KR100281272B1 - 반도체소자의 소자분리 절연막 형성방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 기판을 보호할 수 있는 산화막과 질화막을 순차적으로 형성하고 그 상부에 예정된부분을 노출시킬 수 있는 감광막패턴을 형성한 다음, 상기 감광막패턴을 이용하여 트렌치를 형성하고 비교적 집적도가 낮은부분인 스크라이브라인이나 주변회로부에 형성된 폭이 큰 트렌치의 저부에 불순물을 주입하여 열산화막을 형성하고 표면상부에 일정한 두께의 다른 산화막을 형성함으로써 비교적 집적도가 낮은부분에 형성된 트렌치를 매립하는 동시에 상부를 평탄화시킨 다음, 전면식각을 실시하여 비교적 집적도가 높은부분과 낮은부분이 평탄화된 소자분리절연막을 형성함으로써 반도체소자의 신뢰성 및 수율을 향상시켜 반도체소자의 고집적화 및 생산성 향상을 가능하게 하는 기술이다.

Description

반도체소자의 소자분리절연막 형성방법

제1a도 내지 제1e도는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체소자의 소자 분리절연막 형성공정도.

제2a도 내지 제2e도는 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체소자의 소자 분리 절연막 형성공정도.

〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉

11,41 : 반도체기판 13,43 : 제1산화막

15,45 : 질화막 17 : 제1감광막패턴

19,49 : 제1트렌치 21,51 : 제2트렌치

23 : 제2감광막패턴 25,55 : 불순물이온

27,61 : 열산화막 29,53 : 제2산화막

31,63 : 제1소자분리절연막 33,65 : 제2소자분리절연막

47 : 감광막패턴 59 : 절연막 스페이서

본 발명은 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법에 관한 것으로, 특히 반도체소자 상부를 예정된 만큼 식각하여 트렌치를 형성하고, 집적도가 비교적 높은부분은 열산화막을 이용하여 소자분리절연막을 형성하며 집적도가 비교적 낮은부분은 절연막으로 매립하여 소자분리절연막을 형성함으로써 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술에 관한 것이다.

고집적화라는 관점에서 소자의 집적도를 높이기 위해서는 각각의 소자의 디맨젼 ( dimension ) 을 축소하는 것과, 소자간에 존재하는 분리영역 ( isolation region ) 의 폭과 면적을 축소하는 것이 필요하며, 이 축소 정도가 셀의 크기를 좌우한다는 점에서 소자분리기술이 메모리 셀 사이즈 ( memory cell size ) 를 결정하는 기술이라고 할 수 있다.

소자분리절연막을 제조하는 종래기술로는 절연물 분리방식의 로코스 ( LOCOS : LOCal Oxidation of Silicon, 이하에서 LOCOS 라 함 ) 방법, 실리콘기판위에 산화막, 다결정실리콘층, 질화막순으로 적층한 구조의 PBL ( Poly - Buffed LOCOS ) 방법, 기판에 홈을 형성한 후에 절연물질로 매립하는 트렌치 ( trench ) 방법 등이 있다.

그러나, 상기 LOCOS 방법으로 소자분리산화막을 미세화할 때 공정상 또는 전기적인 문제가 발생한다. 그중의 하나는, 소자분리절연막만으로는 전기적으로 소자를 완전히 분리할 수 없다는 것이다.

그래서, 소자분리산화막을 형성하는 산화공정 직전 또는 이후에 고농도의 B 또는 BF₂이온을 소자분리절연막의 하부에 이온주입시켜 격리효과를 보상해 주는데, 이 공정을 N 채널 필드 임플란트 ( N - channel field implant ) 공정, 즉 채널스토퍼 ( channel stopper ) 형성공정이라고 한다.

