KR100235586B1 - 표면처리장치 및 방법과 이 표면처리장치를 이용하는 와이어 본딩장치 및 방법 - Google Patents

표면처리장치 및 방법과 이 표면처리장치를 이용하는 와이어 본딩장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 크기가 소형이고 처리능력이 크고, 구조가 간단하며, 비용이 저렴한 표면처리장치 및 와이어 본딩 장치에 관한 것이다. 표면처리장치는 대상물을 이송하기 위해 이송통로를 지닌 베이스, 베이스의 상면과 접촉 및 이 접촉에서 분리되게 이동하는 베이스위에 제공된 리드, 이 리드를 베이스와, 접촉 및 이 접촉에서 분리하게 리드를 이동하는 맞물림 및 분리 메카니즘, 리드가 베이스와 접촉해서 분리될 때 이송통로에 배설된 대상물을 리드 아래의 위치 및 밖으로 공급하는 이송메카니즘 및 시일된 공간에 배설된 대상물의 전극을 표면처리하는 처리부를 구비한다. 와이어 본딩 메카니즘은 이송통로의 하류부에 제공되어 있다.

Description

표면처리장치 및 방법과 이 표면처리장치를 이용하는 와이어 본딩장치 및 방법
제1도는 본발명의 와이어 본딩장치의 실시예의 전체구조를 도시한 사시도.
제2도 및 제3도는 본 발명의 실시예의 맞물림 및 분리수단의 사시도.
제4도는 및 제5도는 본 발명의 실시예의 브랫킷을 도시한 사시도.
제6도는 바닥쪽에서봐서 본 발명의 실시예의 리드(lid)의 확대사시도.
제7도는 바닥쪽에서 봐서 리드의 사시도.
제8도는 본 발명의 실시예의 베이스의 확대 사시도.
제9도는 본 발명의 실시예의 베이스의 평면도.
제10도 및 제11도는 본 발명의 표면처리장치의 실시예의 단면도.
제12도는 본 발명의 실시예의 전극 및 관련부분을 도시한 사시도.
제13도는 제2도의 선(XIII-XIII)을 따라 취해진 단면도.
제14도는 본 발명의 실시예의 이송통로를 도시한 개략적인 평면도.
제15a도 내지 제15c도는 본 발명의 실시예의 이송작동을 나타낸 개략적인 평면도.
본 발명은 기판 및 전자부품과 같은 대상물(object)의 전극을 표면처리하는 표면처리 장치에 관한 것이고, 특히 전기전도 와이어를 이 표면처리장치에 의해 처리된 기판전극에 본딩시키는 와이어 본딩(bonding) 장치에 관한 것이다.
전자장비를 소형 설계할 경우, 회로패턴을 갖는 기판에 고밀도로 전자부품을 설치하는 기술이 주위를 끌어왔다. 이러한 기술중 하나는 반도체칩이 기판에 직접 설치되거나 위치된 다음, 이 반도체칩이 (직경이 약 25㎛ 인) 얇은 전기전도 와이어에 의해 기판의 전극에 전기적으로 접속되고나서, 반도체칩과 와이어가 시일링(sealing)을 위해 수지로 피복된다.
대부분의 경우에, 이러한 목적에 이용되는 와이어는 금으로 만들어지고, 금 와이어와의 본딩을 고려하여 기판의 전극이 금으로 도금되어 있다. 회로패턴 통상 구리로 만들어지고, 금이 이런 구리에 직접 본딩되지 않기 때문에, 하나 이상의 금속층(소위, 장벽(barrier) 금속층이라고 함)이 구리전극에 형성된 다음, 이층의 표면이 금으로 도금된다. 니켈이 흔히 장벽금속으로 이용된다.
따라서, 금도금 막의 두께가 와이어의 본딩강도에 커다란 영향준다고 생각되며, 금도금 막이 두께가 약 0.3㎛ 만큼 두껍지 않으면, 와이어는 만족스럽게 본딩될수 없는 것으로 알고 있다. 두꺼운 금도금 막을 형성하는 전기도금방법 및 리덕션 무전해(reduction electroless) 도금방법이 공지되어 잇다. 그러나, 이들 방법 모두는 도금 공정이 오랫동안 행해지므로 비용이 많이든다는 문제가 있다.
이러한 문제점을 고려하여, 본 발명의 발명자는 도금 막의 두께가 작을지라도 와이어가 충분한 강도로 본딩될수 있는 방법 (일본 공개 공보 제7-106363 호)을 출원햇다. 이 기술에서, 와이너는 두께가 0.05㎛, 인 금도금 막에 본딩될 수 있고, 금도금 비용이 크게 절감된다는 장점이 성취된다.
이 기술에서, (1) 네켈 혼합물이 표면처리장치에 의해 기판의 전극 표면에서 제거된 다음, (2) 와이어가 와이어 본딩장치에 의해 전극에 각각 본딩된다.
이들 단계는 비용절감 효과가 나쁜 영향을 받지 않도록 고효율을 수행하는데 필요하다. 그러나, 현재 이러한 요건을 충족시키기가 용이하지 않다. 특히, 크기가 소형이고, 제조 라인에 포함될 수 있는 표면처리장치는 존재하지 않고, 이것은 새로운 공정이 광범위하게 이용되지 못하게 한다. 따라서, 본 발명은 새로운 공정을 위한 최적의 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 크기가 소형이고, 처리능력이 뛰어나며, 구조가 간단하고 비용이 적은 표면처리장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 표면처리장치와 일체가되고, 처리능력이 뛰어나며, 구조가 간단하고 비용이 적은 와이어 본딩장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 양상에 따르면, 표면처리장치는, 대상물을 이송하기 위한 이송통로를 지닌 베이스, 상기 베이스 위에 제공되어, 상기 베이스의 상면과 접촉 및 분리가 이루어지며, 상기 베이스의 상면상에 대상물을 수용하는 시일 공간을 형성하도록 상기 베이스의 접촉하는 리드, 상기 리드를 상기 베이스와 접촉 및 분리키는 맞물림 및 분리메카니즘, 상기 리드가 베이스와 분리될 때 이송통로에 배설된 대상물을 리드 밑의 위치로 이송하고, 그로부터 이송하는 이송메카니즘과, 시일공간에 배설된 대상물의 전극을 표면처리하는 처리수단을 구비한다.
본 발명의 또 다른 양상에 따르면, 와이어 본딩장치는, 대상물을 이송하기 위한 이동통로를 지닌 베이스, 상기 이송통로를 따라 제공된 표면처리장치, 상기 이송통로를 따라 상기 표면처리장치와 나란히 배설되고, 와이어를 표면처리된 대상물의 전극에 본딩하는 와이어 본딩 메카니즘 및 표면처리된 대상물을 표면처리장치에서 와이어 본딩 메카니즘의 정면위치로 이송하는 이송메카니즘을 구비하는데, 상기 표면처리장치는 상기 베이스의 상면과 접촉 및 분리할 수 있고, 상기 베이스의 상면상에 이송통로상에 배설된 대상물을 수용하기 위한 시일공간을 형성하도록 베이스와 접촉하는 리드, 상기 리드를 상기 베이스와 접촉 및 분리시키는 맞물림 및 분리메카니즘과, 상기 시일공간에 배설된 대상물의 전극을 표면처리하는 처리수단을 포함한다.
본 발명의 양호한 실시예를 도면을 참고로 설명한다.
제1도는 본 발명의 와이어 본딩장치의 한 양호한 실시예의 전체구조를 도시한 사시도이다.
