JPH10287819A - ベンゾピロメテン系化合物及びそれを用いた光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 波長５２０〜６９０ｎｍの短波長レーザーで
の記録及び再生が可能な高密度記録に適した光記録媒体
及びそのための記録層材料としての新規色素を提供す
る。 【解決手段】 下記一般式（１）で示されるベンゾピロ
メテン系化合物を光記録媒体の記録層材料として使用す
る。 【化１】 〔式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇、Ｒ₈及びＲ₉は
各独立にＨ、ハロゲン、ニトロ、シアノ、ヒドロキシ、
アミノ、カルボキシル、スルホン酸、アルキルなどの基
であり、Ｒ₄はＨ、シアノ、アルキル、アラルキル、ア
リール、ヘテロアリール、アルケニル基を示し、Ｒ₈及
びＲ₉は各独立にＦ、アルキル、アラルキル、アリー
ル、ヘテロアリール、アルコキシを示すが、同時にＦと
なることはない。〕

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体、特に
有機色素を含有する追記型光記録媒体において、従来に
比較して高密度に記録及び再生可能な光記録媒体に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】コンパクトディスク（以下、ＣＤと略
す）規格に対応した追記型光記録媒体としてＣＤ−Ｒ
（CD-Recordable）が提案・開発されている［例えば、
日経エレクトロニクス No. 465, P. 107, 1989年1月23
日号、OPTICAL DATA STORAGE DIGEST SERIES vol.1 P4
5, 1989等］。このＣＤ−Ｒは図１に示すように透明樹
脂基板１上に記録層２、反射層３、保護層４がこの順で
積層されており、該記録層に高パワーのレーザー光を照
射することにより、記録層が物理的あるいは化学的変化
を起こし、ピットの形で情報を記録する。形成されたピ
ット部位に低パワーのレーザー光を照射し、反射率の変
化を検出することによりピットの情報を再生することが
できる。このような光記録媒体の記録・再生には一般に
波長７７０〜８３０ｎｍの近赤外半導体レーザーを用い
ており、レッドブックやオレンジブック等のＣＤの規格
に準拠しているため、ＣＤプレーヤーやＣＤ−ＲＯＭプ
レーヤーと互換性を有するという特徴を有する。

【０００３】しかし、上記の従来の媒体の記録容量は６
５０ＭＢ程度であり、動画の記録を考慮すると容量が十
分でなく、情報量の飛躍的増加に伴い情報記録媒体に対
する高密度化・大容量化の要求は高まっている。

【０００４】また、光ディスクシステムに利用される短
波長半導体レーザーの開発が進み、波長６８０ｎｍ、６
５０ｎｍ及び６３５ｎｍの赤色半導体レーザーが実用化
されている［例えば、日経エレクトロニクス、Ｎｏ．５
９２、Ｐ．６５、１９９３年１０月１１日号］。記録・
再生用レーザーの短波長化及び対物レンズの開口数を大
きくすることによりビームスポットを小さくすることが
でき、高密度な光記録媒体が可能になる。実際に半導体
レーザーの短波長化、対物レンズの開口数大化、データ
圧縮技術などにより動画を長時間記録できる大容量の光
記録媒体が開発されてきている〔例えば、日経エレクト
ロニクス、Ｎｏ．５９２、Ｐ．６５、１９９３年８月３
０日号、Ｎｏ．５９４、Ｐ．１６９、１９９３年１１月
８日号］。最近では、２時間以上の動画をデジタル記録
したデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）が開発されてき
た。ＤＶＤディスクは４．７ＧＢの記録容量を有する再
生専用の媒体であり、この容量に合った記録可能な光デ
ィスクの開発が更に要望されている。

【０００５】また、ＹＡＧレーザーの高調波変換による
５３２ｎｍのレーザーも実用可されている。

【０００６】５３２ｎｍより更に短波長の４９０ｎｍの
青／緑色半導体レーザーも研究されているが、まだ実用
化の段階まで至っていない［例えば、Applied Physics
Letter, P.1272-1274, Vol.59(1991)や『日経エレクト
ロニクス』Ｎｏ．５５２，Ｐ．９０，１９９２年４月２
７日号］。

【０００７】短波長レーザーを使用した場合、光ディス
クの線記録密度と半径方向記録密度は理論的には同等に
高密度化できるが、現状では、半径方向の記録密度は線
記録密度ほど大きくすることは困難である。レーザー光
は溝又はランドにより回折散乱されるため、トラックピ
ッチを狭くするほど信号検出光量が低下する。また、十
分なトラッキング信号が得られる深さを保ったままトラ
ックピッチを狭くするにも成形上限界がある。また溝が
深く狭いと、記録層を均一に成膜することが困難であ
る。更に、溝とランドのエッジ部分は平滑ではなく微小
凹凸があるため、ノイズの原因となる。このような悪影
響はある程度トラックピッチが狭くなったところで急激
に生じる。これらのことを考慮すると、波長５２０ｎｍ
で対物レンズの開口数が０．６では溝ピッチの限界は約
０．５μｍと考えられる。

【０００８】追記型光記録媒体の色素層にレーザー光を
照射し、物理変化又は化学変化を生じさせることでピッ
トを形成させる際、色素の光学定数、分解挙動が良好な
ピットができるかの重要な要素となる。分解しづらいも
のは感度が低下し、分解が激しいか又は、変化しやすい
ものはピット間及び半径方向のランド部への影響が大き
くなり、信頼性のあるピット形成が困難になる。従来の
ＣＤ−Ｒ媒体では、高密度で用いられているレーザー波
長では色素層の屈折率も低く、消衰係数も適度な値では
ないため、反射率が低く十分な変調度が取れなかった。
更には、絞られたビームで小さいピットを開けるべきと
ころが、周りへの影響が大きく分布の大きいピットにな
ったり、半径方向へのクロストークが悪化した。逆にピ
ットが極端に小さくなり変調度が取れない場合もあっ
た。従って、記録層に用いる色素の光学的性質、分解挙
動の適切なものを選択する必要がある。

【０００９】例えば、特開平６−１９９０４５号公報
は、波長６８０ｎｍの半導体レーザーで記録再生可能な
光記録媒体が提案されている。この媒体は、記録層にシ
アニン色素を用いており高密度の記録再生の可能性は示
しているものの、実際に高密度に記録した記述はない。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、新規
なベンゾピロメテン系化合物、及びこれを含有する、波
長５２０〜６９０ｎｍの短波長レーザーでの記録及び再
生が可能な高密度記録に適した光記録媒体を提供するこ
とにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明は、 下記一般式（１）で示されるベンゾピロメテン系化
合物。