이때, 채널스토퍼로 사용되는 B 또는 BF₂는 소자분리산화공정중에 또는 기타 열처리공정시에 활성영역으로 측면확산하여 활성영역이 좁아지며, 활성트랜지스터의 문턱전압 ( threshold voltage ) 을 높이는 내로우 ( narrow ) 채널 효과을 일으키고, 소오스/드레인을 향해 측면확산하여 N⁺접합과 중첩되면서 일어나는 N⁺접합 브레이크다운 전압 ( breakdown voltage ) 의 감소나 접합누출의 증대등의 문제를 일으키며, 소자분리절연막의 형성후에 채널스톱 불순물을 주입할 경우에는 고에너지의 이온주입을 하기 때문에 소자분리절연막의 끝부분이 손상되어 게이트 산화막의 열화를 가져올 수 있다. 그리고, 소자분리절연막의 상층부는 기판과 단차를 형성하여 후속공정의 진행시 어려움이 있다.

그리고, 상기 PBL 을 사용하는 경우, 필드산화시에 산소의 측면확산에 의하여 버즈빅이 발생한다. 즉, 활성영역이 작아져 활성영역을 효과적으로 활용하지 못하며, 필드산화막의 두께가 두껍기 때문에 단차가 형성되어 후속공정에 어려움을 준다. 그리고, 기판상부의 다결정실리콘층으로 인하여 필드산화시 기판내부로 형성되는 소자분리절연막이 타기법에 비하여 상대적으로 작기 때문에 타기법에 비해 신뢰성을 약화시킬 수 있다.

상기 트렌치방법을 사용하는 경우, 반도체기판을 식각하여 트렌치를 형성함으로써, LOCOS 법에 의해 형성되는 단차를 없앨 수는 있지만, 기판의 손상으로 인하여 다량의 누설전류가 발생해 반도체소자의 신뢰성을 저하시켰다.

그래서, 최근에는 반도체기판을 식각하여 트렌치를 형성함으로써 단차로 인하여 발생되는 문제점을 해결하고, 감광막을 마스크로 사용하여 반도체기판의 손상을 방지해 사용해왔다.

최근에 트렌치를 이용한 소자분리절연막 형성방법은 다음과 같다. 마스크공정으로 반도체기판을 식각하여 셀의 비활성영역에 폭이 좁은 트렌치를 형성하고, 셀이 형성되지않는 부분의 비활성영역에 폭이 넓은 트렌치를 형성한다. 그리고, 표면상부에 일정두께 산화막을 증착한다. 이때, 폭이 좁은 트렌치에서는 산화막이 폭이 좁은 트렌치를 매립하고 넘치어 좁은폭의 트렌치가 형성된 부분에 증착된 산화막은 폭이 넓은 부분의 산화막보다 두껍게 형성된다. 그후에 소자를 형성하는 부분인 셀의 활성영역을 노출시키는 전면식각하여 트렌치형 소자분리절연막을 형성하였다.

그러나, 넓은폭의 트렌치가 형성된 산화막, 즉 소자분리절연막은 그 두께가 좁은폭의 트렌치가 형성된 셀부분의 산화막 두께보다 얇게 형성되어 전면식각공정시 반도체기판을 드러내는 경우가 발생하여 소자분리절연막으로서의 구실을 못함으로써 반도체소자의 신뢰성 및 생산성을 저하시키는 문제점이 되었다.

따라서, 본 발명은 종래기술의 문제점을 해결하기위하여, 셀부분에 형성된 좁은폭의 트렌치는 산화막으로 매립하여 소자분리절연막을 형성하고, 셀이 형성되지않는 부분에 형성된 넓은폭의 트렌치는 열산화공정으로 산화막을 성장시켜 소자분리절연막을 형성한다. 그리고 평탄화공정을 실시함으로써 반도체소자의 신뢰성 및 생산성을 향상시킬 수 있는 소자분리 절연막 형성방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

