JP3880466B2 - 薄いシリコン・オン・インシュレータ基板用の浅いトレンチ分離を形成する方法 - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般に半導体デバイスの製造に関し、より詳細にはシリコン・オン・インシュレータ(SOI)基板上に半導体集積回路用の浅いトレンチ分離(STI)を形成する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体集積回路の形成では、様々なフィールド酸化膜分離を使用して電界効果トランジスタ(FET)などの離散的半導体デバイスを分離することが必要である。高機能半導体集積回路体系では、フィールド酸化膜のフィーチャ・サイズを最小限にするためにシリコン基板内に浅いトレンチを使用する場合が多い。このようなトレンチは通常は化学的気相付着(CVD)により二酸化珪素(SiO2)で充填する。次にエッチングまたは化学的機械研磨(CMP)のいずれかによって過剰なSiO2を除去し、一般に浅いトレンチ分離(STI)と呼ばれるフィールド酸化膜分離を形成する。
【0003】
しかし、1000Å以下の非常に浅い深さのSTI酸化物充填を必要とする現行のSTI形成プロセスをシリコン・オン・インシュレータ(SOI)基板に応用する際に関連するいくつかの問題がある。たとえば、後述するように、パッド酸化物および犠牲酸化物ストリッピング・ステップなど、現行のSTI形成プロセスで酸化物エッチング中にSTI酸化物が腐食することにより、STI酸化物の厚さに比較的大きい変動が発生する可能性がある。
【0004】
典型的なSTI形成プロセスはシリコン基板上にパッド酸化物層を形成することから始まり、続いて窒化珪素などの研磨ストップ層の付着を行う。次に、従来のフォトリソグラフィ・マスキングおよびエッチング技法を使用して、研磨ストップ層、パッド酸化物層、およびシリコン基板にトレンチを形成する。電界放出効果を低減するために、トレンチのシリコン側壁上に側壁酸化物を熱成長させることもできる。つぎに、たとえば高密度プラズマ(HDP)付着プロセスにより、SiO2でトレンチを充填する。CMP平坦化により過剰なSiO2を研磨ストップ層まで除去し、次に研磨ストップ層を除去する。
【0005】
次に、ウェル・イオン注入を実行する。注入前に、前に成長させたパッド酸化物層をエッチングによって除去する。エッチング中にSTI酸化物充填の一部も必然的に除去される。次に、シリコン基板上に犠牲酸化物層を成長させる。次に、ウェル・イオン注入を実行する。SiO2のSTI充填にイオン注入すると、SiO2の表面が非常に柔らかくなると考えられている。犠牲酸化物層のストリッピング時には、大量の軟化したSiO2のSTI充填材も除去される。パッド酸化物層および犠牲酸化物層の除去中にSiO2のSTI充填材を除去すると、STI酸化物の厚さが比較的大きく変動するだけでなく、STIとシリコン基板の間にディボットが形成される。
【0006】
ウェル・イオン注入に続いて、次のようにポリシリコン・ゲートを形成する。まず、基板表面の上にポリシリコンの層を付着させる。次に、従来のフォトリソグラフィ・マスキングおよびエッチング技法により、ポリシリコン層にゲートを規定する。しかし、STIとシリコン基板の間に形成されたディボットの側壁上にポリシリコン・レールが存続する場合が多い。このようなレールはゲート間の短絡を引き起こす可能性があり、それにより、集積回路の歩留まりおよび信頼性に影響する。
【0007】
集積回路のフィーチャ・サイズがより小さくなり、デバイス密度がより大きくなると、これらの問題への関心が高まる。さらに、SOI基板上に従来のプロセスによって形成されるSTIに関しては、これらの問題は特定の関心事となる。SOI基板は埋込み酸化物層上の薄いシリコン層からなる。この薄いシリコン層は通常、1000Å未満の厚さを有し、より一般的には約500Åの厚さを有する。埋込み酸化物層は通常、約1000〜1500Åの厚さを有する。SOI基板に従来のSTI形成プロセスを使用しても、STIの厚さ制御やディボット除去は達成不能であった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
上記の問題は本発明の方法によって対処する。本発明によれば、シリコン・オン・インシュレータ(SOI)基板上に浅いトレンチ分離(STI)を形成するための方法が開示される。
【0009】
【課題を解決するための手段】
前記SOI基板は埋込み酸化物層上のシリコン層を含む。この方法は、前記シリコン層上にゲート酸化物層を形成するステップと、前記ゲート酸化物層上に第1のポリシリコン層を付着させるステップと、前記第1のポリシリコン層上に研磨ストップ層を付着させるステップと、前記基板内に複数のトレンチを形成するステップであって、前記トレンチが前記研磨ストップ層と前記第1のポリシリコン層と前記ゲート酸化物層と前記シリコン層とを貫通して伸びる深さを有するステップと、前記トレンチ内と前記研磨ストップ層上に酸化珪素層を共形的に付着させるステップと、前記トレンチ内の前記酸化珪素層の上面を前記研磨ストップ層の上面と同じ高さまで研磨するように、化学的機械研磨により前記酸化珪素層の第1の部分を除去するステップと、前記酸化珪素層の上面を前記研磨ストップ層の上面より下で前記第1のポリシリコン層の上面より上の高さまでエッチングするように、エッチングにより前記酸化珪素層の第2の部分を除去するステップと、前記研磨ストップ層を除去するステップと、前記酸化珪素層と前記第1のポリシリコン層上に第2のポリシリコン層を付着させるステップと、前記第1および第2のポリシリコン層にフォトリソグラフィ・マスキングおよび異方性エッチングを施すことにより前記第1および第2のポリシリコン層からなるポリシリコン・ゲートを形成するステップとを含む。
【0010】
新規かつ本発明に特有の要素と思われる本発明の特徴は特許請求の範囲に詳細に記載されている。添付図面は例示のみを目的とし、一定の縮尺で描かれていない。さらに、図面中で同様の番号は同様の特徴を表す。しかし、本発明自体は、添付図面に関連して以下に示す詳細な説明を参照すれば、構成ならびに動作方法のいずれについても、最もよく理解することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
次に、SOI基板上にSTIを形成するための本発明の改良された方法について詳細に説明する。前述の通り、SOI基板に適用される従来のSTI形成プロセスはプロセス制御が不十分なため、STI酸化物の厚さが比較的大きく変動するとともに、STIとシリコン基板の間にディボットが形成される。これは、少なくとも一部はウェル・イオン注入中にSiO2のSTI充填材が軟化することによって引き起こされると思われる。本発明では、STI形成前にすべてのウェル注入を行うことにより、この疑わしい原因が解消される。
