KR100342397B1 - 에스엠아이에프 장치의 웨이퍼 수량 산출장치 및 방법 - Google Patents

에스엠아이에프 장치의 웨이퍼 수량 산출장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 SMIF장치의 웨이퍼 수량 산출장치 및 방법에 관한 것으로, 제1제어신호를 수신받아 활성화되어 수직방향으로 이송되는 반도체 웨이퍼를 감지하여 제1감지신호를 발생하여 출력하는 제1웨이퍼 감지부와, 제2제어신호를 수신받아 활성화되어 수직방향으로 이송되는 반도체 웨이퍼를 감지하여 제2감지신호를 발생하여 출력하는 제2웨이퍼 감지부와, 제1제어신호와 제2제어신호를 발생하고 SMIF 메인제어기로부터 출력되는 SMIF 플레이트의 수직이동속도 감지신호를 수신받아 제1웨이퍼 감지부와 제2웨이퍼 감지부로 반도체 웨이퍼가 이동되는 시점에서 출력되는 제1감지신호와 제2감지신호를 수신받아 반도체 웨이퍼 수량을 산출하는 제어기로 구성하여, 단위공정 작업 진행시 정확하게 반도체 웨이퍼 수량만큼 공정을 진행하여 작업 생산성을 향상시키며 불량 및 유실된 반도체 웨이퍼의 공정진행으로 인한 공정장비의 기계적 구조의 손상을 방지하도록 함에 있다.

Description

에스엠아이에프 장치의 웨이퍼 수량 산출장치 및 방법{Wafer counting apparatus and method of SMIF}
본 발명은 SMIF장치의 웨이퍼 수량 산출장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 SMIF장치를 이용하여 반도체 웨이퍼가 장착된 카세트를 단위공정장비로 이송시 이송되는 카세트 내에 장착된 반도체 웨이퍼 수를 산출하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체소자를 제조하기 위해 많은 단위 공정이 있다. 단위공정으로는 사진, 식각, 확산, 박막 및 조립 등으로 세분화되어 있고, 각 단위공정마다 반도체 웨이퍼를 이송하기 위해 카세트가 사용된다. 카세트의 내부에는 25개의 슬롯(slot)이 형성되며 각 슬롯에 반도체 웨이퍼를 장착하는 경우 하나의 카세트 내부에 25매의 반도체 웨이퍼를 장착시켜 사용하게 된다. 카세트에 반도체 웨이퍼를 장착하여 각 단위공정별로 이송하는 경우 오염입자들이 반도체 웨이퍼 표면에 부착되는 경우가 발생된다.
반도체 웨이퍼의 이송 중에 발생될 수 있는 오염입자들의 부착을 방지하기 위해 파드(pod)가 사용되며, 파드는 SMIF(standard mechanical interface)장치에 장착되어 각 단위공정별 장비로 이송하게 된다. SMIF장치는 공정장비의 내부에 설치되거나 외부에 설치하여 사용하고 있다. 공정장비의 외부에 설치된 SMIF장치를 첨부된 도면을 이용하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래의 SMIF장치의 개략적인 구성을 나타낸 사시도이다. 도시된 바와같이, SMIF장치(10)에 카세트(2)가 보관된 파드(1)가 로딩(loading)된다. SMIF장치(10)는 SMIF 구동박스(11), 파드 안착부(12), 상측카바(13), 승강기(14), 파드 지지부(15) 및 SMIF 플레이트(16:도2에 도시됨)로 구성된다. SMIF 구동박스(11)는 승강기(14)를 수직방향으로 이동시키기 위한 모터 및 SMIF 메인제어기(도시 않음)가 내장된다. 모터 및 SMIF 메인제어기를 내장한 SMIF 구동박스(11)는 모터 및 SMIF 메인제어기를 통해 반도체 웨이퍼(W)가 장착된 카세트(2)를 보관하는 파드(1)를 도 1에 도시된 화살표 A방향으로 이동시켜 파드 안착부(12)의 저면에 안착시킨다.