이상의 목적을 달성하기위한 본 발명의 특징은, 반도체기판 상부에 제1산화막을 형성하는 공정과, 상기 제1산화막 상부에 질화막을 형성하는 공정과, 상기 질화막 상부에 감광막을 형성하는 공정과, 노광마스크를 이용한 노광 및 현상공정으로 제1감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 제1감광막패턴을 마스크로하여 상기 질화막, 제1산화막 및 반도체기판을 순차적으로 식각함으로써 폭이 작은 제1트렌치와 폭이 큰 제2트렌치를 형성하는 공정과, 상기 제1감광막패턴을 제거하는 공정과, 전체표면상부에 감광막을 형성하는 공정과, 다른 노광마스크를 이용한 노광 및 현상공정으로 상기 제2트렌치를 노출시키는 제2감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 제2감광막패턴을 마스크로하여 상기 제2트렌치에 불순물이온을 주입하는 이온주입공정과, 상기 제2감광막패턴을 제거하는 공정과, 상기 반도체기판을 열산화시켜 열산화막을 형성하는 공정과, 전체표면상부에 제2산화막을 형성하여 평탄화시키는 공정과, 표면상부를 전면식각하여 소자분리절연막을 형성하는 공정을 포함하는데 있다. 그리고, 상기 이온주입공정은 3족, 5족 및 6족의 불순물로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 하나의 불순물로 실시한다. 이때, 상기 이온주입공정시 이온주입농도는 1 × 10¹⁴/ cm²내지 1 × 10¹⁷/ cm²로 실시한다. 그리고, 상기 제2산화막은 실리콘과 산소의 화합물로 형성한다. 이때, 상기 제2산화막은 오존-테오스 ( O³-TEOS : Tetra Ethyl Ortho Silicate, 이하에서 O³-TEOS 라 함 ), 테오스 ( TEOS : Tetra Ethyl Ortho Silicate, 이하에서 TEOS 라 함 ), 에이취. 티. 오. ( HTO : High Temperature Oxidation, 이하에서 HTO 라 함 ) 및 엠.티.오. ( MTO : Medium Temperature Oxidation, 이하에서 MTO 라 함 ) 등으로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 하나의 물질을 사용하고, 상기 제2산화막의 두께는 3000 Å 내지 8000 Å 으로 한다. 그리고, 상기 열산화막은 불순물이온이 주입된 제2트렌치에 형성한다. 또한, 상기 전면식각은 상기 반도체기판의 활성영역이 노출되도록 실시한다.

이상의 목적을 달성하기위한 본 발명의 다른 특징은, 반도체기판 상부에 제1산화막을 형성하는 공정과, 상기 제1산화막 상부에 질화막을 형성하는 공정과, 상기 질화막 상부에 감광막을 형성하는 공정과, 노광마스크를 이용한 노광 및 현상공정으로 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 질화막, 제1산화막 및 반도체기판을 순차적으로 식각함으로써 폭이 작은 제1트렌치와 폭이 큰 제2트렌치를 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 제거하는 공정과, 전체표면상부에 일정두께 제2산화막을 형성하는 공정과, 상기 제2산화막 하부의 반도체기판 일부에 불순물이온을 이온주입하는 공정과, 상기 제2산화막의 두께만큼 전면식각을 실시하여 상기 제1트렌치를 제2산화막으로 매립하고 상기 제2트렌치의 측벽에 절연막 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 반도체기판을 열산화시켜 열산화막을 형성하는 공정과, 표면상부를 평탄화시키는 전면 식각을 실시함으로써 소자분리절연막을 형성하는 공정을 포함하는데 있다. 그리고, 상기 제2산화막은 실리콘과 산소의 화합물로 형성한다. 이때, 상기 제2산화막은 상기 제2산화막은 상기 반도체기판과의 식각선택비가 3 : 1 내지 8 : 1 인 물질을 사용하고, 상기 제2산화막의 두께는 3000 Å 내지 8000 Å 으로 한다. 그리고, 상기 이온주입공정은 3족, 5족 및 6족의 불순물로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 하나의 불순물로 실시한다. 이때, 상기 이온주입공정시 이온주입농도는 1 × 10¹⁴/ cm²내지 1 × 10¹⁷/ cm²로 실시하고, 상기 불순물이온은 상기 제2트렌치에서 양측벽으로부터 상기 제2산화막의 두께만큼 떨어진 상기 제2트렌치의 중앙부에만 이온주입한다. 그리고, 상기 열산화공정은 불순물이온이 주입된 반도체기판과 주입되지않은 반도체기판의 열산화율 차이를 이용하여 실시한다. 또한, 상기 전면식각은 상기 전면식각은 상기 반도체기판의 활성영역이 노출되도록 실시한다.

