KR100309305B1 - 패키지내에 반도체 소자를 수용하는 반도체 장치 - Google Patents

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Abstract

CCD 칩과 같은 반도체 소자가 플라스틱으로 이루어진 불투명 패키지의 리세스 부분에 수용되어 있으며, 이 패키지의 상부면은 플라스틱으로 이루어진 투명캡으로 덮혀진다. 이 캡은 패키지의 열팽창 계수와는 상이한 열팽창 계수를 가지며, 종래 기술에서의 두께보다 더 얇은 0.5 mm 의 두께로 형성된다. 이 반도체 소자는 리드를 통하여 접속되며, 이 리드는 패키지 외부로 돌출된다. 이 반도체 장치는 인쇄 회로 기판에 탑재된다.

Description

패키지내에 반도체 소자를 수용하는 반도체 장치 {SEMICONDUCTOR DEVICE CONTAINING SEMICONDUCTOR ELEMENT IN PACKAGE}
본 발명은 반도체 장치, 특히, CCD 칩을 수용하는 반도체 장치에 관한 것이다.
종래, 세라믹 패키지는 CCD (Charge Couple Device) 칩과 같은 반도체 소자를 수용하는 리세스 부분을 가지며, 그 리세스 부분은 캡으로 덮혀진다고 알려져 있다. 이 캡부는, 통상, 세라믹, 금속 등으로 이루어진 패키지와 접합되며, CCD 칩이 촬상 수단 또는 광학 센서로 사용될 경우를 고려하여, 이 CCD칩과 대향하는 캡부분은 투명 유리로 구성되어 있다. 이러한 구성을 갖는 반도체 장치는, 패키지 및 캡이 세라믹 또는 유리로 이루어지므로, 높은 강도를 나타냄에도 불구하고, 이 장치는 제조 비용이 증대하는 단점을 갖고 있다.
한편, 일본 특개평 제 145748/87 호 공보에는 패키지가 플라스틱으로 이루어진 반도체 장치가 개시되어 있다. 이러한 구성의 제조 비용은 패키지가 세라믹으로 형성되는 구성의 제조 비용보다 더 낮다.
따라서, 개시된 반도체 장치에서는, 패키지를 플라스틱으로 형성함으로써 저비용화를 달성할 수 있다. 그러나, CCD 칩에 빛을 입사시키기 위해서는 캡에 유리가 삽입되어야 하므로, 비용이 증가하게 된다. 따라서, 비용 절감의 관점에서, 반도체 장치를 세라믹 및 유리보다는 플라스틱 및 유리로 형성하는 것이 바람직하며, 모든 부분을 플라스틱만으로 형성하는 것이 더욱 바람직하다.
그러나, 도 1a, 1b 및 1c 에 도시된 바와 같이, 반도체 장치의 패키지 (11) 및 캡 (15) 을 플라스틱만으로 형성할 경우에는, 제조시에 문제점이 있다. 통상, 반도체 장치는 인쇄 회로 기판 (14) 상에 탑재되어 사용된다. 도 1b 에 도시된 바와 같이, 반도체 장치의 리드 (13) 는, 인쇄 회로 기판 (14) 의 관통홀 (14a) 로 삽입되어 고온의 용융 땜납조 (molten solder bath; 16) 에 담겨진 다음 냉각됨으로써, 땜납 (16a) 을 고화시켜 반도체 장치를 인쇄 회로 기판 (14) 에 고정시킨다. 이러한, 소위, 플로우 (flow) 공정에서는, 반도체 장치를 인쇄 회로 기판 (14) 상에 탑재한 상태에서 가열 및 냉각을 행한다. 이 때, 반도체 장치와 인쇄 회로 기판 (14) 간의 열팽창 계수가 서로 다른 경우에는, 반도체 장치와 인쇄 회로 기판 (14) 간의 팽창 및 수축 정도가 서로 달라지게 되므로, 도 1c 에 도시된 바와 같이, 휨이 유발되게 된다. 특히, 땜납 (16a) 이 냉각되어 고화된 후 (온도가 공정 온도 183℃ 이하로 된 때) 에는, 양자가 리드 (13) 부분에 고정된 상태에서 반도체 장치 및 인쇄 회로 기판 (14) 이 서로 다른 비율로 수축하기 때문에, 부자연스러운 변형이 생기고 큰 휨이 발생하게 된다.
