KR100268744B1 - 표면을 보다 매끄럽게 하는 산화물 스트립 방법 - Google Patents

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웨슬리 찰스 낫츨
치엔판 유
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Abstract

희생 패드 산화물과 같은 얇은 산화물 층을 스트립핑하기 위한 본 발명의 공정은 얕은 크랙을 제거하고 깊은 크랙의 광폭화를 제한하도록 크랙을 넓게 하는 에칭 화학제를 채택함으로써 종래 기술의 방법보다 거칠지 않은 최종 산화물 표면을 두꺼운 산화물 층상에 생성하여 이전에는 불가능하였던 기하 형상 및/또는 표면 매끄러움을 갖는 산화물-충전 트렌치의 제조를 가능하게 한다.

Description

표면을 보다 매끄럽게 하는 산화물 스트립 방법{OXIDE STRIP THAT IMPROVES PLANARITY}
본 발명은 실리콘 집적 회로 공정, 특히 막을 화학적으로 스트립핑(stripping)하는 것에 관한 것이다.
미국 특허 제 5,282,925 호에는 반응이 스스로 제한되어 열 산화물과 TEOS(tetra-ethyoxy silane) 산화물을 같은 비율로(최초의 주기 후에) 에칭하도록, HF를 진공 환경에서 산화물과 반응시켜 SiF4를 형성한 후 SiF4를 NH3와 반응시켜 에칭되는 표면에 남는 (NH4)2SiF6(ammonium hexafluorosilicate)를 형성함으로써 산화물을 스트립핑하는 방법이 개시되어 있다. 이러한 방법은 크랙 및/또는 심(cracks and/or seams)이 있는 구조에는 적용되지 않았다.
산업계에서는 표준 관행으로서 HF 또는 HF와 NH3의 수용액을 사용하는데, 이것은 크랙과 기타 결함을 확장시키는 결점을 가짐이 알려져 있다. 이 반응은 등방성이므로, 두께 R의 산화물이 스트립되는 경우에는 처음에 단지 폭이 1 옹스트롬인 크랙이 최후에는 2R의 폭을 가지게 된다. 산화물-충전 트렌치에 의해 디바이스를 절연시키면 중심에 심을 갖는다는 점을 제외하면 다른 면으로는 만족스러운 트렌치가 생성된다. 이러한 기하 형상은 그 심이 산화물 스트립 동안 상당히 확장되므로 사용할 수 없다. 게이트를 형성하는 폴리실리콘(폴리) 층의 에칭시 표준적인 오버에칭으로는 깊은 크랙이나 홈을 완전히 제거하지 못하고, 회로를 단락시킬 수 있는 폴리가 바닥에 남게 된다. 오버에칭을 길게 하는 것은 게이트 산화물에 대한 손상의 위험성 때문에 바람직하지 못하다.
표준 방법에 대한 이러한 제한으로 인해, 매끄러운 표면을 갖는 산화물 충전 트렌치를 형성할 수 없다는 결론을 내리게 되었다. 표면이 거칠면 다음 단계에서 피착되는 재료가 남게 되고, 따라서 폴리가 확장된 홈을 채워 회로를 단락시킬 수 있게 된다. 또, 확장된 홈이나 크랙이 있음으로 해서 커넥터가 트렌치 위로 이어질 때 개방 회로를 형성할 수도 있는 단차(step)가 생성된다.
이 기술 분야에서는 오랜동안 작은 칫수의 절연 유전체가 탐구되어 왔으며 따라서 수직 벽과 높은 종횡비를 갖는 절연 소자를 사용하려고 시도해왔다.
본 발명은 얕은 크랙을 제거하고 깊은 크랙의 깊이를 감소시키며 날카로운 코너를 둥글게 하도록 크랙의 폭을 증가시킴으로써 표면의 거친 정도(roughness)를 증가시키는 화학적 반응을 채택하는, 산화물이나 다른 막을 스트립핑하는 기체식 방법에 관한 것이다.
본 발명은 이전에는 사용할 수 없었던 트렌치 형상을 사용할 수 있게 하고 이전에 사용되었던 트렌치 형상의 수율을 향상시킨다.
도 1a 내지 1c는 스트립 전과 다른 스트립 공정 후의 충전된 트렌치의 비교를 도시한 도면,
도 2는 종래 기술의 트렌치의 SEM의 궤적을 도시한 도면,
도 3은 본 발명에 따른 공정 후의 동일 칫수의 트렌치를 도시한 도면,
도 4a 및 4b는 막힌 홈의 최초 및 최후의 칫수를 도시한 도면,
도 5는 코너를 라운딩하는 공정을 도시한 도면,
도 6은 도 5의 공정의 결과를 도시한 도면,
도 7은 집적 회로의 일부를, 일부는 도해적으로, 또한 일부는 도식적으로 도시한 도면.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10 : 실리콘 기판 15 : 트렌치
20 : 패드 산화물 25 : 열 산화물
30 : 충전 산화물 31 : 보이드
33 : 표면 35 : 심
두께에 제한이 있고 산화 동안 확산에 의해 측면 퍼짐이 야기되는 LOCOS(local oxidation of silicon) 절연과 비교하여, 서브미크론 집적 회로 공정에서 디바이스 절연용의 수직 벽이 있는 얕은 트렌치의 기하학적 장점에 대해서는 이 기술 분야에 공지되어 있다. 일단 트렌치가 형성되어 산화물로 채워지면, 정지제로서 패드 질화물(pad nitride)을 사용하여 에칭 및/또는 화학-기계적 폴리싱(CMP)함으로써 원치 않는 충전 산화물을 제거한다. 활성 디바이스를 형성하기 전에 패드 질화물과 (전형적으로 열) 패드 산화물을 스트립해야 한다. 산업상의 표준 관행은 트렌치 충전재(trench fill)의 노출된 산화물 표면에 영향을 주는 HF와 NH3의 수용액으로 열 패드 산화물을 스트립핑하는 것이다. CMP 동안 트렌치 필에 형성된 크랙은 크게 확장되어 차후의 공정 동안 폴리가 여기에 모이게 된다. 이러한 크랙에 남아 있는 잔여 폴리로 인해 칩 수율을 감소시키는 단락이 형성될 수 있다.