이하, 첨부된 도면을 참고로하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.

제1a도 내지 제1e도는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체소자의 소자 분리절연막 형성공정을 도시한 단면도이다.

제1a도를 참조하면, 반도체기판(11) 상부에 제1산화막(13), 질화막(15) 및 제1감광막(17)을 순차적으로 형성한다. 그리고, 노광마스크(도시안됨)을 이용한 노광 및 현상하여 제1감광막(17)패턴을 형성한다. 그후에 제1감광막(17)패턴을 마스크로하여 질화막(15), 제1산화막(13) 및 일정두께의 반도체기판(11)을 식각한다. 그로인하여, 반도체기판(11)의 비활성 영역에 질화막(15)패턴 및 제1산화막(13)패턴을 형성하는 동시에 반도체 기판(11)의 활성영역에 제1트렌치(19) 및 제2트렌치(21)를 형성한다.

여기서, 일측에 형성된 좁은폭의 제1트렌치(19)는 소자가 형성되는 셀부분으로 비교적 고집적화된 부분에 형성된 것이다. 그리고, 다른 일측에 형성된 넓은폭의 제2트렌치(21)는 소자가 형성되지않는 스크라이브영역이나 주변회로부에 형성한 것이다.

제1b도를 참조하면, 제1감광막(17)패턴을 제거한다. 그리고, 표면상부를 평탄화시키는 제2감광막(23)을 형성한다. 그후에 제2트렌치(21)를 노출시키는 제2감광막(23)패턴을 형성한다. 그 다음에 표면상부로부터 제2감광막(23)을 마스크로하여 제2트렌치(21)의 하부에 불순물이온(25)을 주입한다. 이때, 불순물이온(25)은 3족, 5족 및 6족 등으로 이루는 군에서 임의로 선택되는 하나를 사용하며, 불순물 이온주입농도는 1 × 10¹⁴/ cm²내지 1 × 10¹⁷/ cm²으로 한다.

제1c도를 참조하면, 제2감광막(23)패턴을 제거한다. 그리고, 열공정을 실시하여 제2트렌치(21)에 열산화막(27)을 형성한다.

이때, 제2트렌치(21)에 형성된 열산화막(27)은 주입된 불순물이온(25) 때문에 제1트렌치(19)보다 열산화가 빨리 일어나 제2트렌치(21)에만 형성된 것이다.

제1d도를 참조하면, 표면상부에 제1,2트렌치(19,21)를 매립하도록 두껍게 제2산화막(29)을 형성하여 평탄화한다. 이때, 제2산화막(29)은 실리콘과 산소의 화합물을 사용한다. 예를들어, 0³-TEOS, TEOS, HTO 또는 MT0 등의 화합물을 사용한다. 그리고, 제2산화막(29)의 두께는 3000 Å 내지 8000 Å 으로 한다. 또한, 제2산화막(29)은 반도체기판(11)과의 식각선택비 차가 3 : 1 내지 8 : 1 인 것을 사용한다.

제1e도는 반도체기판(11)의 활성영역이 노출되도록 전면식각을 실시하여 제2산화막(29), 질화막(15), 제1산화막(13) 및 열산화막(27)의 상측 일부를 제거함으로써 평탄화시킨다. 그로인하여, 제2산화막(29)으로 형성된 제1소자분리절연막(31)과 열산화막(27)으로 형성된 제2소자분리절연막(33)이 형성된다.

제2a도 내지 제2e도는 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체소자의 소자 분리절연막 형성공정을 도시한 단면도이다.

