KR100345083B1 - 질화 알루미늄 소결체, 전자 기능 재료 및 정전 척 - Google Patents

질화 알루미늄 소결체, 전자 기능 재료 및 정전 척 Download PDF

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Abstract

본 발명은 종래보다 더 넓은 온도 범위에서 체적 저항률의 변화가 적은 신규한 질화 알루미늄 소결체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
질화 알루미늄 결정 입자를 함유하는 질화 알루미늄 소결체로서, 희토류 원소의 함유량(산화물로의 환산치)이 0.05중량% 이상, 0.5중량% 이하이고, 질화 알루미늄 결정 입자의 평균 입자 직경이 3μm 이하이며, 전자 스핀 공명법에 의한 스펙트럼으로부터 얻어진 알루미늄의 단위 mg당 스핀 수가 5×1012spin/mg 이하이다. 바람직하게는 질화 알루미늄 소결체의 100℃∼500℃까지의 체적 저항률이 1×1014∼1×107이고, 전자 스핀 공명법에 의한 스펙트럼의 알루미늄의 비대칭 전자의 g값이 2.0001 이상, 2.0009 이하이다.

Description

질화 알루미늄 소결체, 전자 기능 재료 및 정전 척{ALUMINUM NITRIDE SINTERED BODY, ELECTRONIC FUNCTIONAL MATERIAL, AND ELECTROSTATIC CHUCK}
본 발명은 체적 저항률의 온도 의존성이 비교적 작은 질화 알루미늄 소결체와, 이것을 이용한 전자 기능 재료 및 정전 척(electrostatic chuck)에 관한 것이다.
현재, 반도체 웨이퍼의 반송, 노광, CVD, 스퍼터링 등의 막형성 공정, 미세 가공, 세척, 에칭, 다이싱 등의 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼를 흡착하고, 유지하기 위해 정전 척이 사용되고 있다. 이러한 정전 척의 기판으로서, 조밀질 세라믹스가 주목되고 있다. 특히 반도체 제조 장치에 있어서는 에칭 가스나 클리닝 가스로서, C1F3등의 할로겐계 부식성 가스를 주로 사용한다. 조밀한 질화 알루미늄은 상술한 바와 같이 할로겐계 부식성 가스에 대하여 높은 내식성을 갖추고 있다. 또한,질화 알루미늄은 고열 전도성 재료로서 알려져 있고, 또한 내열 충격성도 높은 것으로 알려져 있다. 따라서, 반도체 제조 장치용 정전 척의 기체()를 질화 알루미늄 소결체에 의해 형성하는 것이 적합하다고 생각된다.
일반적으로, 질화 알루미늄을 정전 척의 기재(基材)로서 사용한 경우, 동작 온도에 있어서의 체적 고유 저항률은 108∼1013Ω·cm의 범위 내에 있는 것이 바람직하다. 그러나, 질화 알루미늄의 체적 고유 저항률은 실온에서 600℃까지로, 예컨대 1016Ω·cm부터 107Ω·cm 이하까지 현저히 저하하기 때문에 이러한 넓은 온도 범위에서는 정전 척으로서의 안정된 동작이 불가능하였다. 이 때문에 사용 온도는 예컨대 200℃∼400℃의 범위 내로 제한되어 있었다.
본 발명의 과제는 질화 알루미늄 소결체에 있어서, 종래보다 더 넓은 온도 범위에서 체적 저항률의 변화가 적은 신규의 재료를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 과제는 전술한 바와 같은 체적 저항률의 온도 의존성이 작은 질화 알루미늄 소결체로서, 금속 불순물의 함유량이 적고, 반도체 오염을 발생시키지 않는 조성을 갖는 질화 알루미늄 소결체를 제공하는 것이다.
도 1은 실시예 4의 소결체에 대하여, 캐소드 발광 스펙트럼을 측정한 결과를 나타낸 그래프.
본 발명은 질화 알루미늄 결정 입자를 함유하는 질화 알루미늄 소결체로서, 희토류 원소의 함유량(산화물로의 환산치)이 0.05중량% 이상, 0.5중량% 이하이고, 질화 알루미늄 결정 입자의 평균 입자 직경이 3μm 이하이며, 전자 스핀 공명법에의한 스펙트럼으로부터 얻어진 알루미늄의 단위 mg당 스핀 수가 5×1012spin/mg 이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명자는 희토류 원소의 함유량(산화물로의 환산치)이 0.05중량% 이상, 0.5중량% 이하가 되는 특정한 조성의 원료를 사용하고, 이것을 핫프레스법 등의 가압법에 의해 충분히 소결이 진행되어 상대 밀도가 커지는 한편, 가능한 낮은 온도 영역에서 소결시키는 것을 시도하여 이것에 의해 소결체에 어떠한 변화가 나타나는지를 확인하였다. 그 결과, 특히 질화 알루미늄 결정 입자의 평균 입자 직경이 3μm 이하가 되도록, 또한 전자 스핀 공명법에 의한 스펙트럼으로부터 얻어진 알루미늄의 단위 mg당 스핀 수가 5×1012spin/mg 이하가 되도록 제어함으로써, 질화 알루미늄 소결체의 체적 저항률의 온도 변화가 현저히 감소하고, 특히 100℃∼500℃의 온도 범위 등에 있어서 체적 저항률의 변화가 종래보다도 현저하게 감소한 소결체를 얻는 데 성공하였다.