이와 같이 발생된 휨을 갖는 반도체 장치를 스캐너의 화상 읽기용 센서 또는 촬상 수단으로 이용하고자 할 경우에는, 오차가 커져서 정밀도가 열화된다.
본 발명의 목적은, 제조 비용을 감소시키면서도 인쇄 회로 기판에 탑재될 경우에 휨이 작도록 하기 위하여, 플라스틱만으로 패키지 및 캡을 형성한 반도체 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 반도체 장치는 플라스틱으로 이루어지고 상부면에 리세스 부분을 갖는 불투명 패키지, 상기 리세스 부분내에 수용된 반도체 소자, 및 플라스틱으로 이루어지고 상기 패키지의 상부면에 고착되어 상기 리세스 부분을 덮는 투명캡을 포함하며, 상기 캡의 두께는 0.5 mm 이하인 것을 특징으로 한다. 이와 같이, 상기 패키지 및 캡을 포함하는 전체 반도체 장치의 열팽창 계수를, 보통의 인쇄 회로 기판의 열팽창 계수에 근접하도록 작게 할 수 있으므로, 반도체 장치의 휨을 억제할 수 있게 된다.
본 발명의 다른 양태에 따르면, 상기 투명캡은 길이 방향에 거의 수직한 방향으로 형성된 그루브 부분을 갖는다. 이 경우, 반도체 장치를 변형시키려는 힘이 그루브 부분에 집중되어, 길이 방향으로 캡을 휘고자하는 힘이 그다지 강하게 작용하지 않기 때문에, 길이 방향으로의 휨량이 감소하게 된다.
본 발명의 또다른 양태에 따르면, 상기 투명캡에는 상기 리세스 부분의 외부에 돌기부가 제공되며, 상기 돌기부는 상기 패키지의 상부면에 접합되고 상기 리세스 부분의 외부를 둘러싸는 링 형태를 갖는다. 이 경우, 상기 패키지로부터 상기 캡으로의 열전달을 위한 유일한 경로가 상기 돌기부이어서 열이 쉽게 상기 캡에 전달될 수 없기 때문에, 상기 캡의 온도가 상기 패키지의 온도만큼 상승할 수 없게 되어, 상기 캡측의 휨 및 변형량을 감소시킬 수 있게 된다.
또한, 본 발명의 또다른 양태에 따르면, 상기 반도체 장치는 플라스틱으로 이루어지고 상기 상부면에 형성된 리세스 부분을 갖는 불투명 패키지, 상기 리세스 부분내에 수용된 반도체 소자, 및 플라스틱으로 이루어지고 상기 패키지의 상부면에 고착되어 상기 리세스 부분을 덮는 캡을 포함하며, 상기 캡은 상기 리세스 부분내의 상기 반도체 소자와 대향하는 위치의 투명부 및 상기 투명부를 제외한 위치의 불투명부로 구성된다. 이 경우, 상기 패키지 및 캡을 포함하는 전체 반도체 장치의 열팽창 계수를, 보통의 인쇄 회로 기판의 열팽창 계수에 더 근접시킬 수 있다. 또한, 전체 반도체 장치의 열팽창 계수가 감소되어, 상기 반도체 장치의 휨을 억제할 수 있다.
본 발명의 상기 및 다른 목적, 특징 및 이점들은, 본 발명의 예들을 나타내는 첨부 도면을 참조한 하기의 상세한 설명으로 명백해질 것이다.
도 1a 는 종래의 반도체 장치를 나타낸 평면도.
도 1b 는 가열 동안의 종래 반도체 장치를 나타낸 정면도.
도 1c 는 변형후의 종래 반도체 장치를 나타낸 정면도.
도 2a 는 본 발명에 따른 제 1 실시예를 나타낸 평면도.
도 2b 는 본 발명에 따른 제 1 실시예를 나타낸 정단면도.
도 3 은 제 1 실시예에 따른 캡의 두께와 반도체 장치의 휨간의 관계를 나타낸 그래프.
도 4a 는 본 발명에 따른 제 2 실시예를 나타낸 평면도.
도 4b 는 본 발명에 따른 제 2 실시예를 나타낸 정단면도.
도 5a 는 본 발명에 따른 제 3 실시예를 나타낸 평면도.