이제 도 1을 참고하면 도 1a에는 실리콘 집적 회로에서 활성 디바이스를 절연하는데 사용될, 명목상 90도의 측벽을 갖는 절연 트렌치(15)의 횡단면도가 도시되어 있다. 트렌치(15)는 "New Frontiers in Plasma etching", Semiconductor International, July 1996, p 152에 기술된 것과 같이 이 분야의 기술자들에게 잘 알려진 통상의 건식 에칭 공정에 의해 실리콘 기판(10)에 에칭되었다. 얇은(20nm) 층의 열 산화물(25)이 트렌치(15)의 내부에 성장되어 스트레스를 줄이고 노출면을 패시베이션한다. 그 후, 트렌치는 TEOS 산화물과 같은 산화물로 충전된다. TEOS와 기타 등각의 충전 물질은 측벽각과 종횡비가 큰 보이드(31)와 같은 보이드를 형성하는 경향이 있다. 심(35)은 측면으로부터 뻗어나오는 물질의 접촉으로 생기며 트렌치의 중심에 나타난다. 이러한 심에서의 산화물은 다른 곳의 산화물과 비교하여 압력을 받아서 액체식 방법으로 보다 쉽게 에칭된다. 심(35)은 양측면이 완전히 접촉하지 않는 0.1nm 정도의 개구를 가질 수 있다. 일반적으로 크랙, 보이드, 계면, 심 또는 응력을 받은 산화물의 영역을 가리키는데는 "결손(defect)"이라는 말을 사용한다.
트렌치 바깥쪽에 남아 있는 충전 산화물(30)은 통상의 공정에 의해 제거되어 상부 표면(33)을 남긴다. CMP("CMP: Suppliers Integrating, Applications Spreading", Semiconductor International, November 1995, p74)와 같은 일부의 방법에서는 표면을 긁어내는 경향이 있다. 패드 산화물(20)이 다음에 스트립되어 게이트 산화물의 성장을 위한 활성 영역을 마련하게 된다. 본 발명이 다루는 문제는 표면이 매끄러운 경우에는 표면의 매끄러움을 유지하고 표면(33)에 크랙이나 스크래치가 있으면 그 거친 정도를 감소시키고자 하는 것이다.
충전 산화물이 제거되고 패드 질화물이 스트립된 후, 패드 산화물은 미국특허 제5,282,925호에 기술된 공정에 따라 스트립된다. 여기서,
SiO2＋ 4HF → SiF4＋ 2H2O
및
SiF4＋ 2NH3＋ 2HF → (NH4)2SiF6
로 된다. 반응은 암모니아와 HF 분위기에 SiO2를 한 번 노출시켜서 발생시킨다. 암모니아와 HF는 기판 온도 23℃에서 각각 부분압 약 2 - 3 mTorr와 4 - 6 MTorr로 반응로로 도입될 수 있다. 반응 산물인 (NH4)2SiF6는 표면에 늘어붙어 반응을 방해하는 층을 형성한다. HF는 반응 속도가 HF의 확산 속도에 의해 제한되고 스트립이 스스로 제한되도록 (NH4)2SiF6를 관통해 확산되어 산화물과 반응해야 한다. 전형적으로는 30분의 합리적인 공정 시간에 12nm의 산화물이 제거될 수 있다. (NH4)2SiF6의 반응 산물의 제거는 용액(예를 들면 물)에 녹이거나 100℃ 이상의 온도로 웨이퍼를 가열함으로써 이루어진다.
도 1b는 HF 용액을 사용하는 통상의 스트립 공정 후의 동일 횡단면도를 도시한다. 열 산화물이 스트립되고 TEOS가 보다 많이 에칭되는데, 이는 TEOS가 열 산화물보다 쉽게 에칭되기 때문이다. 디봇(divot)으로 일컬어지는 개구(37)가 열 산화물 트렌치 라이너(25)와 트렌치 충전물(30)의 교차부에서 크랙(26)에 형성되었다. 용액은 계면에서 소형 개구 내로 침투되어 이를 등방성 에칭함으로써 그 결과 디봇이 상부에서 그 깊이 만큼 혹은 그 이상으로 넓어졌다. 마찬가지로, 용액은 심(35)을 따라 개구에 침투하여 이를 확장하였다. 개구가 보이드(31)에 도달하면, HF는 보이드의 하부와 측면에 영향을 준다.