【００１２】

【化２】

【００１３】〔式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇、
Ｒ₈及びＲ₉は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、ニト
ロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボキシ
ル基、スルホン酸基、炭素数１〜２０のアルキル基、ハ
ロゲノアルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシ
基、アルコキシアルコキシ基、アリールオキシ基、アシ
ル基、アルコキシカルボニル基、アルキルアミノカルボ
ニル基、ジアルキルアミノカルボニル基、アルキルカル
ボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、アリー
ルアミノカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、
アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキ
ルチオ基、アリールチオ基、アルケニルオキシカルボニ
ル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルコキシカル
ボニルアルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルア
ルコキシカルボニル基、モノ（ヒドロキシアルキル）ア
ミノカルボニル基、ジ（ヒドロキシアルキル）アミノカ
ルボニル基、モノ（アルコキシアルキル）アミノカルボ
ニル基、ジ（アルコキシアルキル）アミノカルボニル基
又は炭素数２〜２０のアルケニル基を表し、Ｒ₄は水素
原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルキル基、アラル
キル基、アリール基、ヘテロアリール基、又は炭素数２
〜２０のアルケニル基を表し、Ｒ₁₀及びＲ₁₁はフッ素原
子、炭素数１〜２０のアルキル基、アラルキル基、アリ
ール基、ヘテロアリール基、又はアルコキシ基を表す
が、Ｒ₁₀、Ｒ₁₁の少なくとも１つはフッ素原子以外の前
記置換基を表す。〕

【００１４】 基板上に少なくとも記録層及び反射層
を有する光記録媒体において、記録層中に、記載のベ
ンゾピロメテン系化合物を含有する光記録媒体。

【００１５】 波長５２０〜６９０ｎｍの範囲から選
択されるレーザー光に対して記録及び再生が可能である
記載の光記録媒体。

【００１６】 レーザー波長において、記録層の屈折
率が１．８以上、かつ、消衰係数が０．０４〜０．４０
である記載の光記録媒体。

【００１７】 波長５２０〜６９０ｎｍの範囲から選
択されるレーザー光に対して、基板側から測定した反射
率が２０％以上である〜のいずれかに記載の光記録
媒体、に関するものである。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明の具体的構成について以下
に説明する。

【００１９】光記録媒体とは予め情報が記録されている
再生専用の光再生専用媒体及び情報を記録して再生する
ことのできる光記録媒体の両方を示すものである。但
し、ここでは適例として後者の情報を記録して再生ので
きる光記録媒体、特に基板上に記録層、反射層を有する
光記録媒体に関して説明する。この光記録媒体は図１に
示すような基板１、記録層２、反射層３及び保護層４が
順次積層されている４層構造を有しているか、図２に示
すような貼り合わせ構造を有している。即ち、基板１’
上に記録層２’が形成されており、その上に密着して反
射層３’が設けられており、更にその上に接着層４’を
介して基板５’が貼り合わされている。ただし、記録層
２’の下又は上に別の層があってもよく、反射層３’の
上に別の層があってもかまわない。

【００２０】基板の材質としては、基本的には記録光及
び再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカー
ボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メチ
ル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂
等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。こ
れらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に成
形される。必要に応じて、基板表面に案内溝やピットを
形成することもある。このような案内溝やピットは、基
板の成形時に付与することが好ましいが、基板の上に紫
外線硬化樹脂層を形成して付与することもできる。通常
ＣＤとして用いる場合は、厚さ１．２ｍｍ程度、直径８
０ないし１２０ｍｍ程度の円盤状であり、中央に直径１
５ｍｍ程度の穴が開いている。

【００２１】本発明においては、基板上に記録層を設け
るが、本発明の記録層は、λmaxが４５０〜６３０ｎｍ
付近に存在する一般式（１）で示されるベンゾピロメテ
ン系化合物を含有する。中でも、５２０ｎｍ〜６９０ｎ
ｍから選択される記録及び再生レーザー波長に対して適
度な光学定数（光学定数は複素屈折率（ｎ＋ｋｉ）で表
現される。式中のｎ，ｋは、実数部ｎと虚数部ｋに相当
する係数である。ここでは、ｎを屈折率、ｋを消衰係数
とする。）を有する必要がある。

【００２２】一般に有機色素は、波長λに対し、屈折率
ｎと消衰係数ｋが大きく変化する特徴がある。ｎが１．
８より小さい値になると正確な信号読み取りに必要な反
射率と信号変調度は得られず、ｋが０．４０を越えても
反射率が低下して良好な再生信号が得られないだけでな
く、再生光により信号が変化しやすくなり実用に適さな
い。この特徴を考慮して、目的とするレーザー波長にお
いて好ましい光学定数を有する有機色素を選択し記録層
を成膜することで、高い反射率を有し、かつ、感度の良
い媒体とすることができる。

【００２３】本発明の一般式（１）で表される化合物
は、通常の有機色素に比べ、吸光係数が高く、また置換
基の選択により吸収波長域を任意に選択できるため、前
記レーザー光の波長において記録層に必要な光学定数
（ｎが１．８以上、かつ、ｋが０．０４〜０．４０であ
り、好ましくは、ｎが２．０以上で、かつ、ｋが０．０
４〜０．２０）を満足する極めて有用な化合物である。

【００２４】本発明の記録層に含有される一般式（１）
で示されるベンゾピロメテン系化合物の具体例を次に述
べる。

【００２５】Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇、Ｒ₈及び
Ｒ₉の具体例としては、水素原子；ニトロ基；シアノ
基；ヒドロキシ基；アミノ基；カルボキシル基；スルホ
ン酸基；フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲン原子；
メチル基、エチル基、n-プロピル基、iso-プロピル基、
n-ブチル基、iso-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル
基、n-ペンチル基、iso-ペンチル基、2-メチルブチル
基、1-メチルブチル基、neo-ペンチル基、1,2-ジメチル
プロピル基、1,1-ジメチルプロピル基、cyclo-ペンチル
基、n-ヘキシル基、4-メチルペンチル基、3-メチルペン
チル基、2-メチルペンチル基、1-メチルペンチル基、3,
3-ジメチルブチル基、2,3-ジメチルブチル基、1,3-ジメ
チルブチル基、2,2-ジメチルブチル基、1,2-ジメチルブ
チル基、1,1-ジメチルブチル基、3-エチルブチル基、2-
エチルブチル基、1-エチルブチル基、1,2,2-トリメチル
ブチル基、1,1,2-トリメチルブチル基、1-エチル-2-メ
チルプロピル基、cyclo-ヘキシル基、n-ヘプチル基、2-
メチルヘキシル基、3-メチルヘキシル基、4-メチルヘキ
シル基、5-メチルヘキシル基、2,4-ジメチルペンチル
基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、2,5-ジメチル
ヘキシル基、2,5,5-トリメチルペンチル基、2,4-ジメチ
ルヘキシル基、2,2,4-トリメチルペンチル基、n-ノニル
基、3,5,5-トリメチルヘキシル基、n-デシル基、4-エチ
ルオクチル基、4-エチル-4,5-ジメチルヘキシル基、n-
ウンデシル基、n-ドデシル基、1,3,5,7-テトラメチルオ
クチル基、4-ブチルオクチル基、6,6-ジエチルオクチル
基、n-トリデシル基、6-メチル-4-ブチルオクチル基、n
-テトラデシル基、n-ペンタデシル基、3,5-ジメチルヘ
プチル基、2,6-ジメチルヘプチル基、2,4-ジメチルヘプ
チル基、2,2,5,5-テトラメチルヘキシル基、1-cyclo-ペ
ンチル-2,2-ジメチルプロピル基、1-cyclo-ヘキシル-2,
2-ジメチルプロピル基等の直鎖、分岐又は環状のアルキ
ル基；

