KR100274132B1 - 광기록매체 및 이에 이용되는 디피로메텐금속킬레이트화합물 - Google Patents

광기록매체 및 이에 이용되는 디피로메텐금속킬레이트화합물 Download PDF

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히사시 쯔카하라
아키라 오기소
켄이찌 스기모토
켄지 미조우에
케이스케 타쿠마
켄이치 카토
토시히로 마사오카
요지로 쿠마가에
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미쯔이카가쿠 가부시기가이샤
오가타 타케오
야마모토카세이 카부시키카이샤
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Abstract

본 발명에서는, 기판상에 적어도 기록층 및 반사층을 가진 광기록매체에 있어서, 기록층속에 하기 일반식(1)로 표시되는 디피로메텐금속킬레이트화합물을 적어도 1종 함유하는 것을 특징으로 하는 광기록매체가 개시되어 있다.
[식중, R1및 R9는 각각 독립적으로 알케닐기, 아릴기 또는 헤테로아릴기이고; R2내지 R8은 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 혹은 탄소수 20이하의 치환 또는 미치환된 알킬기, 알콕시기, 알케닐기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아랄킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기이며; M은 전이금속임]

Description

광기록매체 및 이에 이용되는 디피로메텐금속킬레이트화합물
본 발명은 디피로메텐금속킬레이트화합물을 이용한, 종래의 경우와 비교해서 고밀도로 기록 및 재생가능한 기록매체에 관한 것이다.
현재, CD와 비교해서 대용량인 광기록매체로서, 용량 4.7GB인 디지털 비데오디스크(DVD)가 개발되어, 상품화되고 있다. DVD는 ROM매체이므로, 이 용량에 맞는 기록재생가능한 광기록매체가 요망되고 있다. DVD중에서도, 추기형(write-once type)은 DVD-R이라 칭한다.
DVD에서는, 고밀도기록을 행하기 위하여, 레이저광의 발진파장이 630㎚∼680㎚근방으로, CD의 경우보다도 단파장이다. 이와 같은 단파장내에서 사용가능한 유기색소계 광기록매체의 색소로서는, 시안계색소, 아조계색소, 벤조피란계색소, 벤조디푸라논계 색소, 인디고계색소, 디옥사진계 색소 및 포르피린계색소가 제안되어 있으며, 이들은 예를 들면 일본국 특개평 4-74690호 공보, 특개평 5-38878호 공보, 특개평 6-40161호 공보, 특개평 6-40162호 공보, 특개평 6-199045호 공보, 특개평 6-336086호 공보, 특개평 7-76169호 공보, 특개평 7-125441호 공보, 특개평 7-262604호 공보, 특개평 9-156218호 공보, 특개평 9-193544호 공보, 특개평 9-193545호 공보, 특개평 9-193547호 공보, 특개평 9-194748호 공보, 특개평 9-202052호 공보, 특개평 9-267562호 공보 및 특개평 9-274732호 공보에 개시되어 있으나, 이들 종래기술은, 색소의 내구성의 문제나, 특히, 단파장용도 특유의 문제가 있다. 예를 들면, 죄어진 레이저광으로 작은 피트를 형성할 경우, 그 주변에 넓게 영향을 미쳐, 크게 확대된 피트로 되어, 지터나 반경방향의 크로스토크의 악화를 초래한다. 역으로, 이들 종래기술의 일부는, 경우에 따라 매우 작은 피트를 형성하게 되어, 변조도의 열화를 초래하게 된다. 게다가, 부적합한 광학상수(굴절률, 소광계수 등)를 지니는 유기색소를 선택하여 소망의 레이저파장에서 기록층에 사용할 경우, 반사율, 감도 등의 열화를 일으킨다. 이들 결점에 대해서는, 아직 해결되어 있지 않은 것이 현상황이다.
본 발명의 목적은, 파장 520∼690㎚의 단파장레이저에 의한 기록 및 재생이 가능하고, 내구성이 뛰어나며, 고밀도기록에 적합한 광기록매체를 제공하는 데 있다.
도 1은 종래의 경우 및 본 발명의 광기록매체의 층구성을 도시한 개략구조도
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1: 기판 2: 기록층
3: 반사층 4: 접착층
5: 기판
본 발명자들은, 이미 유기색소로서 디피로메텐금속킬레이트화합물을 사용한 기록 및 재생이 가능한 고밀도기록에 적합한 광기록매체에 대해 제안을 한 바 있다(일본국 특개평 10-226172호 공보). 본 발명자들은, 상기 디피로메텐금속킬레이트화합물을 사용한 광기록매체에 대해서 더욱 예의 검토를 진행시킨 결과, 상기 디피로메텐금속킬레이트화합물중에서, 비닐기나 할로겐원자를 함유하는 치환기를 지니고, 또 피롤고리의 α위치에는 특정 아릴기나 헤테로아릴기 등의 치환기를 지니며, 배위금속으로서 구리나 코발트 등을 지닌 디피로메텐금속킬레이트화합물을 선택하고, 기록층에 상기 선택된 디피로메텐금속킬레이트화합물을 2종이상 사용함으로써, 유기색소의 결점에 기인한 반사율 및 감도의 악화, 즉 광학특성의 파장의존성을 억제하여 지터특성 및 내구성이 우수한 광기록매체를 얻을 수 있다는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하였다. 즉, 본 발명의 각 측면은 다음과 같다.
1. 본 발명의 제 1측면은, 기판상에 적어도 기록층 및 반사층을 가진 광기록매체에 있어서, 기록층속에 하기 일반식(1)로 표시되는 디피로메텐금속킬레이트화합물을 적어도 1종함유하는 것을 특징으로 하는 광기록매체에 관한 것이다.
[식중, R1및 R9는 각각 독립적으로 알케닐기, 아릴기 또는 헤테로아릴기이고; R2내지 R8은 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 혹은 탄소수 20이하의 치환 또는 미치환된 알킬기, 알콕시기, 알케닐기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아랄킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기이며; M은 전이금속임]에 관한 것이다.
2. 본 발명의 제 2측면은, 상기 제 1측면에 있어서, 상기 일반식(1)에 있어서의 R1이 -CH=CH-R10(식중, R10은 수소원자, 할로겐원자, 혹은 탄소수 20이하의 치환 또는 미치환된 알킬기, 알콕시기, 알케닐기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아랄킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기임)인 것을 특징으로 하는 광기록매체에 관한 것이다.
3. 본 발명의 제 3측면은, 상기 제 1측면에 있어서, 상기 일반식(1)에 있어서의 R1이 탄소수 20이하의 치환 또는 미치환된 아릴기 또는 헤테로아릴기이고, M이 구리 또는 코발트인 것을 특징으로 하는 광기록매체에 관한 것이다.
4. 본 발명의 제 4측면은, 상기 제 3측면에 있어서, 상기 일반식(1)에 있어서의 R1및 R3이 동시에 탄소수 20이하의 치환 또는 미치환된 아릴기 또는 헤테로아릴기인 것을 특징으로 하는 광기록매체에 관한 것이다.
5. 본 발명의 제 5측면은, 상기 제 4측면에 있어서, 상기 일반식(1)에 있어서의 R1, R3및 R9가 탄소수 20이하의 치환 또는 미치환된 아릴기이고, 아릴기의 적어도 1종이 할로겐원자로 치환되어 있거나, 혹은 R2, R4내지 R8중 적어도 1종이 할로겐원자인 것을 특징으로 하는 광기록매체에 관한 것이다.