【0012】
次に本発明の好ましい一実施形態について説明する。この好ましい方法は、従来の技法によりSOI基板上に犠牲酸化物層を成長させることから始めることができる。位置合わせマークを取り入れることができ、すべての適当なウェルおよびスレッショルド・イオン注入(threshold ion implantations)を実施する。ウェル・イオン注入後に、本発明の方法を続行する前に犠牲酸化物層を除去しなければならない。
【0013】
図1ないし図11は本発明の好ましい方法の残りのステップを示している。図1でこの方法は、シリコン層11と埋込み酸化物層10とを含むSOI基板上の薄いゲート酸化物層12の形成を続行する。SOI基板は通常、シリコン層11などの上部シリコン層と、埋込み酸化物層10などの埋込み酸化物層と、バルク・シリコン層(図示せず)という3つの層を含む。シリコン層11の厚さは通常、1000Å未満であり、より一般的には約500Åである。埋込み酸化物層10は通常、約1000Å〜約1500Åの厚さを有し、より一般的には約1350Å〜約1450Åの厚さを有する。
【0014】
ゲート酸化物層12は、酸素または亜酸化窒素あるいはその両方における熱酸化、好ましくは約650℃〜約850℃の温度の酸化炉で約5分〜約30分の間、酸素と亜酸化窒素の乾燥雰囲気に基板を曝すことなどの任意の適当な方法によって、シリコン層11上に成長させることができる。ゲート酸化物層12を基板表面上に形成し、好ましくは約10Å〜約30Åの厚さまで成長させる。
【0015】
図2に示す次のステップでは、ゲート酸化物層12上に第1のポリシリコン層13を付着させる。第1のポリシリコン層13は、約700℃〜約800℃の温度のシラン(SiH4)などの反応ガス(reactant gas)を使用する低圧化学的気相付着(LPCVD)などの任意の適当な方法によって付着させることができる。第1のポリシリコン層13は、約300Å〜約600Å、好ましくは約500Åの厚さまで付着させなければならない。
【0016】
次に図3に示すように、第1のポリシリコン層13上に研磨ストップ層14を付着させる。研磨ストップ層14は、後続の化学的機械研磨(CMP)ステップ用の研磨ストップ層として機能するのに適した任意の材料で形成することができる。好ましくは、研磨ストップ層14は窒化珪素(Si3N4)からなるが、これは、約700℃〜800℃の温度のシラン(SiH4)とアンモニア(NH3)などの反応ガス混合物を使用するLPCVDによって付着させることができる。研磨ストップ層14は、約500Å〜約1000Å、好ましくは約800Åの厚さなど、研磨ストップ層として機能するのに十分な厚さまで付着させなければならない。
【0017】
図4および図5はSTIトレンチの形成を示している。図4では、従来のフォトリソグラフィ技法により基板上にフォトレジスト・マスク15をパターン形成する。図5では、反応性イオン・エッチング(RIE)などの選択異方性エッチング・プロセスにより、研磨ストップ層14、第1のポリシリコン層13、ゲート酸化物層12、薄いシリコン層11の露出エリアにエッチングを施す。指向性RIEは、トレンチの側面から第1のポリシリコン層13へのエッチングを防止するために好ましいエッチング方法である。プラズマ・エッチングとは対照的に、異方性エッチングは、トレンチ深さを適切に制御するために好ましいものである。好ましいエッチャント・ガスは、窒化珪素研磨ストップ層14にはNF3/Ar、第1のポリシリコン層13にはHBr/Cl2、ゲート酸化物層12にはNF3/Ar、薄いシリコン層11にはHBr/Cl2である。トレンチは通常、約1700Å〜約2200Å、好ましくは約1850Åの深さを有する。
【0018】
STIトレンチの形成後、STIトレンチ充填を実行する。STIトレンチを充填する前に、各トレンチ内の露出したシリコンおよびポリシリコン表面上に酸化物ライナを熱成長させることができる。酸化物ライナ(図示せず)は、約50Å〜約300Å、好ましくは約100Åの厚さを有することができる。次に、STI酸化物層16として図6に示すように、STIトレンチを完全に充填するのに十分な厚さで基板上にSiO2を付着させる。STIのSiO2は、高密度プラズマ(HDP)付着技法を使用するかまたはLPCVDとテトラエチルオルトシリケート酸化物(TEOS)などの反応ガスを使用して付着させることができる。STI酸化物層16は、トレンチ深さをわずかに上回る厚さ、通常は約1800Å〜2400Åの厚さまで付着させなければならない。
【0019】
STI充填後、図7に示すように、CMP平坦化により研磨ストップ層14の上面まで過剰なSTI酸化物16を除去する。適切なものであれば、どの研磨ツールおよびスラリでもこのCMPステップに使用することができる。米国特許第5876490号と同時係属の米国特許出願第09/577347号に記載されているものなどの界面活性剤と組み合わせて酸化セリウム(CeO2)ベースのスラリを使用すると非常に明確な平面レベルを形成できることが分かっており、その開示内容は参照により本明細書に組み込まれる。界面活性剤とともにCeO2ベースのスラリを使用することにより、研磨ストップ層14の上面までSTI酸化物16を研磨するが、それ以上低くしない。換言すれば、STI酸化物のわん状変形は全く発生しない。
【0020】
次に、STI酸化物16の上面を第1のポリシリコン層13の上面に近づけるために、図8に示すように、追加量のSTI酸化物16を除去する。このような除去は、時限ウェット・エッチング(timed wet etching)またはRIEプロセスなどの適切なエッチング・プロセスによって実施される。時限ウェット・エッチングはRIEプロセスより単純なエッチ・バック・プロセスであり、したがって、好ましいものである。エッチングを施したSTI酸化物16の上面が第1のポリシリコン層13の上面にほとんど近くなるように、十分な厚さのSTI酸化物16を除去する。好ましくは、ゲート・コーナの漏れを回避するために、エッチングを施したSTI酸化物16の上面がシリコン層11の上面より少なくとも約200Å高くなるように、STI酸化物16の除去は制限しなければならない。これに反して、ポリシリコン側壁またはポリシリコン・ゲートのエッチング後に残存するレールによるSTI酸化物のシーム漏れを回避するために、エッチングを施したSTI酸化物16の上面が第1のポリシリコン層13の上面よりせいぜい約200Å高くなるように、STI酸化物の十分な部分を除去しなければならない。たとえば、第1のポリシリコン層13が約500Åの厚さを有する場合、エッチングを施したSTI酸化物16の上面はシリコン層11の上面よりせいぜい約700Å高くなければならない。もう1つの例としては、第1のポリシリコン層13が約1000Åの厚さを有する場合、エッチングを施したSTI酸化物16の上面はシリコン層11の上面よりせいぜい約1200Å高くなければならない。STI酸化物16を適切な厚さまでエッチ・バックした後、図9に示すように選択RIEプロセスにより研磨ストップ層14を除去することができる。