반면, 도 1c는 본 발명에 따른 스트립 오퍼레이션 후의 동일 트렌치를 도시한다. TEOS(30)와 라이너(25)는 열 산화물(20)과 동일 깊이로 에칭되는데, 이는 TEOS, 스트레인형(strained) TEOS 및 열 산화물에 대해 공정이 동일한 제한 속도에 도달하기 때문이다. 심(35)과 계면(26)은 영향을 받지 않는다. 이 예에서는 보이드(31)가 노출되지 않아서 그 표면이 매끄러운 상태로 유지된다.
도 2는 낮은 수율로 인해 종래 기술에서는 실용적이지 못했던, 0.4㎛의 깊이와 0.5㎛의 폭을 가지며 0.8의 종횡비를 가지는 종래 기술의 트렌치의 주사 전자 현미경(scanning electron microscope; SEM) 사진의 궤적을 도시한다. 열 산화물 라이너는 한 단계로 각 측면 상에서 에칭되고 TEOS 중심 심은 TEOS의 나머지 깊이의 두배 이상 에칭된다. 중심에서의 심이 영향을 받아 충전 물질의 몸체보다 훨씬 깊게 홈이 형성된다. 이 분야의 기술자들은 이러한 단계에서의 수율이 떨어지는 것을 인식할 것이다. 반면, 도 3은 본 발명에 따라 스트립된 트렌치의 대응 SEM으로서, 라이너와 충전물은 같은 깊이로 에칭되며 계면과 심은 영향을 받지 않은 것을 도시하고 있다.
마찬가지로, HF 용액은 CMP 단계시 형성되는 산화물의 크랙이나 틈(fracture)에 영향을 준다. 이러한 틈은 그 폭이 단지 수 옹스트롬이나, HF 용액은 측면과 하부를 등방성 에칭할 것이다. 하부는 표면과 동일 속도로 에칭되므로 크랙의 깊이는 변하지 않을 것이다. 그러나, 폭은 1 내지 2 옹스트롬으로부터 표면에서 제거된 물질의 양의 2배까지 확장될 것이다.
종래 기술의 트렌치에는 수율의 고려로 인해 종횡비가 전형적으로 0.8 이하이며 측면의 각이 75°이하라는 결점이 있다. 보다 경사가 급한 트렌치가 만들어지면, 중심의 보이드와 심으로 인해 수율이 너무 떨어져서 상업적으로 이용할 수 없게 된다. 측벽의 각도에 대한 이러한 제한으로 인해 원하는 공정 윈도우(process window)보다 더 작은 윈도우를 제공하도록 에칭 공정의 파라미터들에 대한 정밀한 제어가 요구된다. 또, 일부의 트렌치 에칭 공정에 대해서는 측벽의 각과 낮은 종횡비에 대한 제한 때문에 트렌치가 심에 영향을 주는 문제가 없는 경우에 형성될 수 있는 최소 폭보다 더 넓게 형성되어야 한다.
종래 기술에 있어서, HF 패드 산화물 스트립, 희생 산화물 스트립 및 질화물 제거 단계에서는, 열 패드 산화물의 에칭 속도보다 TEOS에서의 에칭 속도가 더 크고 패드 산화물이 확실히 모두 제거되도록 하기 위해 오버에칭하므로, 트렌치에서 약 60nm의 TEOS 산화물이 제거된다. 본 발명의 공정에서는 이 공정이 동일한 3 개의 층을 스트립핑하는 동안 트렌치 충전물의 단지 약 30nm를 제거하므로 표면 아래의 30nm 보다 큰 결손을 노출시키지 않는다. 종래 기술의 공정에서는 이러한 결손이 노출되어 영향을 받는다.
종래 기술에 있어서, 일반적으로 산화물 충전 트렌치를 어닐링하여 산화물 충전물에서의 스트레스를 감소시켜서 에칭 속도를 떨어뜨린다. 본 발명에서는 어닐링의 필요성이 보다 작거나, 혹은 어닐링이 필요하지 않다.
도 4a에는 본 발명에 따라 폭에 있어서는 약간 더 크고 깊이에 있어서는 더 작은, 예컨대 길이 60nm의 얕은 홈이 도시되어 있다. 충전 산화물(30) 내의 크랙이나 홈(60)은 괄호(61)로 표시되는 초기 폭 Wi와 괄호(65)로 표시되는 초기 깊이 Di를 갖는다. 산화물이 에칭됨에 따라 트렌치의 측면과 하부 상의 산화물은 괄호(62)로 표시되는 깊이로 제거될 것이다. 본 발명에 따른 스트립 공정시 형성된 반응 산물인 (NH4)2SiF6의 층은 제거된 산화물의 3배(3x)의 두께를 갖는 것으로 알려졌다. 따라서, 홈(60)을 막는데 필요한 반응 산물의 두께를 표시하는 괄호(64)는 각각 괄호(62)의 두배만큼 되고 길이(62)는 Wi/4가 될 것이다. 홈(60)의 최종적인 폭 Wf가 Wi＋ 0.5Wi, 또는 1.5Wi에 근접한다는 것을 쉽게 알 수 있다. (NH4)2SiF6가 침투성이고 HF가 홈이 막힌 후에도 계속해서 산화물과 반응하나 홈의 상부에서보다는 하부에서 훨씬 느린 속도로 반응하기 때문에 실제 폭은 그 값보다 약간 더 클 것이다. 마찬가지로, 크랙의 깊이는 종래 기술에서와 같이 일정하게 유지되지 않고 감소될 것이다.