6. 본 발명의 제 6측면은, 상기 제 1 내지 제 5측면중 어느 한 측면에 있어서, 상기 기록층은 하기 일반식(2)로 표시되는 다른 디피로메텐금속킬레이트화합물을 적어도 1종 또 함유하는 것을 특징으로 하는 광기록매체에 관한 것이다.
[식중, R11내지 R17은 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 수산기, 아미노기, 카르복실기, 술폰산기, 혹은 탄소수 20이하의 치환 또는 미치환된 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 알케닐기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 아실아미노기, 아랄킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기이고; R15및 R16은 서로 결합해서, 적어도 1개의 치환기를 지녀도 되는 방향족고리를 형성해도 되며; M'은 전이원소임]에 관한 것이다.
7. 본 발명의 제 7측면은, 상기 제 6측면에 있어서, 상기 다른 디피로메텐금속킬레이트화합물이 하기 일반식(3)으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 광기록매체.
[식중, R19내지 R25는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 수산기, 아미노기, 카르복실기, 술폰산기, 혹은 탄소수 20이하의 치환 또는 미치환된 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 알케닐기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 아실아미노기 또는 아랄킬기이고; R18및 R26은 각각 독립적으로 알케닐기 또는 아릴기이며; M"은 구리 또는 코발트임].
8. 본 발명의 제 8측면은, 상기 제 1 내지 제 7측면중 어느 한 측면에 있어서, 520∼690㎚의 레이저파장에서, 기록층의 굴절률이 1.8이상이고, 소광계수가 0.04∼0.40인 것을 특징으로 하는 광기록매체에 관한 것이다.
9. 본 발명의 제 9측면은, 상기 제 1 내지 제 7측면중 어느 한 측면에 있어서, 520∼690㎚의 파장범위내에서 선택되는 레이저광에 의해 기록 및 재생이 가능한 것을 특징으로 하는 광기록매체에 관한 것이다.
10. 본 발명의 제 10측면은, 하기 일반식(4)로 표시되는 것을 특징으로 하는 디피로메텐금속킬레이트화합물에 관한 것이다.
[식중, R27내지 R35는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 혹은 탄소수 20이하의 치환 또는 미치환된 알킬기, 알콕시기, 알케닐기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아랄킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기이고; M'''은 전이원소임].
본 발명의 디피로메텐금속킬레이트화합물의 적어도 1종을 기록층으로서 사용함으로써, 고밀도광기록매체로서 매우 주목되고 있는 파장 520∼690㎚의 레이저광에 의해 기록 및 재생이 가능하고, 특히 내구성이 뛰어난 추기형 광기록매체를 제공하는 일이 가능해진다.
이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
일반식(1)로 표시되는 디피로메텐금속킬레이트화합물에 있어서, R1및 R9는 각각 독립적으로 알케닐기, 아릴기 또는 헤테로아릴기이고; R2내지 R8은 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 혹은 탄소수 20이하의 치환 또는 미치환된 알킬기, 알콕시기, 알케닐기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아랄킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기이다.
R1및 R9로 표시되는 아릴기의 예로서는, 페닐기, 니트로페닐기, 시아노페닐기, 히드록시페닐기, 메틸페닐기, 에틸페닐기, n-부틸페닐기, t-부틸페닐기, 시클로헥실페닐기, 2,4-디메틸페닐기, 2,4-디이소프로필페닐기, 2,4,6-트리메틸페닐기, 2,6-디메틸-4-t-부틸페닐기, 플루오로페닐기, 클로로페닐기, 브로모페닐기, 아이오도페닐기, 2,4-디플루오로페닐기, 2,4-디클로로페닐기, 2,4-디브로모페닐기, 2,4-디아이오도페닐기, 메톡시페닐기, 에톡시페닐기, n-부톡시페닐기, 이소아밀옥시페닐기, 트리플루오로메틸페닐기, N,N-디메틸아미노페닐기, N,N-디에틸아미노페닐기, N,N-디부틸아미노페닐기, 2-N,N-디에틸아미노-4-이소프로필페닐기, 나프틸기, 니트로나프틸기, 시아노나프틸기, 히드록시나프틸기, 메틸나프틸기, 메톡시나프틸기, 클로로나프틸기, 브로모나프틸기, 트리플루오로메틸나프틸기 등의 탄소수 20이하의 치환 또는 미치환된 아릴기를 들 수 있고;
R1및 R9로 표시되는 헤테로아릴기의 예로서는, 피롤릴기, 티에닐기, 푸라닐기, 옥사조일기, 이소옥사조일기, 옥사디아조일기, 티아디아조일기, 이미다조일기, 벤조옥사조일기, 벤조티아조일기, 벤조이미다조일기, 벤조푸라닐기, 인도일기 등을 들 수 있다.
또, R1및 R9로 표시되는 알케닐기의 예로서는, 치환기를 지녀도 되는 알케닐기를 들 수 있고, 그의 바람직한 예는 -CH=CHR10으로 표시되며, 상기 식중 R10은, 수소원자, 할로겐원자, 혹은 탄소수 20이하의 치환 또는 미치환된 알킬기, 알콕시기, 알케닐기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아랄킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기이다.
R10의 대표적인 예로서는, 수소원자; 불소, 염소, 브롬, 요드 등의 할로겐원자; 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 2-메틸부틸기, 1-메틸부틸기, 네오펜틸기, 1,2-디메틸프로필기, 1,1-디메틸프로필기, 시클로펜틸기, n-헥실기, 4-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 1-메틸펜틸기, 3,3-디메틸부틸기, 2,3-디메틸부틸기, 1,3-디메틸부틸기, 2,2-디메틸부틸기, 1,2-디메틸부틸기, 1,1-디메틸부틸기, 3-에틸부틸기, 2-에틸부틸기, 1-에틸부틸기, 1,2,2-트리메틸부틸기, 1,1,2-트리메틸부틸기, 1-에틸-2-메틸프로필기, 시클로헥실기, n-헵틸기, 2-메틸헥실기, 3-메틸헥실기, 4-메틸헥실기, 5-메틸헥실기, 2,4-디메틸펜틸기, n-옥틸기, 2-에틸헥실기, 2,5-디메틸헥실기, 2,5,5-트리메틸펜틸기, 2,4-디메틸헥실기, 2,2,4-트리메틸펜틸기, 3,5,5-트리메틸펜틸기, n-노닐기, n-데실기, 4-에틸옥틸기, 4-에틸-4,5-디메틸헥실기, n-운데실기, n-도데실기, 1,3,5,7-테트라에틸옥틸기, 4-부틸옥틸기, 6,6-디에틸옥틸기, n-트리데실기, 6-메틸-4-부틸옥틸기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, 3,5-디메틸헵틸기, 2,6-디메틸헵틸기, 2,4-디메틸헵틸기, 2,2,5,5-테트라메틸헥실기, 1-시클로펜틸-2,2-디메틸프로필기, 1-시클로헥실-2,2-디메틸프로필기, 클로로메틸기, 디클로로메틸기, 플루오로메틸기, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로메틸기, 노나플루오로부틸기 등의 탄소수 20이하의 치환 또는 미치환된 알킬기;
메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소프로폭시기, n-부톡시기, 이소부톡시, sec-부톡시기, t-부톡시기, n-펜톡시기, 이소펜톡시기, 네오펜톡시기, n-헥실옥시기, n-도데실옥시기, 메톡시에톡시기, 에톡시에톡시기, 3-메톡시프로필옥시기, 3-(이소프로필옥시)프로필옥시기 등의 탄소수 20이하의 치환 또는 미치환된 알콕시기;
비닐기, 프로페닐기, 1-부테닐기, 이소부테닐기, 1-펜테닐기, 2-펜테닐기, 2-메틸-1-부테닐기, 3-메틸-1-부테닐기, 2-메틸-2-부테닐기, 2,2-디시아노비닐기, 2-시아노-2-메틸카르복시비닐기, 2-시아노-2-메틸술폰비닐기 등의 탄소수 20이하의 치환 또는 미치환된 알케닐기;
포르밀기, 아세틸기, 에틸카르보닐기, n-프로필카르보닐기, 이소프로필카르보닐기, n-부틸카르보닐기, n-펜틸카르보닐기, 이소펜틸카르보닐기, 네오펜틸카르보닐기, 2-메틸부틸카르보닐기, 니트로벤질카르보닐기 등의 탄소수 20이하의 치환 또는 미치환된 아실기;
메톡시카르보닐기, 에톡시카르보닐기, 이소프로폭시카르보닐기, 2,4-디메틸부틸옥시카르보닐기 등의 탄소수 20이하의 치환 또는 미치환된 알콕시카르보닐기; 및
벤질기, 니트로벤질기, 시아노벤질기, 히드록시벤질기, 메틸벤질기, 디메틸벤질기, 트리메틸벤질기, 디클로로벤질기, 메톡시벤질기, 에톡시벤질기, 트리플루오로메틸벤질기, 나프틸메틸기, 니트로나프틸메틸기, 시아노나프틸메틸기, 히드록시나프틸메틸기, 메틸나프틸메틸기, 트리플루오로메틸나프틸메틸기 등의 탄소수 20이하의 치환 또는 미치환된 아랄킬기;
전술한 아릴기; 및 헤테로아릴기 등을 들 수 있다.