【0021】
研磨ストップ層14の除去後、図10に示すように、STIデバイス構造上に第2のポリシリコン層17を付着させる。第2のポリシリコン層17は、約700℃〜約800℃の温度のシラン(SiH4)などの反応ガスを使用する低圧化学的気相付着(LPCVD)などの任意の適当な方法によって付着させることができる。第2のポリシリコン層17は約750Å〜約1500Å、好ましくは約1000Åの厚さで付着させる。任意選択で、プラズマ強化LPCVDを使用して約500Åの厚さまで第2のポリシリコン層17の上に酸化物層(図示せず)を付着させることができる。
【0022】
図11に示す最後のステップでは、従来のフォトリソグラフィ・マスキングおよびエッチング技法によりゲートを形成する。具体的には、第2のポリシリコン層17の上にフォトレジスト・マスク(図示せず)を形成してゲート・エリアを規定し、RIEなどの適切な異方性エッチング技法によってポリシリコン層13および17の露出部分を除去し、図示のようにポリシリコン層13および17からなるゲート構造を残す。
【0023】
その後、従来のCMOS処理を続行して、図12に示すように、ほぼ平面のSTI構造に囲まれた相補形CMOSデバイスまたはバイポーラ・デバイスを形成する。側壁酸化物層19とともに、第1および第2のポリシリコン層からなるゲート18が示されている。
【0024】
本発明の方法は、従来技術の方法を使用して構築したSTI構造に過剰な凹部を引き起こす可能性のある、ウェル・イオン注入用の犠牲酸化物の成長および除去に対してSTI酸化物が曝されないという点で、従来技術の方法より優れた利点をもたらす。そのうえ、本発明により、薄いSOI基板状にSTIを形成するときに必要なプロセス制御が大幅に改善される。本発明の方法を使用して第1のポリシリコン層の高さを正確に制御することにより、ポリシリコン・ゲート・エッチング後に形成されるポリシリコン側壁によるSTI酸化物のシーム漏れを回避することができ、ゲート・コーナの漏れを解消することができる。
【0025】
特定の好ましい実施形態とその他の代替実施形態に関連して本発明を具体的に説明してきたが、上記の説明を考慮すると当業者には多数の代替形態、変更形態、変形形態が明らかであることは明白である。したがって、特許請求の範囲は、本発明の真の範囲および精神に該当するようなすべての代替形態、変更形態、変形形態を包含するものとする。
【0026】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
【0027】
(1)シリコン・オン・インシュレータ(SOI)基板上のデバイス・エリアを分離するために前記SOI基板上に浅いトレンチ分離を形成するための方法において、前記SOI基板が埋込み酸化物層上のシリコン層を含み、
前記シリコン層上にゲート酸化物層を形成するステップと、
前記ゲート酸化物層上に第1のポリシリコン層を付着させるステップと、
前記第1のポリシリコン層上に研磨ストップ層を付着させるステップと、
複数のトレンチを形成するステップであって、前記トレンチが前記研磨ストップ層と前記第1のポリシリコン層と前記ゲート酸化物層と前記シリコン層とを貫通して伸びる深さを有するステップと、
前記トレンチ内と前記研磨ストップ層上に酸化珪素層を共形的に付着させるステップと、
前記トレンチ内の前記酸化珪素層の上面を前記研磨ストップ層の上面と同じ高さまで研磨するように、化学的機械研磨により前記酸化珪素層の第1の部分を除去するステップと、
前記酸化珪素層の上面を前記研磨ストップ層の上面より下で前記第1のポリシリコン層の上面より上の高さまでエッチングするように、エッチングにより前記酸化珪素層の第2の部分を除去するステップと、
前記研磨ストップ層を除去するステップと、
前記酸化珪素層と前記第1のポリシリコン層上に第2のポリシリコン層を付着させるステップと、
前記第1および第2のポリシリコン層にフォトリソグラフィ・マスキングおよびエッチングを施すことにより前記第1および第2のポリシリコン層からなるポリシリコン・ゲートを形成するステップとを含む方法。
(2)前記シリコン層が約1000Å未満の厚さを有する、上記(1)に記載の方法。
(3)前記シリコン層が約500Å未満の厚さを有する、上記(1)に記載の方法。
(4)酸素と亜酸化窒素からなるグループから選択したガスを含む雰囲気で熱酸化によって前記ゲート酸化物層を形成する、上記(1)に記載の方法。
(5)前記ゲート酸化物層が約10Å〜約30Åの厚さを有する、上記(1)に記載の方法。
(6)シランを使用する低圧化学的気相付着によって前記第1のポリシリコン層を付着させる、上記(1)に記載の方法。
(7)前記第1のポリシリコン層が約300Å〜約600Åの厚さを有する、上記(1)に記載の方法。
(8)前記第1のポリシリコン層が約500Åの厚さを有する、上記(1)に記載の方法。
(9)前記研磨ストップ層が窒化珪素を含む、上記(1)に記載の方法。
(10)シランとアンモニアを使用する低圧化学的気相付着によって前記研磨ストップ層を付着させる、上記(1)に記載の方法。
(11)前記研磨ストップ層が約500Å〜約1000Åの厚さを有する、上記(1)に記載の方法。
(12)前記研磨ストップ層が約800Åの厚さを有する、上記(1)に記載の方法。
(13)フォトリソグラフィ・マスキングおよび異方性エッチングによって前記トレンチを形成する、上記(1)に記載の方法。
(14)前記異方性エッチングが指向性反応性イオン・エッチングを含む、上記(13)に記載の方法。
(15)前記トレンチが約1700Å〜約2200Åの深さを有する、上記(1)に記載の方法。
(16)前記酸化珪素層を付着させる前に前記トレンチ内に酸化物ライナを形成することをさらに含む、上記(1に記載の方法。
(17)酸素雰囲気での熱酸化によって前記酸化物ライナを形成する、上記(16)に記載の方法。
(18)前記酸化物ライナが約50Å〜約300Åの厚さを有する、上記(16)に記載の方法。
(19)前記酸化物ライナが約100Åの厚さを有する、上記(16)に記載の方法。
(20)高密度プラズマ・プロセスによって前記酸化珪素層を付着させる、上記(1)に記載の方法。
(21)テトラエチルオルトシリケート酸化物を使用する低圧化学的気相付着によって前記酸化珪素層を付着させる、上記(1)に記載の方法。