홈이 막힌 후, 하부에서의 에칭 속도는 홈의 상부에서 (NH4)2SiF6의 플러그를 통한 HF의 확산에 의해 제한될 것이다. 최종 깊이 Df는 Df＝ Di＋ Wi/4 - R보다 다소 작을 것이다. 여기서, R은 표면으로부터 제거된 산화물의 두께이다. R이 Wi/4보다 크거나 같을 때 홈의 전 길이가 차단되어 후속적인 에칭이 홈의 깊이를 감소시킨다. 홈의 하단은 하단 근처의 측벽으로부터 확장되는 반응 산물이 스페이스 내에서 중첩되어 상부 전면의 하단을 채우기 때문에 R = Wi/4에 우선하여 막힌다. R ＞ Di＋ Wi/4이면, 홈은 없어질 것이다.
도 4b에는 약 0.1nm의 초기 폭을 갖는 크랙, 심 또는 좁은 홈에 본 발명의 공정을 적용함으로써 생기는 특징적 형상이 도시되어 있다. HF가 표면 상 및 크랙 내로 에칭해 들어갈 때 본 발명의 공정은, 결손부의 하부가 매우 신속하게 닫히고 그 하부에 첨예한 지점(수십 나노미터)을 가지는 특징적인 형상을 남긴다. 반면, 결손부의 상부에서의 코너는 후술되는 바와 같이 둥글어져서(10nm 정도의 반경의 만곡을 가짐) 결손부의 상부가 하부보다 훨씬 넓어진다. 크랙이 수직하지 않거나 또는 게이트 RIE 오버에칭보다 더 깊으면, 경사진 측벽은 트랜지스터 게이트를 규정하는 비등방성 에칭 공정 동안 크랙이 폴리실리콘에서 아주 쉽게 제거되는 장점을 가지므로, 패드 산화물 스트립 후에 남아있는 결손부는 폴리 에칭 단계후 그 안에 보다 적은 잔류 폴리를 갖는다. 또, 하부에 대해 에칭을 덜 하면 하부가 그 아래의 도체에 단락될 가능성이 줄어든다.
질화물 라이너를 갖는 트렌치의 경우에는 라이너가 패드 질화물의 제거 동안 산화물의 표면 아래로 리세스(recess)된다. 산화물 스트립 공정은 질화물 라이너를 노출시켜서 이를 산화물 표면 위로 내밀게 한다. 이것은 나중의 에칭 단계시 전하(charge)를 수집하거나 또는 돌출된 질화물 아래에 폴리를 모을 수 있다. 본 발명의 방법은 산화물 에칭이 질화물 라이너의 리세스에 의해 야기된 균열의 하단에서 종료되므로 질화물의 표면 아래의 산화물을 리세스하지는 않는다.
도 5에는 실선(74)에 의해 표시되는, 트렌치의 TEOS 충전물의 엣지에서와 같은 단차가 도시되어 있다. 반응이 초기 표면에 수직하게 진행한다고 할 때, 선(66, 68, 71)은 반응 산물의 안쪽으로의 한계를 나타내고 선(67, 69, 72)은 반응 산물의 외면을 나타낸다. 이러한 가상적인 경우에, 코너는 둥글게 되지 않고 여전히 첨예한 채로 있다. 실제로는 반응은 방향성이 없으며 바깥쪽 코너의 영역(75)은 코너에 대한 반응 산물의 두께를 제한할 정도로 둥글다. 내부 코너에서의 영역(73)은 두 표면으로부터의 반응 산물이 코너로 확산되는 것을 차단하므로 보호된다. 그 결과가 둥근 코너를 보이는 도 6에서의 선(76)이다.
이제 도 7을 참조하면, 본 발명의 목적에 따라 형성된 집적 회로의 일부를, 일부는 도식적으로, 또한 일부는 도해적으로 도시하고 있다. 기판(10)은 명시된 회로의 2개의 트랜지스터를 가지며 회로의 나머지는 로직(LOGIC)으로 명명된 박스(85)로 도식적으로 도시되어 있다. 편의를 위하여 블랭킷 임플랜트(blanket implants)의 표준 예비 단계, 패드 산화물과 패드 질화물의 형성 등은 간단히 기판의 마련이라 지칭된다. 게이트(62)와 측벽(61)이 있는 2개의 트랜지스터는 본 발명에 따라 구성된 트렌치(15)에 의해 절연된다. 좌측 트랜지스터의 드레인(63)은 국부 상호접속부(72)에 의해 우측 트랜지스터의 소스(64)에 접속되며, 국부 상호 접속부(72)는 산화물(74)에 의해 제 1 레벨의 금속 부재(82)로부터 절연된다. 산화물(74)은 표면을 매끄럽게 하도록 본 발명에 따라 처리된 상면(75)을 가져서 단락의 위험이 보다 작다. 편의를 위하여, 금속 상호접속부와 레벨간 유전체를 피착 및 패터닝하고, 컨택트를 형성하는 등의 일련의 라인 단계의 표준적인 뒷부분은 회로의 완성이라 지칭한다.