제1도에서, 기대(base mount)(8)는 거의 수평인 상면을 가지며, 기립부(8a)는 기대8)의 후방 측부로부터 상향으로 연장한다. 모니터(8b)는 기립부(8a)의 정면에 설치되어 있고, 오퍼레이터는 모니터(8b)를 통해 표면처리장치의 작동상태를 파악할 수 있다. 베이스(12)가 기대(8)의상면에 설치되어 있고, 이송통로(L)가 베이스(12)의 상면을 통해 제1도의 왼쪽에서 오른쪽으로 경사지게 똑바로 연장한다. 공급 매거진(supply magazine)(9) 이 이송통로(L)의 상류측에 제공되어, 스택(stacked) 방식으로 표면처리될수 있는 기판(6)을 지지하거나 갖춘다. 스톡(stock) 매거진(10)이 이송통로의 하류측에 제공되어, 표면처리되는 기판(6)을 수용한다. 본 실시예에서, 치환(substitution) 무전해 도금 방법에 의해 금으로 도금된 전극은 기판(6)의 표면에 형성되어 있다.
푸시 실린더(push cylinder)(11)는 표면처리될 기판(6)을 공급매거진(9)에서 이송통로(L)로 밀거나 이송된다.
리드의 하부측에서 리세스(recess)를 지닌 리드(13)는 베이스(12)위에 지지되고, 베이스(12)와 접촉 및 분리된다.
아래에 상세히 기술되는 바와 같이, 베이스(12)와 리드는 리드(13)가 이송통로(L)을 지닌 베이스(12)와 접촉할 때, 리드(13)의 리세스가 이송통로(L)에 시일된 공간을 한정하도록 구성된다. 특히, 베이스(12)와 리드(13)는 이 시일공간을 형성하도록 서로 협력한다.
와이어 본딩 메카니즘(14)은 메카니즘(14)와 스톡매거진(10) 사이에 제공되어, 이송통로(L)로부터 장치의 후방측으로 오프셋 되어 있다. 와이어 본딩 메카니즘(14)은 상류측에서 이송통로(L)를 따라 이송된 표면처리기판(6)을 클램프하고, 이 기판(6)의 전극을 와이어에 의해 반도체 칩(도시하지 않음)에 전기적으로 접속시킨다.
본 실시예에서 리드(13)와 메카니즘(14)에 의해 한정된 시일 공간 내에서, (표면처리의 일례인) 플라즈마 클리닝(plasma cleaning)이 기판(6)에 적용되어 금도금 전극 및 기판(6)의 다른부분에서 부착물 또는 니켈 혼합물을 제거함으로써 와이어는 이들 전극에 쉽게 접착 본딩될 수 있다. 다음, 인접한 와이어 본딩 메카니즘(14)에서 와이어는 플라즈마 클리닝되기 쉬운 기판에 본딩되어 기판(6)이 스톡매거진(10)에 제공된다.
제1아암(15)은 이송통로(L)로 연장한 말단부(distal end portion)를 지니고, 제2아암(16)은 제1아암(15)의 하류측에 배설되어 있고, 이송통로(L)를 따라 제1아암(15)으로부터의 소정의 거리로 공간을 두고 있어, 상기 제2아암(16)은 제1아암(15)과 평행하다.
신잔된 커버(17)가 기대(8)의 상면에 앞측부분에 제공되어 있고, 이송통로(L)와 평행하게 연장되어 있다. 제1 및 제2아암 (15) 및 (16)이 평행하고, 서로 소정의 거리를 둔 상태로 제1 및 제2 아암을 유지하면서, 제1 및 제2 아암(15) 및 (16)을 이송통로(L)와 평행하게 이동시키는(아래에 상세히 기술되는)아암 이동 메카니즘 커버(17)내에 설치되어 있다. 이송통로(L)상의 기판은 제1 및 제2 아암(15) 및 (16)에 의해 이송된다.
한쌍의 가이드(18)가 이송통로(L)을 형성하도록 베이스(12)에 설치되어 있고, 와이어 본딩 메카니즘(14)의 앞에 배설된 위치에서 스톡 매거진(10)으로 기판(6)을 안내한다.
리드(13)를 위쪽 및 아래쪽으로 이동시켜, 리드(13)를 수평상태와 수직상태 사이로 이동시키는 맞물림 및 분리 메카니즘이 제2도 내지 제5도에서 설명된다. 여기서, 리드(13)의 자세(posture)가 정의된다. 리드(13)의 하면이 제2도 및 제3도에 도시되어 있듯시 수평면에 놓여졌을 때, 리드(13)의 수평상태로 배설된다. 리드(13)의 하면이 제5도에 도시되어 있듯이 수직면에 놓여져 있을 때, 리드(13)는 수직상태로 배설된다.
리드(13)의 하면이 베이스(12)와 밀착해 있을 때, 리드(13)는 하강 위치 또는 상태로 배설되고, 리드(13)의 하면이 베이스(12)에서 떨여져 있음으로써, 공간이 리드(13)와 베이스(12) 사이에 형성될 때, 리드(13)는 상승위치 또는 상태로 배설된다.
예를 들어, 리드(13)가 수평상태와 하강사애로 배설될 때, 이런상태를 수평하강상태라고 한다. 리드(13)는 (아래에 설명되는)지지 메카니즘에 의해 지지됨으로써, 리드(13)가 3개의 상태, 즉, 수평하강상태, 수평상승상태 및 수직상승상태로 배설될 수 있다. 제2도는 수평하강상태의 리드(13)를 도시하고, 제3도는 수평상승상태의 리드(13)을 도시한다.
제2도에서, 프레임(20)은 기대(8)에 고정 설치된 수평부(20a)와 제각기 수평부(20a)의 대향단부로부터 수직상향으로 연장한 한쌍의 기립부(20b) 및 (20c)를 포함한다.
L자 모양의 횡단면을 가진 각각의 한쌍의 가이드(21) 및(22)는 제각기 기립부(20b) 및 (20c)의 상단부에 각각 형성되어 있고, 이 가이드(21) 및 (22)의 맞단부는 바깥쪽으로 향한다. 즉, 서로 멀리 떨어진다.
맞물림 및 분리 메카니즘을 구성하는 실린더(23)는, 실린더(23)의 로드(rod)(23a)가 위쪽으로 향하는 방식으로 수평부(20a)의 중심부에 고정설치되어 있다. 로드(23a)의 상당부는 U 자모양의 아암(24)의 수평부(20a)의 중심부에 연결되어 있다.
U 자모양의 아암(24)의 수평부(20a)의 대향단부로부터 제각기 위쪽으로 연장한 기립부(24b) 및 (24c)는 젝각기 상, 하 슬라이딩 이동을 위해 가이드(21) 및 (22)와 미끄러지듯이 맞물린다. 샤프트(shaft)은 제각기 기립부(42b)및 (24c)의 상단부에 설치되어 있고, 브래킷(25)은 제각기 샤프트(26)에 의해 회전할 수 있게 지지되어 수직상태로 회전할 수 있게 된다.
제4도에 확대해서 도시되어 있듯이, 브래킷(25)은 2개의 부분에서 수직으로 굽어 Z 형상을 한다. 브래킷(25)은 제1피스(piece)부(25a)와 제1피스부(25a)로부터 직각으로 연장한 제2피스부(25b)를 가지며, 제1 및 제2 피스부(25a) 및 (25b)는 길이가 같다. 제1 및 제2 피스부(25a) 및(25b)의 중앙선이 서로 교차하는 브래킷(25)의 부분은 U-자모양의 아암(24)에 회전할 수 있게 지지되어 있다.