이러한 질화 알루미늄 소결체는 핫프레스 소결법에 의해 제조할 수 있고, 또한 희토류 원소 이외의 금속 불순물량을 극히 소량으로 제어한 경우도 핫프레스법에 의해 제조될 수 있기 때문에, 반도체 오염도 현저히 억제할 수 있는 것이었다.
이러한 현저한 작용 효과를 얻을 수 있는 이유는 명확하지 않다. 기본적인 사고 방식으로서, 질화 알루미늄 소결체의 저항은 질화 알루미늄 결정 입자의 저항과 입계(grain boundary)의 저항을 직렬 및 병렬로 접속하고 있는 회로의 저항값으로서 산출된다. 본 발명자는 고순도의 질화 알루미늄 입자를 사용하고, 이것에 소량의 희토류 원소 화합물을 첨가하여, 핫프레스법 등의 높은 압력을 적용하는 방법에 의해 소결체의 조밀화를 촉진하였다.
이 때, 희토류 원소 화합물의 배합량이 0.5중량% 보다도 크면, 원료 입자 중에 존재하는 산소가 소성의 과정에서 입자의 외부로 향하여 확산한다. 이것에 대하여 본 발명에서는 희토류 원소 화합물의 배합량을 소량으로 조정하고, 또한 소결시에 고압을 가함으로써, 질화 알루미늄 결정 입자중에 산소가 고용(固溶)한 상태로 잔류한다. 이 결정 입자중의 산소는 A1N의 질소 원자를 치환하고, 밴드 갭내에 불순물 준위를 형성하고, 입자내의 전자 전도성의 향상을 가져온다. 즉, 본 발명에 있어서는 희토류 원소 화합물의 배합량을 조정하고, 소결시의 압력을 크게 함으로써, 가압 소결후의 입자내에 잔류하는 산소의 양을 제어하여, 산소를 각 결정 입자의 내부 저항을 감소시키기 위한 도너로서 잔류시키고 있다.
이러한 관점에서, 희토류 원소의 함유량을 0.4중량% 이하로 하는 것이 더욱 더 바람직하다. 또한, 소결체내의 희토류 원소의 함유량은 균질의 소결체를 얻기 위해서 0.05중량% 이상으로 한다.
질화 알루미늄 결정 입자의 평균 입자 직경의 하한은 특별히 없지만, 일반적으로는 1.0μm 이상으로 하는 것이 바람직하다. 이 평균 입자 직경은 2.2∼2.9μm로 하는 것이 바람직하다.
희토류 원소로서는, 특히 란탄, 프라세오디뮴, 네오디뮴, 가돌리늄, 이테르븀이 바람직하고, 이트륨이 더욱 바람직하다.
본 발명의 질화 알루미늄 소결체를 얻기 위해서는 핫프레스법, 핫아이소스태틱 프레스법(hot isostatic pressing:열간 정수압 소결법)과 같은 가압 소결법을 채용할 필요가 있고, 이것에 의해 소결 조제의 필요성 없이 질화 알루미늄 소결체를 조밀화시킬 수 있다.
이것과 동시에 질화 알루미늄 결정 입자의 평균 입자 직경이 3μm 이하가 되는 레벨로 입자의 성장을 정지시킴으로써 본 발명의 질화 알루미늄 소결체를 얻을 수 있다.
본 발명자는 본 발명의 질화 알루미늄 소결체에 대해서, 결정상 내부나 입계의 결함 구조의 구성을 알기 위해서, 각 시료에 대해서 전자 스핀 공명법(Electron spin resonance:ESR법)에 의한 스펙트럼을 취하였다. 이 원리를 간단히 설명한다. 비대칭 전자는 자장하에서는 제만 효과(Zeeman Effect)에 의해 에너지 준위가 분열한다. 이 에너지 준위에는 전자의 궤도 운동, 부근 원자의 핵 자기 능률과의 상호 작용이 민감히 반응한다. ESR법에서는 분열한 에너지 준위를 측정함으로써, 비대칭 전자를 갖는 원자의 부근 원자 및 화학 결합 등에 관한 정보를 알 수 있다.
전자 스핀 공명법에 의한 스펙트럼으로부터 얻어진 알루미늄의 단위 mg당 스핀 수는 5×1012spin/mg 이하일 필요가 있다. 이 스핀 수는 바람직하게는 1×1012spin/mg 이상이다.
또, 스핀 수의 측정 방법은 「강담사간」에서 출판된 오오야 히로아끼와 야마우치 쥰이 지은 「전자 스핀 공명」에 기재된 방법에 따랐다. 본 발명자는 스핀 수가 이미 알고 있는 TEMPOL(4-히드록시-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘-1-옥실) 용액을 사용하여 Mn2+/MgO의 1개의 아주 가는 선을 정량해 두고, 이것을 통해 스핀 수를 비교하여 피크의 면적비로부터 스핀 수를 산출하였다.