본 공정에 따라 23℃에서 산화물 제거를 위한 한계 두께는 약 20nm이다. 이것은 원할 경우 (NH4)2SiF6의 일부를 제거하도록 웨이퍼를 약 100℃로 계속 가열함으로써 증가될 수 있다. 바람직하게는, 패드 산화물은 그 양보다 작은 두께로 형성된다.
본 발명은 하나의 바람직한 실시예로 설명되었지만, 이 분야의 기술자들은 본 발명이 MOS 기술에 한정되지 않고 바이폴라 트랜지스터에도 잘 사용될 수 있다는 것을 인식할 것이다. 마찬가지로, 산화물 충전 절연 트렌치에 국한되지 않으며 크랙을 포함하는 다른 층들에도 적용될 수 있는데, 이 층들의 재료는 첨부되는 특허청구의 범위의 정신 및 범위 내에서 확장된 크기이나 다른 실시예를 갖는 반응 산물을 남기는 공정에서 제거된다. 예를 들면, 실리콘은 SiO2의 형성과 SiO2의 차후의 제거에 의해 제거될 수 있다. 부가의 예로서 이 방법은 금속으로 채워져서 단락을 야기할 수 있는 결손부를 감소 또는 제거함으로써 수율을 향상시키기 위하여 금속 피착에 앞서서 사용될 수 있다. 또, 다른 방법이 알려진 기술로부터 플라즈마 방전에서의 형성과 같은 NH3와 HF를 생성하는데 사용될 수 있다.
본 발명은 얕은 크랙을 제거하고 깊은 크랙의 깊이를 감소시키며 날카로운 코너를 둥글게 하도록 크랙의 폭을 증가시킴으로써 표면의 거친 정도를 증가시키며, 이전에는 사용할 수 없었던 트렌치 형상을 사용할 수 있게 하고 이전에 사용되었던 트렌치 형상의 수율을 향상시킨다.

Claims (26)

  1. 그 자체의 활성 영역에 형성된 한 세트의 트랜지스터와 그 사이의 상호접속부를 구비하는 실리콘 기판에 집적 회로를 형성하는 방법에 있어서,
    ① 상기 기판을 마련하는 단계 ― 상기 단계는 상기 기판상에 패드 산화물을 형성하는 단계를 포함함 ― 와,
    ② 적어도 하나의 활성 영역 주위에 적어도 하나의 절연 트렌치(isolation trench)를 에칭하는 단계와,
    ③ 상기 적어도 하나의 절연 트렌치를 충전 산화물로 충전하고 상기 적어도 하나의 절연 트렌치 외부의 나머지 충전 산화물을 제거하여, 계면 측벽(interface sidewalls)을 포함하는 적어도 하나의 산화물 계면에서 접촉하는 상기 패드 산화물과 상기 충전 산화물을 포함하는 산화물의 복합 층을 형성하는 단계와,
    ④ 진공에서 상기 산화물의 복합 층을 HF와 반응시킴으로써 상기 산화물의 복합 층을 에칭하여 제 1 반응 산물을 형성하는 단계 ― 상기 제 1 반응 산물은 상기 산화물 층으로부터 제거되는 제 1 크기의 제거량의 Si를 포함함 ―와,
    ⑤ 상기 진공에서 상기 제 1 반응 산물을 NH3와 반응시켜 제자리에서 제 2 반응 산물을 형성하는 단계 ― 상기 제 2 반응 산물은 상기 제 1 크기보다 실질적으로 더 큰 제 2 크기를 가지며 또 HF의 확산에 실질적으로 저항성을 가짐으로써 상기 에칭 단계는 자기 제한적(self-limiting)임 ―와,
    ⑥ 상기 산화물을 HF와 반응시키는 상기 단계를 상기 패드 산화물 두께가 제거될 때까지 계속하는 단계와,
    ⑦ 상기 제 2 반응 산물을 제거하는 단계와,
    ⑧ 상기 활성 영역에 트랜지스터들을 형성하는 단계와,
    ⑨ 상기 트랜지스터들을 상호 접속하여 상기 집적 회로를 형성하는 단계
    를 포함하는 집적 회로의 형성 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 충전 산화물은 결손부 측벽, 결손부 하부, 초기 결손 깊이 및 초기 결손 두께를 가지는 적어도 하나의 결손부를 포함하며,
    상기 제 2 반응 산물을 제자리에서 형성하는 상기 단계는 상기 제 2 반응 산물의 반응 산물 두께가 상기 결손부를 막을 때까지 상기 제 2 반응 산물을 상기 결손부 측벽과 상기 결손부 하부 상에 형성하는 단계를 포함함으로써 상기 상면 위의 상기 HF는 상기 결손 깊이가 감소하도록 상기 결손부 하부 위의 상기 HF보다 더 빠르게 반응하는 집적 회로의 형성 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 반응 산물의 두께는 상기 결손부의 상기 하부에서 상기 결손부를 초기에 막음으로써, 상기 상면은 상기 결손부 하부보다 더 빠르게 에칭되며 최종 결손부의 형상은 최종 결손부 하부 폭과 상기 최종 결손부 하부 폭보다 더 큰 최종 결손부 상부 폭을 가지는 집적 회로의 형성 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 결손부는 상기 충전 산화물의 상면의 30nm 내에 보이드 상부(void top)를 구비하는 보이드인 집적 회로의 형성 방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 결손부는 상기 충전 산화물 내의 심(seam)인 집적 회로의 형성 방법.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 결손부는 상기 충전 산화물 내의 크랙(crack)인 집적 회로의 형성 방법.