브래킷(25)은 제2피스부(25b)보다 길이가 길고, 제1피스부(25a)로부터 떨여진 제2피스부(25)의 측으로부터 직각으로 연장한 제3피스부(25c)를 지닌다. 제 핀구멍(27)과 제2핀구멍(28)은 제각기 제1 및 제2피스부(25a) 및(25b)을 통해 그의 두께 방향으로 형성되어 있고, 샤프트(26)의 축(axis)에서 거리가 같다.
샤프트(29)는 각각의 브래킷(25)의 제3피스부(25c)의 말단부에 설치되어 있고, 리드(13)의 측면(13a)을 지지하여, 리드(13)가 화살표(N2)로 표시된 방향으로 샤프트(29)에 대해 회전할 수 있다.
제4도에 도시되어 있듯이, 삽입구멍(24d)이 U 자모양의 아암(24)의 각 기립부(24b) 및(24c)를 통해 형성되어 있다. 제3피스부(25c)가 수평으로 배설될 때, 삽입구멍(24d)은 제2핀구멍(28)과 일치하고, 제3피스부(25c)가 수직으로 배설될때, 삽입구멍(24d0은 제1핀구멍(27)과 일치한다.
따라서, 각각의 제2핀구멍(28)이 제4도에 도시되어 있듯이 이와 관련된 삽입구멍(24d)과 일치하게 되고, 핀(30)이 일치된 구멍(28) 및(24d)을 통과하여, 제3피스부(25c)가 수평상태로 유지하게됨으로써, 브래킷(25)이 회전하지 못하게하여, 브래킷(25)에 설치된 리드(13)가 수평상태로 유지된다.
한편, 각각의 제3피스부(25c)가 수직상태로 배설될 때, 제1 피스부(25a)를 통해 형성된 제1핀구멍(27)은 제5도에 도시되어 있듯이 삽입구멍(24d)과 일치한다.
이러한 상태에서, 피(30)이 일치한 제1 핀구멍(27)과 삽입구멍(24d)을 통과하여 각각의 제3 피스부(25c) 및 리드(13)는 수직기립상태로 유지된다. 리드(13)가 수직상태로 될 때, 리드(13)의 아래측에 형성된 리세스(60)는 수평방향으로 노출된다. 따라서, 리드(13)내에 설치된 부분들이 쉽게 교환되거나 크린(clean)될수 있다. 리드(13)가 기립상태로 배설될 때, 큰 공간이 베이스(12) 위에서 이용가능하여, 베이스(12) 및 베이스(12)에 설치된 부분에 유사한 유지관리를 행할 수 있다.
따라서, 본 실시예에의 표면처리장치에서, 리드(13)가 수직상태로 이동될 수 있기 때문에, 리드(13)와 베이스(12)사이에 큰 공간이 제공되어, 매우 용이하게 유지관리를 할수 있다.
다음, 수평 하강 상태에서 수평 상승 상태로의 리드(13)의 이동에 대해서는 제2도 및 제3도를 참고로 설명될 것이다.
리드(13)가 제2도에 도시도어 있듯이 수평 하강 상태에 있을 때 로드(23a)는 수축상태로 되고, 각각의 핀(30)은 제2핀구멍(28) 및 삽입구멍(24d)을 통과하며, 리드(13)는 수평상태로 유지되고, 리드(13)의 하면은 베이스(12)와 밀착된다. 리드(13)의 수평 하강 상태에서, 시일 공간은 리드(13) 및 베이스(12)에 의해 형성되고, 표면처리가 상기 시일공간에서 행해질 때, 시일공간은 대기압보다 낮은 압력으로 유지된다. 따라서, 실린더(23)가 가장 매우 높은 힘으로 베이스(12)에 의해 리드(13)를 누르지 않더라도 리드(13)는 베이스(12)와 충분히 밀착된다.
리드(13)를 수평상승 상태로 이동시키기 위해, 실린더(23)는 로드(23a)을 연장하도록 작동된다. 따라서, U 자모양의 아암(24)은 가이드(21) 및(22)에 의해 안내되면서 위쪽으로 이동하고, 이에따라 브래킷(25)은 위쪽으로 이동하며, 이의 제3피스부(25c)는 수평상태로 유지된다.
따라서, 리드(13)는 수평으로 유지하는 동안 베이스(12)에서 떨러져 위쪽으로 이동한다. 따라서, 공간이 제3도에 도시되어 있듯이 리드(13)와 베이스(12) 사이에 형성되어, 기판(6)을 이송하는 제1 및 제2 아암(15) 및 (16)은 화살표(N1)로 표시되어 있듯이 이 공간을 통과할 수 있다.
리드(13)의 구성은 제6도 및 제7도를 참고로 기술된다. 제6도는 바닥쪽에서 본 본 발명의 리드와 사시도이다.
리드(13)는 안쪽에 리세스(60)를 형성하는 직사각형의 리드 본체(13b)을 포함한다. 리드 본체(13b)는 제1 리세스(13c)와, 제1 리세스(13d) 크기보다 작고, 제1 리세스(13c)의 한쪽에서 연장한 제2리세스(13d)를 가진다. 제1리세스는 기판(16)을 완전히 포함하고, 이 제1리세스(13c)에서, 풀라즈마 클리닝(표면처리)는 기판(6)에 적용된다. 이하, 제1리세스(13c)를 ＂처리실＂이라고 하고, 제2 리세스(13d)을 배기실이라고 할 것이다.
창(13e)은 외부에서 처리실(13c)의 안을 관찰하기 위해 제공되어 있고 4개의 나사구멍(13f)이 처리실(13c)의 상벽을 통해 형성되어 있다.
다수의 내부커버(31)가 처리실(13c)과 배기실(13d)을 한정하는 리드 본체(13b)의 주변벽의 내면에 부착된다. 처리실(13c) 및 배기실(13d)을 향하는 내부커버(31)의 내면(S)이 거칠게 만들어져 있다. 즉 다수의 매우 작은 피트(pit)와 돌출부를 가져, 각각의 내부커버(31)의 표면적이 증가한다.
기판(6)은 처리실(13c)에서 플라즈마 클리닝될동안, 기판(6)에서 절단되 미소물질은 비산된다. 이들 미소물질은 거치른 표면(S)에 부차가기 쉬워, 기판(6)에서 절단된 미소물질이 다시 기판(6)에 부착하는 것을 방지한다. 내부커버(31)가 나사등(도시되지 않음)에 의해 리세스(60)의 내주면에 착탈할수 있게 부착되어 있다.
플라즈마를 발생시키는 상부 전극(32)은 각각의 나사구멍(13a)을 통해 각각의 나사구멍(13f)으로 관통되는 나사(33)에 의해 처리실(13c)의 상벽에 고정된다. 상부전극(32)은 전기적으로 접지된다.
다음, 베이스와 이와 관련된 부재가 제8도 및 제9도를 참조로 설명될 것이다. 제8도는 본 발명의 베이스의 분해 사시도이다.
제8도에 도시되어 있듯이, 베이스(12)는 제7도에 도시된 리드(13) 보다 크기가 약간 큰 두꺼운 판으로 이루어져 있다. 직사각형의 구멍(12a)이 베이스(12)의 중심부에 형성되어 있고, 고주파 전압이 인가된 하부전국(34)이 구멍(12a)에 고정되어 있다. 케이블(35)은 고주파 전원을 하부전극(34)에 전기적으로 접속한다.