도 5b 는 본 발명에 따른 제 3 실시예를 나타낸 정면도.
도 6a 는 본 발명에 따른 제 3 실시예의 변형예를 나타낸 평면도.
도 6b 는 본 발명에 따른 제 3 실시예의 변형예를 나타낸 정면도.
도 7a 는 본 발명에 따른 제 4 실시예를 나타낸 평면도.
도 7b 는 본 발명에 따른 제 4 실시예를 나타낸 정단면도.
도 8a 는 본 발명에 따른 제 4 실시예의 변형예를 나타낸 평면도.
도 8b 는 본 발명에 따른 제 4 실시예의 또다른 변형예를 나타낸 정면도.
도 9 는 본 발명에 따른 제 5 실시예를 나타낸 정단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1, 11 : 패키지 1a : 리세스 부분
2 : CCD 칩 3, 13 : 리드
4, 14 : 인쇄 회로 기판 5, 6, 7, 8, 9, 15 : 캡
6a, 7a, 8a : 캡의 투명부 6b, 7b, 8b : 캡의 불투명부
7c, 20c : 그루브 8c, 9a, 21a : 돌기부
14a : 관통홀 16 : 용융 땜납조
20, 21 : 완전 투명캡
이하, 도 2a 및 2b 를 참조하면, 본 발명에 따른 제 1 실시예의 반도체 장치의 기본 구성이 도시되어 있다.
이 반도체 장치는, 리세스 부분 (1a) 을 갖는 패키지 (1), 이 리세스 부분 (1a) 내에 포함된 반도체 소자의 일 예인 CCD 칩 (전하 결합 소자;2), 이 CCD 칩 (2) 에 접속되며 패키지 (1) 의 외부로 연장되는 복수의 금속 리드 (3), 및 패키지 (1) 의 리세스 부분의 표면에 접합되어 그 리세스 부분을 덮도록 형성된 캡 (5) 을 포함한다. 이 반도체 장치는 인쇄 회로 기판 (4) 상에 탑재되며, 팩시밀리, 복사기 등의 원고 읽기용의 센서로 사용된다.
상술한 바와 같이, 종래의 반도체 장치가 인쇄 회로 기판 (4) 상에 탑재되어 가열 및 냉각될 경우에, 도 1c 에 도시된 바와 같이, 반도체에는 인쇄 회로 기판과 반도체 장치간의 열팽창 계수의 차이로 인해 발생된 휨이 생긴다. 특히, 센서 등으로 사용되는 반도체 장치는, 일반적으로, 긴 형태 (전체 반도체 장치로서는 길이가 폭의 약 5 배정도이며, 반도체 소자로서는 길이 방향이 폭 방향의 47 배쯤의 길이를 가질 수도 있다) 를 가지므로, 길이 방향으로의 큰 휨이 쉽게 발생된다. 먼저, 다음과 같이, 출원인은 종래 반도체 장치의 휨의 요인을 고찰하였다.
인쇄 회로 기판에 탑재된 반도체 장치의 가열 및 냉각에 의해 발생되는 휨을 억제하기 위해서는, 인쇄 회로 기판의 열팽창 계수와 반도체 장치의 열팽창 계수를 서로 거의 같도록 하여, 인쇄 회로 기판의 팽창 및 수축 정도와 반도체 장치의 팽창 및 수축 정도를 일치시키야 된다고 생각된다.