상측카바(13)를 통과해 파드 안착부(12)에 파드(1)가 안착되면 파드(1)에 보관된 카세트(2)를 로버트 아암(도시 않음)에 의해 화살표 B 방향으로 이동시켜 단위공정장비(도시 않음)로 로딩시킨다. 단위공정장비로 로딩된 반도체 웨이퍼(W)의 공정이 완료되면 반도체 웨이퍼(W)는 카세트(2)에 장착되어 화살표 B 방향으로 이동하여 다시 파드(1) 내부에 보관된다. 파드(1)의 내부로 카세트(2)가 장착되면 파드(1)는 승강기(14)에 의해 화살표 A방향으로 수직 상승하여 언로딩(unloading)하게 된다.
전술한 바와 같이 SMIF장치를 이용해 각 단위공정장비로 로딩되는 반도체 웨이퍼 수량은 각 단위공정장비로 로딩전에 미리 산출된다. 예를 들어, 습식식각장비로 반도체 웨이퍼를 로딩하는 경우에 카세트에 장착된 반도체 웨이퍼 수량은 작업자에 의해 미리 작업진행 기록카드에 기록된다. 작업진행 기록카드에 미리 기록된 반도체 웨이퍼는 이송 중에 공정진행장비로 로딩하는 과정이나 언로딩하는 과정 또는 작업자에 의해 손상되는 경우가 있다.
반도체 웨이퍼가 손상되어 깨져 카세트에서 제거되면 웨이퍼의 수량이 감소하게 되며 이 상태로 반도체 웨이퍼가 이송되면 수량 감소에 불구하고 각 단위공정장비는 작업자가 이를 인지하여 정지시키기 않는 한 설정된 반도체 웨이퍼 수량 만큼 공정을 진행하게 된다. 이 경우에 불필요한 작업시간이 증가되며 공정장비의 기계적 구조가 손상되는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 SMIF장치를 이용하여 반도체 웨이퍼를 각 단위공정장비로 로딩하거나 언로딩하는 과정에서 카세트에 장착된 반도체 웨이퍼 수량을 산출할 수 있는 반도체 웨이퍼 산출장치 및 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 SMIF장치를 이용하여 반도체 웨이퍼를 각 단위공정장비로 로딩하거나 언로딩하는 과정에서 카세트에 장착된 반도체 웨이퍼 수량을 산출하여 각 단위공정장비로 로딩 및 언로딩되는 반도체 웨이퍼 수량을 작업자에게 인지시켜 반도체 웨이퍼의 유실로 인한 단위공정장비의 기계적 손상 및 작업 생산성의 저하를 방지함에 있다.
도 1은 종래의 SMIF장치의 개략적인 구성을 나타낸 사시도,
도 2는 본 발명에 의한 웨이퍼 수량 산출장치가 적용된 SMIF장치의 사시도,
도 3은 도 2에 도시된 웨이퍼 수량 산출장치의 블럭도,
도 4a 및 도 4b는 도 2에 도시된 SMIF 플레이트의 수직이동 상태를 나타낸 단면도,
도 5는 본 발명에 의한 SMIF장치 웨이퍼 수량 산출방법을 나타낸 흐름도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명>
1: 카세트 2: 파드
11: MIF 구동박스 12: 파드 안착부
13: 상측카바 14: 승강기
15: 파드 지지부 16: SMIF 플레이트
22: 제1웨이퍼 감지부 22a: 제1발광소자
22b: 제1수광소자 23: 제2웨이퍼 감지부
23a: 제1발광소자 23b: 제2수광소자
본 발명의 SMIF장치의 웨이퍼 수량 산출장치는 제1제어신호를 수신받아 활성화되어 수직방향으로 이송되는 반도체 웨이퍼를 감지하여 제1감지신호를 발생하여 출력하는 제1웨이퍼 감지부; 제2제어신호를 수신받아 활성화되어 수직방향으로 이송되는 반도체 웨이퍼를 감지하여 제2감지신호를 발생하여 출력하는 제2웨이퍼감지부; 및 제1제어신호와 제2제어신호를 발생하고 SMIF 메인제어기로부터 출력되는 SMIF 플레이트의 수직이동속도 감지신호를 수신받아 제1웨이퍼 감지부와 제2웨이퍼 감지부로 반도체 웨이퍼가 이동되는 시점에서 출력되는 제1감지신호와 제2감지신호를 수신받아 반도체 웨이퍼 수량을 산출하는 제어기로 구성됨을 특징으로 한다.