제2a도를 참조하면, 반도체기판(41) 상부에 제1산화막(43), 질화막(45) 및 감광막(47)을 순차적으로 형성한다. 그리고, 노광마스크(도시안됨)를 이용한 노광 및 현상공정으로 감광막(47)패턴을 형성한다. 그후에 감광막(47)패턴을 마스크로하여 질화막(45), 제1산화막(43) 및 일정두께의 반도체기판(41)을 식각한다. 그로인하여, 반도체기판(41)의 비활성영역에 질화막(45)패턴 및 제1산화막(43)패턴을 형성하는 동시에 반도체기판(41)의 활성영역에 제1트렌치(49) 및 제2트렌치(51)를 형성한다.

여기서, 일측에 형성된 좁은폭의 제1트렌치(49)는 비교적 집적도가 높은 셀부분에 형성한다. 그리고, 다른 일측에 형성된 넓은폭의 제2트렌치(51)는 소자가 형성되지않는 비교적 집적도가 낮은 스크라이브영역이나 주변회로부에 형성한 것이다.

제2b도를 참조하면, 감광막(47)패턴을 제거한다. 그리고, 전체표면상부에 일정두께 제2산화막(53)을 형성한다. 그후에, 제2산화막(53)의 하부까지 불순물이온(55)을 주입한다. 이때, 반도체기판(41)은 제2산화막(53)이 형성하는 제3트렌치(57) 하부에만 불순물이온(55)이 이온주입된다. 그리고, 제2산화막(29)은 실리콘과 산소의 화합물을 사용한다. 예를들어, 오존-테오스 ( O³-TEOS Tetra Ethyl Ortho Silicate, 이하에서 O³-TEOS 라 함 ), 테오스 ( TEOS : Tetra Ethyl Ortho Silicate, 이하에서 TEOS 라 함 ), 에이취.티.오. ( HTO : High Temperature Oxidation, 이하에서 HTO 라 함 ) 및 엠.티.오. ( MTO : Medium Temperature Oxidation, 이하에서 MTO 라 함 ) 등의 화합물을 사용한다. 그리고, 제2산화막(29)의 두께는 3000 Å 내지 8000 Å 으로 한다. 또한, 제2산화막(29)은 반도체기판(11)과의 식각선택비 차가 3 : 1 내지 8 : 1 인 것을 사용한다.

제2c도를 참조하면, 제2산화막(53)의 두께만큼 전면식각을 실시하여 제2트렌치(51)의 측벽에 절연막 스페이서(59)를 형성하는 동시에 제1트렌치(49)를 매립한 것이다.

제2d도를 참조하면, 제1트렌치(51)의 절연막 스페이서(59)를 성장장벽으로하여 반도체기판(41)을 열산화시킴으로써 열산화막(61) 형성한 것을 도시한 것이다.

제2e도를 참조하면, 전면식각을 실시하여 제1소자분리절연막(63)과 제2소자분리절연막(65)을 형성한 것이다. 여기서, 제1소자분리절연막(63)은 비교적 집적도가 높은 셀부분을 도시한다. 그리고, 제2소자분리절연막(65)은 비교적 집적도가 낮은 스크라이브라인이나 주변회로부를 도시한다.

이상에서 설명한 바와같이 본 발명에 따른 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법은, 반도체기판을 식각하여 소자분리절연막을 형성하는 트렌치 방법으로서, 비교적 집적도가 낮은 부분에만 불순물이온을 주입하고 실시하는 열산화공정과, 절연막 형성공정을 이용하여 반도체기판에 형성된 트렌치를 매립하는 공정을 이용하여 집적도가 낮은부분과 높은부분에 동시에 평탄화되고 버즈빅이 없는 소자분리절연막을 형성함으로써 후속공정을 용이하게 하고 신뢰성 및 수율을 향상시켜 반도체소자의 고집적화 및 생산성 향상을 가능하게 한다.