질화 알루미늄에 있어서는 알루미늄의 비대칭 전자의 g값이 비대칭 전자가 존재하고 있는 결정 영역에 의해 변화한다. g값은 이론적으로 자유 전자로서는 2.0000이고, 상대론적 보정으로 g=2.002316의 값을 취한다. 질화 알루미늄 결정상중의 A1 원자, N 원자는 4배위의 울츠 광형(wurtzite) 구조를 가지고 있고, 알루미늄 원자와 3개의 질소 원자에 의해 sp3혼성 궤도를 형성하고 있다. 각 시료의 g값으로부터, 격자 결함중의 비대칭 전자가 어떠한 결정 배위에 존재하고 있는지, 어떠한 원소가 비대칭 전자의 주변에 존재하고 있는지를 알 수 있다.
본 발명의 질화 알루미늄 소결체에 있어서는 g값이 2.0001 이상, 2.0009 이하인 것이 바람직하다. 본 발명자의 발견에 따르면, 소결시의 압력이 같은 경우에는 소성시의 최고 온도를 높게 할수록 g값이 저하하는 경향이 있고, 실온시의 체적 저항률이 저하하는 경향이 있었다. 그러나, 가능한 한 넓은 온도 범위, 특히 100℃∼500℃의 넓은 온도 범위로 체적 저항률의 변화를 작게 하기 위해서는 g값을 상기 범위로 제한할 필요가 있다. 이러한 g값의 변화는 질화 알루미늄 결정 입자중에 잔류하는 산소 원자의 영향에 의한 것으로 생각된다.
본 발명의 소결체를 반도체 공정에 사용하기 위해서는 이 공정에서 불순물이라고 생각되는 알칼리 금속, 천이 금속을 복합체에 첨가하는 것은 바람직하지 못하다. 따라서, 본 발명에 있어서는 고순도의 원료를 사용하는 것이 바람직하고, 구체적으로는 희토류 원소를 제외한 금속 불순물량을 500ppm 이하로 하는 것이 바람직하다. 또, 희토류 원소를 제외한 금속 불순물량을 100ppm 이하로 하는 것이 더욱 더 바람직하며, 0ppm 내지 검출 한계 이하인 경우를 포함한다.
질화 알루미늄 소결체내의 모든 산소량과 희토류 원소를 산화물로 환산한 경우의 환산 산소량의 차는 1.0중량% 이하인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명자는 질화 알루미늄 소결체의 전기적 특성에 영향을 미치게 하는 밴드 갭내의 전자 상태를 평가하고, 본 발명의 소결체의 특징을 더욱 밝히기 위해서 캐소드 발광 스펙트럼을 측정하였다.
캐소드 발광은 일반적으로는 시료에 대하여 전자선을 조사했을 때의 시료로부터의 반사파의 일종이다. 여기 전자가 가전자대로부터 전도대로 여기되면, 가전자대에 정공이 생긴다. 가전자대와 정공 사이의 밴드 갭에 대응하는 발광이 생긴다. 이것과 함께, 결정내에 포함되는 결함이나 불순물의 작용에 의해서 전도대와는 별도로 국부 전자 준위가 발생하고 있는 경우에는 국부 전자 준위의 여기 전자와 가전자대의 정공의 재결합에 따라 발광이 생긴다. 따라서, 캐소드 발광의 스펙트럼으로부터는 에너지 밴드 구조, 결정성, 결정중에 포함되는 결함이나 불순물에 대해서 정보를 얻을 수 있다.
본 발명의 소결체에 대해서 캐소드 발광 스펙트럼을 측정한 결과, 예컨대 도 1에 도시한 바와 같이, 350∼370nm의 파장 영역에 강한 주요 피크를 가지고 있었다. 또한, 650∼750nm의 파장 영역에 이 주요 피크의 2배파라고 생각되는 약한 피크를 검출하였다.
또한, 본 발명자는 비교 대상으로서, 질화 알루미늄 분말에 5중량%의 이트륨 분말을 첨가하여 소성함으로써 얻어진 고밀도 소결체를 준비하여 이 소결체에 대해서 캐소드 발광을 측정하였다. 이 결과, 약 340nm, 500nm, 600nm에 각각 약한 피크가 관측되었다.
이러한 발광 파장의 차이는 발광종(밴드 갭내의 전자 준위)의 차이를 나타내고 있다. 또한, 발광 강도의 차이는 불순물에 의한 전자 농도의 차이를 나타내고 있다. 즉, 본 발명의 소결체의 경우에는 350∼370nm의 파장 영역에 매우 강하고 날카로운 피크가 관측되었지만, 이것은 매우 강한 새로운 전자 준위의 존재를 나타내고 있고, 특정한 불순물에 의한 전자 농도가 높은 것을 나타내고 있다.
본 발명의 소결체를 제조하는데 있어서, 희토류 원소는 원료 분말에 대하여 여러 가지 형태로 첨가할 수 있다. 예컨대, 질화 알루미늄 원료 분말속에 희토류 원소의 단체 또는 화합물의 분말을 첨가할 수 있다.
일반적으로는 희토류 원소의 산화물이 가장 입수하기 쉽다. 단, 희토류 원소의 산화물을 사용한 경우에는, 본 발명에 있어서 희토류의 첨가량이 미량이기 때문에 희토류 원소의 산화물의 분산이 불충분하면, 소결체의 전체에 희토류 원소가 골고루 퍼지는 것이 곤란하게 된다. 이 때문에, 소결체의 각 부분의 체적 저항률 등의 여러 가지 특성에 불균형이 생기는 원인이 된다.