리드(13)의 처리실(13c)과 마주하는 베이스(12)의 부분은 플라즈마 클리닝 기판(6)에 행해지는 처리영역(A)이다. 처리영역(A)에 인접하여, 배기실(13d)과 마주하는 베이스(12)의 부분은 배기영역(B)이다.
홈(12e)은 리드(13)의 하부 주변 가장자리가 접촉하는데 적합한 베이스(12)의 마진(varginal) 부분에 형성되어 있다. 시일부재 역할을 하는 0-링(39)이 홈(12e)에 고정되어 있고 홈(12e)의 폭의 중앙에 배설되어 있다.
리드(13)가 0-링(39)과 근접 밀착할 때, 시일공간(12)(제11도 참조)이 처리실(13c)과 배기실(13d)에 의해 베이스(12)에 형성된다.
0-링(39)의 상면이 제11도에 도시되어 있듯이 베이스(12)의 상면보다 약간 낮은 레벨로 배설되어 있다. 이 구성의 경우, 기판(6)이 화살표(N2)(제9도)의 방향으로 베이스(12)위로 이동될 때, 기판(6), 제1 아암(15) 및 제2 아암(16)은 0-링(39)과 접촉하지 않고 부드럽게 이동할 수 있다. 따라서, 기판(6)의 제1 및 제2 아암(15) 및 (16)이 0-링(39)과 접촉하지 않고 이동할 수 있어, 0-링(39)은 손상되지 않고, 시일 공간(K)의 기밀성이 높은 레벨로 유지되어 진공도가 낮아지는 것을 방지한다.
제8도에서, (후술하는) 가스 범브(gas bomb)로부터 처리영역(A)(즉, 처리실(13c)로 아르곤가스(작동가스))를 공급하는 가스공급 포트(12b)가 처리영역(A)의 모퉁이 부분에 형성되어 있다.
일련의 나사구멍(12c)이 베이스(12)의 처리영역(A)의 각각의 단부에 형성되어 이송통로(L)에 수직한 방향으로 배열되어 있다. 기판(6)의 폭에 대응하는 이들은 각각의 일련의 나사구멍(12c)으로부터 선택되고, 기판(6)을 안내하는 가이드(40) 및 (41)는 선택된 나사구멍(12c)으로 제각기 관통되는 나사(42)에 의해 베이스(12)에 고정된다. 가이드(40) 및 (41)은 와이어 본딩 메카니즘(14)의 앞에 배설된 가이드(18)와 협력하여, 단일 이송통로(L)를 형성한다. 폭이 다른 기판(6)이 이용될 때, 해당 나사구멍(12c)은 선택된다. 각각의 가이드(40) 및 (41)은 세라믹과 같은 전기 절연체로 만들어진다.
흡입포트(12d)가 베이스(12)의 배기영역(B)의 중심부에 형성되고, 처리실(13c) 및 배기실(13d)내의 공기가 시일 공간(K)내의 압력을 감소시키도록 흡입포트(12d)를 통해 방출되고, 또한 공기가 시일 공간(K)을 대기압으로 하도록 흡입포트(12d)를 통해 처리실(13c)과 배기실(13d)로 도입된다.
흡입포트(12d)가 전기적으로 접지된 금속네트(metal net)로 덮여져 있다.
플라즈마가의 발생과 동시에 대전된 입자가 흡입포트(12d)를 통과할 때, 전하는 금속네트(38)에 의해 이들 입자로부터 제거된다.
냉각핀(36)이 하부 전극(34)의 하면에 열적으로 접속되고, 에칭동안에 발생된 열이 외부로 방사된다.
종래의 표면처리장치에서, 하부전극(34)에 해당하는 부재가 압력감소공간내에 설치되고, 이 부재의 열을 외부로 방사하기가 힘들어, 이 부재가 수냉방식에 의해 냉각된다.
이러한 종래의 장치에서, 작동수를 순환시키는 파이프, 물을 이송하는 펌프 및 열교환기등을 필요로하여, 장치의 전체크기가 증가한다. 그러나, 본 실시예에서, 하부전극(34)의 하부가 외부에 개방되고, 냉각핀(36)을 이용하여 공냉(air cooled) 방식에 의해 냉각될 수 잇어, 냉각이 조밀한 방식으로 충분히 실행될수 있다.
제8도에서, 하부전극(34)은 하부에 형성된 주변 플랜지(34a)를 지닌다. 플랜지(34a)의 모양과 같은 절연판(37)이 베이스(12)의 하면과 플랜지(34a) 사이에 보간되고, 베이스(12)와 플랜지(34a)가 볼트(43)에 의해 고정된다.
베이스(12)와 하부전극(34)이 절연판(37)에 의해 서로 전기적으로 절연된다.
제10도는 본 발명의 표면처리장치의 일 실시예의 단면도이다. 제10도에서, 리드(13)가 수평상승상태로 유지되고, 공간이 리드(13)과 베이스(12)사이에 형성되며, 기판(6)이 제1 아암(15)에 의해 이송된다.
제1아암(15)과 제2 아암(16)을 이동시키는 이동 메카니즘이 제10도를 참조하여 설명할 것이다.
신장된 선형가이드(44)가 제1도에 도시된 커버(17)내에 제공되고, 이송통로(L)와 평행하게 연장한다. 이동프레임(46)에 고정되게 설치된 슬라이더(45)가 선형가이드와 미끄러질 수 있게 맞물리고, 이동프레임(46)이 이송통로(L) 평행하게(즉, 제10도의 종이에 수직한 방향으로) 이동한다.
이동프레임(46)의 하단은 이송통로(L)에 평행하게 연장한 타이밍벨트(29)에 고정되고, 모터(47)의 구동력이 풀리(pulley)(48)를 통해 타이밍벨트(29)로 전달된다.
샤프트(50)는 이동프레임(46)의 상단부에 설치되어 있고, 제1아암(15)이 이 샤프트(50)에 의해 가장 가까운 단부에 회전할 수 있게 지지되어 있고, 제1아암(15)은 아래쪽으로 향하는 훅크 모양의 말단부를 지닌다. 실린더(52)는 이동프레임(46)에 고정되어 있고, 이런 실린더(51)의 로드(52)는 제1아암(15)의 단부에 연결되어 있다.
따라서, 모터(47)를 구동시킴으로서, 제1아암(15)이 이송통로(L)에 평행하게 왕복으로 이동될 수 있고, 실린더(51)를 구동시켜 로드(52)를 신장 및 수축시킬 때, 제1 아암(15)은 제1 아암(15)이 기판(6)과 분리되는(제10도의 도트 및 점선으로 표시된) 작동위치와 제1 아암(15)이 기판(16)의 단부와 맞물리는(실선으로 표시된) 작동위치 사이로 이동한다.
제1아암(15)을 기판(6)과 맞물려 모터(47)가 구동될 때, 기판(6)은 이송통로(L)를 따라 이송되거나 이동된다. 또한, 제2 아암(16)이 전술된 바와 같이 제1 아암(15)에 대한 타이밍벨트(29)에 고정된다. 따라서, 모터(47)가 구동될 때, 제1 아암(15)과 제2 아암(16)이 수평방향으로 동시에 이동한다.
본 실시예에서, 제1아암(15)과 제2아암(16)은 두 개의 아암(15) 및 (16)이 서로 소정의 거리로 공간을 두는 방식으로 공통타이밍벨트(49)에 연결될지라도, 제1아암(15)과 제2아암(15)이 서로 무관하게 각각의 분리 이동 메카니즘에 의해 이송통로(L)에 평행하게 이동할 수 있다.
