 이용한 액티브 매트릭스형은 원리적으로 듀티비 100%의 스태틱 구동을 멀티플렉스적으로 수행할 수 있어서, 대화면, 고해상도의 화면 디스플레이에 사용되어지고 있다.
TFT는 전계 효과 트랜지스터로서, 기판상에 행렬 상태로 배치되며, 액정을 유전층으로 한 화소 용량의 한 쪽을 구성하는 표시 전극에 접속되어져 있다. 매트릭스 배치된 TFT는 각각 동일 행에 배치된 것이 게이트 라인에 의해 동시에 온/오프가 제어되고, 그 동일 행의 각 TFT에 드레인 라인으로부터 화소 신호 전압이 공급되어, 대응하는 TFT가 온(on)된 화소 용량에 대해서 행렬적으로 지정된 표시용 전압이 충전된다. 표시 전극과 TFT는 동일 기판상에 형성되고, 화소 용량의 다른 쪽을 구성하는 공통 전극은 액정층을 사이에 두고 대향 배치된 다른 기판의 거의전면에 형성된다. 즉, 액정 및 공통 전극이 표시 전극에 의해 경계되어 표시 화소를 구성하고 있다. 화소 용량에 충전된 전압은 다음 TFT가 온할 때 까지의 1 필드 혹은 1 프레임 기간, TFT의 오프 저항에 의해 절연 상태로 유지된다. 액정은 전기 광학적으로 이방성을 갖고 있고, 화소 용량에 인가된 전압에 응답해서 투과율이 제어된다. 표시 화소마다의 투과율을 제어함으로써 이것들의 명암이 표시 화상으로 나타난다.
액정은 또한 양 기판과의 접촉 계면에 설치된 배향막에 의해 초기 배향 상태가 결정된다. 액정으로서 예를 들면 정의 유전율 이방성을 갖는 네마틱 상을 이용하고, 배향 벡터가 양 기판 사이에서 90°로 비틀어진 트위스트 네마틱(TN) 방식이 있다. 통상 양 기판의 외측에는 편광판이 설치되어져 있고 TN 방식에 있어서는 각 편광판의 편광축은 각각의 기판측의 배향 방향과 일치한다. 따라서 전압을 인가하지 않았을 때에는 한 쪽의 편광판을 통과한 직선 편광은 액정의 비틀림 배향에 따라 액정층 속에서 선회해서 다른 쪽의 편광판으로부터 사출되고 이 디스플레이는 백색을 표시한다. 그리고, 화소 용량에 전압을 인가해서 액정층에 전계를 형성하는 것에 의해 액정은 유전율 이방성 때문에 전계에 대해서 평행이 되도록 배향을 변화하고, 비틀림 배열이 붕괴되어 액정층 사이에서 입사 직선 편광이 선회되지 않게 되고 다른 방향의 편광판으로부터 사출되는 광량이 감소하여 표시는 점차적으로 검게 되어간다. 이와 같이 전압 무인가시에는 백색을 표시하고 전압 인가에 따라서 검게 되는 방식은 노멀리 화이트 모드(normally white mode)라 불려지고 TN 셀의 주류로 되어 있다.
도 1 및 도 2에 종래의 액정 표시 장치의 단위 화소 부분의 구조를 도시한다. 도 1은 평면도, 도 2는 그 g-g선에 따른 단면도이다. 기판(100) 상에 Cr, Ta, Mo 등의 금속으로 이루어지는 게이트 전극(101)이 형성되고, 이것을 덮어서 SiNx 혹은/및 SiO2등으로 이루어지는 게이트 절연막(102)이 형성된다. 게이트 절연막(102) 위에는 p-Si 막(103)이 형성된다. p-Si막(103)은 이 위에 게이트 전극(101)의 형상으로 패턴닝된 SiO2등의 주입 스토퍼(104)를 이용해서 P, As등의 불순물을 저농도로 함유한 (N-) 저농도(LD:Lightly doped) 영역(LD) 및 그 외측에 동일한 불순물을 고농도로 함유한 (N+) 소스 및 드레인 영역(S, D)을 형성한다. 주입 스토퍼(104)의 바로 밑은 실질적으로 불순물이 함유되지 않은 진성층으로서 채널 영역(CH)으로 된다. 이러한 p-Si(13)를 덮고 SiNx등으로 이루어지는 층간 절연막(105)이 생성되고 층간 절연막(105) 위에는 Al, Mo등으로 이루어지는 소스 전압(106) 및 드레인 전압(107)이 형성되고 각각의 층간 절연막(105)에 열려진 접촉 홀을 통해서 소스 영역(S) 및 드레인 영역(D)에 접속된다. 이 TFT를 덮는 전면에는 SOG(SPIN ON GLASS), BPSG(BORO - PHOSPHO SLICATE GLASS), 아크릴 수지등의 평탄화 절연막(108)이 형성된다. 평탄화 절연막(108) 위에는 ITO(indum tin oxide)등의 투명 도전막으로 이루어지는 액정 구동용 표시 전극(109)이 형성되고 평탄화 절연막(108)의 열려진 접촉 홀을 통해서 소스 전극(106)에 접속된다.