제1웨이퍼 감지부는 제1제어신호를 수신받아 활성화되어 소정의 파장을 갖는 빛을 발생하는 제1발광소자와 제1발광소자로부터 출력되는 빛이 수신되도록 제1발광소자의 동일한 높이에 설치되어 반도체 웨이퍼에 의해 빛이 수신되지 않으면 로레벨의 제1감지신호를 발생하여 출력하는 제1수광소자로 구성되며, 제2웨이퍼 감지부는 제2제어신호를 수신받아 활성화되어 소정의 파장을 갖는 빛을 발생하는 제2발광소자와 제2발광소자로부터 출력되는 빛이 수신되도록 제2발광소자의 동일한 높이에 설치되어 반도체 웨이퍼에 의해 빛이 수신되지 않으면 로레벨의 제2감지신호를 발생하여 출력하는 제2수광소자로 구성됨을 특징으로 한다.
제1발광소자와 제2발광소자는 발광다이오드가 사용되며, 제1수광소자와 제2수광소자는 포토다이오드가 사용되고, 제어기는 반도체 웨이퍼 수량이 산출되면 산출된 반도체 웨이퍼 수량을 표시하는 표시장치를 구동시키기 위한 표시장치 드라이버가 구비됨을 특징으로 한다.
본 발명의 SMIF장치의 웨이퍼 수량 산출방법은 카세트에 장착된 반도체 웨이퍼를 단위공정장비로 로딩하기 위해 SMIF 플레이트를 수직방향으로 이동시키는 단계; SMIF 플레이트를 수직방향으로 이동시키는 단계에서 SMIF 플레이트가 수직방향으로 이동함과 아울러 SMIF 플레이트의 수직이동속도 감지신호가 수신되었는지를 제어기에서 확인하는 단계; SMIF 플레이트의 수직이동속도 감지신호가 수신되었는지를 확인하는 단계에서 SMIF 플레이트의 수직이동속도가 감지되면 제어기는 제1발광소자와 제2발광소자를 활성화시키기 위해 구동하는 단계; 제1발광소자와 제2발광소자를 활성화시키기 위해 구동하는 단계에서 제1발광소자와 제2발광소자가 활성화되면 제1수광소자와 제2수광소자로부터 제1감지신호와 제2감지신호가 동시에 수신되었는지를 제어기에서 확인하는 단계;
제1감지신호와 제2감지신호가 동시에 수신되었는지를 제어기에서 확인하는 단계에서 제1감지신호와 제2감지신호가 동시에 수신되면 제어기는 반도체 웨이퍼의 수를 카운트하는 단계; 제어기에서 반도체 웨이퍼의 수를 카운트하는 단계에서 반도체 웨이퍼가 카운트되면 SMIF 플레이트의 수직이동속도가 '0'이 되었는지를 확인하는 단계; 및 SMIF 플레이트의 수직이동속도가 '0'이 되었는지를 확인하는 단계에서 SMIF 플레이트의 수직이동속도가 '0'이면 제어기는 카세트에 장착된 반도체 웨이퍼의 총수를 산출하는 단계로 구성됨을 특징으로 한다.
제1감지신호와 제2감지신호가 동시에 수신되었는지를 제어기에서 확인하는 단계에서 제1감지신호와 제2감지신호가 동시에 수신되지 않으면 제어기는 두개의 제1감지신호와 제2감지신호 중 어느 하나의 감지신호만 수신되었는지를 확인하는 단계와 두개의 제1감지신호와 제2감지신호 중 어느 하나의 감지신호만 수신되었는지를 확인하는 단계에서 어느 하나의 감지신호만 수신되면 제어기는 반도체 웨이퍼가 손상되거나 일부가 유실된 것으로 처리하는 단계가 구비됨을 특징으로 한다.
두개의 제1감지신호와 제2감지신호 중 어느 하나의 감지신호만 수신되었는지를 확인하는 단계에서 어느 하나의 감지신호도 수신되지 않으면 제어기는 두개의 제1감지신호와 제2감지신호 모두 수신되지 않았는지 확인하는 단계와, 두개의 제1감지신호와 제2감지신호 모두 수신되지 않았는지 확인하는 단계에서 제어기는 두개의 제1감지신호와 제2감지신호 모두 수신되지 않으면 반도체 웨이퍼가 부재됨으로 처리하는 단계가 구비됨을 특징으로 한다.
카세트에 장착된 반도체 웨이퍼의 총수를 산출하는 단계는 카세트에 장착된 반도체 웨이퍼의 총수가 산출되면 산출된 반도체 웨이퍼의 총수를 표시장치를 통해 출력하여 표시하는 단계가 구비됨을 특징으로 한다.