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 결손부는 상기 충전 산화물과 상기 절연 트렌치 내의 질화물 라이너(nitride liner) 간의 계면(interface)인 집적 회로의 형성 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화물 복합층은 외측 코너를 구비하는 적어도 하나의 단차를 포함하며, 상기 산화물을 HF와 반응시키는 단계와 상기 제 1 반응 산물을 NH3와 반응시키는 단계가 결합하여 상기 외측 코너에 우선적으로 영향을 미쳐 상기 외측 코너를 둥글게 하는 집적 회로의 형성 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화물 복합층은 상기 패드 산화물과 상기 충전 산화물 간에 내측 코너를 구비하는 적어도 하나의 단차를 포함하며, 상기 산화물을 HF와 반응시키는 단계와 상기 제 1 반응 산물을 NH3와 반응시키는 단계가 결합하여 상기 내측 코너에 영향을 주는 것을 억제하는 집적 회로의 형성 방법.
  10. 그 자체의 활성 영역에 형성된 한 세트의 트랜지스터와 그 사이의 상호접속부를 구비하는 실리콘 기판에 집적 회로를 형성하는 방법에 있어서,
    ① 상기 기판을 마련하는 단계 ― 상기 단계는 상기 기판상에 패드 산화물을 형성하는 단계를 포함함 ― 와,
    ② 75°보다 큰 각도의 절연 측벽을 구비하는 적어도 하나의 활성 영역 주위에 적어도 하나의 절연 트렌치를 에칭하는 단계와,
    ③ 상기 적어도 하나의 절연 트렌치를 충전 산화물로 충전하고 상기 적어도 하나의 절연 트렌치 외부의 나머지 충전 산화물을 제거하여, 계면 측벽을 포함하는 적어도 하나의 산화물 계면에서 접촉하는 상기 패드 산화물과 상기 충전 산화물을 포함하는 산화물의 복합 층을 형성하는 단계와,
    ④ 진공에서 상기 산화물의 복합 층을 HF와 반응시킴으로써 상기 산화물의 복합 층을 에칭하여 제 1 반응 산물을 형성하는 단계 ― 상기 제 1 반응 산물은 상기 산화물 층으로부터 제거되는 제 1 크기의 제거량의 Si를 포함함 ―와,
    ⑤ 상기 진공에서 상기 제 1 반응 산물을 NH3와 반응시켜 제자리에서 제 2 반응 산물을 형성하는 단계 ― 상기 제 2 반응 산물은 상기 제 1 크기보다 실질적으로 더 큰 제 2 크기를 가지며 또 HF의 확산에 실질적으로 저항성을 가짐으로써 상기 에칭 단계는 자기 제한적(self-limiting)임 ―와,
    ⑥ 상기 산화물을 HF와 반응시키는 상기 단계를 상기 패드 산화물 두께가 제거될 때까지 계속하는 단계와,
    ⑦ 상기 제 2 반응 산물을 제거하는 단계와,
    ⑧ 상기 활성 영역에 트랜지스터들을 형성하는 단계와,
    ⑨ 상기 트랜지스터들을 상호 접속하여 상기 집적 회로를 형성하는 단계
    를 포함하는 집적 회로의 형성 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 산화물 복합층은 외측 코너를 구비하는 적어도 하나의 단차를 포함하며, 상기 산화물을 HF와 반응시키는 단계와 상기 제 1 반응 산물을 NH3와 반응시키는 단계가 결합하여 상기 외측 코너에 우선적으로 영향을 미쳐 상기 외측 코너를 둥글게 하는 집적 회로의 형성 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 산화물 복합층은 상기 패드 산화물과 상기 충전 산화물 간에 내측 코너를 구비하는 적어도 하나의 단차를 포함하며, 상기 산화물을 HF와 반응시키는 단계와 상기 제 1 반응 산물을 NH3와 반응시키는 단계가 결합하여 상기 내측 코너에 대한 영향을 억제하는 집적 회로의 형성 방법.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 충전 산화물은 상기 충전 산화물의 상면의 30nm 내에 결손부 상부, 결손부 측벽, 결손부 하부, 초기 결손 깊이 및 초기 결손 두께를 가지는 적어도 하나의 결손부를 포함하며,
    상기 제 2 반응 산물을 제자리에서 형성하는 상기 단계는 상기 제 2 반응 산물의 반응 산물 두께가 상기 결손부를 막을 때까지 상기 제 2 반응 산물을 상기 결손부 측벽과 상기 결손부 하부 위에 형성하는 단계를 포함함으로써 상기 상면 위의 상기 HF는 상기 결손 깊이가 감소하도록 상기 결손부 하부 위의 상기 HF보다 더 빠르게 반응하는 집적 회로의 형성 방법.