세라믹 또는 유리를 반도체 장치의 패키지 및 캡용의 재료로 사용할 경우에는, 이러한 재료가 인쇄 회로 기판의 열팽창 계수에 가까운 열팽창 계수를 가지기 때문에, 큰 휨이 쉽게 발생되지는 않지만, 장치의 비용이 증가하게 된다. 따라서, 덜 비싼 플라스틱으로 이루어진 패키지 및 캡을 사용하여, 열팽창 계수를 인쇄 회로 기판의 열팽창 계수에 가깝게 하는 것이 바람직하다. 따라서, 필러 (filler) 또는 탄소와 같은 불순물을 플라스틱에 혼입하여, 패키지 및 캡의 열팽창 계수를 인쇄 회로 기판의 열팽창 계수에 가깝게 하는 것이 행하여지고 있다. 그러나, 반도체 장치를 센서로 사용할 경우에는, 반도체 소자 (CCD 칩) 가 빛에 노출되어야 하므로, CCD 칩과 대향하는 캡의 적어도 일부분이 투명하여야 하며, 열팽창 계수를 감소시키기 위하여 필러 또는 탄소와 같은 불순물을 그 일부분으로 혼입할 수 없게 된다. 즉, 반도체 장치 패키지의 열팽창 계수는 인쇄 회로 기판의 열팽창 계수에 가깝게 할 수 있는 반면, 반도체 장치 캡의 열팽창 계수를 인쇄 회로 기판의 열팽창 계수에 가깝게 하는 것은 어렵다. 좀 더 상세하게 설명하면, 인쇄 회로 기판의 열팽창 계수가 16 ×10-6(/℃) 인 경우, 패키지의 열팽창 계수는 약 14 ×10-6(/℃) 까지 감소시킬 수 있는 반면, 캡의 열팽창 계수는 61 ×10-6(/℃) 정도가 된다. 따라서, 종래 반도체 장치에서의 큰 휨은 주로 반도체 장치의 캡에 기인함을 알 수 있다.
이 실시예에서, 도 2a 및 2b 를 참조하면, 캡 (5) 의 두께는 종래 기술에서의 두께보다 더 얇은 0.5 mm 이하이다. 그 결과, 캡 (5) 자체는 종래 기술의 열팽창 계수와 동일한 열팽창 계수를 가짐에도 불구하고, 그 캡 (5) 을 열변형시키려는 힘의 총합이 캡 (5) 의 감소된 두께에 대응하여 작아지므로, 패키지 (1) 에 가해지는 힘이 더 작아지게 된다. 좀 더 상세하게 설명하면, 캡 (5) 의 단위 체적당 변형력이 일정하더라도, 전체 열변형력이 감소된 두께에 대응하여 작아지므로, 패키지 (1) 에는 더 작은 힘이 작용하게 된다. 따라서, 전체 반도체 장치로서는 휨량이 더 적어지게 된다. 또한, 일정 비율로 첨가된 불순물을 갖는 플라스틱 재료로 패키지 (1) 를 형성하고, 플라스틱 재료만으로 캡 (5) 을 형성한 경우에는, 캡 (5) 의 체적이 작아질수록, 전체 반도체 장치로서는 플라스틱내의 불순물 비율이 더 높아진다. 따라서, 전체 반도체 장치의 열팽창 계수가 작아지게 된다.
도 3 은 본 출원인이 행한 실험을 통하여 구해진 캡 (5) 두께의 변화에 대한 반도체 장치의 휨량의 변화를 나타낸 것이다.
패키지 (1) 의 두께를 3.64 mm 로 가정하면, 휨량은, 캡 (5) 의 두께가 0.7 mm 일 경우, 약 0.14 mm 이며, 휨 비율은 0.14/(3.64+0.7) = 0.322 = 3.22 % 이다. 한편, 캡 (5) 의 두께가 0.5 mm 인 경우, 휨량은 약 0.11 mm 이고, 휨 비율은 0.11/(3.64+0.5) = 0.265 = 2.65 % 이다. 이 결과는 캡 (5) 이 얇을수록, 휨도 더 작아진다는 것을 나타낸다. 또한, 반도체 장치를 사용하는 통상의 조건하에서, 약 2.65 % 의 휨 비율은 보통 허용할 만한 것이므로, 캡 (5) 의 두께는 0.5 mm 이하인 것이 바람직하다.
이 실시예의 구성은 캡 (5) 을 제외하고는 종래 구성과 동일하다.
도 4a 및 4b 를 참조하면, 패키지 (1), CCD 칩 (2) 및 리드 (3) 의 구성이 종래 기술의 구성 및 제 1 실시예의 구성과 동일한, 본 발명에 따른 제 2 실시예가 도시되어 있다.
이 실시예의 캡 (6) 은 CCD 칩 (2) 과 대향하는 투명부 (6a) 및 이 투명부 (6a) 를 제외한 부분인 불투명부 (6b) 로 구성된다. 패키지 (1) 와 같이, 불투명부 (6b) 는 필러 또는 탄소와 같은 불순물이 혼입된 플라스틱으로 이루어지며, 작은 열팽창 계수를 갖는다. 한편, 투명부 (6a) 는 혼입되는 불순물없이 플라스틱 재료만으로 이루어지며, 큰 열팽창 계수를 갖는다.