이하, 본 발명을 첨부된 도면을 이용하여 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명에 의한 웨이퍼 수량 산출장치가 적용된 SMIF장치의 사시도이고, 도 3은 도 2에 도시된 웨이퍼 수량 산출장치의 블럭도이다. 도시된 바와 같이, 제1제어신호를 수신받아 활성화되어 수직방향으로 이송되는 반도체 웨이퍼를 감지하여 제1감지신호를 발생하여 출력하는 제1웨이퍼 감지부(22)와, 제2제어신호를 수신받아 활성화되어 수직방향으로 이송되는 반도체 웨이퍼를 감지하여 제2감지신호를 발생하여 출력하는 제2웨이퍼 감지부(23)와, 제1제어신호와 제2제어신호를 발생하고 SMIF 메인제어기(11a)로부터 출력되는 SMIF 플레이트(16)의 수직이동속도 감지신호를 수신받아 제1웨이퍼 감지부(22)와 제2웨이퍼 감지부(23)로 반도체 웨이퍼가 이동되는 시점에서 출력되는 제1감지신호와 제2감지신호를 수신받아 반도체 웨이퍼 수량을 산출하는 제어기(21)로 구성된다.
본 발명의 SMIF장치의 웨이퍼 수량 산출장치의 구성 및 작용을 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
SMIF장치(10)는 크게 SMIF 구동박스(11), 파드 안착부(12), 상측카바(13), 승강기(14), 파드 지지부(15: 도1에 도시됨) 및 SMIF 플레이트(16)로 구성된다. SMIF 구동박스(11)는 승강기(14)를 수직방향으로 이동시키기 위한 모터(도시 않음)와 SMIF 메인제어기(11a)가 내장된다. SMIF 메인제어기(11a)는 도 4a 및 도 4b에서와 같이 반도체 웨이퍼(W)가 장착된 카세트(2)를 보관하는 파드(1)를 파드 안착부(12)로 안착시키기 위해 승강기(14)를 제어한다. 모터에 의해 구동되는 승강기(14)는 SMIF 플레이트(16)를 수직방향으로 이동시켜 파드(1)를 파드 안착부(12)로 이동시키게 된다.
파드 안착부(12)로 파드(1)가 이동되면 단위공정장비의 로버트 아암(도시 않음)에 의해 파드(1)에 보관된 카세트(2)가 단위공정장비로 로딩된다. 공정 작업이 완료되면 작업이 완료된 반도체 웨이퍼(W)는 카세트(2)에 장착된 후 로버트 아암에 의해 파드(1)에 장착된다. 이 후 파드(1)는 다시 승강기(14)에 의해 수직방향으로 상승하여 상측카바(13)의 높이로 이동하여 언로딩하게 된다.
승강기(14)를 이용하여 파드(1)에 보관된 카세트(2)를 파드 안착부(12)로 이동시키거나 파드 안착부(12)에 있는 카세트(2)를 다시 상측카바(13)의 위치로 이동시 카세트(2)에 장착된 반도체 웨이퍼(W)의 수를 산출하기 위해 상측카바(13)에 제1웨이퍼 감지부(22)와 제2웨이퍼 감지부(23)가 설치된다. 제1웨이퍼 감지부(22)는 제1발광소자(22a)와 제1수광소자(22b)로 구성되며, 제2웨이퍼 감지부(23)는 제2발광소자(23a)와 제2수광소자(23b)로 구성된다.
제1발광소자(22a)와 제2발광소자(23a)는 발광다이오드가 사용되며 제1수광소자(22b)와 제2수광소자(23b)는 포토다이오드가 사용된다. 발광다이오드가 사용되는 제1발광소자(22a)와 제2발광소자(23a)는 상측카바(13)에 나란하게 설치되며, 포토다이오드가 사용되는 제1수광소자(22b)와 제2수광소자(23b)는 상측카바(13)에 설치된 제1발광소자(22a)와 제2발광소자(23a)와 소정 거리로 이격되도록 상측카바(13)에 설치된다. 즉, 제1발광소자(22a)와 제1수광소자(22b)는 SMIF 플레이트(16)를 중심으로 서로 마주대하도록 상측카바(13)에 설치되며, 제2발광소자(23a)와 제2수광소자(23b)도 SMIF 플레이트(16)를 중심으로 서로 마주대하도록 상측카바(13)에 설치된다.