【００２６】クロロメチル基、ジクロロメチル基、フル
オロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロ
エチル基、ノナフルオロブチル基等のハロゲノアルキル
基；メトキシエチル基、エトキシエチル基、iso-プロピ
ルオキシエチル基、3-メトキシプロピル基、2-メトキシ
ブチル基等のアルコキシアルキル基；メトキシ基、エト
キシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキ
シ基、iso-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、t-ブトキシ
基、n-ペントキシ基、iso-ペントキシ基、neo-ペントキ
シ基、n-ヘキシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基等の
アルコキシ基；メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ
基、3-メトキシプロピルオキシ基、3-(iso-プロピルオ
キシ）プロピルオキシ基等のアルコキシアルコキシ基；
フェノキシ基、2-メチルフェノキシ基、4-メチルフェノ
キシ基、4-t-ブチルフェノキシ基、2-メトキシフェノキ
シ基、4-iso-プロピルフェノキシ基等のアリールオキシ
基；

【００２７】ホルミル基、アセチル基、エチルカルボニ
ル基、n-プロピルカルボニル基、iso-プロピルカルボニ
ル基、n-ブチルカルボニル基、iso-ブチルカルボニル
基、sec-ブチルカルボニル基、t-ブチルカルボニル基、
n-ペンチルカルボニル基、iso-ペンチルカルボニル基、
neo-ペンチルカルボニル基、2-メチルブチルカルボニル
基、ニトロベンジルカルボニル基等のアシル基；メトキ
シカルボニル基、エトキシカルボニル基、イソプロピル
オキシカルボニル基、2,4-ジメチルブチルオキシカルボ
ニル基等のアルコキシカルボニル基；メチルアミノカル
ボニル基、エチルアミノカルボニル基、n-プロピルアミ
ノカルボニル基、n-ブチルアミノカルボニル基、n-ヘキ
シルアミノカルボニル基等のアルキルアミノカルボニル
基；ジメチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカル
ボニル基、ジ-n-プロピルアミノカルボニル基、ジ-n-ブ
チルアミノカルボニル基、N-メチル-N-シクロヘキシル
アミノカルボニル基等のジアルキルアミノカルボニル
基；アセチルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ブ
チルカルボニルアミノ基等のアルキルカルボニルアミノ
基；

【００２８】フェニルアミノカルボニル基、4-メチルフ
ェニルアミノカルボニル基、2-メトキシフェニルアミノ
カルボニル基、4-n-プロピルフェニルアミノカルボニル
基等のアリールアミノカルボニル基；フェニルカルボニ
ルアミノ基、4-エチルフェニルカルボニルアミノ基、3-
ブチルフェニルカルボニルアミノ基等のアリールカルボ
ニルアミノ基；フェノキシカルボニル基、2-メチルフェ
ノキシカルボニル基、4-メトキシフェノキシカルボニル
基、4-t-ブチルフェノキシカルボニル基等のアリールオ
キシカルボニル基；ベンジル基、ニトロベンジル基、シ
アノベンジル基、ヒドロキシベンジル基、メチルベンジ
ル基、ジメチルベンジル基、トリメチルベンジル基、ジ
クロロベンジル基、メトキシベンジル基、エトキシベン
ジル基、トリフルオロメチルベンジル基、ナフチルメチ
ル基、ニトロナフチルメチル基、シアノナフチルメチル
基、ヒドロキシナフチルメチル基、メチルナフチルメチ
ル基、トリフルオロメチルナフチルメチル基等のアラル
キル基；フェニル基、ニトロフェニル基、シアノフェニ
ル基、ヒドロキシフェニル基、メチルフェニル基、ジメ
チルフェニル基、トリメチルフェニル基、ジクロロフェ
ニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ト
リフルオロメチルフェニル基、N,N-ジメチルアミノフェ
ニル基、ナフチル基、ニトロナフチル基、シアノナフチ
ル基、ヒドロキシナフチル基、メチルナフチル基、トリ
フルオロメチルナフチル基等のアリール基；ピロリル
基、チエニル基、フラニル基、オキサゾイル基、イソオ
キサゾイル基、オキサジアゾイル基、イミダゾイル基、
ベンゾオキサゾイル基、ベンゾチアゾイル基、ベンゾイ
ミダゾイル基、ベンゾフラニル基、インドイル基等のヘ
テロアリール基；

【００２９】メチルチオ基、エチルチオ基、n-プロピル
チオ基、iso-プロピルチオ基、n-ブチルチオ基、iso-ブ
チルチオ基、sec-ブチルチオ基、t-ブチルチオ基、n-ペ
ンチルチオ基、iso-ペンチルチオ基、2-メチルブチルチ
オ基、1-メチルブチルチオ基、neo-ペンチルチオ基、1,
2-ジメチルプロピルチオ基、1,1-ジメチルプロピルチオ
基等のアルキルチオ基；フェニルチオ基、4-メチルフェ
ニルチオ基、2-メトキシフェニルチオ基、4-t-ブチルフ
ェニルチオ基等のアリ−ルチオ基；アリルオキシカルボ
ニル基、2-ブテノキシカルボニル基等のアルケニルオキ
シカルボニル基；ベンジルオキシカルボニル基、フェネ
チルオキシカルボニル基等のアラルキルオキシカルボニ
ル基；