제10도에서 팬(53)은 공기난 바람을 냉각핀(36)에 공급한다.
본 실시예에서, 팬(53)은 와이어 본딩 메카니즘(14)로부터 공급매거진(9)쪽으로 향하고, 이 구성에 의해 팬(53)에서 송풍된 공기가 와이어 본딩 메카니즘(14)에 영향을 주지 않는다. 리드(13)가 수평하강 상태로 이동할 때, 리드(13)의 하부 가장자리는 홈(12e)의 0-링(39)과 밀착하게 되어, 시일 공간(K)이 제11도에 도시되어 있듯이 처리실(13c)과 배기실(13d)에 의해 형성된다. 처리실(13c)에서, 전기적으로 접지된 상부전극(32)은 고주파 전압이 공급되기에 적합한 하부전극(34)과 대면하고, 가이드(40) 및 (41)에 의해 지지된 기판(6)은 두 개의 전극(32)과 (34) 사이에 배설된다. 배기실(13d)은 금속네트(38)를 통해 흡입포트(12d)와 연통한다.
본 실시예의 표면처리 장치의 전극은 물론 관련 구성이 제2도를 참조로 설명될 것이다.
제6도 내지 제9도를 참고로 위에서 설명했듯이, 본 실시예의 표면처리장치에서 전기적으로 접지된 상부전극(32) 이 리드(13)에 설치되고, 고주파 전압이 공급되기에 적합한 하부전극(34)은 리드(13)과 대변하는 베이스(12)에 설치되어 있다.
제12도에 도시되어 있듯이, 고주파 전압 인가부(61)가 케이블(35)을 경유하여 하부전극(34)에 연결되어 있다. 고주파 전압인가부(61)는 고주파전압을 발생시키는 고주파 전압원(62)과, 고주파 전압원(62)에 의해 발생한 고주파 전압을 동조하고, 이 전압을 케이블(35)을 경유하여 하부전극(34)으로 출력시키는 튜너(63)을 구비한다.
따라서, 기판(6)이 리드(13)와 베이스(12) 사이에 위치하고, 이 리드(13)가 수평하강위치로 유지되어, 상부전극(32)이 하부전극(34)에서 소정의 거리르 두고, 이런 상태에서, 고주파 전압인가부(16)가 작동할시에 플라즈마는 시일 공간(K)내에서 발생될 수 있다.
고주파 전압 인가부(61)가 작동할 때, 하부전극(34)이 가열되어서, 이때 팬(53)이 하부전극에 열적으로 연결된 냉각핀(36)을 냉각시키기 위해 작동하여, 하부전극(34)이 과도하게 온도가 상승하지 않도록 한다.
베이스(12)에 형성된 가스공급포트(12b)를 경유하여 시일 공간(K)에 아르곤가스를 공급하는 가스공급부(64)와, 배기영역(B)에 형성된 흡입포트(12d)를 통해 시일 공간(K)내의 압력을 제어하는 압력제어부(68)가 제12도 및 제13도를 참고로 설명될 것이다.
가스공급부(64)는 작동가스 역할을 하는 아르곤가스를 저장하는 가스범브(65), 이 가스범브(65)에서 배출된 아르곤가스의 유량 및 압력등을 제어하는 가스 제어부(66) 및, 이 가스제어부(66)를 가스공급포트(12b)에 연결하는 배출 파이프(67)를 포함한다.
가스공급부(64)가 작동될 때, 유량등이 제어된 아르곤가스는 가스공급포트(12b)를 경유하여 시일 공간(K)으로 이송된다. 가스공급포트(12b)는 가스흡입포트(12d)로부터 떨어진 처리영역(A)의 부분에 제공되고, 가스흡입포트(12d)가 처리영역(A)에 인접한 배기영역(B)에 제공된다.
따라서, 아르곤가스는 흡입포트(12d)에 도달하기전에 반드시 처리영역(A)을 통과하여 아르곤가스가 처리영역(A)에 충분히 분배되어서, 아르곤가스의 농도 변화가 낮은 레벨로 유지될 수 있다.
후술되어 있듯이, 흡입포트(12d)에 배출된 아르곤은 단순히 가스 형태가 아니다.
아르곤가스가 처리영역(A)에 공급될 때, 시일 공간(K)이 진공에 가까운 감압상태이고, 고주파 전압이 하부전극(34)에 인가된다. 따라서, 아르곤 가스가 플라즈마로 형성되고, 기판(6)에 대한 에칭(플라즈마 클리닝)을 실행한다.
본 실시예에서, 아르곤가스가 플라즈마 발생에 이용될지라도 어떤 기타 적당한 가스도 이용될 수 있다.
압력제어부(68)는 다음 4개의 라인 도는 시스템을 포함한다.
제1시스템은 진공시스템이다. 특히, 진공펌프(19)의 배출포트가 진공파이프(69)을 경유해 흡입포트(12d)에 연결되어 있다. 진공밸브(70)는 진공파이프(69)의 중간 대향단부에 제공되어 있다. 따라서, 진공펌프(19)가 작동하고, 진공밸브(70)가 개방될 때, 시일 공간(K)내의 압력은 거의 진공상태로 감소한다.
제2시스템은 대기도입(atmosphere-introducing) 시스템이다. 특히, 대기도입파이프(71)는 흡입포트(12d)에 연결되어 있고, 대기도입파이프(71)가 대기도입밸브(72)를 경유하여 대기도입포트(73)에 이른다. 따라서, 대기도입밸브(72)를 개방하여 대기도입포트(73) 및 대기도입파이프(71)을 경유해 상기 진공 시스템에 의해 생성된 진공으로 유지된 시일 공간(K) 대기 또는 주변공기를 도입할 때 시일 공간(K)은 대기압으로 복원된다.
제3 시스템은 압력스위치(74)의 시스템이다. 시일 공강(K)이 대기 도입 시스템에 의해 대기압으로 복원될 때, 압력 스위치(74)는 시일 공간(K)이 대기압으로 복원되는지의 여부를 결정한다. 제4시스템은 진공게이지(75)의 시스템이다. 진공시스템에 의해 시일 공간(K)내의 압력을 감소시킬 때 진공게이지(75)는 시일 공간(K)내의 진공압력을 측정한다. 진공스위치(74)의 제공이 없을 수 있다.
제2도의 선(XIII-XIII)를 따라 취해진 단면도인 제13도에 도시되어 있듯이, 상기 4개의 시스템은 제각기 연결유닛(76)에 형성된 제1포트(76a), 제2포트(76b), 제3포트(76c) 및 제4포트(76d)에 연결되어 있는데 이런 4개의 포트는 아래로 개방되어 있다. 연결유닛(76)에서, 4개의 포트(76a 내지 76d)는 위쪽으로 개방된 공통포트(76e)에 연결되어 있고, 이 공통포트(76e)는 베이스(12)의 흡입포트(12d)에 직접 연결되어 있다.
리드(13)의 수평상승 상태에서 기판(6)이 리드(13)와 베이스(12)사이의 공간에 이송된 다음, 플라즈마 클리닝이 이 기판(6)에 적용되는 작동을 설명하기로 한다.
먼저, 기판(6)이 리드(13)와 베이스(12)사이의 공간에 이송될 때, 기판(6) 이송통로(L)의 부분을 구성하는 가이드(40) 및(41)에 의해 이송통로(L)에 지지된다. 리드(13)가 아직 상승상태에 있을 때, 기판(6) 주변의 대기는 대기압으로 유지된다.