상측카바(13)에 설치된 제1발광소자(22a)와 제1수광소자(22b)로 구성된 제1웨이퍼 감지부(22)와 제2발광소자(23a)와 제2수광소자(23b)로 구성된 제2웨이퍼 감지부(23)는 제어기(21)로부터 출력되는 제1제어신호와 제2제어신호를 각각 수신받는다. 제1제어신호와 제2제어신호를 각각 수신받은 제1웨이퍼 감지부(22)와 제2웨이퍼 감지부(23)는 각각 수신된 제1제어신호와 제2제어신호에 의해 활성화되어 도 4b에서와 같이 파드(1)가 화살표 A 방향으로 이동시 반도체 웨이퍼(W)를 감지하여 제1감지신호와 제2감지신호를 각각 발생하여 출력한다.
제1웨이퍼 감지부(22)는 제1발광소자(22a)에서 제어기(21)로부터 제1제어신호를 수신받아 활성화되어 소정의 파장을 갖는 빛을 발생하고, 제1발광소자(22a)로부터 출력되는 빛을 수신받기 위해 상측카바(13)에 설치된 제1발광소자와 동일한높이에 제1수광소자(22b)가 설치된다. 제1수광소자(22b)는 제1발광소자(22a)로부터 출력되는 빛이 도 4b에서와 같이 반도체 웨이퍼(W)에 의해 빛이 수신되지 않으면 로레벨(low level)의 제1감지신호를 발생하여 출력한다.
제1웨이퍼 감지부(22)와 동일하게 제2웨이퍼 감지부(23)는 제2발광소자(23a)에서 제어기(21)로부터 제2제어신호를 수신받아 활성화되어 소정의 파장을 갖는 빛을 발생하고, 제2발광소자(23a)로부터 출력되는 빛을 수신받기 위해 상측카바(13)에 설치된 제2발광소자(23a)와 동일한 높이에 제2수광소자(23b)가 설치된다. 제2수광소자(23b)는 제2발광소자(23a)로부터 출력되는 빛이 도 4b에서와 같이 반도체 웨이퍼(W)에 의해 빛이 수신되지 않으면 로레벨(low level)의 제2감지신호를 발생하여 출력한다.
제1발광소자(22b)와 제2발광소자(23b)로부터 각각 출력되는 제1감지신호와 제2감지신호를 제어기(21)에서 수신받는다. 제1감지신호와 제2감지신호를 수신받는 제어기(21)는 SMIF 메인제어기(11a)로부터 출력되는 SMIF 플레이트(16)의 수직이동속도 감지신호가 수신되면 제1제어신호와 제2제어신호를 발생하여 출력하여 제1발광소자(22a)와 제2발광소자(23a)를 구동시킨다. 제1발광소자(22a)와 제2발광소자(23a)를 구동시켜 제1수광소자(22b)와 제2수광소자(23b)로부터 제1감지신호와 제2감지신호가 수신되면 반도체 웨이퍼(W)의 수를 카운트하여 수량을 산출하게 된다.
제어기(21)에서 산출되는 반도체 웨이퍼(W)의 수량을 표시하기 위해 제어기(21)는 반도체 웨이퍼 수량이 산출되면 산출된 반도체 웨이퍼 수량을 표시하기 위해 표시장치 드라이버(24)를 구동시켜 카세트(2)에 장착된 반도체 웨이퍼(W)의 수량을 표시장치(25)에 표시한다. 반도체 웨이퍼(W)의 수량을 표시하는 표시장치(25)는 상측카바(13)에 설치되며, 상측카바(13)에 설치된 표시장치(25)에 표시된 반도체 웨이퍼(W)의 수를 리셋(reset)시키기 위해 스위치(26)가 구비된다.
전술한 반도체 웨이퍼의 수량산출장치를 이용하여 반도체 웨이퍼(W)의 수량을 산출하는 방법을 첨부된 도면을 이용하여 설명하면 다음과 같다.