(22)前記酸化珪素層が前記トレンチ深さを上回る厚さを有する、上記(1)に記載の方法。
(23)前記酸化珪素層が約1800Å〜約2400Åの厚さを有する、上記(1)に記載の方法。
(24)酸化セリウムと界面活性剤を含むスラリを使用する化学的機械研磨によって前記酸化珪素層の前記第1の部分を除去する、上記(1)に記載の方法。
(25)ウェット・エッチング・プロセスによって前記酸化珪素層の前記第2の部分を除去する、上記(1)に記載の方法。
(26)反応性イオン・エッチング・プロセスによって前記酸化珪素層の前記第2の部分を除去する、上記(1)に記載の方法。
(27)前記酸化珪素層の上面が前記シリコン層の上面より少なくとも約200Å高くなるように、前記酸化珪素層の前記第2の部分を除去する、上記(1)に記載の方法。
(28)前記酸化珪素層の上面が前記第1のポリシリコン層の上面よりせいぜい約200Å高くなるように、前記酸化珪素層の前記第2の部分を除去する、上記(1)に記載の方法。
(29)選択反応性イオン・エッチング・プロセスによって前記研磨ストップ層を除去する、上記(1)に記載の方法。
(30)シランを使用する低圧化学的気相付着によって前記第2のポリシリコン層を付着させる、上記(1)に記載の方法。
(31)前記第2のポリシリコン層が約750Å〜約1500Åの厚さを有する、上記(1)に記載の方法。
(32)前記第2のポリシリコン層が約1000Åの厚さを有する、上記(1)に記載の方法。
(33)前記ポリシリコン・ゲートを形成する前に前記第2のポリシリコン層上に酸化物層を付着させるステップをさらに含む、上記(1)に記載の方法。
(34)プラズマ強化低圧化学気相付着によって前記酸化物層を付着させる、上記(33)に記載の方法。
(35)前記酸化物層が約500Åの厚さを有する、上記(33)に記載の方法。
(36)フォトリソグラフィ・マスキングおよび反応性イオン・エッチングによって前記ポリシリコン・ゲートを形成する、上記(1)に記載の方法。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の好ましい方法を示し、部分的に製作した半導体STIデバイス構造の断面図である。
【図2】本発明の好ましい方法を示し、部分的に製作した半導体STIデバイス構造の断面図である。
【図3】本発明の好ましい方法を示し、部分的に製作した半導体STIデバイス構造の断面図である。
【図4】本発明の好ましい方法を示し、部分的に製作した半導体STIデバイス構造の断面図である。
【図5】本発明の好ましい方法を示し、部分的に製作した半導体STIデバイス構造の断面図である。
【図6】本発明の好ましい方法を示し、部分的に製作した半導体STIデバイス構造の断面図である。
【図7】本発明の好ましい方法を示し、部分的に製作した半導体STIデバイス構造の断面図である。
【図8】本発明の好ましい方法を示し、部分的に製作した半導体STIデバイス構造の断面図である。
【図9】本発明の好ましい方法を示し、部分的に製作した半導体STIデバイス構造の断面図である。
【図10】本発明の好ましい方法を示し、部分的に製作した半導体STIデバイス構造の断面図である。
【図11】本発明の好ましい方法を示し、部分的に製作した半導体STIデバイス構造の断面図である。
【図12】本発明の方法により製作したSTIデバイス構造の斜視図である。
【符号の説明】
10 埋込み酸化物層
11 シリコン層
12 ゲート酸化物層
13 第1のポリシリコン層
16 STI酸化物層
17 第2のポリシリコン層
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般に半導体デバイスの製造に関し、より詳細にはシリコン・オン・インシュレータ(SOI)基板上に半導体集積回路用の浅いトレンチ分離(STI)を形成する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体集積回路の形成では、様々なフィールド酸化膜分離を使用して電界効果トランジスタ(FET)などの離散的半導体デバイスを分離することが必要である。高機能半導体集積回路体系では、フィールド酸化膜のフィーチャ・サイズを最小限にするためにシリコン基板内に浅いトレンチを使用する場合が多い。このようなトレンチは通常は化学的気相付着(CVD)により二酸化珪素(SiO2)で充填する。次にエッチングまたは化学的機械研磨(CMP)のいずれかによって過剰なSiO2を除去し、一般に浅いトレンチ分離(STI)と呼ばれるフィールド酸化膜分離を形成する。
【0003】
しかし、1000Å以下の非常に浅い深さのSTI酸化物充填を必要とする現行のSTI形成プロセスをシリコン・オン・インシュレータ(SOI)基板に応用する際に関連するいくつかの問題がある。たとえば、後述するように、パッド酸化物および犠牲酸化物ストリッピング・ステップなど、現行のSTI形成プロセスで酸化物エッチング中にSTI酸化物が腐食することにより、STI酸化物の厚さに比較的大きい変動が発生する可能性がある。
【0004】
典型的なSTI形成プロセスはシリコン基板上にパッド酸化物層を形成することから始まり、続いて窒化珪素などの研磨ストップ層の付着を行う。次に、従来のフォトリソグラフィ・マスキングおよびエッチング技法を使用して、研磨ストップ層、パッド酸化物層、およびシリコン基板にトレンチを形成する。電界放出効果を低減するために、トレンチのシリコン側壁上に側壁酸化物を熱成長させることもできる。つぎに、たとえば高密度プラズマ(HDP)付着プロセスにより、SiO2でトレンチを充填する。CMP平坦化により過剰なSiO2を研磨ストップ層まで除去し、次に研磨ストップ層を除去する。
【0005】
次に、ウェル・イオン注入を実行する。注入前に、前に成長させたパッド酸化物層をエッチングによって除去する。エッチング中にSTI酸化物充填の一部も必然的に除去される。次に、シリコン基板上に犠牲酸化物層を成長させる。次に、ウェル・イオン注入を実行する。SiO2のSTI充填にイオン注入すると、SiO2の表面が非常に柔らかくなると考えられている。犠牲酸化物層のストリッピング時には、大量の軟化したSiO2のSTI充填材も除去される。パッド酸化物層および犠牲酸化物層の除去中にSiO2のSTI充填材を除去すると、STI酸化物の厚さが比較的大きく変動するだけでなく、STIとシリコン基板の間にディボットが形成される。
【0006】
ウェル・イオン注入に続いて、次のようにポリシリコン・ゲートを形成する。まず、基板表面の上にポリシリコンの層を付着させる。次に、従来のフォトリソグラフィ・マスキングおよびエッチング技法により、ポリシリコン層にゲートを規定する。しかし、STIとシリコン基板の間に形成されたディボットの側壁上にポリシリコン・レールが存続する場合が多い。このようなレールはゲート間の短絡を引き起こす可能性があり、それにより、集積回路の歩留まりおよび信頼性に影響する。