R2내지 R8의 대표적인 예로서는, 수소원자;
불소, 염소, 브롬, 요드 등의 할로겐원자;
전술한 알킬기, 알콕시기, 알케닐기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아랄킬기, 아릴기, 헤테로아릴기 등을 들 수 있다.
일반식(2)로 표시되는 디피로메텐금속킬레이트화합물에 있어서, R11내지 R17은 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 수산기, 아미노기, 카르복실기, 술폰산기, 혹은 탄소수 20이하의 치환 또는 미치환된 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 알케닐기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 아실아미노기, 아랄킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기이고, R15및 R16은 서로 결합해서, 단일 또는 복수의 치환기를 지녀도 되는 방향족고리를 형성해도 된다.
할로겐원자, 알킬기, 알콕시기, 알케닐기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아랄킬기, 아릴기 및 헤테로아릴기의 예로서는 전술한 것들을 들 수 있다.
또, R11내지 R17로 표시되는 알킬티오기의 대표적인 예로서는, 메틸티오기, 에틸티오기, n-프로필티오기, 이소프로필티오기, n-부틸티오기, 이소부틸티오기, sec-부틸티오기, t-부틸티오기, n-펜틸티오기, 이소펜틸티오기, 네오펜틸티오기, 1,2-디메틸프로필티오기, 1,1-디메틸프로필티오기 등의 알킬티오기를 들 수 있고;
R11내지 R17로 표시되는 아릴옥시기의 대표적인 예로서는, 페녹시기, 2-메틸페녹시기, 4-메틸페녹시기, 4-t-부틸페녹시, 2-메톡시페녹시기, 4-이소프로필페녹시기 등의 아릴옥시기를 들 수 있고;
R11내지 R17로 표시되는 아릴티오기의 예로서는, 페닐티오기, 4-메틸페닐티오기, 2-메톡시페닐티오기, 4-t-부틸페닐티오기 등의 아릴티오기를 들 수 있고;
R11내지 R17로 표시되는 아실아미노기의 예로서는, 아세틸아미노기, 에틸카르보닐아미노기, 부틸카르보닐아미노기, 페닐카르보닐아미노기, 4-에틸페닐카르보닐아미노기, 3-부틸페닐카르보닐기 등의 아실아미노기를 들 수 있으며;
R11내지 R17로 표시되는 카르바모일기의 예로서는, 메틸아미노카르보닐기, 에틸아미노카르보닐기, n-프로필아미노카르보닐기, n-부틸아미노카르보닐기, n-헥실아미노카르보닐기 등의 알킬아미노카르보닐기, 페닐아미노카르보닐기, 4-메틸페닐아미노카르보닐기, 2-메톡시페닐아미노카르보닐기, 4-n-프로필페닐아미노카르보닐기 등의 페닐아미노카르보닐기 등을 들 수 있다.
일반식(3)으로 표시되는 디피로메텐금속킬레이트화합물에 있어서, R19내지 R25는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 수산기, 아미노기, 카르복실기, 술폰산기, 혹은 탄소수 20이하의 치환 또는 미치환된 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 알케닐기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 아실아미노기 또는 아랄킬기이고, R18및 R26은 각각 독립적으로 알케닐기 또는 아릴기이며; 이들의 대표적인 예로서는 전술한 기들을 들 수 있다.
또, 일반식(4)로 표시되는 디피로메텐금속킬레이트화합물에 있어서, R27내지 R35는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 혹은 탄소수 20이하의 치환 또는 미치환된 알킬기, 알콕시기, 알케닐기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아랄킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기이고, 이들의 대표적인 예로서는 전술한 기들을 들 수 있다.
M, M' 및 M'''의 대표적인 예로서는, 디피로메텐화합물과 킬레이트를 형성하는 능력을 지닌 전이금속이면 특히 제한되지 않지만, 주기율표의 8족, 9족 및 10족(Ⅷ족), 11족(Ib족), 12족(IIb족), 3족(IIIa족), 4족(IVa족), 5족(Va족), 6족(VIa족), 7족(VIIa족)의 금속을 들 수 있고, 이들의 바람직한 예로서는, 니켈, 코발트, 철, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 구리, 오스뮴, 이리듐, 백금, 아연 등을 들 수 있고, 내광성의 점으로부터, 특히 바람직한 예로서는 구리, 코발트를 들 수 있다.
본 발명의 일반식(1)로 표시되는 디페로메텐금속킬레이트화합물의 제조방법은, 한정되지 않지만, 예를 들면, 상기 화합물은 Aust. J. Chem., Vol. 11, p. 1835-45(1965), Heteroatom Chemistry, Vol. 1, № 5, p.389(1990), 미국특허공보 제 4,774,339호 및 제 5,433,896호 공보등에 기재된 방법에 준해서 제조할 수 있다. 대표적으로는, 이하와 같은 2단계반응에 의해 제조하는 것이 가능하다.
제 1단계에서는, 일반식(5)로 표시되는 화합물과 일반식(6)으로 표시되는 화합물, 또는 일반식(7)로 표시되는 화합물과 일반식(8)로 표시되는 화합물을, 브롬화수소산이나 염화수소산 등의 산촉매의 존재하에, 적당한 용매중에서 반응시켜, 일반식(9)로 표시되는 디피로메텐화합물을 얻는다. 이어서, 제 2단계에서는, 일반식(9)로 표시되는 디피로메텐화합물과 니켈, 코발트, 철, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 구리, 오스뮴, 이리듐, 백금 또는 아연 등의 금속의 아세트산염이나 할로겐화물을 반응시켜서, 일반식(1)로 표시되는 디피로메텐금속킬레이트화합물을 얻는다. 일반식(2)∼(4)의 각 화합물에 있어서도 상기와 마찬가지로 적절하게 치환기를 변경시켜 얻을 수도 있다.
일반식(5) 내지 (9)에 있어서, R1내지 R9는 상기한 바와 동일한 의미를 지닌다.