Claims (17)

1. 반도체기판 상부에 제1산화막을 형성하는 공정과, 상기 제1산화막 상부에 질화막을 형성하는 공정과, 상기 질화막 상부에 감광막을 형성하는 공정과, 노광마스크를 이용한 노광 및 현상공정으로 제1감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 제1감광막패턴을 마스크로하여 상기 질화막, 제1산화막 및 반도체 기판을 순차적으로 식각함으로써 폭이 작은 제1트렌치와 폭이 큰 제2트렌치를 형성하는 공정과, 상기 제1감광막패턴을 제거하는 공정과, 전체표면상부에 감광막을 형성하는 공정과, 다른 노광마스크를 이용한 노광 및 현상공정으로 상기 제2트렌치를 노출시키는 제2감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 제2감광막패턴을 마스크로하여 상기 제2트렌치에 불순물이온을 주입하는 이온주입공정과, 상기 제2감광막패턴을 제거하는 공정과, 상기 반도체기판을 열산화시켜 열산화막을 형성하는 공정과, 전체표면상부에 제2산화막을 형성하여 평탄화시키는 공정과, 표면상부를 전면식각하여 소자분리절연막을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 이온주입공정은 3족, 5족 및 6족의 불순물로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 하나의 불순물로 실시하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 이온주입공정시 이온주입농도는 1 × 10¹⁴/ cm²내지 1 × 10¹⁷/ cm²로 실시하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 제2산화막은 실리콘과 산소의 화합물로 형성하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법.
5. 제4항에 있어서, 상기 제2산화막은 O³-TEOS, TEOS, HTO 및 MTO 등으로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 하나의 물질을 사용하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법.
6. 제4항에 있어서, 상기 제2산화막의 두께는 3000 Å 내지 8000 Å 으로 하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법.
7. 제1항에 있어서, 상기 열산화막은 불순물이온이 주입된 제2트렌치에 형성하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법.
8. 제1항에 있어서, 상기 전면식각은 상기 반도체기판의 활성영역이 노출되도록 실시하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법.
9. 반도체기판 상부에 제1산화막을 형성하는 공정과, 상기 제1산화막 상부에 질화막을 형성하는 공정과, 상기 질화막 상부에 감광막을 형성하는 공정과, 노광마스크를 이용한 노광 및 현상공정으로 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 질화막, 제1산화막 및 반도체기판을 순차적으로 식각함으로써 폭이 작은 제1트렌치와 폭이 큰 제2트렌치를 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 제거하는 공정과, 전체표면상부에 일정두께 제2산화막을 형성하는 공정과, 상기 제2산화막 하부의 반도체기판 일부에 불순물이온을 이온주입하는 공정과, 상기 제2산화막의 두께만큼 전면식각을 실시하여 상기 제1트렌치를 제2산화막으로 매립하고 상기 제2트렌치의 측벽에 절연막 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 반도체기판을 열산화시켜 열산화막을 형성하는 공정과, 표면상부를 평탄화시키는 전면식각을 실시함으로써 소자분리절연막을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법.
10. 제9항에 있어서, 상기 제2산화막은 실리콘과 산소의 화합물로 형성하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법.
11. 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 제2산화막은 상기 반도체기판과의 식각선택비가 3 : 1 내지 8 : 1 인 물질을 사용하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법.
12. 제9항에 있어서, 상기 제2산화막의 두께는 3000 Å 내지 8000 Å 으로 하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법.
13. 제9항에 있어서, 상기 이온주입공정은 3족, 5족 및 6족의 불순물로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 하나의 불순물로 실시하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법.
14. 제13항에 있어서, 상기 이온주입공정시 이온주입농도는 1 × 10¹⁴/ cm²내지 1 × 10¹⁷/ cm²로 실시하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법.
15. 제9항에 있어서, 상기 불순물이온은 상기 제2트렌치에서 양측벽으로부터 상기 제2산화막의 두께만큼 떨어진 상기 제2트렌치의 중앙부에만 이온주입하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법.
16. 제9항에 있어서, 상기 열산화공정은 불순물이온이 주입된 반도체기판과 주입되지않은 반도체기판의 열산화율 차이를 이용하여 실시하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법.
17. 제9항에 있어서, 상기 전면식각은 상기 전면식각은 상기 반도체기판의 활성영역이 노출되도록 실시하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법.