다음, 실린더(23)를 구동시켜 제11도에 도시되어 있듯이 리드(13)의 아래 가장자리를 0-링(39)과 접촉하게 하여, 리드(13) 및 베이스(12)에 의해 시일 공간(K)을 형성한다. 다음 진공펌프(19)가 구동되고, 진공밸브(70)를 개방하여 시일 공간(K)내의 압력을 감소시킨다. 이때에, 시일 공간(K)내의 진공 압력이 진공게이지(75)에의해 모니터된다.
시일 공간(K)내의 압력이 충분히 감소될 때, 가스공급부(64)를 작동시켜 가스공급포트(12b)를 경유하여 시일 공간(K)의 처리실(13c)에 아른곤가스를 공급한다. 다음, 고주파 전압인가부(61)를 작동시켜 고주파 전압을 하부전극(34)에 인가하여, 처리실(13c)에 플라즈마를 발생시킨다. 이런 플라즈마의 하전 입자가 클리닝을 실행한다.
이때에, 하전입자는 흡입포트(12d)쪽으로 비산될 수 있다. 그러나, 접지에 접속된 금속네트(38)가 흡입포트(12d)에 제공되고, 하전 입자의 전기 전하는 이런 하전 입자가 금속네트(38)에 부착될때에 제거되므로, 하전 입자는 진공시스템등에 도달하지 않는다. 이런 상태는 소정의 시간동안 유지된다. 이 시간주기는 충분한 클리닝을 성취하는데 필요하고, 미리 결정된다.
이 시간주기가 경과함과 동시에, 고주파 전압의 인가가 정지되고, 가스공급부(64)로부터의 아르곤가스의 공급이 정지된다. 진공밸브(70)는 폐쇄된다.
다음, 대기도입밸브(72)를 개방하여 대기도입포트(73)를 통해 시일 공간(K)에 대기(주변공기)를 도입한다. 결과적으로, 시일 공간(K)내의 압력이 증가하고, 이때, 압력스위치(74)에 의해 시일 공간(K) 내의 압력이 대기압으로 복귀되었는지의 여부가 판단된다.
다음 시일 공간(K)내의 압력이 대기압으로 복원될 때, 대기도입밸브(72)는 폐쇄되고, 실린더(23)를 구동시켜, 리드(13)를 수평상승 상태로 이동한다.
다음, 표면의 처리된 기판(6)은 리드(13)와 베이스(12) 사이의 공간에서 이동된 다음, 표면처리될 기판(6)은 리드(13)와 베이스(12) 사이의 공간에 이동된다.
다음, 본 실시에의 표면처리장치의 기판(6)의 이송에 대해 제14도와 제15도를 참고로 설명될 것이다. 제14도는 본 발명의 실시예의 이송통로를 도시한 평면도이다.
위에서 설명했듯이, 기판(6)은 주로 이송수단을 구성하는 제1 아암(15) 및 제2 아암(16)에 의해 이송된다. 제1 및 제2 아암(15) 및 (16)은 단일 타이밍벨트(49)에 고정되고, 서로로부터 소정의 거리(t)로 공간을 두고, 이송통로(L)에 평행한 방향으로 일치하여 이동할 수 있다.
제1 및 제2 아암(15) 및 (16)을 제각기 상향 및 하향 이동하는 실린더(51)(제10도 참조)가 제공되어, 제1 및 제2 아암(15) 및 (16)이 서로 무관하게 위, 아래로 이동할 수 있다.
다음 설명에서, 하류측으로부터 순차적으로 제1기판(6X)이 표면처리되고, 와이어 본딩 메카니즘(14)에 의해 와이어 본딩되고, 제2기판(6Y)이 시일 공간(K)에서 표면처리되며, 제3기판(6Z)이 아직 표면처리되지 않고 공급매거진(9)에 수용된다.
제14도에 도시된 위치관계에서, 제1기판(6X)에 와이어 본딩과 제2기판(6X)에 대한 표면처리가 마무리될 때, 리드(13)는 수평상승 상태로 이동한다.
다음, 제15a 도에 도시된 바와 같이, 제2 아암(16)이 제1 기판(6X)과 맞물리게 되고, 제1아암(15)이 제2기판(6Y)과 맞물리게되며, 모터(47)를 구동시켜, (화살표방향(M1)으로) 제1기판(6X)을 수용매거진(receiver magazine)(10)에 공급하고, (화살표방향(M1)으로) 제2기판(6Y)을 와이어 본딩 메카니즘(14)의 전방에 위치로 이동한다. 동시에, 푸시 실린더(11)를 구동시켜, 공급 매거진(9)에서 리드(13)와 베이스(12)사이의 공간쪽으로 제3기판(6Z)을 공급한다.
다음 제15b도에 도시되어 있듯이, 제1아암(15) 및 제2아암(16)을 상승시켜 제1 아암(15)을 (화살표방향(M2)방향으로) 제3기판(6Z)의 후단부 뒤에 위치한 위치로 이동시키는 반면, 제2아암(16)을 (화살표(M2)방향으로)제2 기판(6Y)의 후단부 뒤쪽으로 위치한 위치로 이동시킨다. 다음, 제15c도에 도시되어 있듯이, 제1 및 제2아암(16)을 하강시켜, 제각기 제3기판(6Z) 및 제2기판(6Y)과 접촉시키고, 제1아암(15)에 의해서 제3기판(6Z)을 (화살표방향(M3)으로) 제14도의 제2기판(6Y)의 위치에 대응하는 위치로 이동시키는 반면, 제2아암(16)에 의해서는 제2기판(6Y)을 (화살표(M3)방향으로)제14도의 제1기판(6X)의 위치에 대응하는 위치로 이동시킨다.
다음 제1 및 제2아암(15)및 (16)을 제14도에 도시된 각각의 위치로 복귀시키며, 리드(13)를 수평하강상태로 이동시킨다. 다음 제3기판(6Z)에 대한 표면처리 및 제2 기판(6Y)에 대한 와이어 본딩이 평행한 방식으로 수행된다.
이런 작동을 반복함으로써, 기판이 표면처리된 직후에 순차적으로 와이어 본딩이 행해진다.
따라서, 본 실시예의 와이어 본딩장치에서, 표면처리장치와 와이어 본딩 메카니즘이 이송통로(L)에서 서로 인 라인(in line)으로 배열되어 있고, 표면처리된 기판(6)이 이송통로(L)의 하류측에서 와이어 본딩 메카니즘(14)쪽으로 공급되고, 그것과 거의 동시에 표면처리될 기판(6)이 이송통로(L)의 하류쪽으로 표면처리장치에 공급된다. 따라서, 기판의 표면처리, 이송 및 와이어 본딩이 시간 손실없이 연속적으로 수행되어 생산성이 크게 향상될수 있다.