본 발명의 일반식(1)∼(3)으로 표시되는 디피로메텐금속킬레이트화합물의 바람직한 대표적인 예로서는 각각 표 1(즉, 표 1a∼표 1j), 표 2(즉, 표 2a∼표 2e) 및 표 3에 표시된 치환기를 지니는 화합물을 들 수 있다.
본 발명의 구체적 구성에 대해서 이하에 설명한다.
본 발명의 광기록매체는 도 1에 표시한 바와 같은 적층구조를 가지고 있다. 즉, 기판(1)상에 기록층(2)이 형성되어 있고, 그 위에 밀착해서 반사층(3)이 형성되어 있고, 또 이 반사층(3)위에 접착층(4)을 개재해서 기판(5)이 적층되어 있다. 단, 기록층(2)의 아래 또는 위에 다른 층이 있어도 되고, 반사층(3)위에 다른 층이 있어도 된다.
기판의 재질로서는, 기본적으로는 기록광 및 재생광의 파장에서 투명하면 된다. 예를 들면, 폴리카보네이트수지, 염화비닐수지, 폴리메타크릴산메틸등의 아크릴수지, 폴리스티렌수지, 에폭시수지 등의 고분자재료나, 유리 등의 무기재료가 이용된다. 이들 기판재료는 사출성형법 등에 의해 원반형상기판으로 성형된다. 필요에 따라서, 기판표면에 안내홈이나 피트를 형성하는 일도 있다. 이와 같은 안내홈이나 피트는, 기판의 성형시에 부여하는 것이 바람직하나, 기판위에 자외선경화수지층을 사용해서 부여하는 것도 가능하다. 통상 DVD로서 사용하는 경우는, 기판은, 두께 1.2㎜정도, 직경 80∼120㎜정도의 원반형상이고, 중앙에 직경 15㎜정도의 구멍이 뚫려있다.
본 발명에 있어서는, 기판상에 기록층을 형성하고, 본 발명의 기록층은, 일반식(1)로 표시되는 디피로메텐금속킬레이트화합물을 적어도 1종 함유한다. 보다 바람직하게는 일반식(2)로 표시되는 디피로메텐금속킬레이트화합물을 적어도 1종 함유하고, 가장 바람직하게는, 일반식(3)으로 표시되는 디피로메텐금속킬레이트화합물을 적어도 1종 함유한다. 특히 기록층은, 520㎚∼690㎚내에서 선택되는 기록 및 재생레이저파장에 대해서 적당한 정도의 광학상수를 가질 필요가 있다{광학상수는 복수굴절률(n+ki)로 표시된다(식중의 n 및 k는, 실수부 n과 허수부 k에 상당하는 계수이고, 여기서는, n을 굴절률, k를 소광계수라 한다)}.
일반적으로 유기색소는 굴절률과 소광계수 k가 파장에 대해 크게 의존하는 것을 특징으로 한다. 굴절률 n이 1.8보다 작은 값으로 되면 정확한 신호판독에 필요한 반사율과 신호변조도를 얻을 수 없고, k가 0.40을 초과해도 반사율이 저하해서 양호한 재생신호를 얻을 수 없을 뿐만 아니라, 재생광에 의해 신호가 변화하기 쉬우므로, 실용에 적합하지 않다. 이 특징을 고려해서, 목적으로 하는 레이저파장에 있어서 바람직한 광학상수를 가진 특정유기색소를 선택하여 기록층을 형성함으로써, 높은 반사율을 가지고, 또한, 감도가 좋은 매체로 할 수 있다.
본 발명에서 사용하는 일반식(1)로 표시되는 디피로메텐금속킬레이트화합물은, 모두 상기의 바람직한 광학상수를 가진 것으로, 기록층에 2종이상의 디피로메텐금속킬레이트화합물을 사용하면, 소망의 광학상수를 선택하는 것이 용이해진다.
실용상의 관점으로부터, 2종이상의 디피로메텐금속킬레이트화합물을 사용할 경우, 이들 디피로메텐금속킬레이트화합물의 최대흡수파장간의 차는 바람직하게는 100㎚이하, 보다 바람직하게는 60㎚이하이다. 이들 디피로메텐금속킬레이트화합물의 혼합비는 특히 제한되지 않지만, 상기 이유에 의해서, 광학상수 n이 2.0이상, 소광계수가 0.04∼0.20범위가 되도록 혼합하는 것이 바람직하다.
본 발명의 광기록매체를 520㎚∼690㎚범위내에서 선택된 레이저광에 의해 재생할 경우, 통상 반사율이 20%면 실현할 수 있으나, 30%이상의 반사율이 바람직하다.
기록층을 형성하기 전에, 필요에 따라서 상기의 색소에, 소광물질, 분해촉진제, 자외선흡수제, 접착제 등을 혼합하거나, 또는, 그와 같은 효과를 가진 화합물을 상기 색소에 치환기로서 도입하는 것도 가능하다.
소광물질의 구체예로서는, 아세틸아세토네이트계, 비스디티오-α-디케톤계나 비스페닐디티올계 등의 비스디티올계, 티오카테콜계, 살리실알데히드록심계, 티오비스페놀레이트계 등의 금속착체가 바람직하다. 또, 아민도 적합하다.
분해촉진제로서는, 예를 들면, 금속계 안티노킹제, 메탈로센화합물, 아세틸아세토네이트계 금속착체 등의 금속화합물을 들 수 있다.
또, 필요에 따라서, 바인더, 레벨링제, 소포제등을 병용할 수도 있다. 바람직한 바인더로서는, 폴리비닐알콜, 폴리비닐피롤리돈, 니트로셀룰로스, 아세트산셀룰로스, 케톤수지, 아크릴수지, 폴리스티렌수지, 우레탄수지, 폴리비닐부티랄, 폴리카보네이트, 폴리올레핀 등을 들 수 있다.
기록층을 기판위에 형성하기 전에, 기판의 내용제성이나 반사율, 기록감도등을 향상시키기 위하여, 기판위에 무기물이나 폴리머로 이루어진 층을 형성해도 된다.
여기서, 기록층에 있어서의 일반식(1) 내지 (3)으로 표시되는 디피로메텐금속킬레이트화합물의 함유량은, 30%이상, 바람직하게는 60%이상이다. 또한, 실질적으로 100%인 것도 바람직하다.
기록층을 형성하는 방법은, 예를 들면, 스핀코트법, 스프레이법, 캐스트법, 침지법 등의 도포법 스퍼터법, 화학증착법, 진공증착법 등을 들 수 있으나, 스핀코트에 의한 도포법이 간편하므로 바람직하다.
스핀코트법등의 도포법을 사용하는 경우에는, 일반식(1) 내지 (3)으로 표시되는 디피로메텐금속킬레이트화합물을 1∼40중량%, 바람직하게는 3∼30중량%가 되도록 용매에 용해 또는 분산시킨 도포액을 사용하나, 이때, 용매는 기판에 손상을 주지않는 것을 선택하는 것이 바람직하다. 이러한 용매의 예로서는, 메탄올, 에탄올, 이소프로필알콜, 옥타플루오로펜탄올, 알릴알콜, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 테트라플루오로프로판올 등의 알콜계 용매, 헥산, 헵탄, 옥탄, 데칸, 시클로헥산, 메틸시클로헥산, 에틸시클로헥산, 디메틸시클로헥산 등의 지방족 또는 지환식탄화수소계 용매, 톨루엔, 크실렌, 벤젠 등의 방향족 탄화수소계용매, 4염화탄소, 클로로포름, 테트라클로로에탄, 디브로모에탄 등의 할로겐화탄화수소계 용매, 디에틸에테르, 디부틸에테르, 디이소프로필에테르, 디옥산 등의 에테르계 용매, 아세톤, 3-히드록시-3-메틸-2-부타논 등의 케톤계 용매, 아세트산에틸, 락트산메틸 등의 에스테르계 용매, 물등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 또는, 혼합해서 사용해도 된다.