  14. 그 자체의 활성 영역에 형성된 한 세트의 트랜지스터와 그 사이의 상호접속부를 구비하는 실리콘 기판에 집적 회로를 형성하는 방법에 있어서,
    ① 상기 기판을 마련하는 단계 ― 상기 단계는 상기 기판상에 패드 산화물을 형성하는 단계를 포함함 ― 와,
    ② 적어도 하나의 활성 영역 주위에 적어도 하나의 절연 트렌치를 에칭하는 단계와,
    ③ 상기 적어도 하나의 절연 트렌치를 충전 산화물로 충전하고 상기 적어도 하나의 절연 트렌치 외부의 나머지 충전 산화물을 제거하여, 계면 측벽을 포함하는 적어도 하나의 산화물 계면에서 접촉하는 상기 패드 산화물과 상기 충전 산화물을 포함하는 산화물의 복합 층을 형성하는 단계와,
    ④ 진공에서 상기 산화물의 복합 층을 HF와 반응시킴으로써 상기 산화물의 복합 층을 에칭하여 제 1 반응 산물을 형성하는 단계 ― 상기 제 1 반응 산물은 상기 산화물 층으로부터 제거되는 제 1 크기의 제거량의 Si를 포함함 ―와,
    ⑤ 상기 진공에서 상기 제 1 반응 산물을 NH3와 반응시켜 제자리에서 제 2 반응 산물을 형성하는 단계 ― 상기 제 2 반응 산물은 상기 제 1 크기보다 실질적으로 더 큰 제 2 크기를 가지며 또 HF의 확산에 실질적으로 저항성을 가짐으로써 상기 에칭 단계는 자기 제한적임 ―와,
    ⑥ 상기 산화물을 HF와 반응시키는 상기 단계를 상기 패드 산화물 두께가 제거될 때까지 계속하여 상기 제 2 반응 산물을 제거하는 단계와,
    ⑦ 상기 활성 영역에 트랜지스터들을 형성하는 단계와,
    ⑧ 상기 트랜지스터들 위에 적어도 하나의 레벨간 산화물 절연층을 피착하는 단계 ― 상기 레벨간 산화물은 레벨간 산화물 상면과 초기 레벨간 산화물 두께를 가지며 결손부 측벽, 결손부 하부, 초기 결손 깊이 및 초기 결손 두께를 가지는 적어도 하나의 결손부를 포함함 ―와,
    ⑨ 진공에서 상기 레벨간 산화물을 HF와 반응시켜 제 1 반응 산물을 형성하는 단계 ― 상기 제 1 반응 산물은 제 1 레벨간 크기를 가지며 상기 레벨간 산화물 층으로부터 제거됨 ―와,
    ⑩ 상기 진공에서 상기 제 1 반응 산물을 NH3와 반응시켜 제자리에서 제 2 반응 산물을 형성하는 단계 ― 상기 제 2 반응 산물은 상기 제 1 레벨간 크기보다 실질적으로 더 큰 제 2 레벨간 크기를 가지며 또 HF의 확산에 실질적으로 저항성을 가짐으로써 상기 에칭 방법은 자기 제한적임 ―와,
    ⑪ 상기 제 2 반응 산물의 반응 산물 두께가 상기 결손부를 막을 때까지 상기 제 2 반응 산물을 상기 결손부 측벽과 상기 결손부 하부 위에서 제자리에서 형성함으로써, 상기 레벨간 상면 위의 상기 HF가 상기 결손 깊이가 감소하도록 상기 결손부 하부 위의 상기 HF보다 더 빠르게 반응하는 단계와,
    ⑫ 상기 레벨간 산화물을 HF와 반응시키는 상기 단계를 상기 레벨간 산화물의 제거량이 제거될 때까지 계속하는 단계와,
    ⑬ 상기 제 2 반응 산물을 제거하여 상기 결손부가 상기 초기 결손 깊이보다 작은 최종 결손 깊이를 갖게 하는 단계와,
    ⑭ 상기 트랜지스터들을 상호 접속하여 상기 집적 회로를 형성하는 단계
    를 포함하는 집적 회로의 형성 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 레벨간 산화물은 결손부 측벽, 결손부 하부, 초기 결손 깊이 및 초기 결손 두께를 가지는 적어도 하나의 결손부를 포함하며,
    상기 제 2 반응 산물을 제자리에서 형성하는 상기 단계는 상기 제 2 반응 산물의 반응 산물 두께가 상기 결손부를 막을 때까지 상기 제 2 반응 산물을 상기 결손부 측벽과 상기 결손부 하부 위에 형성하는 단계를 포함함으로써 상기 레벨간 상면 위의 상기 HF는 상기 결손 깊이가 감소하도록 상기 결손부 하부 위의 상기 HF보다 더 빠르게 반응하는 집적 회로의 형성 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 반응 산물의 두께는 상기 결손부의 상기 하부에서 상기 결손부를 초기에 막음으로써, 상기 상면은 상기 결손부 하부보다 더 빠르게 에칭되며 최종 결손부의 형상은 최종 결손부 하부 폭과 상기 최종 결손부 하부 폭보다 더 큰 최종 결손부 상부 폭을 가지는 집적 회로의 형성 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 결손부는 상기 충전 산화물의 상면의 30nm 내에 보이드 상부를 구비하는 보이드인 집적 회로의 형성 방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 결손부는 상기 충전 산화물 내의 크랙인 집적 회로의 형성 방법.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 결손부는 상기 충전 산화물 내의 심인 집적 회로의 형성 방법.
