KR100310460B1 - 지연고정루프의 초기 록 타임 단축 장치 및 방법 - Google Patents
지연고정루프의 초기 록 타임 단축 장치 및 방법 Download PDFInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000004904 shortening Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000001934 delay Effects 0.000 abstract description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 231100000518 lethal Toxicity 0.000 description 1
- 230000001665 lethal effect Effects 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
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- H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
- H03L7/08—Details of the phase-locked loop
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- H—ELECTRICITY
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- H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
- H03L7/08—Details of the phase-locked loop
- H03L7/085—Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal
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- H—ELECTRICITY
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- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
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Abstract
Description
Claims (7)
- 기준클럭 또는 내부클럭중 어느 하나를 지연시켜 스큐를 제거하기 위한 지연고정루프(DLL)의 초기 록 타임 단축 장치에 있어서,기준클럭 제공 수단;상기 기준클럭 제공 수단으로부터 제공되는 기준클럭과, 입력된 내부클럭의 위상을 비교하되, 어느 한 클럭에 대해 단위지연(unit delay)과 더불어, 다단지연(multiple delay)을 병행하면서 위상을 비교하는 위상비교 수단;상기 위상비교 수단의 비교결과에 따라 지연량을 선택하는 쉬프트 콘트롤 수단;상기 쉬프트 콘트롤 수단의 출력에 따라 지연량을 가감하는 지연 수단; 및상기 지연 수단에 의해 지연된 클럭에 상응하는 지연클럭 모델을 상기 위상비교 수단에 내부클럭으로 제공하는 지연클럭 모델링 수단을 포함하는 지연고정루프의 초기 록 타임을 단축시키기 위한 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 위상비교 수단은,입력되는 상기 기준클럭 및 내부클럭을 그대로 비교하여 출력하는 제 1 위상비교기;상기 입력되는 내부클럭에 대하여 소정의 단위지연을 가하는 단위지연기;상기 기준클럭과, 단위지연된 내부클럭을 비교하여 출력하는 제 2 위상비교기;상기 입력되는 내부클럭에 대하여 다단지연을 가하는 다단지연기;상기 기준클럭과, 다단지연된 내부클럭을 비교하여 출력하는 제 3 위상비교기; 및상기 제 3 위상비교기의 비교결과 출력에 따라 상기 지연 수단에서 다단의 쉬프트가 발생하도록 지원하는 버스트 쉬프트 제어 유니트를 포함하는 지연고정루프의 초기 록 타임을 단축시키기 위한 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 위상비교 수단은,입력되는 상기 기준클럭 및 내부클럭을 그대로 비교하여 출력하는 제 1 위상비교기;상기 입력되는 기준클럭에 대하여 소정의 단위지연을 가하는 단위지연기;상기 내부클럭과, 단위지연된 기준클럭을 비교하여 출력하는 제 2 위상비교기;상기 입력되는 기준클럭에 대하여 다단지연을 가하는 다단지연기;상기 내부클럭과, 다단지연된 기준클럭을 비교하여 출력하는 제 3 위상비교기; 및상기 제 3 위상비교기의 비교결과 출력에 따라 상기 지연 수단에서 다단의 쉬프트가 발생하도록 지원하는 버스트 쉬프트 제어 유니트를 포함하는 지연고정루프의 초기 록 타임을 단축시키기 위한 장치.
- 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서,상기 지연 수단으로부터 인가되는 지연클럭을 외부로 출력하기 위한 DLL클럭 구동 수단을 더 포함하는 지연고정루프의 초기 록 타임을 단축시키기 위한 장치.
- 기준클럭 또는 내부클럭중 어느 하나를 지연시켜 스큐를 제거하기 위한 지연고정루프(DLL)의 초기 록 타임 단축 방법에 있어서,상기 기준클럭 및 내부클럭을 입력하는 제 1 단계;상기 내부클럭과 상기 기준클럭 비교결과, 지연수단의 지연량이 과다하면, 현재의 지연량을 단위지연량만큼 감소시키는 제 2 단계;상기 내부클럭과 상기 기준클럭 비교결과, 상기 지연수단의 지연량이 부족하면, 그 지연량을 증가시키되, 단위지연량 또는 소정의 다단지연량 중 허용되는 어느 한 지연량만큼 증가시키는 제 3 단계; 및상기 기준클럭 및 내부클럭간의 위상차가 상기 단위지연에 의한 위상차보다 작아질 때까지 상기 제 1 단계 내지 제 3 단계를 반복수행하는 제 4 단계를 포함하는 지연고정루프의 초기 록 타임을 단축시키기 위한 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 제 2 단계는,상기 내부클럭이 상기 기준클럭보다 느린지 여부를 판단하는 제 1 과정; 및상기 지연수단의 지연체인을 상기 단위지연만큼 지연감소방향으로 쉬프트하는 제 2 과정을 포함하는 지연고정루프의 초기 록 타임을 단축시키기 위한 방법.
- 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,상기 제 3 단계는,상기 단위지연(1)시간만큼 더 지연된 클럭모델을 제공하는 제 3 과정;상기 제 3 과정에서 제공된 클럭모델이 상기 기준클럭보다 빠른지 여부를 확인하여, 빠르면 다단지연(m)시간만큼 지연된 클럭모델을 제공하는 제 4 과정; 및상기 제 4 과정에서 제공된 클럭모델이 기준클럭보다 빠른지 여부를 확인하여, 느리면 상기 지연수단의 지연체인을 지연증가방향으로 상기 단위지연량(1)만큼 쉬프트하고, 빠르면 상기 단위지연 및 다단지연량(m+1)만큼 쉬프트하는 제 5 과정을 포함하는 지연고정루프의 초기 록 타임을 단축시키기 위한 방법.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019980061147A KR100310460B1 (ko) | 1998-12-30 | 1998-12-30 | 지연고정루프의 초기 록 타임 단축 장치 및 방법 |
US09/473,685 US6445234B1 (en) | 1998-12-30 | 1999-12-29 | Apparatus and method for accelerating initial lock time of delayed locked loop |
TW088123375A TW455871B (en) | 1998-12-30 | 1999-12-31 | Apparatus and method for accelerating initial lock time of delayed locked loop |
JP2000000161A JP4497436B2 (ja) | 1998-12-30 | 2000-01-04 | 遅延固定ループの初期ロックタイム短縮方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019980061147A KR100310460B1 (ko) | 1998-12-30 | 1998-12-30 | 지연고정루프의 초기 록 타임 단축 장치 및 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20000044648A KR20000044648A (ko) | 2000-07-15 |
KR100310460B1 true KR100310460B1 (ko) | 2001-11-15 |
Family
ID=19567903
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019980061147A KR100310460B1 (ko) | 1998-12-30 | 1998-12-30 | 지연고정루프의 초기 록 타임 단축 장치 및 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6445234B1 (ko) |
JP (1) | JP4497436B2 (ko) |
KR (1) | KR100310460B1 (ko) |
TW (1) | TW455871B (ko) |
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- 2000-01-04 JP JP2000000161A patent/JP4497436B2/ja not_active Expired - Fee Related
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A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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