【００３０】メトキシカルボニルメトキシカルボニル
基、エトキシカルボニルメトキシカルボニル基、n-プロ
ポキシカルボニルメトキシカルボニル基、イソポウロポ
キシカルボニルメトキシカルボニル基等のアルコキシカ
ルボニルアルコキシカルボニル基；メチルカルボニルメ
トキシカルボニル基、エチルカルボニルメトキシカルボ
ニル基等のアルキルカルボニルアルコキシカルボニル
基；ヒドロキシエチルアミノカルボニル基、2-ヒドロキ
シプロピルアミノカルボニル基、3-ヒドロキシプロピル
アミノカルボニル基等のモノ(ヒドロキシアルキル)アミ
ノカルボニル基；ジ（ヒドロキシエチル）アミノカルボ
ニル基、ジ（2-ヒドロキシプロピル）アミノカルボニル
基、ジ（3-ヒドロキシプロピル）アミノカルボニル基等
のジ（ヒドロキシアルキル）アミノカルボニル基；メト
キシメチルアミノカルボニル基、メトキシエチルアミノ
カルボニル基、エトキシメチルアミノカルボニル基、エ
トキシエチルアミノカルボニル基、プロポキシエチルア
ミノカルボニル基等のモノ（アルコキシアルキル）アミ
ノカルボニル基；ジ（メトキシエチル）アミノカルボニ
ル基、ジ（エトキシメチル）アミノカルボニル基、ジ
（エトキシエチル）アミノカルボニル基、ジ（プロポキ
シエチル）アミノカルボニル基等のジ（アルコキシアル
キル）アミノカルボニル基；ビニル基、プロペニル基、
1-ブテニル基、iso-ブテニル基、1-ペンテニル基、2-ペ
ンテニル基、2-メチル-1-ブテニル基、3-メチル-1-ブテ
ニル基、2-メチル-2-ブテニル基、2,2-ジシアノビニル
基、2-シアノ-2-メチルカルボキシルビニル基、2-シア
ノ-2-メチルスルホンビニル基等の炭素数２〜２０のア
ルケニル基を挙げることができる。

【００３１】Ｒ₄の具体例としては、水素原子；シアノ
基；メチル基、エチル基、n-プロピル基、iso-プロピル
基、n-ブチル基、iso-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチ
ル基、n-ペンチル基、iso-ペンチル基、2-メチルブチル
基、1-メチルブチル基、neo-ペンチル基、1,2-ジメチル
プロピル基、1,1-ジメチルプロピル基、cyclo-ペンチル
基、n-ヘキシル基、4-メチルペンチル基、3-メチルペン
チル基、2-メチルペンチル基、1-メチルペンチル基、3,
3-ジメチルブチル基、2,3-ジメチルブチル基、1,3-ジメ
チルブチル基、2,2-ジメチルブチル基、1,2-ジメチルブ
チル基、1,1-ジメチルブチル基、3-エチルブチル基、2-
エチルブチル基、1-エチルブチル基、1,2,2-トリメチル
ブチル基、1,1,2-トリメチルブチル基、1-エチル-2-メ
チルプロピル基、cyclo-ヘキシル基、n-ヘプチル基、2-
メチルヘキシル基、3-メチルヘキシル基、4-メチルヘキ
シル基、5-メチルヘキシル基、2,4-ジメチルペンチル
基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、2,5-ジメチル
ヘキシル基、2,5,5-トリメチルペンチル基、2,4-ジメチ
ルヘキシル基、2,2,4-トリメチルペンチル基、n-ノニル
基、3,5,5-トリメチルヘキシル基、n-デシル基、4-エチ
ルオクチル基、4-エチル-4,5-ジメチルヘキシル基、n-
ウンデシル基、n-ドデシル基、1,3,5,7-テトラメチルオ
クチル基、4-ブチルオクチル基、6,6-ジエチルオクチル
基、n-トリデシル基、6-メチル-4-ブチルオクチル基、n
-テトラデシル基、n-ペンタデシル基、3,5-ジメチルヘ
プチル基、2,6-ジメチルヘプチル基、2,4-ジメチルヘプ
チル基、2,2,5,5-テトラメチルヘキシル基、1-cyclo-ペ
ンチル-2,2-ジメチルプロピル基、1-cyclo-ヘキシル-2,
2-ジメチルプロピル基等の直鎖、分岐又は環状のアルキ
ル基；

【００３２】ベンジル基、ニトロベンジル基、シアノベ
ンジル基、ヒドロキシベンジル基、メチルベンジル基、
ジメチルベンジル基、トリメチルベンジル基、ジクロロ
ベンジル基、メトキシベンジル基、エトキシベンジル
基、トリフルオロメチルベンジル基、ナフチルメチル
基、ニトロナフチルメチル基、シアノナフチルメチル
基、ヒドロキシナフチルメチル基、メチルナフチルメチ
ル基、トリフルオロメチルナフチルメチル基等のアラル
キル基；フェニル基、ニトロフェニル基、シアノフェニ
ル基、ヒドロキシフェニル基、メチルフェニル基、ジメ
チルフェニル基、トリメチルフェニル基、ジクロロフェ
ニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ト
リフルオロメチルフェニル基、N,N-ジメチルアミノフェ
ニル基、ナフチル基、ニトロナフチル基、シアノナフチ
ル基、ヒドロキシナフチル基、メチルナフチル基、トリ
フルオロメチルナフチル基等のアリール基；

【００３３】ピロリル基、チエニル基、フラニル基、オ
キサゾイル基、イソオキサゾイル基、オキサジアゾイル
基、イミダゾイル基、ベンゾオキサゾイル基、ベンゾチ
アゾイル基、ベンゾイミダゾイル基、ベンゾフラニル
基、インドイル基等のヘテロアリール基；ビニル基、プ
ロペニル基、1-ブテニル基、iso-ブテニル基、1-ペンテ
ニル基、2-ペンテニル基、2-メチル-1-ブテニル基、3-
メチル-1-ブテニル基、2-メチル-2-ブテニル基、2,2-ジ
シアノビニル基、2-シアノ-2-メチルカルボキシルビニ
ル基、2-シアノ-2-メチルスルホンビニル基等の炭素数
２〜２０のアルケニル基を挙げることができる。