  20. 상면과 초기 산화물 두께를 가지며 결손부 측벽, 결손부 하부, 초기 결손 깊이 및 초기 결손 두께를 가지는 적어도 하나의 결손부를 포함하는 반도체 웨이퍼 상의 산화물 층을 에칭하는 방법에 있어서,
    ① 진공에서 상기 산화물을 HF와 반응시켜 제 1 반응 산물을 형성하는 단계 ― 상기 제 1 반응 산물은 상기 산화물 층으로부터 제거되는 제 1 크기의 제거량의 Si를 포함함 ―와,
    ② 상기 진공에서 상기 제 1 반응 산물을 NH3와 반응시켜 제 2 반응 산물을 제자리에서 형성하는 단계 ― 상기 제 2 반응 산물은 상기 제 1 크기보다 실질적으로 더 큰 제 2 크기를 가지며 또 HF의 확산에 실질적으로 저항성을 가짐으로써 상기 에칭 방법은 자기 제한적임 ―와,
    ③ 상기 제 2 반응 산물의 반응 산물 두께가 상기 결손부를 막을 때까지 상기 제 2 반응 산물을 상기 결손부 측벽과 상기 결손부 하부 위에서 제자리에서 형성함으로써, 상기 상면 위의 상기 HF가 상기 결손 깊이가 감소하도록 상기 결손부 하부 위의 상기 HF보다 더 빠르게 반응하는 단계와,
    ④ 상기 산화물을 HF와 반응시키는 상기 단계를 상기 초기 산화물 두께의 제거량이 제거될 때까지 계속하는 단계와,
    ⑤ 상기 제 2 반응 산물을 제거하여 상기 결손부가 상기 초기 결손 깊이보다 작은 최종 결손 깊이를 갖게 하는 단계
    를 포함하는 산화물 층의 에칭 방법.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 반응 산물의 두께는 상기 결손부의 상기 하부에서 상기 결손부를 초기에 막음으로써, 상기 상면은 상기 결손부 하부보다 더 빠르게 에칭되며 최종 결손부의 형상은 최종 결손부 하부 폭과 상기 최종 결손부 하부 폭보다 더 큰 최종 결손부 상부 폭을 가지는 산화물 층의 에칭 방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 산화물 층은 상기 웨이퍼의 활성 영역 상에 피착된 산화물의 제 1 영역과 열 산화물의 제 2 영역을 포함하며, 상기 피착된 산화물과 상기 열 산화물은 상기 열 산화물과 상기 피착된 산화물 간의 산화물 계면을 포함하는 적어도 하나의 결손부에서 만나는 산화물 층의 에칭 방법.
  23. 제 21 항에 있어서,
    상기 산화물 층은 외측 코너를 구비하는 적어도 하나의 단차를 포함하며, 상기 산화물을 HF와 반응시키는 단계와 상기 제 1 반응 산물을 NH3와 반응시키는 단계가 결합하여 상기 외측 코너에 우선적으로 영향을 미쳐 상기 외측 코너를 둥글게 하는 산화물 층의 에칭 방법.
  24. 제 21 항에 있어서,
    상기 산화물 층은 상기 열 산화물과 상기 피착된 산화물 간에 내측 코너를 구비하는 적어도 하나의 단차를 포함하며, 상기 산화물을 HF와 반응시키는 단계와 상기 제 1 반응 산물을 NH3와 반응시키는 단계가 결합하여 상기 내측 코너에 대한 영향을 억제하는 산화물 층의 에칭 방법.
  25. 상면과 초기 제 1 재료 두께를 가지며 결손부 측벽, 결손부 하부, 초기 결손 깊이 및 초기 결손 두께를 가지는 적어도 하나의 결손부를 포함하는 반도체 웨이퍼 상에 제 1 재료층을 에칭하는 방법에 있어서,
    ① 진공에서 상기 제 1 재료를 적어도 하나의 반응물과 반응시켜 반응 산물을 형성하는 단계 ― 상기 반응 산물은 제거 크기의 Si를 포함하고 상기 제거 크기보다 실질적으로 더 큰 반응 산물 크기를 가지며 또 HF의 확산에 실질적으로 저항성을 가짐으로써 상기 에칭 방법은 자기 제한적임 ―와,
    ② 상기 반응 산물의 반응 산물 두께가 상기 결손부를 막을 때까지 상기 반응 산물을 상기 결손부 측벽과 상기 결손부 하부 위에서 제자리에서 형성함으로써, 상기 상면 위의 상기 HF가 상기 결손 깊이가 감소하도록 상기 결손부 하부 위의 상기 HF보다 더 빠르게 반응하는 단계와,
    ③ 상기 제 1 재료를 HF와 반응시키는 상기 단계를 상기 초기 제 1 재료 두께의 제거량이 제거될 때까지 계속하는 단계와,
    ④ 상기 반응 산물을 제거하여 상기 결손부가 상기 초기 결손 깊이보다 작은 최종 결손 깊이를 갖게 하는 단계
    를 포함하는 제 1 재료층의 에칭 방법.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 반응 산물의 두께는 상기 결손부의 상기 하부에서 상기 결손부를 초기에 막음으로써, 상기 상면은 상기 결손부 하부보다 더 빠르게 에칭되며 최종 결손부의 형상은 최종 결손부 하부 폭과 상기 최종 결손부 하부 폭보다 더 큰 최종 결손부 상부 폭을 가지는 제 1 재료층의 에칭 방법.
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