Claims (49)

  1. 대상물을 이송하기 위한 이송통로를 지닌 베이스, 상기 베이스 위에 제공되어, 상기 베이스의 상면과 접촉 및 분리가 이루어지며, 상기 베이스의 상면상에 대상물을 수용하는 시일 공간을 형성하도록 상기 베이스에 접촉하는 리드, 상기 리드를 상기 베이스와 접촉 분리시키는 맞물림 및 분리메카니즘, 상기 리드가 상기 베이스와 분리될 때 상기 이송통로에 배설된 대상물을 상기 리드 밑의 위치로 이송하고, 상기 위치에서 이송하는 이송메카니즘과, 상기 시일 공간에 배설된 대상물의 전극을 표면처리하는 처리수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 표면 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 리드는 그의 하면에 형성되어 상기 시일 공간을 형성하는 리세스를 가지는 것을 특징으로하는 표면처리장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 시일 공간을 감압으로 진공시키는 배기 메카니즘이 제공되는 것을 특징으로하는 표면처리장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 이송통로는 상기 베이스에 설치되어 상기 대상물을 안내하는 가이드에 의해 형성되고, 시일부는 상기 베이스의 상면에 제공되는데, 상기 시일부튼 상기 리드의 하면과 밀착하는 것을 특징으로하는 표면처리장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 처리 수단은 진공된 상기 시일 공간에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 수단인 것을 특징으로하는 표면처리장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 플라즈마 발생수단은, 상기 이송통로를 형성하는 가이드 아래에 제공된 제1 전극, 상기 가이드위에 제공되어 상기 제1전극에 대향관계로 제공된 제2전극, 상기 제1 및 제2 전극사이에 고주파전압을 인가하는 고주파 전력원과, 플라즈마 발생가스를 진공된 상기 시일 공간에 공급하는 가스공급부를 포함하는 것을 특징으로하는 표면처리장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 가이드는 전기 절연체로 만들어지는 것을 특징으로하는 표면처리장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 이송 메카니즘은 상기 리드가 상기 베이스에서 공간을 두고 있을 때 상기 리드와 상기 베이스 사이의 공간으로 이동하고, 상기 대상물을 상기 이송통로에 이동하는 아암을 포함하는 것을 특징으로하는 표면처리장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 리드의 하면에 설치되는 것을 특징으로하는 표면처리장치.
  10. 베이스에 제공된 이송통로에 대상물을 위치시키고, 리드를 상기 베이스의 상면과 접속시켜서 상기 대상물을 수용하는 시일 공간을 형성하는 단계, 상기 시일 공간을 감압으로 진공시키는 단계, 플라즈마 발생 가스를 진공된 상기 시일 공간내에 공급하는 단계, 상기 대상물 아래에 제공된 제1전극과, 상기 제1전극에 대향관계로 상기 대상물위에 제공된 제2 전극사이에 고주파 전압을 인가하여 플라즈마를 발생시켜서 상기 플라즈마에 의해 상기 대상물의 전극을 표면처리하는 단계, 상기 시일 공간을 대기압으로 복원하여 상기 리드를 상기 베이스와 분리시키는 단계와, 상기 이송통로를 따라 표면처리된 대상물을 이송시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로하는 표면처리방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 표면처리는 대상물의 전극의 표면을 에칭하는 처리인 것을 특징으로하는 표면처리방법.
  12. 베이스, 상기 제1전극의 상면이 노출되는 식으로 상기 베이스에 설치된 제1전극, 이송통로를 형성하도록 상기 제1전극위에 제공되어 대상물을 안내하는 가이드, 리드의 하면에 형성된 리세스를 가진 리드로서, 상기 리세스는 대상물을 수용할 크기를 가지며, 상기 리드와 대상물을 수용하는 시일 공간을 형성하도록 상기 베이스와 접촉하는 리드, 상기 리드를 지지하는 지지 메카니즘 상기 리드를 상기 베이스와 맞물리고 분리하기 위해 상기 지지 메카니즘을 아래 및 위로 이동시키는 맞물림 분리 메카니즘과, 상기 리드의 상기 리세스에 제공된 제2전극, 상기 시일 공간을 감압으로 진공시키는 진공 메카니즘, 플라즈마 발생가스를 진공된 상기 시일 공간에 공급하는 가스공급부와, 상기 제1전극과 상기 제2전극사이에 고주파 전압을 인가하는 고주파 전력원을 구비하는 것을 특징으로하는 표면처리장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기지지 메카니즘은 상기 리세스가 아래쪽 및 수평 또는 위쪽으로 향하도록 상기 리드의 자세(posture)를 변경할 수 있는 것을 특징으로하는 표면처리장치.
  14. 제12항에 있어서, 내부 커버는 상기 리드내의 상기 리세스의 내면에 제거할 수 있게 부착되는 것을 특징으로하는 표면처리장치.
  15. 베이스, 상기 제1전극의 상면 및 하면이 노출되는 식으로 상기 베이스에 설치된 제1전극, 이송통로를 형성하도록 상기 제1전극위에 제공되어 대상물을 안내하는 가이드, 상기 제1전극에 대향관계로 상기 가이드위에 제공된 제2전극, 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 고주파 전압을 인가하는 고주파 전력원, 상기 베이스의 상면과 접촉 및 분리하며, 상기 제1전극의 상면, 상기 가이드 및 상기 제2전극을 수용하는 시일 공간을 형성하도록 상기 베이스에 접촉하는 리드, 상기 리드를 상기 베이스와 접촉 및 분리시키는 맞물림 및 분리 메카니즘, 상기 시일 공간을 감압으로 진공시키는 진공 메카니즘,
    플라즈마 발생 가스를 상기 시일 공간에 공급하는 가스공급부와, 상기 제1전극의 하면을 냉각하는 냉각 수단을 구비하는 것을 특징으로하는 표면처리장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 냉각 수단은 상기 제1전극에 열적으로 연결된 핀(fin)과, 공기를 상기 핀에 송풍하는 팬(fan)을 포함하는 것을 특징으로하는 표면처리장치.
  17. 대상물을 이송하기 위한 이송통로로 지닌 베이스, 상기 베이스 위에 제공되어, 상기 베이스의 상면과 접촉 및 분리가 이루어지며, 상기 베이스의 상면상에 시일 공간을 형성하도록 상기 베이스에 접촉하는 리드, 상기 이송통로의 한 측면에 제공되어 상기 리드를 상기 베이스와 접촉 및 분리시키는 맞물림 및 분리메카니즘, 상기 맞물림 및 분리메카니즘에 대향하는 상기 이송통로의 다른 측면에 제공되고, 상기 리드가 상기 베이스와 분리될 때 상기 이송통로에 배설된 대상물을 상기 리드 밑의 위치로 이송하고, 상기 위치에서 이송하는 이송 메카니즘과, 상기 시일 공간에 배설된 대상물의 전극을 표면처리하는 처리수단을 구비하는 것을 특징으로하는 표면처리장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 리드를 지지하는 지지 메카니즘이 제공되어 있고, 상기 맞물림 및 분리메카니즘은 상기 리드를 상기 베이스와 접촉 및 분리하도록 상기 지지 마케니즘을 아래 및 위로 이동시키는 것을 특징으로하는 표면처리장치.
  19. 제17항에 있어서, 상기 이송 메카니즘은 상기 리드가 상기 베이스로부터 공간을 둘 때 상기 리드와 상기 베이스간의 공간으로 이동하고, 상기 대상물을 상기 이송통로에 이동시키는 아암을 포함하는 것을 특징으로 하는 표면처리장치.
  20. 제17항에 있어서, 상기 리드는 그의 하면에 형성되어 상기 시일 공간을 형성하는 리세스를 가지는 것을 특징으로하는 표면처리장치.
  21. 제17항에 있어서, 상기 시일 공간을 감압으로 진공시키는 배기 메카니즘이 제공되는 것을 특징으로하는 표면처리장치.
  22. 제17항에 있어서, 상기 이송통로는 상기 베이스에 설치되어 상기 대상물을 안내하는 가이드에 의해 형성되고, 시일부는 상기 베이스의 상면에 제공되는 데, 상기 시일부는 상기 리드의 하면과 밀착하는 것을 특징으로하는 표면처리장치.