도 5는 본 발명에 의한 SMIF장치 웨이퍼 수량 산출방법을 나타낸 흐름도이다. 도시된 바와 같이, 카세트(2)에 장착된 반도체 웨이퍼(W)를 단위공정장비로 로딩하기 위해 SMIF 플레이트(16)를 수직방향으로 이동시키는 단계(S11)와, SMIF 플레이트(16)를 수직방향으로 이동시키는 단계(S11)에서 SMIF 플레이트(16)가 수직방향으로 이동함과 아울러 SMIF 플레이트(16)의 수직이동속도 감지신호가 수신되었는지를 제어기(21)에서 확인하는 단계(S12)와, SMIF 플레이트(16)의 수직이동속도 감지신호가 수신되었는지를 확인하는 단계(S12)에서 SMIF 플레이트(16)의 수직이동속도가 감지되면 제어기(21)는 제1발광소자(22a)와 제2발광소자(23a)를 활성화시키기 위해 구동하는 단계(S13)와, 제1발광소자(22a)와 제2발광소자(23a)를 활성화시키기 위해 구동하는 단계(S13)에서 제1발광소자(22a)와 제2발광소자(23a)가 활성화되면 제1수광소자(22b)와 제2수광소자(23b)로부터 제1감지신호와 제2감지신호가 동시에 수신되었는지를 제어기(21)에서 확인하는 단계(S14)와, 제1감지신호와 제2감지신호가 동시에 수신되었는지를 제어기(21)에서 확인하는 단계(S14)에서 제1감지신호와 제2감지신호가 동시에 수신되면 제어기(21)는 반도체 웨이퍼(W)의 수를 카운트하는단계(S15)와, 제어기(21)에서 반도체 웨이퍼(W) 수를 카운트하는 단계(S15)에서 반도체 웨이퍼(W)가 카운트되면 SMIF 플레이트(16)의 수직이동속도가 '0'이 되었는지를 확인하는 단계(S16)와, SMIF 플레이트(16)의 수직이동속도가 '0'이 되었는지를 확인하는 단계(S16)에서 SMIF 플레이트(16)의 수직이동속도가 '0'이면 제어기(21)는 카세트(2)에 장착된 반도체 웨이퍼(W)의 총수를 산출하는 단계(S17)로 구성된다.
본 발명의 반도체 웨이퍼의 수량산출방법을 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
카세트(2)에 장착된 반도체 웨이퍼(W)를 단위공정장비로 로딩하기 위해 SMIF 플레이트(16)를 수직방향으로 이동시킨다(S11). SMIF 플레이트(16)를 수직방향으로 이동시키는 과정에서 SMIF 플레이트(16)가 수직방향으로 이동함과 아울러 SMIF 플레이트(16)의 수직이동속도 감지신호가 수신되었는지를 제어기(21)에서 확인한다(S12). SMIF 플레이트(16)의 수직이동속도 감지신호가 수신되었는지를 확인하는 과정에서 SMIF 플레이트(16)의 수직이동속도가 감지되면 제어기(21)는 제1발광소자(22a)와 제2발광소자(23a)를 활성화시키기 위해 구동시킨다(S13).
제1발광소자(22a)와 제2발광소자(23a)를 활성화시키기 위해 구동하는 과정에서 제1발광소자(22a)와 제2발광소자(23a)가 활성화되면 제1수광소자(22b)와 제2수광소자(23b)로부터 제1감지신호와 제2감지신호가 동시에 수신되었는지를 제어기(21)에서 확인한다(S14). 제1감지신호와 제2감지신호가 동시에 수신되었는지를 제어기(21)에서 확인하는 과정에서 제1감지신호와 제2감지신호가 동시에 수신되면 제어기(21)는 반도체 웨이퍼(W)의 수를 카운트한다(S15).
제어기(21)에서 반도체 웨이퍼(W) 수를 카운트하는 과정에서 반도체 웨이퍼(W)의 수가 카운트되면 SMIF 플레이트(16)의 수직이동속도가 '0'이 되었는지를 확인한다(S16). 즉, SMIF 플레이트(16)가 파드 안착부(12)의 저면에 장착됨을 감지하게 된다. SMIF 플레이트(16)의 수직이동속도가 '0'이 되었는지를 확인하는 과정에서 SMIF 플레이트(16)의 수직이동속도가 '0'이면 제어기(21)는 카세트(2)에 장착된 반도체 웨이퍼(W)의 총수를 산출한다(S17). 카세트(2)에 장착된 반도체 웨이퍼의 총수를 산출되면 산출된 반도체 웨이퍼(W)의 총수를 표시장치(25)에 표시한다(S18).