이 때문에, 본 발명에 있어서는 희토류 원소의 질산염, 황산염, 알콕시드 (alkoxide) 등의 화합물을 이들 화합물이 가용성으로 적당한 용제에 용해시켜 용액을 얻어서 이 용액을 질화 알루미늄 원료 분말에 대하여 첨가할 수 있다. 이것에의해, 희토류 원소의 첨가량이 미량만이어도 희토류 원소가 소결체의 각 부분에 균일하게 분산된다. 또한, 각 입자의 표면에 매우 얇은 층으로서 희토류 원소가 분산되기 때문에 높은 저항인 희토류 원소 화합물이 편석(偏析)하기 어렵게 된다. 분산이 불충분한 경우, 국부적으로 희토류 함유 결정이 석출되는 경우가 있다.
건식 프레스 성형법을 사용하는 경우에는 원료 분말을 건조하는 방법으로서는 스프레이 드라이법을 제안할 수 있다. 이것은 미량 첨가물인 희토류 화합물의 순간 건조법으로서 특히 적합하다.
또한, 테이프 성형법을 사용할 수 있다. 이 경우에는 희토류 원소의 질산염, 황산염, 알콕시드 등의 화합물을 용해시켜서 얻은 용액을 통상의 테이프 성형 공정중에 첨가제로서 첨가하면 된다. 첨가량도 미량이기 때문에 성형성, 탈지성에는 영향을 미치지 않는다.
조합 공정에서는 용제중에 질화 알루미늄 원료 분말을 분산시켜서 이 속에 희토류 원소 화합물을 상기한 산화물 분말이나 용액의 형태로 첨가할 수 있다. 혼합을 행할 때에는 단순한 교반(攪拌)에 의해서도 가능하지만, 상기 원료 분말중의 응집물을 분쇄할 필요가 있을 경우에는 포트 밀(pot mill), 트로멜(tromel), 아트리션 밀(attrition mill) 등의 혼합 분쇄기를 사용할 수 있다. 첨가물로서 분쇄용 용매에 대하여 가용성인 것을 사용한 경우에는 혼합 분쇄 공정을 행하는 시간은 분말의 분쇄에 필요한 최소한의 단시간으로 충분하다. 또한, 폴리비닐알콜 등의 바인더 성분을 첨가할 수 있다.
이 분쇄용 용제를 건조하는 공정은 스프레이 드라이법이 바람직하다. 또한,진공 건조법을 실시한 후에 건조 분말을 체(sieve)에 통과시켜 그 입자 크기를 조정하는 것이 바람직하다.
분말을 성형하는 공정에서는 원반 형상의 성형체를 제조하는 경우, 금형 프레스법을 사용할 수 있다. 성형 압력은 100kgf/cm2이상으로 하는 것이 바람직하지만, 형태를 유지할 수 있으면 특별히 한정되지 않는다. 분말 상태로 핫프레스 다이스(die)속에 충전할 수도 있다.
성형체내에 바인더를 첨가한 경우에는 소성에 앞서 산화 분위기 속에서 200℃∼800℃의 온도로 탈지를 행할 수 있다.
희토류 원소를 함유하는 첨가제를 질산염, 황산염, 탄산염의 형태로 첨가한 경우에는 소성에 앞서 분말 상태의 원료 또는 분말의 성형체에 대해서 탈니트로기, 탈황, 탈탄산 처리할 수 있다. 이러한 탈가스 공정은 탈지 공정과 같이, 산화 분위기속에서 상기 원료 분말 또는 성형체를 가열함으로써 실시할 수 있지만, 이 때 발생하는 NOx 가스, SOx 가스 등에 의한 가마의 손상에 유의할 필요가 있다.
또한, 탈니트로기, 탈황, 탈탄산 처리 등의 탈가스 공정을 개별적으로 실시하지 않고, 소성 과정 사이에 탈가스를 행하게 할 수 있다.
이어서 성형체를 핫프레스법에 의해 소성한다. 핫프레스시의 압력은 50kgf/cm2이상일 필요가 있고, 100kgf/cm2이상이 바람직하다. 이 상한은 특별히 한정되지 않지만, 몰드(mold) 등의 가마 도구의 손상을 방지하기 위해서 실용상 1000kgf/cm2이하가 바람직하다.
압력을 상승시킬 때에는 최고 압력까지 한 번에 상승시킬 수도 있다. 그러나, 온도 상승에 따라서 단계적으로 압력을 상승시키는 것이 소결체의 치수 정밀도를 향상시키기 위해 바람직하다.
원반 형상의 성형체를 핫프레스법에 의해 소성할 때에는 이 성형체의 외경보다도 약간 큰 내경을 갖는 슬리브의 속에 성형체를 수용하는 것이 바람직하다.
온도 상승시에 탈가스가 필요한 경우에는 실온∼1600℃ 사이의 온도 범위에 있어서, 진공 가열을 행함으로써 기체의 발산을 촉진하는 것이 바람직하다.
또한, 소성시의 최고 온도까지 50℃/시간 이상, 1500℃/시간 이하의 온도 상승 속도로 온도를 상승시키는 것이 바람직하다. 최고 온도는 1650℃∼1850℃로 하는 것이 바람직하다.