또한, 필요에 따라서, 기록층의 색소를 고분자박막 등에 분산할 수도 있다.
또, 기판에 손상을 주지않는 용매를 선택할 수 없는 경우는, 스퍼터법, 화학증착법이나 진공증착법 등이 유효하다.
기록층의 막두께는, 특별히 한정되는 것은 아니나, 바람직하게는 50㎚∼300㎚이다. 기록층의 막두께를 50㎚보다 얇게하면, 열확산이 크기 때문에, 기록을 할 수 없거나, 기록신호에 변형이 발생하는 외에, 신호진폭이 작아진다. 또, 기록층의 막두께가 300㎚보다 두꺼운 경우는, 반사율이 저하하여, 재생신호특성이 악화된다.
다음에 기록층위에, 바람직하게는 50㎚∼300㎚두께의 반사층을 형성한다. 반사층의 재료로서는, 재생광의 파장에서 반사율이 충분히 높은 것, 예를 들면, Au, Al, Ag, Cu, Ti, Cr, Ni, Pt, Ta, Cr 및 Pd의 금속을 단독 또는 합금형태로 해서 사용하는 것이 가능하다. 이중에서도, Au, Al, Ag는 반사율이 높으므로, 반사층의 재료로서 적합하다. 이것이외에, 반사층은, 예를 들면, Mg, Se, Hf, V, Nb, Ru, W, Mn, Re, Fe, Co, Rh, Ir, Zn, Cd, Ga, In, Si, Ge, Te, Pb, Po, Sn, Bi 등의 금속 및 반금속을 함유해도 된다. 또, Au를 주성분으로 함유하는 재료는 반사율이 높은 반사층을 용이하게 얻을 수 있기 때문에 적합하다. 여기서 말하는 주성분이란 함유율이 50%이상인 것을 말한다. 상기 금속이외의 재료로 저굴절률박막과 고굴절률박막을 번갈아 적층해서 다층막을 형성하여, 반사층으로서 사용하는 것도 가능하다.
반사층을 형성하는 방법으로서는, 예를 들면, 스퍼터법, 이온도금법, 화학증착법, 진공증착법 등을 들 수 있다. 또, 기판위나 반사층아래에 반사율의 향상, 기록특성의 개선, 밀착성의 향상 등을 위해 공지의 무기계 또는 유기계의 중간층이나 접착층을 퇴적시킬 수도 있다.
또, 반사층위에는 보호층을 형성하며, 이 보호층의 재료로서는, 반사층을 외력으로부터 보호하는 것이라면 특별히 한정되지 않는다. 보호층용의 유기물질로서는, 열가소성수지, 열경화성수지, 전자선경화수지, 자외선경화성수지 등을 들 수 있다. 또, 보호층용의 무기물질로서는, SiO2, Si3N4, MgF2, SnO2등을 들 수 있다. 열가소성수지, 열경화성수지등을 적당한 용매에 용해해서 얻어진 도포액을 도포하고, 건조함으로써 보호층을 형성할 수 있다. 자외선경화성수지는, 그대로 또는 적당한 용매에 용해해서 도포액을 조제한 후에 이 도포액을 도포하고, 자외선을 조사해서 경화시킴으로써 보호층을 형성할 수 있다. 자외선경화성수지로서는, 예를 들면 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 폴리에스테르아크릴레이트 등의 아크릴레이트수지를 사용할 수 있다. 이들 재료는 단독으로 또는 혼합해서 사용해도 되고, 1층만이 아니고 다층막으로 해서 사용해도 된다.
보호층의 형성방법으로서는, 기록층의 경우와 마찬가지로 스핀코트법이나 캐스트법등의 도포법이나 스퍼터법이나 화학증착법 등의 방법이 사용되나, 이중에서도 스핀코트법이 바람직하다.
보호층의 막두께는, 일반적으로는 0.1㎛∼100㎛의 범위이나, 본 발명에 있어서는, 3㎛∼30㎛이며, 보다 바람직하게는 5㎛∼20㎛이다.
보호층위에 또 라벨등의 인쇄를 행할 수도 있다.
또, 반사층면에 보호시트 또는 기판을 적층해도 되고, 또는 반사층을 서로 대면시켜, 광기록매체 2매를 맞붙이는 등의 수단을 사용해도 된다.
또 기판의 거울면쪽에, 표면보호나 먼지 등의 부착방지를 위하여 자외선경화성수지, 무기계박막등을 형성해도 된다.
본 발명에서 말하는 파장 520㎚∼690㎚의 레이저는, 특별히 제한은 없으나, 예를 들면, 넓은 가시광영역에서 파장선택을 할 수 있는 색소레이저나 파장 633㎚의 헬륨네온레이저, 최근 개발되어 있는 파장 680, 650, 635㎚부근의 고출력반도체레이저, 파장 532㎚의 고조파변환 YAG레이저 등을 들 수 있다. 본 발명에서는, 이들 레이저로부터 선택되는 1파장 또는 복수파장에 있어서 고밀도기록 및 재생이 가능해진다.
이하에, 본 발명을 각종 실시예에 의해 설명하나, 본 발명은 이들 실시예에 의해 하등 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
디피로메텐금속킬레이트화합물(1-4) 0.2g을 디메틸시클로헥산 10㎖에 용해하여, 색소용액을 조제했다. 기판은, 폴리카보네이트수지제이고 연속된 안내홈(트랙피치: 0.8㎛)을 가진 직경 120㎜, 두께 0.6㎜인 원반형상의 것을 사용했다.
이 기판위에 색소용액을 회전수 1500rpm에서 스핀코트하고, 70℃에서 3시간 건조해서 기록층을 형성했다. 이 기록층의 광학상수에 대해서는, n은 2.3, k는 0.11이었다.
이 기록층위에 바르자스회사제 스퍼터장치(CDI-900)를 사용해서 Au를 스퍼터하여, 두께 100㎚의 반사층을 형성했다. 스퍼터가스로는, 아르곤가스를 사용했다. 스퍼터조건은, 스퍼터파워 2.5㎾, 스퍼터가스압 1.0×10-2Torr에 의해 행하였다.
또 반사층위에 자외선경화성접착제 SD-301(일본국, 다이닛뽄잉크화학공업회사제)을 스핀코트하고, 이 접착층위에 폴리카보네이트수지제이고 직경 120㎜, 두께 0.6㎜인 원반형 상기 기판을 얹은 후, 자외선을 조사해서 맞붙인 광기록매체를 제작했다.
얻게된 광기록매체에, 파장 635㎚이고 렌즈의 개구수가 0.6인 반도체레이저헤드를 탑재한 펄스텍공업회사제 광디스크평가장치(DDU-1000) 및 켄우드회사제 EFM인코더를 사용해서, 선속도 3.8m/s, 레이저파워 10㎽에 의해 최단피트길이가 0.40㎛가 되도록 기록했다. 기록후, 650㎚ 및 635㎚의 적색반도체레이저헤드(렌즈의 개구수는 0.6)를 탑재한 평가장치를 사용해서 신호를 재생하여, 반사율, 지터 및 변조도를 측정한 결과, 650㎚에서의 재생의 경우, 반사율 56%, 지터 8.5%, 변조도 0.63이었다. 또, 100시간의 카본아크에 의한 내광성시험 및 80℃, 85%RH의 내습열시험후도 변화는 볼 수 없었다. 또한, 0.7㎽의 재생광하에서 100백회 재생을 반복한 경우에도 지터의 변화는 1%이하였다.