【0007】
集積回路のフィーチャ・サイズがより小さくなり、デバイス密度がより大きくなると、これらの問題への関心が高まる。さらに、SOI基板上に従来のプロセスによって形成されるSTIに関しては、これらの問題は特定の関心事となる。SOI基板は埋込み酸化物層上の薄いシリコン層からなる。この薄いシリコン層は通常、1000Å未満の厚さを有し、より一般的には約500Åの厚さを有する。埋込み酸化物層は通常、約1000〜1500Åの厚さを有する。SOI基板に従来のSTI形成プロセスを使用しても、STIの厚さ制御やディボット除去は達成不能であった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
上記の問題は本発明の方法によって対処する。本発明によれば、シリコン・オン・インシュレータ(SOI)基板上に浅いトレンチ分離(STI)を形成するための方法が開示される。
【0009】
【課題を解決するための手段】
前記SOI基板は埋込み酸化物層上のシリコン層を含む。この方法は、前記シリコン層上にゲート酸化物層を形成するステップと、前記ゲート酸化物層上に第1のポリシリコン層を付着させるステップと、前記第1のポリシリコン層上に研磨ストップ層を付着させるステップと、前記基板内に複数のトレンチを形成するステップであって、前記トレンチが前記研磨ストップ層と前記第1のポリシリコン層と前記ゲート酸化物層と前記シリコン層とを貫通して伸びる深さを有するステップと、前記トレンチ内と前記研磨ストップ層上に酸化珪素層を共形的に付着させるステップと、前記トレンチ内の前記酸化珪素層の上面を前記研磨ストップ層の上面と同じ高さまで研磨するように、化学的機械研磨により前記酸化珪素層の第1の部分を除去するステップと、前記酸化珪素層の上面を前記研磨ストップ層の上面より下で前記第1のポリシリコン層の上面より上の高さまでエッチングするように、エッチングにより前記酸化珪素層の第2の部分を除去するステップと、前記研磨ストップ層を除去するステップと、前記酸化珪素層と前記第1のポリシリコン層上に第2のポリシリコン層を付着させるステップと、前記第1および第2のポリシリコン層にフォトリソグラフィ・マスキングおよび異方性エッチングを施すことにより前記第1および第2のポリシリコン層からなるポリシリコン・ゲートを形成するステップとを含む。
【0010】
新規かつ本発明に特有の要素と思われる本発明の特徴は特許請求の範囲に詳細に記載されている。添付図面は例示のみを目的とし、一定の縮尺で描かれていない。さらに、図面中で同様の番号は同様の特徴を表す。しかし、本発明自体は、添付図面に関連して以下に示す詳細な説明を参照すれば、構成ならびに動作方法のいずれについても、最もよく理解することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
次に、SOI基板上にSTIを形成するための本発明の改良された方法について詳細に説明する。前述の通り、SOI基板に適用される従来のSTI形成プロセスはプロセス制御が不十分なため、STI酸化物の厚さが比較的大きく変動するとともに、STIとシリコン基板の間にディボットが形成される。これは、少なくとも一部はウェル・イオン注入中にSiO2のSTI充填材が軟化することによって引き起こされると思われる。本発明では、STI形成前にすべてのウェル注入を行うことにより、この疑わしい原因が解消される。
【0012】
次に本発明の好ましい一実施形態について説明する。この好ましい方法は、従来の技法によりSOI基板上に犠牲酸化物層を成長させることから始めることができる。位置合わせマークを取り入れることができ、すべての適当なウェルおよびスレッショルド・イオン注入(threshold ion implantations)を実施する。ウェル・イオン注入後に、本発明の方法を続行する前に犠牲酸化物層を除去しなければならない。
【0013】
図1ないし図11は本発明の好ましい方法の残りのステップを示している。図1でこの方法は、シリコン層11と埋込み酸化物層10とを含むSOI基板上の薄いゲート酸化物層12の形成を続行する。SOI基板は通常、シリコン層11などの上部シリコン層と、埋込み酸化物層10などの埋込み酸化物層と、バルク・シリコン層(図示せず)という3つの層を含む。シリコン層11の厚さは通常、1000Å未満であり、より一般的には約500Åである。埋込み酸化物層10は通常、約1000Å〜約1500Åの厚さを有し、より一般的には約1350Å〜約1450Åの厚さを有する。
【0014】
ゲート酸化物層12は、酸素または亜酸化窒素あるいはその両方における熱酸化、好ましくは約650℃〜約850℃の温度の酸化炉で約5分〜約30分の間、酸素と亜酸化窒素の乾燥雰囲気に基板を曝すことなどの任意の適当な方法によって、シリコン層11上に成長させることができる。ゲート酸化物層12を基板表面上に形成し、好ましくは約10Å〜約30Åの厚さまで成長させる。
【0015】
図2に示す次のステップでは、ゲート酸化物層12上に第1のポリシリコン層13を付着させる。第1のポリシリコン層13は、約700℃〜約800℃の温度のシラン(SiH4)などの反応ガス(reactant gas)を使用する低圧化学的気相付着(LPCVD)などの任意の適当な方法によって付着させることができる。第1のポリシリコン層13は、約300Å〜約600Å、好ましくは約500Åの厚さまで付着させなければならない。
【0016】
次に図3に示すように、第1のポリシリコン層13上に研磨ストップ層14を付着させる。研磨ストップ層14は、後続の化学的機械研磨(CMP)ステップ用の研磨ストップ層として機能するのに適した任意の材料で形成することができる。好ましくは、研磨ストップ層14は窒化珪素(Si3N4)からなるが、これは、約700℃〜800℃の温度のシラン(SiH4)とアンモニア(NH3)などの反応ガス混合物を使用するLPCVDによって付着させることができる。研磨ストップ層14は、約500Å〜約1000Å、好ましくは約800Åの厚さなど、研磨ストップ層として機能するのに十分な厚さまで付着させなければならない。
【0017】