제1감지신호와 제2감지신호가 동시에 수신되었는지를 제어기(21)에서 확인하는 과정에서 제1감지신호와 제2감지신호가 동시에 수신되지 않으면 제어기(21)는 두개의 제1감지신호와 제2감지신호 중 어느 하나의 감지신호만 수신되었는지를 확인한다(S19). 두개의 제1감지신호와 제2감지신호 중 어느 하나의 감지신호만 수신되었는지를 확인하는 과정에서 어느 하나의 감지신호만 수신되면 제어기(21)는 반도체 웨이퍼(W)가 손상되거나 일부가 유실된 것으로 처리하게 된다(S20).
두개의 제1감지신호와 제2감지신호 중 어느 하나의 감지신호만 수신되었는지를 확인하는 단계(S19)에서 어느 하나의 감지신호도 수신되지 않으면 제어기(21)는 두개의 제1감지신호와 제2감지신호 모두 수신되지 않았는지 확인한다(S21). 두개의 제1감지신호와 제2감지신호 모두 수신되지 않았는지 확인하는 단계(S21)에서 제어기(21)는 두개의 제1감지신호와 제2감지신호 모두 수신되지 않으면 반도체웨이퍼(W)가 부재됨으로 처리한다(S22).
이상과 같이 반도체 웨이퍼가 손상되거나 일부가 유실된 것으로 처리하거나 부재로 처리함으로써 카세트에 장착된 반도체 웨이퍼의 수를 정확하게 산출할 수 있게 되어 공정작업 진행시 정확한 반도체 웨이퍼의 수량을 확인할 수 있게 된다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 반도체 웨이퍼 수를 정확하게 산출하여 작업자에게 표시함으로써 반도체 웨이퍼 수량만큼 공정을 진행하여 작업 생산성을 향상시키며 불량 및 유실된 반도체 웨이퍼의 공정진행으로 인한 공정장비의 기계적 구조의 손상을 방지할 수 있는 효과를 제공한다.

Claims (10)

  1. SMIF장치를 통해 각 단위공정장비로 로딩 및 언로딩되는 반도체 웨이퍼의 수량을 감지하는 장치에 있어서,
    제1제어신호를 수신받아 활성화되어 수직방향으로 이송되는 반도체 웨이퍼를 감지하여 제1감지신호를 발생하여 출력하는 제1웨이퍼 감지부;
    제2제어신호를 수신받아 활성화되어 수직방향으로 이송되는 반도체 웨이퍼를 감지하여 제2감지신호를 발생하여 출력하는 제2웨이퍼 감지부; 및
    상기 제1제어신호와 제2제어신호를 발생하고 SMIF 메인제어기로부터 출력되는 SMIF 플레이트의 수직이동속도 감지신호를 수신받아 상기 제1웨이퍼 감지부와 상기 제2웨이퍼 감지부로 반도체 웨이퍼가 이동되는 시점에서 출력되는 제1감지신호와 제2감지신호를 수신받아 반도체 웨이퍼 수량을 산출하는 제어기로 구성됨을 특징으로 하는 SMIF장치의 웨이퍼 수량 산출장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제1웨이퍼 감지부는 상기 제1제어신호를 수신받아 활성화되어 소정의 파장을 갖는 빛을 발생하는 제1발광소자; 및
    상기 제1발광소자로부터 출력되는 빛이 수신되도록 제1발광소자와 동일한 높이에 설치되어 반도체 웨이퍼에 의해 빛이 수신되지 않으면 로레벨의 제1감지신호를 발생하여 출력하는 제1수광소자로 구성됨을 특징으로 하는 SMIF장치의 웨이퍼 수량 산출장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제2웨이퍼 감지부는 상기 제2제어신호를 수신받아 활성화되어 소정의 파장을 갖는 빛을 발생하는 제2발광소자; 및
    상기 제2발광소자로부터 출력되는 빛이 수신되도록 제2발광소자와 동일한 높이에 설치되어 반도체 웨이퍼에 의해 빛이 수신되지 않으면 로레벨의 제2감지신호를 발생하여 출력하는 제2수광소자로 구성됨을 특징으로 하는 SMIF장치의 웨이퍼 수량 산출장치.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 제1발광소자와 상기 제2발광소자는 발광다이오드가 사용됨을 특징으로 하는 SMIF장치의 웨이퍼 수량 산출장치.