실시예 2
폴리카보네이트수지제이고 연속된 안내홈(트랙피치: 0.74㎛)을 가진 직경 120㎜, 두께0.6㎜의 원반형상기판을 사용하는 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서 광기록매체를 제작했다.
얻게된 광기록매체에, 실시예 1과 마찬가지로 펄스텍공업회사제광디스크평가장치(DDU-1000) 및 켄우드회사제 EFM인코더를 사용해서 기록했다. 기록후, 650㎚ 적색반도체레이저헤드를 탑재한 평가장치를 사용해서 신호를 재생하여, 반사율, 지터 및 변조도를 측정한 결과, 650㎚에서 재생한 경우 반사율 56%, 지터 8.6%, 변조도 0.62도, 모두 양호한 값을 표시했다. 또, 100시간의 카본아크에 의한 내광성시험 및 80℃, 85%RH의 내습열시험후도 변화는 볼 수 없었다. 또한, 0.7㎽의 재생광하에서 100만회 재생을 반복한 경우에도, 지터의 변화는 1%이하였다.
실시예 3∼87
표 1 및 표 2에 기재한 디피로메텐금속킬레이트화합물을 사용하는 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서 광기록매체를 제작하여, 기록을 행하였다. 기록후, 650㎚ 적색반도체레이저헤드를 탑재한 평가장치를 사용해서 신호를 재생하여, 반사율, 지터 및 변조도를 측정한 결과, 모두 양호한 값을 표시했다. 또, 100시간의 카본아크에 의한 내광성시험 및 80℃, 85%RH의 내습열시험후도 변화는 볼 수 없었다. 또한, 0.7㎽의 재생광하에서 100만회 재생을 반복한 경우에도 지터의 변화는 1%이하였다.
이상의 실시예 1∼87에 있어서, 각각의 광기록매체를 635㎚에서 기록해서, 650㎚에서 재생했을때의 반사율, 지터 및 변조도와 더불어, 기록층의 광학상수를 표 4(즉, 표 4a∼표 4c)에 종합해서 표시한다.
실시예 88∼106
표 1 내지 3에 표시한 디피로메텐금속킬레이트화합물을 적절하게 혼합해서 사용한 이외에는 실시예 2와 마찬가지로 해서 광기록매체를 제작한 후, 기록을 행하였다. 기록후, 650㎚적색반도체레이저헤드를 탑재한 평가장치에 의해 신호를 재생하여, 반사율, 지터 및 변조도를 측정한 결과, 모두 양호한 값을 표시했다. 또, 100시간의 카본아크에 의해 내광성시험 및 80℃, 85%RH의 내습열시험후도 변화는 볼 수 없었다. 또한, 0.7㎽의 재생광하에서 100만회 재생을 반복한 경우에도 지터의 변화는 1%이하였다.
비교예 1
디피로메텐금속킬레이트화합물(2-43) 0.2g을 디메틸시클로헥산 10㎖에 용해한 후 스핀코트를 행한 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서 광기록매체를 제작하고, 이와 같이 해서 얻어진 광기록매체에 대해, 실시예 1과 마찬가지 방법으로 635㎚반도체레이저헤드를 탑재한 펄스텍공업회사제 광디스크평가장치(DDU-1000) 및 켄우드회사제 EFM인코더를 사용해서 선속도 3.8m/s, 레이저파워 10㎽에 의해 기록을 행하였다. 기록후, 650㎚적색반도체레이저헤드를 탑재한 평가장치를 사용해서 신호를 재생하여, 반사율, 지터 및 변조도를 측정한 결과, 650㎚에서의 재생의 경우, 반사율 61%, 지터 20%이상, 변조도 0.64로, 지터특성이 나빴다.
비교예 2
디피로메텐금속킬레이트화합물(2-23) 0.2g을 디메틸시클로헥산 10㎖에 용해한 후 스핀코트를 행한 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서 광기록매체를 제작하고, 이와 같이 해서 얻어진 광기록매체에 대해, 실시예 1과 마찬가지 방법으로 635㎚반도체레이저헤드를 탑재한 펄스텍공업회사제 광디스크평가장치(DDU-1000) 및 켄우드회사제 EFM인코더를 사용해서 선속도 3.8m/s, 레이저파워 10㎽에 의해 기록을 행하였다. 기록후, 650㎚ 및 635㎚적색반도체레이저헤드를 탑재한 평가장치를 사용해서 신호를 재생하여, 반사율, 지터 및 변조도를 측정한 결과, 650㎚에서의 재생의 경우, 반사율 60%, 지터 20%이상, 변조도 0.65였고, 635㎚에서의 재생의 경우에는, 반사율 61%, 지터 20%이상, 변조도 0.66으로, 지터특성이 나빴다. 또한, 100시간의 카본아크에 의한 내광성시험 후 신호가 열화되어, 재생이 불가능하였다.
비교예 3
펜타메틴시아닌색소 "NK-2929"[1,3,3,1',3',3'-헥사메틸-2',2'-(4,5,4',5'-디벤조)인도디카르보시아닌퍼클로레이트; 일본국, 닛뽄감광색소연구소제] 1g을 테트라 플루오로프로판올 10㎖에 용해해서 스핀코트한 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서 광기록매체를 제작했다. 제작한 광기록매체에 실시예 1과 마찬가지로 635㎚반도체레이저헤드를 탑재한 펄스텍공업회사제 광디스크평가장치(DDU-1000) 및 켄우드회사제 EFM인코더를 사용해서, 선속도 3.8m/s, 레이저파워 10㎽에 의해 기록했다. 기록후, 650㎚적색반도체레이저헤드를 탑재한 평가장치를 사용해서 신호를 재생하여, 반사율, 지터 및 변조도를 측정한 결과, 650㎚에서의 재생의 경우, 반사율 9%, 지터 20%이상, 변조도 0.13으로, 이들 값은 뒤떨어져 있었다. 또, 100시간의 카본아크에 의한 내광성시험후, 신호는 열악화하여, 재생을 할 수 없었다.
상기 설명한 실시예 88∼106 및 비교예 1∼3에 있어서, 각각의 광기록매체를 635㎚에서 기록하고 650㎚에서 재생한 경우의 반사율, 지터 및 변조도와 더불어, 기록층의 광학상수로 모두 표 5(실시예) 및 표 6(비교예)에 표시하였다. 표 5에 있어서, 각 혼합비는, 디메틸시클로헥산에 대해서 디피로메탄금속화합물의 농도가 20g/ℓ인 디피로메텐금속화합물의 중량비를 뜻한다.
실시예 107
디피로메텐금속킬레이트화합물(1-4)의 합성
에탄올 100㎖에 2-포르밀-5-[(E)-페닐에텐-1-일]피롤 1.35g 및 1-포르밀-3-(2,4-디이소프로필페닐)이소인돌 1.9g을 용해하고, 47%브롬화수소산 1.18g을 적하한 후, 실온에서 3시간 교반했다. 가압농축후, 클로로포름 300㎖에 의해 추출하고, 수세, 분액후, 용매를 증류제거해서, 하기 구조식(9-a)로 표시되는 화합물 3.0g을 얻었다.