이러한 것들을 전부 덮는 전면에는 폴리이미드등의 고분자막으로 이루어지는 배향막(120)이 형성되고 소정의 러빙(rubbing) 처리에 의해 액정의 초기 배향을 제어하고 있다. 한편 액정층을 사이에 두고 기판(100)에 대향하는 위치에 설치된 다른 유리 기판(130)위에는, ITO에 의해 전면에 형성된 공통 전극(131)이 설치되고, 공통 전극(131) 위에는 폴리이미드등의 배향막(133)이 형성되고 러빙 처리가 수행된다.
여기서는 액정(140)으로는 음의 유전율 이방성을 가진 네마틱 상을, 배향막(120,133)으로는 수직 배향막을 이용한 DAP(deformation of vertically aligned phase)형을 도시했다. DAP형은 전압 제어 복굴절(ECB:electrically controlled birefringence) 방식 중 하나이고 액정 분자 장축과 단축과의 굴절율의 차, 즉 복굴절을 이용해서 투과율을 제어하는 것이다. DAP형에서 전압 인가시에는 직교 배향된 편광판의 한 쪽을 투과한 입사 직선 편광을 액정층에서 복굴절에 의해 타원 편광으로 하고, 액정층의 전계 강도에 따라서 리타데이션(retardation)량, 즉 액정중의 정상광 성분과 이상광 성분의 위상 속도의 차이를 제어함으로써 다른 한 쪽의 편광판으로부터 원하는 투과율로 사출시킨다. 이 경우 전압 무인가 상태로부터 인가 전압을 상승시키는 것에 의해 표시는 흑으로부터 백으로 변화해가는 것이기 때문에 노멀리 블랙 모드(normally black mode)로 된다.
이와 같이 액정 표시 장치에는 소정의 전극이 형성된 한 쌍의 기판사이에 봉입된 액정에 원하는 전압을 인가함으로써 액정층 사이에서의 광의 선회 혹은 복굴절을 제어하는 것을 통해 목적의 투과율 혹은 색상을 얻어서 화상을 표시한다. 즉 액정의 배향을 변화시켜 리타데이션량을 제어함으로써 TN 방식에 있어서는 투과광 강도를 조정할 수 있고, ECB 방식에 있어서는 파장에 의존한 분광 강도를 제어해서색상의 분리도 가능하게 된다. 리타데이션량은 액정 분자의 장축과 전계 방향과의 성립 각도에 의존하고 있다. 이 때문에, 전계 강도를 조절함으로써 전계와 액정 분자 장축과의 성립 각도가 일차적으로 제어되더라도, 관찰자가 느끼는 각도 즉 시각에 의존해서 상대적으로 리타데이션량이 변화하고 시각이 변화하면, 투과광 강도 혹은 색상도 변화됨으로써 소위 시각 의존성의 문제가 발생했다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위한 것으로서 이하와 같은 특징을 구비한다.
본 발명은, 액정 표시 장치에 있어서, 복수의 표시 전극(pixel electrode)과 공통 전극(common electrode)과의 사이에 수직 배향 액정층이 배치되고 전계에 의해 상기 액정층의 배향을 제어하는 수직 배향 방식의 액정 표시 장치로서, 상기 복수의 표시 전극의 각각과 상기 공통 전극과의 갭(gap) d과, 상기 복수의 표시 전극간의 이격 거리 Wp와의 관계가, Wp≥d/2를 만족하는 것을 특징으로 한다.