핫프레스법에 있어서, 성형체 또는 원료 분말과 카본 지그(carbon jig)사이에 질화붕소를 이형제로서 도포하는 방법이 현재 제안되어 있다. 그러나, 본 발명에 있어서는 붕소가 소결체내에 혼입할 우려가 있기 때문에 이 이형제를 사용하지 않는 편이 좋다.
본 발명의 소결체내에 금속을 매설할 수 있고, 특히 불순물을 혐오하는 환경하에서 사용되는 전극 매설품으로서 특히 적합하게 사용할 수 있다. 이러한 용도로는 예컨대, 세라믹 정전 척, 세라믹 히터, 고주파 전극 장치를 예시할 수 있지만, 특히 정전 척에 대해서 아주 적합하게 사용할 수 있다.
본 발명의 소결체를 반도체 웨이퍼의 흡착용 정전 척으로 사용하면, 실온 부근에서 600℃, 더욱 바람직하게는 100℃ 부근에서 500℃의 온도 범위에서 정전 척으로서의 흡착 특성을 현저히 향상시킬 수 있고, 또한 전압 차단 직후에 전하가 충분한 속도로 피산하기 때문에, 웨이퍼를 탈착할 때의 응답성도 좋다.
질화 알루미늄기 복합체중에 매설되는 금속 부재는 면형의 금속 벌크재인 것이 바람직하다. 이 때, 금속 매설품이 정전 척인 경우에 금속 부재는 금속 벌크재로 이루어지는 면형의 전극이다.
금속 부재는 질화 알루미늄 분말과 동시에 소성하기 때문에, 고융점 금속으로 형성하는 것이 바람직하다. 이러한 고융점 금속으로서는 탄탈, 텅스텐, 몰리브덴, 백금, 레늄, 하프늄 및 이들 합금을 예시할 수 있다. 반도체 오염 방지의 관점에서, 탄탈, 텅스텐, 몰리브덴, 백금 및 이들 합금이 더욱 바람직하다.
본 발명을 정전 척에 적용한 경우에는 정전 척 전극에 대하여 고주파 전원을 접속하고, 이 전극에 대하여 직류 전압과 동시에 고주파 전압을 공급함으로써 이 전극을 플라스마 발생용 전극으로서도 사용할 수 있다.
또한, 본 발명의 소결체는 반도체 웨이퍼를 설치하기 위한 서셉터(susceptor), 더미웨이퍼(dummy wafer), 섀도우링(shadow ring), 고주파 플라스마를 발생시키기 위한 튜브, 고주파 플라스마를 발생시키기 위한 돔(dome), 고주파 투과창, 적외선 투과창, 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 리프트핀(lift pin), 샤워판(shower plate) 등의 각 반도체 제조용 장치의 기체로서 사용할 수 있다.
또한, 본 발명의 소결체를 적용되는 전자 기능 재료로는 유도 가열용 가열원(히터 재료)을 예시할 수 있다. 즉, 본 발명의 소결체는 고순도이고, 플라스마에 대한 내식성이 높기 때문에 플라스마 분위기속에서 사용하기 위한 유도 가열용 가열원으로서 이용할 수 있다.
이하, 더욱 구체적인 실험 결과에 대해서 기술한다.
표 1 내지 표 4에 나타낸 각 실시예, 비교예의 각 질화 알루미늄 소결체를 제조하였다. 원료 분말로서는 환원 질화법에 의해 얻어진 질화 알루미늄 분말을 사용하였다. 이트륨의 질산염을 이소프로필알콜에 용해시켜 첨가제 용액을 제조하고, 이 첨가제 용액을 질화 알루미늄 원료 분말에 대하여 포트 밀을 사용하여 혼합하였다. Y2O3로 환산한 산화이트륨의 혼합 비율을 표 1 및 표 3에 나타낸다.
이 원료 분말을 200kgf/cm2의 압력으로 1축 가압 성형함으로써 직경 200mm의 원반형 성형체를 제작하였다. 이 원반형 성형체를 핫프레스형속에 수용하여 밀봉하였다. 온도 상승 속도 300℃/시간으로 온도를 상승시키고, 이 때 실온∼1000℃의 온도 범위에서 감압을 행하여 1000℃에 도달한 후, 질소 가스를 2.5kgf/cm2로 도입하는 동시에 압력을 200kgf/cm2로 단계적으로 상승시켰다. 소성시의 최고 온도를 표 1 및 표 3에 나타낸 바와 같이 변경하고, 각 유지 시간 동안 각 최고 온도로 유지한 후, 300℃/시간의 냉각 속도로 1000℃까지 냉각한 후, 노를 냉각하였다.
이렇게 해서 얻어진 각 소결체에 대해서, 이트륨의 함유량(Y 함유량), 모든 산소량(O 함유량) 및 모든 산소량과 Y2O3로 환산한 산소량과의 차를 표 2, 표 4에 나타낸다.
다음에, 각 예의 복합체에 대해서 하기의 측정을 행하였다.
(평균 입자 직경)
전자현미경 사진을 촬영하여 관찰된 입자의 장축 길이의 평균치를 산출하여 구하였다(표 1, 표 3).