다음에, 에탄올 200㎖에 식(9-a)로 표시되는 화합물 1.4g을 용해하고, 아세트산구리 0.56g을 첨가하고, 환류온도에서 2시간 교반했다. 감압농축후, 얻어진 석출물을 여과에 의해 채취하고, 메탄올 및 물로 세정해서, 하기 구조식(1-4)로 표시되는 화합물을 1.2g 얻었다.
얻어진 화합물은, 하기의 분석결과에 의해, 목적물인 것을 확인했다.
원소분석치(C66H62N4Cu)
C H N
계산치(%) 81.32 6.41 5.75
분석치(%) 81.82 6.61 5.69
MS(m/e): 975(M+)
이와 같이 해서 얻어진 화합물은,톨루엔 용액속에 있어서 589㎚에서 최대흡수를 표시하고, 그램흡광계수는 1.30×105㎖/g·㎝였다.
실시예 108
디피로메텐금속킬레이트화합물(1-58)의 합성
에탄올 100㎖에 2-포르밀-5-[(E)-4-t-부틸페닐에텐-1-일]피롤 1.74g 및 1-포르밀-3-(2,4-디이소프로필페닐)이소인돌 1.9g을 용해하고, 47%브롬화수소산 1.18g을 적하한 후, 실온에서 3시간 교반했다. 가압농축후, 클로로포름 300㎖에 의해 추출하고, 수세, 분액후, 용매를 증류제거해서, 하기 구조식(9-b)로 표시되는 화합물 3.1g을 얻었다.
다음에, 에탄올 200㎖에 식(9-b)로 표시되는 화합물 1.57g을 용해하고, 아세트산구리 0.56g을 첨가하고, 환류온도에서 2시간 교반했다. 감압농축후, 얻어진 석출물을 여과에 의해 채취하고, 메탄올 및 물로 세정해서, 하기 구조식(1-58)로 표시되는 화합물을 1.5g 얻었다.
얻어진 화합물은, 하기의 분석결과에 의해 목적물인 것을 확인했다.
원소분석치(C74H78N4Cu)
C H N
계산치(%) 81.77 7.23 5.15
분석치(%) 81.48 7.46 5.22
MS(m/e): 1087(M+)
이와 같이 해서 얻어진 화합물은,톨루엔 용액속에 있어서 588㎚에서 최대흡수를 표시하고, 그램흡광계수는 1.15×105㎖/g·㎝였다.
실시예 109
디피로메텐금속킬레이트화합물(1-63)의 합성
에탄올 100㎖에 2-포르밀-3,4-디에틸-5-[(E)-부틸페닐에텐-1-일]피롤 1.74g 및 1-포르밀-3-(2,4-디이소프로필페닐)이소인돌 1.9g을 용해하고, 47%브롬화수소산 1.18g을 적하한 후, 실온에서 3시간 교반했다. 가압농축후, 클로로포름 300㎖에 의해 추출하고, 수세, 분액후, 용매를 증류제거해서, 하기 구조식(9-c)로 표시되는 화합물 3.1g을 얻었다.
다음에, 에탄올 200㎖에 식(9-c)로 표시되는 화합물 1.57g을 용해하고, 아세트산구리 0.56g을 첨가하고, 환류온도에서 2시간 교반했다. 감압농축후, 얻어진 석출물을 여과에 의해 채취하고, 메탄올 및 물로 세정해서, 하기 구조식(1-63)으로 표시되는 화합물을 1.6g 얻었다.
얻어진 화합물은, 하기의 분석결과에 의해 목적물인 것을 확인했다.
원소분석치(C74H78N4Cu)
C H N
계산치(%) 81.77 7.23 5.15
분석치(%) 81.52 7.52 5.33
MS(m/e): 1087(M+)
이와 같이 해서 얻어진 화합물은,톨루엔 용액속에 있어서 595㎚에서 최대흡수를 표시하고, 그램흡광계수는 1.05×105㎖/g·㎝였다.
실시예 110
디피로메텐금속킬레이트화합물(1-65)의 합성
에탄올 100㎖에 식(9-a)로 표시되는 화합물 1.4g을 용해하고, 아세트산코발트 4수화물 0.76g을 첨가하고, 환류온도에서 4시간 교반했다. 감압농축후, 얻어진 석출물을 여과에 의해 채취하고, 메탄올 및 물로 세정해서, 하기 구조식(1-65)로 표시되는 화합물을 1.3g얻었다.
얻어진 화합물은, 하기의 분석결과에 의해 목적물인 것을 확인했다.
원소분석치(C66H62N4Co)
C H N
계산치(%) 81.71 6.44 5.77
분석치(%) 81.65 6.51 5.87
MS(m/e): 970(M+)
이와 같이 해서 얻어진 화합물은,톨루엔 용액속에 있어서 575㎚에서 최대흡수를 표시하고, 그램흡광계수는 1.50×105㎖/g·㎝였다.
실시예 111
디피로메텐금속킬레이트화합물(1-69)의 합성
에탄올 100㎖에 2-포르밀-5-(2-티에틸에텐-1-일)피롤 1.39g 및 1-포르밀-3-페닐이소인돌 1.32g을 용해하고, 47%브롬화수소산 1.18g을 적하한 후, 실온에서 3시간 교반했다. 감압농축후, 클로로포름 300㎖에 의해 추출하고, 수세, 분액후, 용매를 증류제거해서, 하기 구조식(9-d)로 표시되는 화합물 2.6g을 얻었다.
다음에, 에탄올 200㎖에 식(9-d)로 표시되는 화합물 1.2g을 용해하고, 아세트산구리 0.56g을 첨가하고, 환류온도에서 2시간 교반했다. 감압농축후, 얻어진 석출물을 여과에 의해 채취하고, 메탄올 및 물로 세정해서, 하기 구조식(1-69)로 표시되는 화합물을 1.1g 얻었다.
얻어진 화합물은, 하기의 분석결과에 의해 목적물인 것을 확인했다.
원소분석치(C50H34N4S2Cu)
C H N S
계산치(%) 73.37 4.19 6.84 7.83
분석치(%) 73.56 4.33 6.75 8.00
MS(m/e): 819(M+)
이와 같이 해서 얻어진 화합물은,톨루엔 용액속에 있어서 602㎚에서 최대흡수를 표시하고, 그램흡광계수는 1.57×105㎖/g·㎝였다.
실시예 112
디피로메텐금속킬레이트화합물(1-72)의 합성
에탄올 200㎖에 식(9-d)로 표시되는 화합물 1.2g을 용해하고, 아세트산아연 0.56g을 첨가하고, 환류온도에서 5시간 교반했다. 감압농축후, 얻어진 석출물을 여과에 의해 채취하고, 메탄올 및 물로 세정해서, 하기 구조식(1-72)로 표시되는 화합물을 1.2g얻었다.
얻어진 화합물은, 하기의 분석결과에 의해 목적물인 것을 확인했다.
원소분석치(C50H34N4S2Zn)
C H N S
계산치(%) 73.21 4.18 6.83 7.82
분석치(%) 73.36 4.22 6.77 7.95
MS(m/e): 820(M+)
이와 같이 해서 얻어진 화합물은,톨루엔 용액속에 있어서 597㎚에서 최대흡수를 표시하고, 그램흡광계수는 1.72×105㎖/g·㎝였다.
이상, 본 발명에 의하면, 특정한 치환기를 가진 디피로메텐금속킬레이트화합물을 기록층으로서 사용함으로써, 고밀도광기록매체로서 매우 주목되고 있는 파장 520∼690㎚의 레이저에 의해 기록 및 재생이 가능하고, 특히 내구성이 뛰어난 추기형 광기록매체를 제공하는 일이 가능해진다.