제 1 실시예에서와 마찬가지로, 이 실시예에서도, 큰 열팽창 계수를 갖는 투명부 (6a) 의 체적이 작기 때문에, 이 투명부 (6a) 를 열적으로 변형시키려는 전체힘이 작으며, 또한, 패키지 (1) 에 가해지는 힘도 작다. 또한, 패키지 (1) 와 투명부 (6b) 가 모두 동일 비율로 함유된 불순물을 갖는 플라스틱 재료로 이루어질 경우에는, 전체 반도체 장치의 플라스틱 재료중의 불순물 비율이 작을수록, 투명부 (6a) 의 체적이 커진다. 따라서, 전체 반도체 장치의 열팽창 계수가 더 작아져서 인쇄 회로 기판 (4) 의 열팽창 계수에 가까워지므로, 반도체 장치의 휨량이 작아지게 된다. 투명부 (6a) 의 두께는 얇을수록, 특히, 0.5 mm 이하인 것이 바람직하다.
또한, 도 5a 및 5b 를 참조하면, 패키지 (1), CCD 칩 (2) 및 리드 (3) 의 구성이 종래 기술의 구성 및 제 1 과 제 2 실시예들의 구성과 동일한, 본 발명에 따른 제 3 실시예가 도시되어 있다.
이 실시예에서의 캡 (7) 은 CCD 칩 (2) 과 대향하는 위치의 투명부 (7a) 및 이 투명부 (7a) 를 제외한 부분인 불투명부 (7b) 로 구성된다. 패키지 (1) 와 동일하게, 불투명부 (7b) 는 필러 또는 탄소와 같은 불순물이 혼입된 플라스틱으로 이루어지며, 작은 열팽창 계수를 갖는다. 한편, 투명부 (7a) 는 혼입되는 불순물없이 플라스틱 재료만으로 이루어지며, 큰 열팽창 계수를 갖는다. 캡 (7) 은 내측면 (패키지 (1) 와의 접합면) 을 가지며, 이 내측면에는, 복수의 그루브 (7c) 가 횡방향으로 연장되어 형성된다.
이 실시예에서는, 열에 의해 캡 (7) 을 열변형시키려는 힘이 그루브 (7c) 에 집중되므로, 전체 휨이 적은 양으로 억제된다. 좀 더 상세하게 설명하면, 이 실시예에서는, 투명부 (7a) 의 열팽창 계수가 변하지 않음에도 불구하고, 열변형시키려는 힘이 그루브 (7c) 에 집중되어, 종래 기술에서와 같이 길이 방향으로 캡 (7) 을 휘어지게 하려는 힘은 작다. 따라서, 그루브 (7c) 에서는 장치의 부분 변형이 크지만, 길이 방향으로의 캡 (7) 및 전체 반도체 장치의 휨은 억제되게 된다.
제 2 실시예에서와 마찬가지로, 이 실시예에서도, 큰 열팽창 계수를 갖는 투명부 (7a) 의 체적이 작기 때문에, 이 투명부 (7a) 를 열변형시키려는 힘의 총합이 작아져서, 패키지 (1) 에 가해지는 힘도 작아진다. 또한, 투명부 (7a) 의 체적이 작기 때문에, 전체 반도체 장치의 플라스틱 재료중의 불순물 비율이 높아지므로, 전체 반도체 장치의 열팽창 계수가 더 작아져서 인쇄 회로 기판 (4) 의 열팽창 계수에 더 가까워진다. 이러한 이유로 인하여, 이 실시예에 따른 반도체 장치의 휨량이 작아지게 된다.
도 6a 및 6b 에 도시된 바와 같이, 그루브 (20c) 가 완전 투명캡 (20) 내에 형성되는 구성을 통하여, 길이 방향으로의 캡 (7) 및 전체 반도체 장치의 휨을 억제하는 효과를 얻을 수도 있다.
도 7a 및 7b 를 참조하면, 패키지 (1), CCD 칩 (2) 및 리드 (3) 의 구성이 종래 기술의 구성, 및 제 1, 제 2 및 제 3 실시예들의 구성과 동일한, 본 발명에 따른 제 4 실시예가 도시되어 있다.