(ESR 스핀 수(spin/mg))
ESR의 공명 조건식으로부터, 전술한 바와 같이 하여 산출하였다(표 1, 표 3).
(g값)
상기한 바와 같이 하여 측정하였다.
(100℃ 및 500℃에서의 각 체적 저항률)
「JIS C 2141」에 기초한 절연물의 체적 저항률 측정법으로 측정하였다.
각 표에는 약기법을 사용하여 표시하였다. 예컨대, 「3.6E+13」은 「3.6×1013」을 나타낸다. 직경 ψ100mm, 두께 0.8mm의 반원 형상의 시료를 준비하여 3.14cm2의 면적으로 은페이스트(sliver paste)를 도포하고, 인가 전계 강도 500V/mm로 측정하였다.
(캐소드 발광의 주요 피크)
전술한 바와 같이 캐소드 발광을 측정하여 그 주요 피크의 위치를 나타내었다.(표 2, 표 4 참조).
(명도 및 색채)
명도는 JIS Z8721에 규정하는 방법으로 측정하였다. 색채는 육안으로 관찰하는 것에 의한다(표 2, 표 4 참조).
Y2O3첨가량(중량%) 소성시의 최고온도(℃) 최고 온도보존·유지 시간(시간) 평균입자직경(㎛) 스핀수(spin/mg) g 값 체적 저항률(Ω·m)
100℃ 500℃
실시예 1 0.06 1750 4 2.2 1.8E+12 2.0006 3.6E+13 2.1E+8
실시예 2 0.1 1700 4 2.1 1.0E+12 2.0006 6.0E+13 2.5E+8
실시예 3 0.1 1700 8 2.7 3.0E+12 2.0005 1.8E+13 1.1E+8
실시예 4 0.1 1750 4 2.4 2.2E+12 2.0005 2.1E+13 1.2E+8
실시예 5 0.1 1800 1 2.7 3.5E+12 2.0001 7.8E+12 2.7E+7
실시예 6 0.3 1700 4 2.3 2.0E+12 2.0005 2.4E+13 3.0E+8
실시예 7 0.3 1800 1 2.8 3.9E+12 2.0002 7.0E+12 2.1E+7
실시예 8 0.5 1700 4 2.6 4.2E+12 2.0005 1.0E+13 2.2E+8
실시예 9 0.5 1800 1 2.9 4.4E+12 2.0001 5.8E+12 2.3E+7
금속불순물량 (ppm) Y 함유량 (중량%) O 함유량 (중량%) O 함유량과Y2O3환산O 함유량과의차(중량%) 상대밀도 (%) 명도(색채) 캐소드 발광 주요 피크(㎚)
실시예 1 80 0.052 0.73 0.72 99.6 N4 흑 350-370
실시예 2 80 0.098 0.74 0.71 99.7 N4 흑 350-370
실시예 3 70 0.097 0.71 0.68 99.7 N4 흑 350-370
실시예 4 80 0.099 0.75 0.72 99.7 N4 흑 350-370
실시예 5 70 0.085 0.72 0.70 99.8 N4 흑 350-370
실시에 6 70 0.26 0.79 0.72 99.7 N4 흑 350-370
실시예 7 80 0.23 0.74 0.68 99.8 N4 흑 350-370
실시에 8 80 0.44 0.84 0.72 99.7 N4 흑 350-370
실시예 9 70 0.37 0.8 0.70 99.7 N4 흑 350-370
Y2O3첨가량(중량%) 소성시의 최고온도(℃) 최고 온도보존·유지 시간(시간) 평균입자직경(㎛) 스핀수(spin/mg) g 값 체적 저항률(Ω·m)
100℃ 500℃
비교예 1 0 1750 4 2.3 7.0E+11 2.0005 7.8E+14 1.0E+8
비교예 2 0 1800 4 2.6 9.2E+11 2.0001 1.5E+14 8.5E+6
비교예 3 0 1850 4 3.8 5.8E+12 1.9979 5.2E+11 2.1E+6
비교예 4 0 1900 4 6.3 5.9E+12 1.9975 1.6E+10 1.1E+6
비교예 5 0.1 1850 5 6.0 1.9E+13 1.9976 1.1E+9 1E+6미만
비교예 6 0.1 1900 5 7.0 2.0E+13 1.9977 5.5E+7 1E+6미만
비교예 7 0.3 1900 5 7.0 2.3E+13 1.9975 1.8E+8 1E+6미만
비교예 8 1 1850 4 6.8 1.0E+13 1.998 3.8E+10 2.5E+6
비교예 9 3 1850 4 8.5 1.2E+12 1.9992 4.8E+11 8.5E+6
비교예10 5 1950 5 10.0 6.0E+12 2.001 9.1E+10 1.5E+6
금속불순물량 (ppm) Y 함유량(중량%) O 함유량] (중량%) O 함유량과Y2O3환산O 함유량과의차(중량%) 상대밀도 (%) 명도(색채) 캐소드 발광 주요 피크(㎚)
비교예 1 80 0 0.73 0.73 99.0 N4 흑 350-370
비교예 2 70 0 0.72 0.72 99.2 N4 흑 350-370
비교예 3 70 0 0.72 0.72 99.5 N6 회색 350-370
비교예 4 70 0 0.7 0.70 99.7 갈색 350-370
비교예 5 80 0.063 0.64 0.62 99.7 갈색 350-370
비교에 6 80 0.061 0.65 0.63 99.7 갈색 350-370
비교예 7 80 0.19 0.68 0.63 99.7 갈색 350-370
비교에 8 70 0.79 1 0.79 99.0 N5.5회색 -
비교예 9 70 2.01 0.95 0.41 99.0 N6 회색 600
비교예10 90 0.11 0.25 0.22 98.5 갈색 600
표 3 및 표 4에서 명백하듯이, 비교예 1, 2의 경우에는, 산화이트륨을 함유하지 않고, 평균 입자 직경은 3㎛으로서, 스핀 수도 1012이하이었다. 이 때문에 100℃에 있어서의 체적 저항률은 지나치게 높다. 비교예 3, 4에서는 비교예 1, 2에 비해서 소결 온도를 높게 하여, 평균 입자 직경을 3.8㎛ 이상으로 크게 입자 성장시키고 있다. 이 경우에는 스핀 수도 증대하고, 특히 고온에서의 체적 저항률이 현저하게 작아진다.