Claims (10)

  1. 기판상에 적어도 기록층 및 반사층을 가진 광기록매체에 있어서, 기록층속에 하기 일반식(1)로 표시되는 디피로메텐금속킬레이트화합물을 적어도 1종 함유하는 것을 특징으로 하는 광기록매체
    [식중, R1및 R9는 각각 독립적으로 알케닐기, 아릴기 또는 헤테로아릴기이고; R2내지 R8은 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 혹은 탄소수 20이하의 치환 또는 미치환된 알킬기, 알콕시기, 알케닐기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아랄킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기이며; M은 전이금속임].
  2. 제 1항에 있어서, 상기 일반식(1)에 있어서의 R1이 -CH=CH-R10(식중, R10은 수소원자, 할로겐원자, 혹은 탄소수 20이하의 치환 또는 미치환된 알킬기, 알콕시기, 알케닐기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아랄킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기임)인 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 일반식(1)에 있어서의 R1이 탄소수 20이하의 치환 또는 미치환된 아릴기 또는 헤테로아릴기이고, M이 구리 또는 코발트인 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 일반식(1)에 있어서의 R1및 R3이 동시에 탄소수 20이하의 치환 또는 미치환된 아릴기 또는 헤테로아릴기인 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 일반식(1)에 있어서의 R1, R3및 R9가 탄소수 20이하의 치환 또는 미치환된 아릴기이고, 아릴기의 적어도 1종이 할로겐원자로 치환되어 있거나, 혹은 R2, R4내지 R8중 적어도 1종이 할로겐원자인 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  6. 제 1항 내지 제 5항중 어느 한 항에 있어서, 상기 기록층은 하기 일반식(2)로 표시되는 다른 디피로메텐금속킬레이트화합물을 적어도 1종 또 함유하는 것을 특징으로 하는 광기록매체.
    [식중, R11내지 R17은 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 수산기, 아미노기, 카르복실기, 술폰산기, 혹은 탄소수 20이하의 치환 또는 미치환된 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 알케닐기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 아실아미노기, 아랄킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기이고; R15및 R16은 서로 결합해서, 치환기를 지녀도 되는 방향족고리를 형성해도 되며; M'은 전이원소임].
  7. 제 6항에 있어서, 상기 다른 디피로메텐금속킬레이트화합물이 하기 일반식(3)으로 표시되는 화합물로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 광기록매체.
    [식중, R19내지 R25는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 니트로기, 시아노기, 수산기, 아미노기, 카르복실기, 술폰산기, 혹은 탄소수 20이하의 치환 또는 미치환된 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴옥시기, 아릴티오기, 알케닐기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 카르바모일기, 아실아미노기 또는 아랄킬기이고; R18및 R26은 각각 독립적으로 알케닐기 또는 아릴기이며; M"은 구리 또는 코발트임].
  8. 제 1항 내지 제 5항중 어느 한 항에 있어서, 520∼690㎚의 레이저파장에서, 기록층의 굴절률이 1.8이상이고, 소광계수가 0.04∼0.40인 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  9. 제 1항 내지 제 5항중 어느 한 항에 있어서, 520∼690㎚의 파장범위내에서 선택되는 레이저광에 의해 기록 및 재생이 가능한 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  10. 하기 일반식(4)로 표시되는 것을 특징으로 하는 디피로메텐금속킬레이트화합물.
    [식중, R27내지 R35는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 혹은 탄소수 20이하의 치환 또는 미치환된 알킬기, 알콕시기, 알케닐기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 아랄킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기이고; M'''은 전이원소임].
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7094516B2 (en) * 2000-01-07 2006-08-22 Mitsui Chemicals, Inc. Benzobisazole compound and optical recording medium containing the compound
US6479123B2 (en) * 2000-02-28 2002-11-12 Mitsui Chemicals, Inc. Dipyrromethene-metal chelate compound and optical recording medium using thereof
KR20040094858A (ko) * 2002-03-29 2004-11-10 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 광기록 매체 및 디피로메텐 금속 킬레이트 화합물
WO2004079732A1 (en) * 2003-03-03 2004-09-16 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Optical recording materials having high storage density
JP4980715B2 (ja) 2003-05-30 2012-07-18 ジェミン エックス ファーマシューティカルズ カナダ インコーポレイテッド がんまたはウイルス疾患を治療するための三環性複素環化合物、組成物および方法
US20070184232A1 (en) * 2004-02-23 2007-08-09 Ryuichi Takahashi Optical recording materials having high storage density
ATE352587T1 (de) * 2004-07-29 2007-02-15 Clariant Finance Bvi Ltd Azoliganden auf der basis von aminoantipyrine und ihre metallkomplexe zur verwendung als optische aufzeichnungsmedien
US20080095967A1 (en) * 2004-08-10 2008-04-24 Kazuhiko Kunimoto Optical Recording Materials Having High Storage Density
JP2007035222A (ja) * 2005-07-29 2007-02-08 Toshiba Corp 情報記録媒体、再生方法及び記録方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5433896A (en) * 1994-05-20 1995-07-18 Molecular Probes, Inc. Dibenzopyrrometheneboron difluoride dyes
JPH0474690A (ja) * 1990-07-17 1992-03-10 Ricoh Co Ltd 光情報記録媒体
JPH0538878A (ja) * 1991-08-07 1993-02-19 Nippon Columbia Co Ltd 光記録媒体
JPH0640161A (ja) * 1992-01-22 1994-02-15 Nippon Columbia Co Ltd 光記録媒体
JPH0640162A (ja) * 1992-01-22 1994-02-15 Nippon Columbia Co Ltd 光記録媒体
JP2865955B2 (ja) * 1992-09-09 1999-03-08 日本コロムビア株式会社 光記録媒体
JPH06199045A (ja) * 1993-01-08 1994-07-19 Pioneer Electron Corp 光記録媒体
JPH0776169A (ja) * 1993-06-18 1995-03-20 Ricoh Co Ltd 光情報記録媒体
JP3500474B2 (ja) * 1993-09-09 2004-02-23 株式会社リコー 光情報記録媒体
JPH07262604A (ja) * 1994-03-25 1995-10-13 Mitsui Toatsu Chem Inc 光記録媒体
JP3041230B2 (ja) * 1995-11-08 2000-05-15 ティーディーケイ株式会社 光記録媒体
JP3731244B2 (ja) * 1996-04-03 2006-01-05 三菱化学株式会社 光記録媒体及びその製造法
JPH09156218A (ja) * 1995-12-08 1997-06-17 Mitsubishi Chem Corp 光学的記録媒体及び情報記録方法
JPH09194748A (ja) * 1996-01-17 1997-07-29 Mitsubishi Chem Corp 光学的記録媒体及び情報記録方法
JPH09193544A (ja) * 1996-01-17 1997-07-29 Mitsubishi Chem Corp 光学的記録媒体及び情報記録方法
JP3648823B2 (ja) * 1996-01-18 2005-05-18 三菱化学株式会社 光学記録媒体及び情報記録方法
JP3572774B2 (ja) * 1996-01-19 2004-10-06 三菱化学株式会社 光学的記録媒体及び情報記録方法
JP3632094B2 (ja) * 1996-01-25 2005-03-23 株式会社リコー 光情報記録媒体
JPH09267562A (ja) * 1996-01-29 1997-10-14 Ricoh Co Ltd 光記録媒体
US5948593A (en) * 1996-07-29 1999-09-07 Mitsui Chemicals, Inc. Optical recording medium

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