図4および図5はSTIトレンチの形成を示している。図4では、従来のフォトリソグラフィ技法により基板上にフォトレジスト・マスク15をパターン形成する。図5では、反応性イオン・エッチング(RIE)などの選択異方性エッチング・プロセスにより、研磨ストップ層14、第1のポリシリコン層13、ゲート酸化物層12、薄いシリコン層11の露出エリアにエッチングを施す。指向性RIEは、トレンチの側面から第1のポリシリコン層13へのエッチングを防止するために好ましいエッチング方法である。プラズマ・エッチングとは対照的に、異方性エッチングは、トレンチ深さを適切に制御するために好ましいものである。好ましいエッチャント・ガスは、窒化珪素研磨ストップ層14にはNF3/Ar、第1のポリシリコン層13にはHBr/Cl2、ゲート酸化物層12にはNF3/Ar、薄いシリコン層11にはHBr/Cl2である。トレンチは通常、約1700Å〜約2200Å、好ましくは約1850Åの深さを有する。
【0018】
STIトレンチの形成後、STIトレンチ充填を実行する。STIトレンチを充填する前に、各トレンチ内の露出したシリコンおよびポリシリコン表面上に酸化物ライナを熱成長させることができる。酸化物ライナ(図示せず)は、約50Å〜約300Å、好ましくは約100Åの厚さを有することができる。次に、STI酸化物層16として図6に示すように、STIトレンチを完全に充填するのに十分な厚さで基板上にSiO2を付着させる。STIのSiO2は、高密度プラズマ(HDP)付着技法を使用するかまたはLPCVDとテトラエチルオルトシリケート酸化物(TEOS)などの反応ガスを使用して付着させることができる。STI酸化物層16は、トレンチ深さをわずかに上回る厚さ、通常は約1800Å〜2400Åの厚さまで付着させなければならない。
【0019】
STI充填後、図7に示すように、CMP平坦化により研磨ストップ層14の上面まで過剰なSTI酸化物16を除去する。適切なものであれば、どの研磨ツールおよびスラリでもこのCMPステップに使用することができる。米国特許第5876490号と同時係属の米国特許出願第09/577347号に記載されているものなどの界面活性剤と組み合わせて酸化セリウム(CeO2)ベースのスラリを使用すると非常に明確な平面レベルを形成できることが分かっており、その開示内容は参照により本明細書に組み込まれる。界面活性剤とともにCeO2ベースのスラリを使用することにより、研磨ストップ層14の上面までSTI酸化物16を研磨するが、それ以上低くしない。換言すれば、STI酸化物のわん状変形は全く発生しない。
【0020】
次に、STI酸化物16の上面を第1のポリシリコン層13の上面に近づけるために、図8に示すように、追加量のSTI酸化物16を除去する。このような除去は、時限ウェット・エッチング(timed wet etching)またはRIEプロセスなどの適切なエッチング・プロセスによって実施される。時限ウェット・エッチングはRIEプロセスより単純なエッチ・バック・プロセスであり、したがって、好ましいものである。エッチングを施したSTI酸化物16の上面が第1のポリシリコン層13の上面にほとんど近くなるように、十分な厚さのSTI酸化物16を除去する。好ましくは、ゲート・コーナの漏れを回避するために、エッチングを施したSTI酸化物16の上面がシリコン層11の上面より少なくとも約200Å高くなるように、STI酸化物16の除去は制限しなければならない。これに反して、ポリシリコン側壁またはポリシリコン・ゲートのエッチング後に残存するレールによるSTI酸化物のシーム漏れを回避するために、エッチングを施したSTI酸化物16の上面が第1のポリシリコン層13の上面よりせいぜい約200Å高くなるように、STI酸化物の十分な部分を除去しなければならない。たとえば、第1のポリシリコン層13が約500Åの厚さを有する場合、エッチングを施したSTI酸化物16の上面はシリコン層11の上面よりせいぜい約700Å高くなければならない。もう1つの例としては、第1のポリシリコン層13が約1000Åの厚さを有する場合、エッチングを施したSTI酸化物16の上面はシリコン層11の上面よりせいぜい約1200Å高くなければならない。STI酸化物16を適切な厚さまでエッチ・バックした後、図9に示すように選択RIEプロセスにより研磨ストップ層14を除去することができる。
【0021】
研磨ストップ層14の除去後、図10に示すように、STIデバイス構造上に第2のポリシリコン層17を付着させる。第2のポリシリコン層17は、約700℃〜約800℃の温度のシラン(SiH4)などの反応ガスを使用する低圧化学的気相付着(LPCVD)などの任意の適当な方法によって付着させることができる。第2のポリシリコン層17は約750Å〜約1500Å、好ましくは約1000Åの厚さで付着させる。任意選択で、プラズマ強化LPCVDを使用して約500Åの厚さまで第2のポリシリコン層17の上に酸化物層(図示せず)を付着させることができる。
【0022】
図11に示す最後のステップでは、従来のフォトリソグラフィ・マスキングおよびエッチング技法によりゲートを形成する。具体的には、第2のポリシリコン層17の上にフォトレジスト・マスク(図示せず)を形成してゲート・エリアを規定し、RIEなどの適切な異方性エッチング技法によってポリシリコン層13および17の露出部分を除去し、図示のようにポリシリコン層13および17からなるゲート構造を残す。
【0023】
その後、従来のCMOS処理を続行して、図12に示すように、ほぼ平面のSTI構造に囲まれた相補形CMOSデバイスまたはバイポーラ・デバイスを形成する。側壁酸化物層19とともに、第1および第2のポリシリコン層からなるゲート18が示されている。
【0024】
本発明の方法は、従来技術の方法を使用して構築したSTI構造に過剰な凹部を引き起こす可能性のある、ウェル・イオン注入用の犠牲酸化物の成長および除去に対してSTI酸化物が曝されないという点で、従来技術の方法より優れた利点をもたらす。そのうえ、本発明により、薄いSOI基板状にSTIを形成するときに必要なプロセス制御が大幅に改善される。本発明の方法を使用して第1のポリシリコン層の高さを正確に制御することにより、ポリシリコン・ゲート・エッチング後に形成されるポリシリコン側壁によるSTI酸化物のシーム漏れを回避することができ、ゲート・コーナの漏れを解消することができる。
【0025】
特定の好ましい実施形態とその他の代替実施形態に関連して本発明を具体的に説明してきたが、上記の説明を考慮すると当業者には多数の代替形態、変更形態、変形形態が明らかであることは明白である。したがって、特許請求の範囲は、本発明の真の範囲および精神に該当するようなすべての代替形態、変更形態、変形形態を包含するものとする。
【0026】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
【0027】
(1)シリコン・オン・インシュレータ(SOI)基板上のデバイス・エリアを分離するために前記SOI基板上に浅いトレンチ分離を形成するための方法において、前記SOI基板が埋込み酸化物層上のシリコン層を含み、
前記シリコン層上にゲート酸化物層を形成するステップと、