또 본 발명의 다른 측면은 액정 표시 장치에 있어서, 복수의 표시 전극(pixel electrode)과 공통 전극(common electrode)과의 사이에 수직 배향 액정층이 배치되고, 전계에 의해 상기 액정층의 배향을 제어하는 수직 배향 방식의 액정 표시 장치로서, 상기 복수의 표시 전극의 각각과 상기 공통 전극과의 갭 d과, 상기 배향 제어창의 폭 Ws과의 관계가 Ws≥d/2를 만족하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 측면에 있어서는, 액정 표시 장치에 있어서, 복수의 표시 전극(pixel electrode)과 공통 전극(common electrode)과의 사이에 수직 배향 액정층이 배치되고 전계에 의해 상기 액정층의 배향을 제어하는 수직 배향 방식의 액정 표시 장치로서, 상기 복수의 표시 전극의 각각과 상기 공통 전극과의 갭 d과, 상기 복수의 표시 전극간의 이격 거리 Wp와, 상기 배향 제어창의 폭 Ws과의 관계가, Wp≥d/2 및/혹은 Ws ≥2/d를 만족하는 것을 특징으로 한다.
이것에 의하면, 시각 특성을 향상시킴과 동시에 배향 이상을 방지해서 디스클리네이션 라인(disclination line)의 출현 개소가 각 화소에서 균일화되어 소위 화상 비정상 상태를 방지할 수 있다.
이상의 설명으로부터 명확하게 된 것처럼 표시 전극간의 거리를 Wp, 표시 전극 및 대향 전극간의 거리를 d, 배향 제어창의 폭을 Ws로 한 경우, Wp≥d/2 및/또는 Ws≥d/2를 만족시키도록 표시 전극간의 거리 및/또는 배향 표시창의 폭을 선택함으로써 배향 이상을 방지해서 소위 화상의 비정상 상태를 방지할 수 있다.
또 본 발명에서는 상기 공통 전극은 상기 복수의 표시 전극의 각각에 대응하는 영역에 배향 제어창을 구비하고, 상기 복수의 표시 전극의 각각은 그 종횡비가 적어도 2 이상인 형상으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 배향 제어창은 상기 표시 전극의 중앙부에 대응하는 위치에는 그 표시 전극의 길이 방향으로 연장한 슬릿(slit)이, 그 표시 전극의 상기 길이 방향의 양 끝부분에는 그 표시 전극의 코너 대응 위치를 향해서 각각 2 갈래로 분기하는 형상을 구비하는 것을 특징으로 한다.
표시 전극의 형상을 상기한 것처럼 함으로써 액정 분자의 배향 방향이 동일하게 되는 영역을 보다 넓게 할 수 있고, 배향 제어창과 표시 전극과의 효과에 의해 표시 전극의 끝부분의 영향을 줄일 수 있고, 표시 장치의 시각 특성 및 투과율을 한 단계 향상할 수 있고, 또 평균 응답 시간을 단축하는 것이 가능하게 된다.
도 1은 종래의 액정 표시 장치의 단위 화소부의 평면도.
도 2는 도 1의 g-g 선에 따른 단면도.
도 3은 본 발명의 실시 형태에 따른 액정 표시 장치의 단위 화소부의 평면도.
도 4는 도 3의 a-a 선에 따른 단면도.
도 5는 표시 전극 간격 Wp, 셀 갭 d 및 슬릿폭 Ws을 도시하기 위한 설명도.