【００３４】Ｒ₁₀及びＲ₁₁の具体例としては、フッ素原
子；メチル基、エチル基、n-プロピル基、iso-プロピル
基、n-ブチル基、iso-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチ
ル基、n-ペンチル基、iso-ペンチル基、2-メチルブチル
基、1-メチルブチル基、neo-ペンチル基、1,2-ジメチル
プロピル基、1,1-ジメチルプロピル基、cyclo-ペンチル
基、n-ヘキシル基、4-メチルペンチル基、3-メチルペン
チル基、2-メチルペンチル基、1-メチルペンチル基、3,
3-ジメチルブチル基、2,3-ジメチルブチル基、1,3-ジメ
チルブチル基、2,2-ジメチルブチル基、1,2-ジメチルブ
チル基、1,1-ジメチルブチル基、3-エチルブチル基、2-
エチルブチル基、1-エチルブチル基、1,2,2-トリメチル
ブチル基、1,1,2-トリメチルブチル基、1-エチル-2-メ
チルプロピル基、cyclo-ヘキシル基、n-ヘプチル基、2-
メチルヘキシル基、3-メチルヘキシル基、4-メチルヘキ
シル基、5-メチルヘキシル基、2,4-ジメチルペンチル
基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、2,5-ジメチル
ヘキシル基、2,5,5-トリメチルペンチル基、2,4-ジメチ
ルヘキシル基、2,2,4-トリメチルペンチル基、n-ノニル
基、3,5,5-トリメチルヘキシル基、n-デシル基、4-エチ
ルオクチル基、4-エチル-4,5-ジメチルヘキシル基、n-
ウンデシル基、n-ドデシル基、1,3,5,7-テトラメチルオ
クチル基、4-ブチルオクチル基、6,6-ジエチルオクチル
基、n-トリデシル基、6-メチル-4-ブチルオクチル基、n
-テトラデシル基、n-ペンタデシル基、3,5-ジメチルヘ
プチル基、2,6-ジメチルヘプチル基、2,4-ジメチルヘプ
チル基、2,2,5,5-テトラメチルヘキシル基、1-cyclo-ペ
ンチル-2,2-ジメチルプロピル基、1-cyclo-ヘキシル-2,
2-ジメチルプロピル基等の直鎖、分岐又は環状のアルキ
ル基；

【００３５】ベンジル基、ニトロベンジル基、シアノベ
ンジル基、ヒドロキシベンジル基、メチルベンジル基、
ジメチルベンジル基、トリメチルベンジル基、ジクロロ
ベンジル基、メトキシベンジル基、エトキシベンジル
基、トリフルオロメチルベンジル基、ナフチルメチル
基、ニトロナフチルメチル基、シアノナフチルメチル
基、ヒドロキシナフチルメチル基、メチルナフチルメチ
ル基、トリフルオロメチルナフチルメチル基等のアラル
キル基；フェニル基、ニトロフェニル基、シアノフェニ
ル基、ヒドロキシフェニル基、メチルフェニル基、ジメ
チルフェニル基、トリメチルフェニル基、ジクロロフェ
ニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ト
リフルオロメチルフェニル基、N,N-ジメチルアミノフェ
ニル基、ナフチル基、ニトロナフチル基、シアノナフチ
ル基、ヒドロキシナフチル基、メチルナフチル基、トリ
フルオロメチルナフチル基等のアリール基；ピロリル
基、チエニル基、フラニル基、オキサゾイル基、イソオ
キサゾイル基、オキサジアゾイル基、イミダゾイル基、
ベンゾオキサゾイル基、ベンゾチアゾイル基、ベンゾイ
ミダゾイル基、ベンゾフラニル基、インドイル基等のヘ
テロアリール基；メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキ
シ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、iso-ブトキシ
基、sec-ブトキシ基、t-ブトキシ基、n-ペントキシ基、
iso-ペントキシ基、neo-ペントキシ基、n-ヘキシルオキ
シ基、ｎ−ドデシルオキシ基等のアルコキシ基を挙げる
ことができる。

【００３６】本発明の一般式（１）で示されるベンゾピ
ロメテン系化合物は、以下のようにして容易に製造する
ことができる。即ち、公知の方法（例えば、Journal of
Chemical Society, Chemical Communication, 1994, 1
129-1130）に従い合成した、一般式（２）で示される化
合物を、三フッ化ホウ素類と反応して一般式（３）で示
される化合物を得た後、フッ素原子を置換して一般式
（１）で示されるベンゾピロメテン系化合物を合成す
る。

【００３７】

【化３】 （式中Ｒ₁〜Ｒ₉は前記に同じ。）

【００３８】

【化４】 （式中Ｒ₁〜Ｒ₉は前記に同じ。）

【００３９】一般式（１）で示されるベンゾピロメテン
系化合物の具体例としては、表−１に示す置換基を有す
る化合物が挙げられる。

【００４０】

【表１】

【００４１】

【表２】

【００４２】

【表３】

【００４３】

【表４】

【００４４】

【表５】

【００４５】

【表６】

【００４６】また、記録特性などの改善のために、波長
４５０〜６３０ｎｍに吸収極大を有し、５２０〜６９０
ｎｍでの屈折率が大きい前記以外の色素と混合してもよ
い。具体的には、シアニン色素、スクアリリウム系色
素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、ポル
フィリン系色素、テトラピラポルフィラジン系色素、イ
ンドフェノール系色素、ピリリウム系色素、チオピリリ
ウム系色素、アズレニウム系色素、トリフェニルメタン
系色素、キサンテン系色素、インダスレン系色素、イン
ジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メロシアニン系色
素、チアジン系色素、アクリジン系色素、オキサジン系
色素等があり、複数の色素の混合であってもよい。これ
らの色素の混合割合は、０．１〜３０％程度である。

【００４７】記録層を成膜する際に、必要に応じて前記
の色素に、クエンチャー、色素分解促進剤、紫外線吸収
剤、接着剤等を混合するか、あるいは、そのような効果
を有する化合物を前記色素の置換基として導入すること
も可能である。

【００４８】クエンチャーの具体例としては、アセチル
アセトナート系、ビスジチオ−α−ジケトン系やビスフ
ェニルジチオール系等のビスジチオール系、チオカテコ
ール系、サリチルアルデヒドオキシム系、チオビスフェ
ノレート系等の金属錯体が好ましい。また、アミン系も
好適である。

【００４９】熱分解促進剤としては、例えば、金属系ア
ンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセト
ナート系金属錯体等の金属化合物が挙げられる。

【００５０】更に、必要に応じて、バインダー、レベリ
ング剤、消泡剤等を併用することもできる。好ましいバ
インダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビニル
ピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケト
ン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウレタン樹
脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリオ
レフィン等が挙げられる。

【００５１】記録層を基板の上に成膜する際に、基板の
耐溶剤性や反射率、記録感度等を向上させるために、基
板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良い。

【００５２】ここで、記録層における一般式（１）で示
されるベンゾピロメテン系化合物の含有量は、３０％以
上、好ましくは６０％以上である。尚、実質的に１００
％であることも好ましい。

【００５３】記録層を設ける方法は、例えば、スピンコ
ート法、スプレー法、キャスト法、浸漬法等の塗布法、
スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる
が、スピンコート法が簡便で好ましい。