前記ゲート酸化物層上に第1のポリシリコン層を付着させるステップと、
前記第1のポリシリコン層上に研磨ストップ層を付着させるステップと、
複数のトレンチを形成するステップであって、前記トレンチが前記研磨ストップ層と前記第1のポリシリコン層と前記ゲート酸化物層と前記シリコン層とを貫通して伸びる深さを有するステップと、
前記トレンチ内と前記研磨ストップ層上に酸化珪素層を共形的に付着させるステップと、
前記トレンチ内の前記酸化珪素層の上面を前記研磨ストップ層の上面と同じ高さまで研磨するように、化学的機械研磨により前記酸化珪素層の第1の部分を除去するステップと、
前記酸化珪素層の上面を前記研磨ストップ層の上面より下で前記第1のポリシリコン層の上面より上の高さまでエッチングするように、エッチングにより前記酸化珪素層の第2の部分を除去するステップと、
前記研磨ストップ層を除去するステップと、
前記酸化珪素層と前記第1のポリシリコン層上に第2のポリシリコン層を付着させるステップと、
前記第1および第2のポリシリコン層にフォトリソグラフィ・マスキングおよびエッチングを施すことにより前記第1および第2のポリシリコン層からなるポリシリコン・ゲートを形成するステップとを含む方法。
(2)前記シリコン層が約1000Å未満の厚さを有する、上記(1)に記載の方法。
(3)前記シリコン層が約500Å未満の厚さを有する、上記(1)に記載の方法。
(4)酸素と亜酸化窒素からなるグループから選択したガスを含む雰囲気で熱酸化によって前記ゲート酸化物層を形成する、上記(1)に記載の方法。
(5)前記ゲート酸化物層が約10Å〜約30Åの厚さを有する、上記(1)に記載の方法。
(6)シランを使用する低圧化学的気相付着によって前記第1のポリシリコン層を付着させる、上記(1)に記載の方法。
(7)前記第1のポリシリコン層が約300Å〜約600Åの厚さを有する、上記(1)に記載の方法。
(8)前記第1のポリシリコン層が約500Åの厚さを有する、上記(1)に記載の方法。
(9)前記研磨ストップ層が窒化珪素を含む、上記(1)に記載の方法。
(10)シランとアンモニアを使用する低圧化学的気相付着によって前記研磨ストップ層を付着させる、上記(1)に記載の方法。
(11)前記研磨ストップ層が約500Å〜約1000Åの厚さを有する、上記(1)に記載の方法。
(12)前記研磨ストップ層が約800Åの厚さを有する、上記(1)に記載の方法。
(13)フォトリソグラフィ・マスキングおよび異方性エッチングによって前記トレンチを形成する、上記(1)に記載の方法。
(14)前記異方性エッチングが指向性反応性イオン・エッチングを含む、上記(13)に記載の方法。
(15)前記トレンチが約1700Å〜約2200Åの深さを有する、上記(1)に記載の方法。
(16)前記酸化珪素層を付着させる前に前記トレンチ内に酸化物ライナを形成することをさらに含む、上記(1に記載の方法。
(17)酸素雰囲気での熱酸化によって前記酸化物ライナを形成する、上記(16)に記載の方法。
(18)前記酸化物ライナが約50Å〜約300Åの厚さを有する、上記(16)に記載の方法。
(19)前記酸化物ライナが約100Åの厚さを有する、上記(16)に記載の方法。
(20)高密度プラズマ・プロセスによって前記酸化珪素層を付着させる、上記(1)に記載の方法。
(21)テトラエチルオルトシリケート酸化物を使用する低圧化学的気相付着によって前記酸化珪素層を付着させる、上記(1)に記載の方法。
(22)前記酸化珪素層が前記トレンチ深さを上回る厚さを有する、上記(1)に記載の方法。
(23)前記酸化珪素層が約1800Å〜約2400Åの厚さを有する、上記(1)に記載の方法。
(24)酸化セリウムと界面活性剤を含むスラリを使用する化学的機械研磨によって前記酸化珪素層の前記第1の部分を除去する、上記(1)に記載の方法。
(25)ウェット・エッチング・プロセスによって前記酸化珪素層の前記第2の部分を除去する、上記(1)に記載の方法。
(26)反応性イオン・エッチング・プロセスによって前記酸化珪素層の前記第2の部分を除去する、上記(1)に記載の方法。
(27)前記酸化珪素層の上面が前記シリコン層の上面より少なくとも約200Å高くなるように、前記酸化珪素層の前記第2の部分を除去する、上記(1)に記載の方法。
(28)前記酸化珪素層の上面が前記第1のポリシリコン層の上面よりせいぜい約200Å高くなるように、前記酸化珪素層の前記第2の部分を除去する、上記(1)に記載の方法。
(29)選択反応性イオン・エッチング・プロセスによって前記研磨ストップ層を除去する、上記(1)に記載の方法。
(30)シランを使用する低圧化学的気相付着によって前記第2のポリシリコン層を付着させる、上記(1)に記載の方法。
(31)前記第2のポリシリコン層が約750Å〜約1500Åの厚さを有する、上記(1)に記載の方法。
(32)前記第2のポリシリコン層が約1000Åの厚さを有する、上記(1)に記載の方法。
(33)前記ポリシリコン・ゲートを形成する前に前記第2のポリシリコン層上に酸化物層を付着させるステップをさらに含む、上記(1)に記載の方法。
(34)プラズマ強化低圧化学気相付着によって前記酸化物層を付着させる、上記(33)に記載の方法。
(35)前記酸化物層が約500Åの厚さを有する、上記(33)に記載の方法。
(36)フォトリソグラフィ・マスキングおよび反応性イオン・エッチングによって前記ポリシリコン・ゲートを形成する、上記(1)に記載の方法。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の好ましい方法を示し、部分的に製作した半導体STIデバイス構造の断面図である。
【図2】本発明の好ましい方法を示し、部分的に製作した半導体STIデバイス構造の断面図である。
【図3】本発明の好ましい方法を示し、部分的に製作した半導体STIデバイス構造の断面図である。
【図4】本発明の好ましい方法を示し、部分的に製作した半導体STIデバイス構造の断面図である。
【図5】本発明の好ましい方法を示し、部分的に製作した半導体STIデバイス構造の断面図である。
【図6】本発明の好ましい方法を示し、部分的に製作した半導体STIデバイス構造の断面図である。
【図7】本発明の好ましい方法を示し、部分的に製作した半導体STIデバイス構造の断面図である。
【図8】本発明の好ましい方法を示し、部分的に製作した半導体STIデバイス構造の断面図である。
【図9】本発明の好ましい方法を示し、部分的に製作した半導体STIデバイス構造の断面図である。
【図10】本発明の好ましい方法を示し、部分的に製作した半導体STIデバイス構造の断面図である。
【図11】本発明の好ましい方法を示し、部分的に製作した半導体STIデバイス構造の断面図である。