도 6a 및 도 6b는 이상시에 있어서 액정 분자의 경사 방향 및 정상시에 있어서 액정 분자의 경사 방향을 나타내는 설명도.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 액정 표시 장치의 종횡비와 투과율 및 평균 응답 시간과의 관계를 도시하는 그래프.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
11 : 게이트 전극
13 : p-Si
16 : 소스 전극
17 : 드레인 전극
19 : 표시 전극
50 : 배향 제어창
도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 실시예에 관한 액정 표시 장치의 단위 화소 구조를 도시한다. 도 3은 평면도, 도 4는 도 3의 a-a 선에 따른 단면도이다. 기판(10)상에 Cr, Ta, Mo등의 금속으로 이루어지는 게이트 전극(11)이 형성되고 이것을 덮어서 SiNx 혹은/ 및 SiO2등으로 이루어지는 게이트 절연막(12)이 형성된다. 게이트 절연막(12) 위에는 p-Si(13)이 형성된다. p-Si(13)은 이 위에 게이트 전극(11)의 형상대로 패턴닝된 SiO2등의 주입 스토퍼(14)를 이용해서 납, 비소 등의 불순물을 저농도로 함유한 (N-) 저농도(LD:Lightly doped)영역(LD) 및 그 외측에 동일한 불순물을 고농도로 함유한 (N+) 소스 및 드레인 영역(S,D)을 형성한다. 주입 스토퍼(14)의 바로 밑은 실질적으로 불순물이 함유되지 않은 진성층으로서 채널 영역(CH)으로 되어 있다. 이러한 p-Si(13)를 덮어서 SiNx등으로 이루어지는 층간 절연막(15)이 형성되고, 층간 절연막(15) 위에는 Al, Mo등으로 이루어지는 소스 전극(16) 및 드레인 전극(17)이 형성되고, 각각 층간 절연막(15)에 열린 접촉 홀을 통해서 소스 영역(S) 및 드레인 영역(D)에 접속된다. 이 TFT를 덮는 전면에는 SOG(SPIN ON GLASS), BPSG(BORO-PHOSPHO SLICATE GLASS), 아크릴 수지 등의 평탄화 절연막(18)이 형성된다. 평탄화 절연막(18) 위에는 ITO(indum tin oxide)등의 투명 도전막으로 이루어지는 액정 구동용 표시 전극(19)이 형성되고 평탄화절연막(18)에 열린 접촉 홀을 통해서 소스 전극(16)에 접속된다.
이러한 전체를 덮는 전면에는 폴리이미드등의 고분자막으로 이루어지는 배향막(20)이 형성된다. 한편 액정층을 사이에 두고 기판(10)에 대향하는 위치에 설치된 다른 유리 기판(30) 위에는 ITO에 의해 전면에 형성된 공통 전극(31)이 설치되고, 공통전극(31) 위에는 폴리이미드 등의 배향막(33)이 형성된다. 본 발명에서는 배향막(20), (33) 및 액정(40)을 액정 분자(41)가 수직이 되는 것이 선정된다.
또한, 표시 전극(19)과 대향하는 위치의 공통전극(31)쪽에는 Y자 형상의 슬릿을 상하 대칭으로 연결한 것 같은 형상의 배향 제어창(50)이 형성된다. 이 창(50)은 표시 전극(19)의 중앙부 대응영역에서는 전극(19)의 길이 방향에 따라서 직선으로 연장하는 슬릿이, 전극(19)의 길이 방향의 양 끝부분의 대응 영역에서는 그 표시 전극(19)의 코너 대응 영역을 향해서 각각 2 갈래로 분기되어 있다. 이 배향 제어창(50)의 바로 밑의 액정 분자(41)에는 경사지게 할 정도의 전계가 걸리지 않기 때문에 수직으로 배향하지만 그 주변에는 도 4에 점선으로 도시한 것처럼 전계가 발생하고 액정 분자(41)는 그 장축이 전계에 직각인 방향으로 배향 제어된다. 또 표시 전극(19)의 끝부분에 있어서도 동일하게 액정 분자(41)는 그 장축이 전계에 직각인 방향으로 배향 제어되고 이러한 액정 분자의 경사가 액정의 연속성에 의해 내부의 액정에까지 전달된다. 따라서 액정 분자(41)의 제어된 배향 방향은 도 3의 화살표로 표시한 것처럼 끝부분 근방에서는 동일 방향으로는 되지 않고 표시 전극(19)의 중앙 부분에서는 거의 동일 방향으로 되는 것에 의해 시야 특성 및 투과율이 향상된다.
그런데, 이러한 수직 배향 방식의 액정 분자(41)의 배향을 안정시키기 위해서는 도 5에 도시한 서로 인접한 표시 전극(19)간의 간격인 표시 전극 간격 Wp, 표시 전극(19) 및 공통 전극(31)간의 거리인 셀 갭 d, 및 공통 전극(31)의 배향 제어창(50)의 폭인 슬릿폭 Ws을 각각 적절한 값으로 해야만 한다.