【００５４】スピンコート法等の塗布法を用いる場合に
は、一般式（１）で示されるベンゾピロメテン系化合物
を１〜４０重量％、好ましくは３〜３０重量％となるよ
うに溶媒に溶解あるいは分散させた塗布液を用いるが、
この際、溶媒は基板にダメージを与えないものを選ぶこ
とが好ましい。例えば、メタノール、エタノール、イソ
プロピルアルコール、オクタフルオロペンタノール、ア
リルアルコール、メチルセロソルブ、エチルセロソル
ブ、テトラフルオロプロパノール等のアルコール系溶
媒、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘ
キサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサ
ン、ジメチルシクロヘキサン等の脂肪族又は脂環式炭化
水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族
炭化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラク
ロロエタン、ジブロモエタン等のハロゲン化炭化水素系
溶媒、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプ
ロピルエーテル、ジオキサン等のエーテル系溶媒、アセ
トン、3-ヒドロキシ-3-メチル-2-ブタノン等のケトン系
溶媒、酢酸エチル、乳酸メチル等のエステル系溶媒、水
などが挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、或
いは、複数混合して用いてもよい。

【００５５】なお、必要に応じて、記録層の色素を高分
子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。

【００５６】また、基板にダメージを与えない溶媒を選
択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着
法などが有効である。

【００５７】色素層の膜厚は、特に限定するものではな
いが、好ましくは５０〜３００ｎｍである。色素層の膜
厚を５０ｎｍより薄くすると、熱拡散が大きいため記録
出来ないか、記録信号に歪みが発生する上、信号振幅が
小さくなる。また、膜厚が３００ｎｍより厚い場合は反
射率が低下し、再生信号特性が悪化する。

【００５８】次に記録層の上に、好ましくは、厚さ５０
〜３００ｎｍの反射層を形成する。反射層の材料として
は、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａ
ｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔ
ａ、Ｃｒ及びＰｄの金属を単独あるいは合金にして用い
ることが可能である。この中でもＡｕ、Ａｌ、Ａｇは反
射率が高く反射層の材料として適している。これ以外で
も下記のものを含んでいてもよい。例えば、Ｍｇ、Ｓ
ｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属及び半金
属を挙げることができる。また、Ａｕを主成分としてい
るものは反射率の高い反射層が容易に得られるため好適
である。ここで主成分というのは含有率が５０％以上の
ものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率
薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として
用いることも可能である。

【００５９】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真
空蒸着法等が挙げられる。また、基板の上や反射層の下
に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上等のた
めに公知の無機系又は有機系の中間層、接着層を設ける
こともできる。

【００６０】更に、反射層の上の保護層の材料としては
反射層を外力から保護するものであれば特に限定しな
い。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、
電子線硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等を挙げることがで
きる。また、無機物質としては、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ₄、Ｍ
ｇＦ₂、ＳｎＯ₂等が挙げられる。熱可塑性樹脂、熱硬化
性樹脂などは適当な溶剤に溶解して塗布液を塗布し、乾
燥することによって形成することができる。ＵＶ硬化性
樹脂は、そのままもしくは適当な溶剤に溶解して塗布液
を調製した後にこの塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して
硬化させることによって形成することができる。ＵＶ硬
化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エ
ポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなどの
アクリレート樹脂を用いることができる。これらの材料
は単独であるいは混合して用いてもよいし、１層だけで
なく多層膜にして用いてもよい。

【００６１】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、この中でも
スピンコート法が好ましい。

【００６２】保護層の膜厚は、一般には０．１〜１００
μｍの範囲であるが、本発明においては、３〜３０μｍ
であり、好ましくは５〜２０μｍがより好ましい。

【００６３】保護層の上に更にレーベル等の印刷を行う
こともできる。

【００６４】また、反射層面に保護シート又は基板を貼
り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向させ
光記録媒体２枚を貼り合わせる等の手段を用いてもよ
い。

【００６５】基板鏡面側に、表面保護やゴミ等の付着防
止のために紫外線硬化樹脂、無機系薄膜等を成膜しても
よい。

【００６６】ここで、本発明でいう波長５２０〜６９０
ｎｍのレーザーは、特に限定はないが、例えば、可視領
域の広範囲で波長選択のできる色素レーザーや波長６３
３ｎｍのヘリウムネオンレーザー、最近開発されている
波長６８０、６５０、６３５ｎｍ付近の高出力半導体レ
ーザー、波長５３２ｎｍの高調波変換ＹＡＧレーザーな
どが挙げられる。本発明では、これらから選択される一
波長又は複数波長において高密度記録及び再生が可能と
なる。

【００６７】

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れによりなんら限定されるものではない。

【００６８】〔実施例１〕ジクロロメタン４０ｍｌに式
（２−ａ）で示される化合物１．１ｇを溶解し、Ｎ，Ｎ
−ジイソプロピルエチルアミン１．９ｇを加えて、室温
で３０分間攪拌した後、ボロントリフルオリドエチルエ
ーテルコンプレックス２．１ｇを加え更に２時間攪拌し
た。水洗後、ジクロロメタンを溜去し、カラムクロマト
グラフィー（シリカゲル／メタノール：クロロホルム；
１：２０）にて精製し、下記構造式（３−ａ）で示され
る化合物を１．０ｇ得た。

【００６９】

【化５】

【００７０】

【化６】

【００７１】次に、メタノール７ｍｌにナトリウムメト
キシド０．３ｇ及び式（３−ａ）で示される化合物０．
３ｇを溶解し、室温で３時間攪拌した。クロロホルム５
０ｍｌを添加し、水洗した後濃縮し、カラムクロマトグ
ラフィー（シリカゲル／酢酸エチル：クロロホルム；
１：９）で精製して下記構造式（１−１）で示される化
合物を０．２ｇ得た。

【００７２】

【化７】

【００７３】下記の分析結果より、目的物であることを
確認した。

【００７４】

【表７】

【００７５】ＭＳ（ｍ／ｅ）： ３９６（Ｍ⁺） このようにして得られた化合物は、クロロホルム溶液中
において５８４ｎｍに極大吸収を示し、グラム吸光係数
は１．９２×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍであった。

【００７６】〔実施例２〕テトラヒドロフラン１０ｍｌ
に式（３−ａ）で示される化合物０．１ｇを溶解した
後、n-ペンチルマグネシウム ブロミドのテトラヒドロ
フラン溶液（1mol/l）２．９ｍｌを添加し、室温で２時
間攪拌した。トルエン９０ｍｌを添加し、水洗した後濃
縮し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル／クロロ
ホルム）で精製して下記構造式（１−２）で示される化
合物を０．１ｇ得た。

【００７７】

【化８】

【００７８】下記の分析結果より、目的物であることを
確認した。

【００７９】

【表８】

【００８０】ＭＳ（ｍ／ｅ）： ５０６（Ｍ⁺） このようにして得られた化合物は、クロロホルム溶液中
において５５７ｎｍに極大吸収を示し、グラム吸光係数
は２．３５×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍであった。