이 실시예에서의 캡 (8) 은 CCD 칩 (2) 과 대향하는 위치의 투명부 (8a) 및 이 투명부 (8a) 를 제외한 부분인 불투명부 (8b) 로 구성된다. 패키지 (1) 와 같이, 불투명부 (8b) 는 필러 또는 탄소와 같은 불순물이 혼입된 플라스틱으로 이루어지며, 작은 열팽창 계수를 갖는다. 한편, 투명부 (8a) 는 혼입되는 불순물없이 플라스틱 재료만으로 이루어지며, 큰 열팽창 계수를 갖는다. 캡 (8) 은 내측면 (패키지 (1) 와의 접합면) 을 가지며, 이 내측면에는 리세스 부분 (1a) 의 외부를 둘러싸는 링 형태의 돌기부 (8c) 가 형성되어 있다. 캡 (8) 은 이 돌기부 (8c) 에서만 패키지 (1) 와 접합된다.
반도체 장치가 인쇄 회로 기판 (4) 상에 탑재되어 고온의 용융 땜납조에 담겨지는 경우, 열이 리드 (3) 로부터 패키지 (1) 로 전달된 후, 이 패키지 (1) 로부터 캡 (8) 으로 전달된다. 도 1a, 1b 및 1c 에 도시된 종래 기술에서는, 리세스 부분을 제외한 패키지 및 캡의 전체 표면을 통하여 열이 전달되기 때문에, 패키지와 캡사이에 열이 쉽게 전달되어, 캡의 온도가 패키지 온도와 거의 동일한온도까지 상승한다.
반대로, 이 실시예의 경우에서는, 돌기부 (8c) 만이 열전달 경로로서의 역할을 하기 때문에, 패키지 (1) 로부터 캡 (8) 으로의 열전달 효율이 낮다. 따라서, 캡 (8) 의 온도가 패키지 (1) 의 온도만큼 상승되지 않게 된다. 상술한 바와 같이, 캡 (8) 의 투명부 (8a) 가 큰 열팽창 계수를 갖더라도, 온도 상승이 적을 경우에는, 변형이 감소된다. 좀 더 상세하게 설명하면, 이 실시예에서는, 열 팽창 계수가 작은 인쇄 회로 기판 (4) 및 패키지 (1) 에서는 온도 상승이 큰 반면, 열 팽창 계수가 큰 캡 (8) 에서는 온도 상승이 작아지기 때문에, 양자의 변형이 거의 같게 되므로, 큰 휨이 생기지 않게 된다.
제 2 및 제 3 실시예에서와 마찬가지로, 이 실시예에서도, 열팽창 계수가 큰 투명부 (8a) 의 체적이 작기 때문에, 이 투명부 (8a) 를 열변형시키려는 힘의 총합이 작아져, 패키지 (1) 에 가해지는 힘도 작아지게 된다. 또한, 투명부 (8a) 의 체적이 작기 때문에, 전체 반도체 장치의 플라스틱 재료중의 불순물 비율이 높아지므로, 전체 반도체 장치의 열팽창 계수가 더 작아져서 인쇄 회로 기판 (4) 의 열팽창 계수에 더 가까워진다. 이러한 이유로 인하여, 이 실시예에 따른 반도체 장치의 휨량이 작아지게 된다.
도 8a 및 8b 에 도시된 바와 같이, 돌기부 (21a) 가 완전 투명캡 (21) 내에 형성되는 구성을 통하여, 길이 방향으로의 캡 (7) 및 전체 반도체 장치의 휨을 억제하는 효과를 얻을 수도 있다.
도 9 를 참조하면, 캡 (9) 의 최외주에 돌기부 (9a) 가 형성된 본 발명에따른 제 5 실시예가 도시되어 있다. 이에 따르면, 캡 (9) 의 제조 공정이 더욱 단순화되며, 캡 (9) 의 강도가 더욱 증대하게 된다.
비록, 특정 용어를 사용하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였지만, 그와 같은 설명은 단지 예시 목적이며, 하기 청구 범위의 사상 또는 범주를 일탈함이 없이, 수정 및 변경이 가능한 것으로 이해하여야 한다.
본 발명에 의하면, 캡의 두께를 종래 기술에서의 두께보다 얇게하여 캡 전체의 열변형력을 감소시킴으로써, 전체 반도체 장치의 휨을 억제하는 효과를 갖는다.