【図12】本発明の方法により製作したSTIデバイス構造の斜視図である。
【符号の説明】
10 埋込み酸化物層
11 シリコン層
12 ゲート酸化物層
13 第1のポリシリコン層
16 STI酸化物層
17 第2のポリシリコン層
Claims (36)
- シリコン・オン・インシュレータ(SOI)基板上のデバイス・エリアを分離するために前記SOI基板上に浅いトレンチ分離を形成するための方法において、前記SOI基板が埋込み酸化物層上のシリコン層を含み、
前記シリコン層上にゲート酸化物層を形成するステップと、
前記ゲート酸化物層上に第1のポリシリコン層を付着させるステップと、
前記第1のポリシリコン層上に研磨ストップ層を付着させるステップと、
複数のトレンチを形成するステップであって、前記トレンチが前記研磨ストップ層と前記第1のポリシリコン層と前記ゲート酸化物層と前記シリコン層とを貫通して伸びる深さを有するステップと、
前記トレンチ内と前記研磨ストップ層上に酸化珪素層を共形的に付着させるステップと、
前記トレンチ内の前記酸化珪素層の上面を前記研磨ストップ層の上面と同じ高さまで研磨するように、化学的機械研磨により前記酸化珪素層の第1の部分を除去するステップと、
前記酸化珪素層の上面を前記研磨ストップ層の上面より下で前記第1のポリシリコン層の上面より上の高さまでエッチングするように、エッチングにより前記酸化珪素層の第2の部分を除去するステップと、
前記研磨ストップ層を除去するステップと、
前記酸化珪素層と前記第1のポリシリコン層上に第2のポリシリコン層を付着させるステップと、
前記第1および第2のポリシリコン層にフォトリソグラフィ・マスキングおよびエッチングを施すことにより前記第1および第2のポリシリコン層からなるポリシリコン・ゲートを形成するステップとを含む方法。 - 前記シリコン層が約1000Å未満の厚さを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記シリコン層が約500Å未満の厚さを有する、請求項1に記載の方法。
- 酸素と亜酸化窒素からなるグループから選択したガスを含む雰囲気で熱酸化によって前記ゲート酸化物層を形成する、請求項1に記載の方法。
- 前記ゲート酸化物層が約10Å〜約30Åの厚さを有する、請求項1に記載の方法。
- シランを使用する低圧化学的気相付着によって前記第1のポリシリコン層を付着させる、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のポリシリコン層が約300Å〜約600Åの厚さを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のポリシリコン層が約500Åの厚さを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記研磨ストップ層が窒化珪素を含む、請求項1に記載の方法。
- シランとアンモニアを使用する低圧化学的気相付着によって前記研磨ストップ層を付着させる、請求項1に記載の方法。
- 前記研磨ストップ層が約500Å〜約1000Åの厚さを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記研磨ストップ層が約800Åの厚さを有する、請求項1に記載の方法。
- フォトリソグラフィ・マスキングおよび異方性エッチングによって前記トレンチを形成する、請求項1に記載の方法。
- 前記異方性エッチングが指向性反応性イオン・エッチングを含む、請求項13に記載の方法。
- 前記トレンチが約1700Å〜約2200Åの深さを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記酸化珪素層を付着させる前に前記トレンチ内に酸化物ライナを形成することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 酸素雰囲気での熱酸化によって前記酸化物ライナを形成する、請求項16に記載の方法。
- 前記酸化物ライナが約50Å〜約300Åの厚さを有する、請求項16に記載の方法。
- 前記酸化物ライナが約100Åの厚さを有する、請求項16に記載の方法。
- 高密度プラズマ・プロセスによって前記酸化珪素層を付着させる、請求項1に記載の方法。
- テトラエチルオルトシリケート酸化物を使用する低圧化学的気相付着によって前記酸化珪素層を付着させる、請求項1に記載の方法。
- 前記酸化珪素層が前記トレンチ深さを上回る厚さを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記酸化珪素層が約1800Å〜約2400Åの厚さを有する、請求項1に記載の方法。
- 酸化セリウムと界面活性剤を含むスラリを使用する化学的機械研磨によって前記酸化珪素層の前記第1の部分を除去する、請求項1に記載の方法。
- ウェット・エッチング・プロセスによって前記酸化珪素層の前記第2の部分を除去する、請求項1に記載の方法。
- 反応性イオン・エッチング・プロセスによって前記酸化珪素層の前記第2の部分を除去する、請求項1に記載の方法。
- 前記酸化珪素層の上面が前記シリコン層の上面より少なくとも約200Å高くなるように、前記酸化珪素層の前記第2の部分を除去する、請求項1に記載の方法。
- 前記酸化珪素層の上面が前記第1のポリシリコン層の上面よりせいぜい約200Å高くなるように、前記酸化珪素層の前記第2の部分を除去する、請求項1に記載の方法。
- 選択反応性イオン・エッチング・プロセスによって前記研磨ストップ層を除去する、請求項1に記載の方法。
- シランを使用する低圧化学的気相付着によって前記第2のポリシリコン層を付着させる、請求項1に記載の方法。
- 前記第2のポリシリコン層が約750Å〜約1500Åの厚さを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記第2のポリシリコン層が約1000Åの厚さを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記ポリシリコン・ゲートを形成する前に前記第2のポリシリコン層上に酸化物層を付着させるステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- プラズマ強化低圧化学気相付着によって前記酸化物層を付着させる、請求項33に記載の方法。
- 前記酸化物層が約500Åの厚さを有する、請求項33に記載の方法。
- フォトリソグラフィ・マスキングおよび反応性イオン・エッチングによって前記ポリシリコン・ゲートを形成する、請求項1に記載の方法。
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