도 6a는 액정 분자(41)의 배향의 이상 개소가 발생하는 예를 도시한 도, 도 6b는 액정 분자(41)의 배향이 정상인 예를 도시한 도면이다. 도 6a에 도시된 것처럼, 상기 표시 전극 간격 Wp, 셀 갭 d 및 슬릿폭 Ws가 적절하게 선정되어 있지 않으면 도시한 것과 같은 위치에 배향 이상을 표시하는 디스클리네이션 라인 D이 발생한다. 본래 액정 분자의 경사 방향은 도 6b에서 실선의 화살표로 표시된 것처럼 배향 제어창(50)을 경계로해서 우측의 영역에서는 도면 가운데를 향하여 좌방향으로, 또 좌측의 영역에서는 우측 방향으로 통일되어야만 한다. 이것에 대해서 도 6a에서는 배향 제어창(50)의 좌측 영역 및 우측 영역에서 서로 향하는 방향으로 액정 분자가 경사져있고, 그 경계마다에 디스클리네이션 라인 D이 나타나고, 이것은 표시 상호막 형상이 된다. 게다가 이 디스클리네이션 라인 D은 그 출현 위치가 화소마다 다르고, 불균일하게 나타난다. 따라서 이것이 화상의 비정상 상태, 예를 들면 표시 화상이 검은 화면이 되면 그 검은 부분에 백색 모래를 흐트린것 같이 보이는 현상이 나타나버린다.
그래서 본 출원인은 이하에 도시한 실험 결과에 기초해서 수학식 1로 표시되는 조건을 도출했다.
슬릿~폭~Ws≥~셀~갭~d/2
실험 결과는 다음과 같다. 보통 ×는 불안정, ○은 안정을 표시한다.
실험결과
d = 3㎛(표시 전극간 이격 거리 Wp=3㎛)인 경우
Ws[㎛] 1 1.5 2 3 4
배향 안정성 × ○ ○ ○ ○
d = 4㎛(Wp=4㎛)인 경우
Ws[㎛] 1.5 2 3 4 5
배향 안정성 × ○ ○ ○ ○
d = 5㎛(Wp=5㎛)인 경우
Ws[㎛] 2 3 4 5
배향 안정성 × ○ ○ ○
d = 6㎛(Wp=6㎛)인 경우
Ws[㎛] 2 3 4 5
배향 안정성 ○ ○ ○ ○
d = 8㎛(Wp=8㎛)인 경우
Ws[㎛] 2 3 4 5
배향 안정성 × × ○ ○
이것에 의하면, 상기 수학식 1에 도시된 조건을 만족한 경우, 상기한 것과 같은 배향 불량의 발생을 방지할 수 있다.
또 본 출원인은 Ws≥d/2로 하고, Wp와 d의 관계를 상기 표와 동일하게 구한 결과 수학식 2에 표시된 조건을 도출했다.
표시~전극~간격~W p≥셀~갭~d/2
d = 3㎛( Ws=3㎛)인 경우
Wp[㎛] 1 1.5 2 3 4
배향 안정성 × ○ ○ ○ ○
d = 4㎛(Ws=4㎛)인 경우
Wp[㎛] 1.5 2 3 4 5
배향 안정성 × ○ ○ ○ ○
d = 5㎛(Ws=5㎛)인 경우
Wp[㎛] 2 3 4 5
배향 안정성 ○ ○ ○ ○
d = 6㎛(Ws=6㎛)인 경우
Wp[㎛] 2 3 4 5
배향 안정성 ○ ○ ○ ○
d = 8㎛(Ws=8㎛)인 경우
Wp[㎛] 2 3 4 5
배향 안정성 × × ○ ○
이것에 의하면 상기 수학식 2에 표시된 조건을 만족한 경우, 상술한 것과 같은 배향 불량의 발생을 방지할 수 있다.
또 본 실시 형태에서는 표시 전극(19)의 형상으로 그 종과 횡의 비 V/H를 2 이상으로 설정하고 있다. 이와 같이 설정하면 액정 분자의 배향 방향이 동일하게 되는 영역을 넓게 하는 것이 가능하게 되고, 동일하게 되지 않는 영역이 전체에서 점유하는 비율을 작게 할 수 있다. 이 때문에 시야 특성과 투과율 그리고 응답 속도가 향상한다.