  5. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 제1수광소자와 상기 제2수광소자는 포토다이오드가 사용됨을 특징으로 하는 SMIF장치의 웨이퍼 수량 산출장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제어기는 반도체 웨이퍼 수량이 산출되면 산출된 반도체 웨이퍼 수량을 표시하는 표시장치를 구동시키기 위한 표시장치 드라이버가 구비됨을 특징으로 하는 SMIF장치의 웨이퍼 수량 산출장치.
  7. SMIF장치를 통해 각 단위공정장비로 로딩 및 언로딩되는 반도체 웨이퍼의 수량을 감지하는 방법에 있어서,
    카세트에 장착된 반도체 웨이퍼를 단위공정장비로 로딩하기 위해 SMIF 플레이트를 수직방향으로 이동시키는 단계;
    상기 SMIF 플레이트를 수직방향으로 이동시키는 단계에서 SMIF 플레이트가 수직방향으로 이동함과 아울러 SMIF 플레이트의 수직이동속도 감지신호가 수신되었는지를 제어기에서 확인하는 단계;
    상기 SMIF 플레이트의 수직이동속도 감지신호가 수신되었는지를 확인하는 단계에서 SMIF 플레이트의 수직이동속도가 감지되면 제어기는 제1발광소자와 제2발광소자를 활성화시키기 위해 구동하는 단계;
    상기 제1발광소자와 제2발광소자를 활성화시키기 위해 구동하는 단계에서 제1발광소자와 제2발광소자가 활성화되면 제1수광소자와 제2수광소자로부터 제1감지신호와 제2감지신호가 동시에 수신되었는지를 제어기에서 확인하는 단계;
    상기 제1감지신호와 제2감지신호가 동시에 수신되었는지를 제어기에서 확인하는 단계에서 제1감지신호와 제2감지신호가 동시에 수신되면 제어기는 반도체 웨이퍼의 수를 카운트하는 단계;
    상기 제어기에서 반도체 웨이퍼의 수를 카운트하는 단계에서 반도체 웨이퍼가 카운트되면 SMIF 플레이트의 수직이동속도가 '0'이 되었는지를 확인하는 단계; 및
    상기 SMIF 플레이트의 수직이동속도가 '0'이 되었는지를 확인하는 단계에서 SMIF 플레이트의 수직이동속도가 '0'이면 제어기는 카세트에 장착된 반도체 웨이퍼의 총수를 산출하는 단계로 구성됨을 특징으로 하는 SMIF장치의 웨이퍼 수량 산출방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 제1감지신호와 제2감지신호가 동시에 수신되었는지를 제어기에서 확인하는 단계에서 제1감지신호와 제2감지신호가 동시에 수신되지 않으면 제어기는 두개의 제1감지신호와 제2감지신호 중 어느 하나의 감지신호만 수신되었는지를 확인하는 단계; 및
    상기 두개의 제1감지신호와 제2감지신호 중 어느 하나의 감지신호만 수신되었는지를 확인하는 단계에서 어느 하나의 감지신호만 수신되면 제어기는 반도체 웨이퍼가 손상되거나 일부가 유실된 것으로 처리하는 단계가 구비됨을 특징으로 하는 SMIF장치의 웨이퍼 수량 산출방법.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 두개의 제1감지신호와 제2감지신호 중 어느 하나의 감지신호만 수신되었는지를 확인하는 단계에서 어느 하나의 감지신호도 수신되지 않으면 제어기는 두개의 제1감지신호와 제2감지신호 모두 수신되지 않았는지 확인하는 단계; 및
    상기 두개의 제1감지신호와 제2감지신호 모두 수신되지 않았는지 확인하는 단계에서 제어기는 두개의 제1감지신호와 제2감지신호 모두 수신되지 않으면 반도체 웨이퍼가 부재됨으로 처리하는 단계가 구비됨을 특징으로 하는 SMIF장치의 웨이퍼 수량 산출방법.
  10. 제 7 항에 있어서, 상기 카세트에 장착된 반도체 웨이퍼의 총수를 산출하는 단계는 카세트에 장착된 반도체 웨이퍼의 총수가 산출되면 산출된 반도체 웨이퍼의 총수를 표시장치를 통해 출력하여 표시하는 단계가 구비됨을 특징으로 하는 SMIF장치의 웨이퍼 수량 산출방법.
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