또한, 캡의 내측면에 복수의 그루브를 형성하여 이 그루브에 열변형력을 집중시킴으로써, 그루브에서는 장치의 부분 변형이 크지만 길이 방향으로의 캡 및 전체 반도체 장치의 휨을 억제하는 효과를 갖는다.
또한, 돌기부를 완전 투명캡내에 형성함으로써, 길이 방향으로의 캡 및 전체 반도체 장치의 휨을 억제하는 효과를 갖는다.

Claims (21)

  1. 플라스틱으로 이루어지고, 상부면에 리세스 부분을 갖는 불투명 패키지;
    상기 리세스 부분내에 수용된 반도체 소자; 및
    플라스틱으로 이루어지고, 상기 패키지의 상부면에 고착되어 상기 리세스 부분을 덮으며, 0.5 mm 이하의 두께를 갖는 투명캡을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 소자는 CCD 칩인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 패키지의 바닥면은 인쇄 회로 기판에 탑재되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 플라스틱으로 이루어지고, 상부면에 리세스 부분을 갖는 불투명 패키지;
    상기 리세스 부분내에 수용된 반도체 소자; 및
    플라스틱으로 이루어지고, 상기 패키지의 상부면에 고착되어 상기 리세스 부분을 덮으며, 길이 방향에 거의 수직한 방향으로 형성된 그루브를 갖는 투명캡을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 반도체 소자는 CCD 칩인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 패키지의 바닥면은 인쇄 회로 기판에 탑재되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 플라스틱으로 이루어지고, 상부면에 리세스 부분을 갖는 불투명 패키지;
    상기 리세스 부분내에 수용된 반도체 소자; 및
    플라스틱으로 이루어지고, 상기 패키지의 상부면에 고착되어 상기 리세스 부분을 덮는 투명캡을 구비하되,
    상기 투명캡은 상기 리세스 부분의 외부에 돌기부를 가지며, 상기 돌기부는 상기 패키지의 상부면에 접합되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 반도체 소자는 CCD 칩인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 패키지의 바닥면은 인쇄 회로 기판에 탑재되는 것을 특징으로 하는반도체 장치.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 돌기부는 상기 리세스 부분의 외부를 둘러싸는 링 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 반도체 소자는 CCD 칩인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 패키지의 하부면은 인쇄 회로 기판에 탑재되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  13. 플라스틱으로 이루어지고, 상부면에 리세스 부분을 갖는 불투명 패키지;
    상기 리세스 부분내에 수용된 반도체 소자; 및
    플라스틱으로 이루어지고, 상기 패키지의 상부면에 고착되어 상기 리세스 부분을 덮으며, 상기 리세스 부분내의 상기 반도체 소자에 대향하는 위치에 투명부 및 상기 투명부를 제외한 위치에 불투명부를 갖는 투명캡을 구비하며,
    상기 투명부의 두께는 0.5 mm 이하이고,
    상기 캡은 길이 방향에 실질적으로 수직한 방향으로 형성된 그루브를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 반도체 소자는 CCD 칩인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 패키지의 바닥면은 인쇄 회로 기판에 탑재되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  16. 플라스틱으로 이루어지고, 상부면에 리세스 부분을 갖는 불투명 패키지;
    상기 리세스 부분내에 수용된 반도체 소자; 및
    플라스틱으로 이루어지고, 상기 패키지의 상부면에 고착되어 상기 리세스 부분을 덮으며, 상기 리세스 부분내의 상기 반도체 소자에 대향하는 위치에 투명부 및 상기 투명부를 제외한 위치에 불투명부를 갖는 투명캡을 구비하며,
    상기 투명부의 두께는 0.5 mm 이하이고,
    상기 캡은 상기 리세스 부분의 외부에 돌기부를 가지며, 상기 돌기부는 상기 패키지의 상부면에 접합되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  17. 제 22 항에 있어서,
    상기 반도체 소자는 CCD 칩인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  18. 제 22 항에 있어서,
    상기 패키지의 바닥면은 인쇄 회로 기판에 탑재되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  19. 제 22 항에 있어서,
    상기 돌기부는 상기 리세스 부분의 외부를 둘러싸는 링 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  20. 제 25 항에 있어서,
    상기 반도체 소자는 CCD 칩인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  21. 제 25 항에 있어서,
    상기 패키지의 바닥면은 인쇄 회로 기판에 탑재되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
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