도 7a 및 7b는 본 출원인이 실험에 의해 구한 표시 전극(19)의 종횡비와 투과율과의 관계를 도시하는 그래프 및 표시 전극(19)의 종횡비와 평균 응답 시간((τon+τoff)/2)과의 관계를 도시한 그래프이다. 도 7a의 그래프를 보면 알 수 있듯이 종횡비가 "2"까지는 투과율이 낮지만 2 이상에서는 양호한 값이 얻어지고 이하 동일한 값으로 안정하고 있다. 또 도 7b의 그래프를 보면 알 수 있듯이 종횡비가 "2"까지는 평균 응답 시간은 느리지만 2 이상에서는 극히 빠르게 되고 이후 거의 동일한 값으로 안정되어 있다. 결국 표시 전극(19)의 각 종횡비를 "2"이상으로 하면 투과율이 높게 되고 또 평균 응답 시간이 단축된다.
이상의 설명으로부터 명확하게 된 것처럼, 표시 전극간의 거리를 Wp, 표시 전극 및 대향 전극간의 거리를 d, 배향 제어창의 폭을 Ws로 한 경우, Wp≥ d/2 및 Ws ≥ d/2를 만족시키도록, 표시 전극간의 거리 및/또는 배향 표시창의 폭을 선택하도록 함으로써 배향 이상을 방지하고 소위 화상의 비정상 상태를 방지할 수 있다.

Claims (9)

  1. 복수의 표시 전극(pixel electrode)과 공통 전극(common electrode) 사이에 수직 배향 액정층이 배치되고, 전계에 의해 상기 액정층의 배향을 제어하는 수직 배향 방식의 액정 표시 장치에 있어서,
    상기 복수의 표시 전극 각각과 상기 공통 전극과의 갭(gap) d와, 상기 복수의 표시 전극 사이의 이간 거리 Wp의 관계가,
    Wp ≥ d / 2 를 만족하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 공통 전극은 상기 복수의 표시 전극 각각에 대응하는 영역에 배향 제어창을 구비하고,
    상기 복수의 표시 전극 각각은 그 종횡비가 적어도 2 이상인 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 배향 제어창은 상기 표시 전극의 중앙부에 대응하는 위치에 있어서 상기 표시 전극의 길이 방향으로 확장한 슬릿이, 상기 표시 전극의 상기 길이 방향의 양단부에서 상기 표시 전극의 코너 대응 위치를 향하여 각각 2 갈래로 분기하는 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  4. 복수의 표시 전극과 공통 전극 사이에 수직 배향 액정층이 배치되고, 전계에의해 상기 액정층의 배향을 제어하는 수직 배향 방식의 액정 표시 장치에 있어서,
    상기 복수의 표시 전극 각각과 상기 공통 전극의 갭 d와, 상기 배향 제어창의 폭 Ws의 관계가
    Ws≥d/2를 만족하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 공통 전극은 상기 복수의 표시 전극 각각에 대응하는 영역에 배향 제어창을 구비하고,
    상기 복수의 표시 전극 각각은 그 종횡비가 적어도 2 이상인 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 배향 제어창은 상기 표시 전극의 중앙부에 대응하는 위치에 있어서 상기 표시 전극의 길이 방향으로 확장한 슬릿이, 상기 표시 전극의 상기 길이 방향의 양단부에서 상기 표시 전극의 코너 대응 위치를 향하여 각각 2 갈래로 분기하는 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  7. 복수의 표시 전극과 공통 전극 사이에 수직 배향 액정층이 배치되고, 전계에 의해 상기 액정층의 배향을 제어하는 수직 배향 방식의 액정 표시 장치에 있어서,
    상기 복수의 표시 전극 각각과 상기 공통 전극의 갭 d와, 상기 복수의 표시 전극 사이의 이간 거리 Wp와, 상기 배향 제어창의 폭 Ws의 관계가,
    Wp ≥ d / 2
    및/또는
    Ws ≥ d / 2
    를 만족하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 공통 전극은 상기 복수의 표시 전극 각각에 대응하는 영역에 배향 제어창을 구비하고,
    상기 복수의 표시 전극 각각은 그 종횡비가 적어도 2 이상인 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 배향 제어창은 상기 표시 전극의 중앙부에 대응하는 위치에 있어서 상기 표시 전극의 길이 방향으로 확장한 슬릿이, 상기 표시 전극의 상기 길이 방향의 양단부에서 상기 표시 전극의 코너 대응 위치를 향하여 각각 2 갈래로 분기하는 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
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