비교예 5, 6, 7에 있어서는, 어느 것 모두 입자의 평균 입자 직경이 크고,입자 성장이 상당히 진행하고 있으며, 또 스핀 수도 크게 되어 있다. 이들 재질은 100℃에서도 극히 낮은 체적 저항률을 나타내고 있는 특이한 재질이지만, 500℃ 이상의 고온 영역에서는 체적 저항률이 현저하게 저하하는 경향이 있다. 이들 예에서는 g값이 저하하고 있는 것도 주목된다.
비교예 8, 9, 10에 있어서 주로 입자 성장의 결과, 특히 고온 영역에 있어서, 체적 저항률의 저하가 보인다.
이것에 대하여, 표 1, 표 2의 결과에서 알 수 있듯이, 산화이트륨의 함유량, 평균 입자 직경 및 스핀 수가 본 발명의 조건을 만족하는 경우에는, 100℃∼500℃에서의 체적 저항률이 비교적 좁은 범위로 억제된다. 이러한 재질은 비교예 5 내지 비교예 7에 나타낸 바와 같은 재질계에 있어서, 소결의 진행에 의한 입자 성장이 충분히 진행되지 않은 사이에 소결을 정지시킨 단계의 소결체로서, 이 결과, 직선적인 체적 저항률이라고 하는 특이한 물성이 발견된 것이라고 생각된다.
또, 도 1은 실시예 4의 소결체에 대하여, 캐소드 발광 스펙트럼을 측정한 결과를 나타내는 그래프이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 종래보다 넓은 온도 범위에서 체적 저항률의 변화가 적은 신규한 질화 알루미늄 소결체를 제공하는 데 성공하였다.

Claims (10)

  1. 질화 알루미늄 결정 입자를 함유하는 질화 알루미늄 소결체에 있어서,
    희토류 원소의 함유량(산화물로의 환산치)은 0.05중량% 이상, 0.5중량% 이하이고,
    상기 질화 알루미늄 결정 입자의 평균 입자 직경은 3μm 이하이고,
    전자 스핀 공명법에 의한 스펙트럼으로부터 얻어진 알루미늄의 단위 mg당 스핀 수는 5×1012spin/mg 이하이며,
    희토류 원소를 제외한 금속 불순물량은 500ppm 이하인 것을 특징으로 하는 질화 알루미늄 소결체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 질화 알루미늄 소결체의 100℃∼500℃의 체적 저항률은 1×1014∼1×107Ω·cm인 것을 특징으로 하는 질화 알루미늄 소결체.
  3. 제2항에 있어서, 상기 질화 알루미늄 소결체의 100℃∼500℃까지의 체적 저항률은 5×1013∼1×108Ω·cm인 것을 특징으로 하는 질화 알루미늄 소결체.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 전자 스핀 공명법에 의한 스펙트럼의 알루미늄의 비대칭 전자의 g값은 2.0001 이상, 2.0009 이하인 것을 특징으로하는 질화 알루미늄 소결체.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 질화 알루미늄 소결체내의 모든 산소량과 희토류 원소를 산화물로 환산한 경우의 환산 산소량과의 차는 1.0중량% 이하인 것을 특징으로 하는 질화 알루미늄 소결체.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 캐소드 발광에 의한 스펙트럼에 있어서 350nm∼370nm의 파장 영역에 주요 피크를 갖는 것을 특징으로 하는 질화 알루미늄 소결체.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, JIS Z8721에 규정하는 명도가 N4 이하인 것을 특징으로 하는 질화 알루미늄 소결체.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항 기재의 질화 알루미늄 소결체로 이루어지는 기재를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 기능 재료.