【００８１】〔実施例３〕ジクロロメタン１５０ｍｌに
式（２−ｂ）で示される化合物１．２ｇを溶解し、Ｎ，
Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン１．９ｇを加えて、室
温で３０分間攪拌した後、ボロントリフルオリドエチル
エーテルコンプレックス２．１ｇを加え更に２時間攪拌
した。水洗後、ジクロロメタンを溜去し、カラムクロマ
トグラフィー（シリカゲル／メタノール：クロロホル
ム；１：２０）にて精製し、下記構造式（３−ｂ）で示
される化合物を０．６ｇ得た。

【００８２】

【化９】

【００８３】

【化１０】

【００８４】次に、テトラヒドロフラン２０ｍｌに式
（３−ｂ）で示される化合物０．２ｇを溶解した後、n-
ペンチルマグネシウム ブロミドのテトラヒドロフラン
溶液（1mol/l）３．５ｍｌを添加し、室温で２時間攪拌
した。トルエン９０ｍｌを添加し、水洗した後濃縮し、
カラムクロマトグラフィー（シリカゲル／クロロホル
ム）で精製して下記構造式（１−３）で示される化合物
を０．１ｇ得た。

【００８５】

【化１１】

【００８６】下記の分析結果より、目的物であることを
確認した。

【００８７】

【表９】

【００８８】ＭＳ（ｍ／ｅ）： ５５８（Ｍ⁺） このようにして得られた化合物は、クロロホルム溶液中
において５４９ｎｍに極大吸収を示し、グラム吸光係数
は１．３５×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍであった。

【００８９】〔実施例４〕エタノール８ｍｌにナトリウ
ム０．１ｇを溶解し、室温で１時間攪拌した後、式（３
−ｂ）で示される化合物０．３ｇを添加し、更に３時間
攪拌した。クロロホルム５０ｍｌを添加し、水洗した後
濃縮し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル／酢酸
エチル：クロロホルム；１：９）で精製して下記構造式
（１−４）で示される化合物を０．１ｇ得た。

【００９０】

【化１２】

【００９１】下記の分析結果より、目的物であることを
確認した。

【００９２】

【表１０】

【００９３】ＭＳ（ｍ／ｅ）： ５０６（Ｍ⁺） このようにして得られた化合物は、クロロホルム溶液中
において５８２ｎｍに極大吸収を示し、グラム吸光係数
は１．４１×１０⁵ｍｌ／ｇ．ｃｍであった。

【００９４】〔実施例５〕化合物（１−１）０．２ｇを
ジメチルシクロヘキサン１０ｍｌに溶解し、色素溶液を
調製した。基板は、ポリカーボネート樹脂製で連続した
案内溝（トラックピッチ：０．８μｍ）を有する直径１
２０ｍｍφ、厚さ１．２ｍｍの円盤状のものを用いた。

【００９５】この基板上に色素溶液を回転数１５００ｒ
ｐｍでスピンコートし、７０℃３時間乾燥して、記録層
を形成した。この記録層の吸収極大は５９４ｎｍであ
り、光学定数は、６８０ｎｍではｎが２．１、ｋは０．
０３であり、６５０ｎｍではｎが２．２、ｋは０．０４
であり、６３５ｎｍではｎが２．４、ｋは０．０７であ
る。

【００９６】この記録層の上にバルザース社製スパッタ
装置（ＣＤＩ−９００）を用いてＡｕをスパッタし、厚
さ１００ｎｍの反射層を形成した。スパッタガスには、
アルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワ
ー２．５ｋＷ、スパッタガス圧１．０×１０^-2Ｔｏｒｒ
で行った。

【００９７】更に反射層の上に紫外線硬化樹脂ＳＤ−１
７（大日本インキ化学工業製）をスピンコートした後、
紫外線照射して厚さ６μｍの保護層を形成し、光記録媒
体を作製した。

【００９８】得られた光記録媒体に、波長６３５ｎｍで
レンズの開口数が０．６の半導体レーザーヘッドを搭載
したパルステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−
１０００）及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを
用いて、線速度３．５ｍ／ｓ、レーザーパワー８ｍＷで
最短ピット長０．４４μｍになるように記録した。記録
後、６５０ｎｍ及び６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘッ
ド（レンズの開口数は０．６）を搭載した評価装置を用
いて信号を再生し、反射率、エラーレート及び変調度を
測定した結果、いずれも良好な値を示した。

【００９９】次に６８０ｎｍ半導体レーザーヘッドを搭
載したパルステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ
−１０００）及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダー
を用いて、線速度１．４ｍ／ｓ、レーザーパワー１０ｍ
Ｗで最短ピット長０．６０μｍになるように記録した。
この記録した媒体を６８０ｎｍ、６５０ｎｍ及び６３５
ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパルステック
工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０００）を用い
て信号を再生し、反射率、エラーレート及び変調度を測
定した。いずれも良好な値を示した。

【０１００】このように、この媒体は複数のレーザー波
長で記録及び再生を良好に行うことが出来た。

【０１０１】なお、エラーレートはケンウッド社製ＣＤ
デコーダー（ＤＲ３５５２）を用いて計測し、変調度は
以下の式により求めた。

【０１０２】変調度＝｛（信号の最大強度）−（信号の
最小強度）｝／（信号の最大強度）

【０１０３】〔実施例６〕基板にポリカーボネート樹脂
製で連続した案内溝（トラックピッチ：０．８μｍ）を
有する直径１２０ｍｍφ、厚さ０．６ｍｍの円盤状のも
のを用いる以外は実施例５と同様にして塗布及び反射層
を形成した。

【０１０４】更に反射層上に紫外線硬化性接着剤ＳＤ−
３０１（大日本インキ化学工業製）をスピンコートし、
その上にポリカーボネート樹脂製で直径１２０ｍｍφ、
厚さ０．６ｍｍの円盤状基板を乗せた後、紫外線照射し
て貼り合わせした光記録媒体を作製した。

【０１０５】作製した媒体に、０．６ｍｍ厚に対応した
６３５ｎｍ半導体レーザーヘッドを搭載している以外は
実施例５と同様にパルステック工業製光ディスク評価装
置（ＤＤＵ−１０００）及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエ
ンコーダーを用いて記録した。記録後、６５０ｎｍ及び
６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載した評価装
置を用いて信号を再生し、反射率、エラーレート及び変
調度を測定した結果、いずれも良好な値を示した。

【０１０６】〔実施例７〜３３〕表−１に記載したベン
ゾピロメテン系化合物（１−２〜１−２８）を用いる以
外は、実施例６と同様にして光記録媒体を作製した。

【０１０７】作製した媒体に実施例６と同様に６３５ｎ
ｍ半導体レーザーヘッドを搭載したパルステック工業製
光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０００）及びＫＥＮＷ
ＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて記録した。記録
後、６５０ｎｍ及び６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘッ
ドを搭載した評価装置を用いて信号を再生し、反射率、
エラーレート及び変調度を測定した結果、いずれも良好
な値を示した。