  9. 반도체를 흡착하고 유지하기 위한 흡착면을 구비한 정전 척에 있어서,
    제1항 내지 제3항 중 어느 한 항 기재의 질화 알루미늄 소결체로 이루어지는 기체와,
    상기 기체 중에 매설된 면형의 전극과,
    상기 면형의 전극에 대하여 직류 전력을 공급하기 위한 전원을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  10. 질화 알루미늄 결정 입자를 함유하는 질화 알루미늄 소결체에 있어서,
    희토류 원소의 함유량(산화물로의 환산치)은 0.05중량% 이상, 0.5중량% 이하이고,
    상기 질화 알루미늄 결정 입자의 평균 입자 직경이 3μm 이하이고,
    전자 스핀 공명법에 의한 스펙트럼으로부터 얻어진 알루미늄의 단위 mg당 스핀 수가 5×1012spin/mg 이하이고,
    상기 질화 알루미늄 소결체의 100℃∼500℃까지의 체적 저항률은 5×1013∼1×108Ω·cm이고,
    전자 스핀 공명법에 의한 스펙트럼의 알루미늄의 비대칭 전자의 g값은 2.0001 이상 2.0009 이하이고,
    희토류 원소를 제외한 금속 불순물량은 500ppm 이하이고,
    상기 질화 알루미늄 소결체내의 모든 산소량과 희토류 원소를 산화물로 환산한 경우의 환산 산소량과의 차는 1.0중량% 이하이고,
    캐소드 발광에 의한 스펙트럼에 있어서 350nm∼370nm의 파장 영역에 주요 피크를 가지며,
    JIS Z8721에 규정하는 명도가 N4 이하인 것을 특징으로 하는 질화 알루미늄소결체.
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4013386B2 (ja) 1998-03-02 2007-11-28 住友電気工業株式会社 半導体製造用保持体およびその製造方法
CN1193961C (zh) 1999-09-06 2005-03-23 Ibiden股份有限公司 含碳的氮化铝烧结体,用于半导体制造/检测设备的基材
JP4447750B2 (ja) 1999-09-30 2010-04-07 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム焼結体および半導体製造用部材
US6891263B2 (en) 2000-02-07 2005-05-10 Ibiden Co., Ltd. Ceramic substrate for a semiconductor production/inspection device
EP1189274A1 (en) 2000-02-08 2002-03-20 Ibiden Co., Ltd. Ceramic board for semiconductor production and inspection devices
US6809299B2 (en) 2000-07-04 2004-10-26 Ibiden Co., Ltd. Hot plate for semiconductor manufacture and testing
TWI243158B (en) * 2000-12-21 2005-11-11 Ngk Insulators Ltd Aluminum nitride sintered bodies
JP4243943B2 (ja) * 2002-04-22 2009-03-25 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム材料および半導体製造用部材
US6982125B2 (en) * 2002-12-23 2006-01-03 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. ALN material and electrostatic chuck incorporating same
US7369393B2 (en) * 2004-04-15 2008-05-06 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Electrostatic chucks having barrier layer
JP4987238B2 (ja) * 2005-03-25 2012-07-25 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム焼結体、半導体製造用部材及び窒化アルミニウム焼結体の製造方法
US20090311162A1 (en) * 2006-08-07 2009-12-17 Tatsuo Esaki Aluminum nitride sintered body and manufacturing method thereof
JP5121268B2 (ja) * 2007-03-27 2013-01-16 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム焼結体及び半導体製造装置用部材
JP5042886B2 (ja) * 2008-03-06 2012-10-03 太平洋セメント株式会社 静電チャック
JP6338998B2 (ja) * 2014-10-23 2018-06-06 国立大学法人九州工業大学 蛍光素子
KR101965895B1 (ko) * 2018-11-08 2019-04-04 주식회사 케이에스엠컴포넌트 정전 척 및 그 제조 방법
KR102138983B1 (ko) * 2018-12-14 2020-07-28 한국세라믹기술원 중고온에서 높은 비저항을 갖는 정전척용 질화알루미늄 소결체의 제조방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970011434A (ko) * 1995-08-31 1997-03-27 배순훈 온수순환펌프의 샤프트 지지용 베어링 결합구조

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4672046A (en) * 1984-10-15 1987-06-09 Tdk Corporation Sintered aluminum nitride body
JPH01203270A (ja) * 1988-02-08 1989-08-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体及びその製造法
JP3404813B2 (ja) * 1992-09-04 2003-05-12 住友電気工業株式会社 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
US5413360A (en) * 1992-12-01 1995-05-09 Kyocera Corporation Electrostatic chuck
JP3152847B2 (ja) * 1994-09-30 2001-04-03 京セラ株式会社 静電チャック
JP3559123B2 (ja) * 1995-08-04 2004-08-25 日本碍子株式会社 窒化アルミニウムおよび半導体製造用装置
JP3670416B2 (ja) * 1995-11-01 2005-07-13 日本碍子株式会社 金属包含材および静電チャック
JP3457495B2 (ja) * 1996-03-29 2003-10-20 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム焼結体、金属埋設品、電子機能材料および静電チャック

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970011434A (ko) * 1995-08-31 1997-03-27 배순훈 온수순환펌프의 샤프트 지지용 베어링 결합구조

Also Published As

Publication number Publication date
EP0905106A3 (en) 1999-06-23
JP3433063B2 (ja) 2003-08-04
US5998321A (en) 1999-12-07
DE69801626D1 (de) 2001-10-18
EP0905106A2 (en) 1999-03-31
KR19990030057A (ko) 1999-04-26
JPH11100270A (ja) 1999-04-13
DE69801626T2 (de) 2002-06-27
EP0905106B1 (en) 2001-09-12
TW494093B (en) 2002-07-11

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