【０１０８】〔実施例３４〕化合物（１−３９）と塗布
溶媒としてジアセトンアルコールを用い、基板にポリカ
ーボネート樹脂製で連続した案内溝（トラックピッチ：
０．５３μｍ）を有する直径１２０ｍｍφ、厚さ０．６
ｍｍの円盤状のものを用いる以外は実施例６と同様にし
て光記録媒体を作製した。

【０１０９】この記録層の吸収極大は５２９ｎｍであ
り、光学定数は、５３２ｎｍではｎが２．３、ｋは０．
１２である。

【０１１０】作製した媒体に、０．６ｍｍ厚に対応した
５３２ｎｍＹＡＧ高調波変換レーザーヘッドを搭載した
光ディスク評価装置及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコ
ーダーを用いて、線速度３．８ｍ／ｓ、レーザーパワー
７ｍＷで記録した。記録後、同評価装置を用いて信号を
再生した結果、反射率は約５０％、エラーレートが７ｃ
ｐｓ及び変調度が０．６３であり、いずれも良好な値を
示した。

【０１１１】〔比較例１〕実施例６において、ベンゾピ
ロメテン系化合物（１−１）の代わりに、ペンタメチン
シアニン色素ＮＫ−２９２９［1,3,3,1',3',3'-ヘキサ
メチル-2',2'-(4,5,4',5'-ジベンゾ)インドジカルボシ
アニンパークロレート、日本感光色素研究所製］を用い
ること以外は同様にして光記録媒体を作製した。作製し
た媒体に実施例６と同様に６３５ｎｍ半導体レーザーヘ
ッドを搭載したパルステック工業製光ディスク評価装置
（ＤＤＵ−１０００）及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエン
コーダーを用いて、線速度３．５ｍ／ｓ、レーザーパワ
ー７ｍＷで記録した。記録後、６５０ｎｍ及び６３５ｎ
ｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載した評価装置を用い
て信号を再生した結果、反射率は低く、エラーレートは
大きく、変調度も小さかった。更に、長時間再生してい
ると信号が劣化した。

【０１１２】〔比較例２〕比較例１において、ＮＫ２９
２９の代わりにトリメチンシアニン色素ＮＫ７９［1,3,
3,1',3',3'-ヘキサメチル-2',2'-インドジカルボシアニ
ンアイオダイド、日本感光色素研究所製］を用いたこと
以外は同様にして光記録媒体を作製した。作製した媒体
に実施例６と同様に６３５ｎｍ半導体レーザーヘッドを
搭載したパルステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤ
Ｕ−１０００）及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダ
ーを用いて、線速度３．５ｍ／ｓ、レーザーパワー７ｍ
Ｗで記録した。記録後、６５０ｎｍ及び６３５ｎｍ赤色
半導体レーザーヘッドを搭載した評価装置を用いて信号
を再生した結果、波形が歪み、エラーレートは大きく、
変調度も小さかった。更に、長時間再生していると信号
が劣化した。

【０１１３】以上の実施例５〜３３及び比較例１〜２に
おいて、記録層の光学定数及び各媒体を６３５ｎｍで記
録して、６５０及び６３５ｎｍで再生した時の反射率、
エラーレート、変調度を表−２にまとめて示す。

【０１１４】

【表１１】

【０１１５】

【表１２】

【０１１６】

【表１３】

【０１１７】

【表１４】

【０１１８】

【発明の効果】本発明によれば、ベンゾピロメテン系化
合物を記録層として用いることにより、高密度光記録媒
体として非常に注目されている波長５２０〜６９０ｎｍ
のレーザーで記録再生が可能な追記型光記録媒体を提供
することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の光記録媒体及び本発明の層構成を示す模
式的断面構造図である。

【図２】本発明の光記録媒体の層構成を示す模式的断面
構造図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 記録層 ３ 反射層 ４ 保護層 １’ 基板 ２’ 記録層 ３’ 反射層 ４’ 接着層 ５’ 基板

フロントページの続き (72)発明者 杉本 賢一 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 塚原 宇 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 津田 武 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 梅原 英樹 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 詫摩 啓輔 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（１）で示されるベンゾピロ
   メテン系化合物。 【化１】 〔式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₅、Ｒ₆、Ｒ₇、Ｒ₈及びＲ₉は
   各々独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ
   基、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボキシル基、スルホ
   ン酸基、炭素数１〜２０のアルキル基、ハロゲノアルキ
   ル基、アルコキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキ
   シアルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコ
   キシカルボニル基、アルキルアミノカルボニル基、ジア
   ルキルアミノカルボニル基、アルキルカルボニルアミノ
   基、アリールカルボニルアミノ基、アリールアミノカル
   ボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキル
   基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキルチオ基、
   アリールチオ基、アルケニルオキシカルボニル基、アラ
   ルキルオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアル
   コキシカルボニル基、アルキルカルボニルアルコキシカ
   ルボニル基、モノ（ヒドロキシアルキル）アミノカルボ
   ニル基、ジ（ヒドロキシアルキル）アミノカルボニル
   基、モノ（アルコキシアルキル）アミノカルボニル基、
   ジ（アルコキシアルキル）アミノカルボニル基又は炭素
   数２〜２０のアルケニル基を表し、Ｒ₄は水素原子、シ
   アノ基、炭素数１〜２０のアルキル基、アラルキル基、
   アリール基、ヘテロアリール基、又は炭素数２〜２０の
   アルケニル基を表し、Ｒ₁₀及びＲ₁₁はフッ素原子、炭素
   数１〜２０のアルキル基、アラルキル基、アリール基、
   ヘテロアリール基、又はアルコキシ基を表すが、Ｒ₁₀、
   Ｒ₁₁の少なくとも１つはフッ素原子以外の前記置換基を
   表す。〕
2. 【請求項２】 基板上に少なくとも記録層及び反射層を
   有する光記録媒体において、記録層中に、請求項１記載
   のベンゾピロメテン系化合物を含有する光記録媒体。
3. 【請求項３】 波長５２０〜６９０ｎｍの範囲から選択
   されるレーザー光に対して記録及び再生が可能である請
   求項２記載の光記録媒体。
4. 【請求項４】 レーザー波長において、記録層の屈折率
   が１．８以上、かつ、消衰係数が０．０４〜０．４０で
   ある請求項３記載の光記録媒体。
5. 【請求項５】 波長５２０〜６９０ｎｍの範囲から選択
   されるレーザー光に対して、基板側から測定した反射率
   が２０％以上である請求項２〜４のいずれかに記載の光
   記録媒体。