  23. 제21항에 있어서, 상리 처리 수단은 진공된 상기 시일 공간에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 수단인 것을 특징으로하는 표면처리장치.
  24. 제23항에 있어서, 상기 플라즈마 발생수단은, 상기 이송통로를 형성하는 가이드 아래에 제공된 제1전극, 상기 가이드위에 제공되어 상기 제1전극에 대향관계로 제공된 제2전극, 상기 제1 및 제2 전극사이에 고주파전압을 인가하는 고주파 전력원과, 플라즈마 발생가스를 진공된 상기 시일 공간에 공급하는 가스공급부를 포함하는 것을 특징으로하는 표면처리장치.
  25. 제22항에 있어서, 상기 가이드는 전기 절연체로 만들어지는 것을 특징으로하는 표면처리장치.
  26. 제24항에 있어서, 상기 제2전극은 상기 리드의 하면에 설치되는 것을 특징으로하는 표면처리장치.
  27. 베이스, 상기 제1전극의 상면이 노출되는 식으로 상기 베이스에 설치된 제1전극, 이송통로를 형성하도록 상기 제1전극위에 제공되어 대상물을 안내하는 가이드, 상기 제1전극에 대향관계로 상기 가이드위에 제공된 제2전극, 상기 제1전극과 상기 제2전극사이에 고주파 전압을 인가하는 고주파 전력원, 상기 베이스의 상면과 접촉 및 분리하며 상기 제1전극, 상기 가이드 및 상기 제2전극을 수용하는 시일 공간을 형성하도록 상기 베이스에 접촉하는 리드, 상기 리드를 상기 베이스와 접촉 및 분리시키는 맞물림 및 분리 메카니즘, 상기 리드가 상기 베이스와 분리할 때 상기 가이드를 따라 상기 대상물을 이송시키는 이송 메카니즘, 상기 시일 공간을 감압으로 진공시키는 진공 메카니즘과, 플라즈마 발생 가스를 상기 시일 공간에 공급하는 가스공급부를 구비하는 것을 특징으로하는 표면처리장치.
  28. 제27항에 있어서, 상기 가이드는 전기 절연체로 만들어지는 것을 특징으로하는 표면처리장치.
  29. 제27항에 있어서, 상기 이송 메카니즘은 상기 리드가 상기 베이스에서 공간을 두고 있을 때 상기 리드와 상기 베이스 사이의 공간으로 이동하고, 상기 대상물을 상기 이송 통로에 이동하는 아암을 포함하는 것을 특징으로하는 표면처리장치.
  30. 제27항에 있어서, 상기 제2전극은 상기 리드의 하면에 설치되는 것을 특징으로하는 표면처리장치.
  31. 베이스, 상기 제1전극의 상면이 노출되는 식으로 상기 베이스에 설치된 제1전극, 이송통로를 형성하도록 상기 제1전극위에 제공되어 대상물을 안내하는 가이드, 상기 제1전극에 대향관계로 상기 가이드위에 제공된 제2전극, 상기 제1전극과 상기 제2전극사이에 고주파 전압을 인가하는 고주파 전력원, 상기 베이스의 상면과 접촉 및 분리하며, 상기 제1전극, 상기 가이드 및 상기 제2전극을 수용하는 시일 공간을 형성하도록 상기 베이스에 접촉하는 리드, 상기 리드를 사이 베이스와 접촉 및 분리시키는 맞물림 및 분리 메카니즘, 상기 리드가 상기 베이스와 분리할 때 상기 가이드를 따라 상기 대상물을 이송시키는 이송 메카니즘, 상기 이송 통로에 오프셋 관계로 형성되어 상기 시일 공간과 연통하는 포트부, 상기 시일 공간을 상기 포트부를 통해 감압으로 진공시키는 진공 메카니즘과, 플라즈마 발생 가스를 상기 시일 공간에 공급하는 가스공급부를 구비하는 것을 특징으로하는 표면처리장치.
  32. 제31항에 있어서, 상기 포트부는 상기 베이스에 형성되는 것을 특징으로하는 표면처리장치.
  33. 제31항에 있어서, 상기 가이드는 전기 절연체로 만들어지는 것을 특징으로하는 표면처리장치.
  34. 제31항에 있어서, 상기 이송 메카니즘은 상기 리드가 상기 베이스에서 공간을 두고 있을 때 상기 리드와 상기 베이스 사이의 공간으로 이동하고, 상기 대상물을 상기 이송 통로에 이동하는 아암을 포함하는 것을 특징으로하는 표면처리장치.
  35. 제31항에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 리드의 하면에 설치되는 것을 특징으로하는 표면처리장치.
  36. 제32항에 있어서, 1 리세스가 상기 리드이 하면에 형성되어 있고, 대상물을 수용할 수 있는 크기를 가지며, 상기 제 1리세스보다 크기가 작은 제2 레세스는 또한 상기 리드의 하면에 형성되어 있고, 상기 포트부는 상기 제2 리세스에 대응하는 상기 베이스의 부분에 형성되는 것을 특징으로하는 표면처리장치.
  37. 대상물을 이송하기 위한 이동통로를 지닌 베이스, 상기 이송통로를 따라 제공된 표면처리장치, 상기 이송통로를 따라 상기 표면처리장치와 나란히 배설되고, 와이어를 표면처리된 대상물의 전극에 본딩하는 와이어 본딩 메카니즘 및, 상기 표면처리된 대상물을 상기 표면처리장치에서 상기 와이어 본딩 메카니즘의 정면위치로 이송하는 이송메카니즘을 구비하는데, 상기 표면처리장치는 상기 베이스의 상면과 접촉 및 분리할 수 있고, 상기 베이스의 상면상에 상기 이송통로상에 배설된 대상물을 수용하기 위한 시일 공간을 형성하도록 상기 베이스와 접촉하는 리드, 상기 리드를 상기 베이스와 접촉 및 분리시키는 맞물림 및 분리 메카니즘과, 상기 시일 공간에 배설된 대상물의 전극을 표면처리하는 처리수단을 구비하는 것을 특징으로하는 와이어 본딩 장치.
  38. 제37항에 있어서, 상기 리드는 그의 하면에 형성되어 상기 시일 공간을 형성하는 리세스를 가지는 것을 특징으로하는 와이어 본딩 장치.
  39. 제37항에 있어서, 상기 시일 공간을 감압으로 진공시키는 배기 메카니즘이 제공되는 것을 특징으로하는 와이어 본딩 장치.
  40. 제37항에 있어서, 상기 이송통로는 상기 베이스에 설치되어 상기 대상물을 안내하는 가이드에 의해 형성되고, 시일부는 상기 베이스의 상면에 제공되는 데, 상기 시일부는 상기 리드의 하면과 밀착하는 것을 특징으로하는 와이어 본딩 장치.
  41. 제37항에 있어서, 상기 처리 수단은 진공된 상기 시일 공간에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 수단이 것을 특징으로하는 와이어 본딩 장치.
  42. 제41항에 있어서, 상기 플라즈마 발생수단은, 상기 이송통로를 형성하는 가이드 아래에 제공된 제1전극, 상기 가이드위에 제공되어 상기 제1 전극에 대향관계로 제공된 제2전극, 상기 제1 및 제2 전극사이에 고주파전압을 인가하는 고주파 전력원과, 플라즈마 발생가스를 진공된 상기 시일 공간에 공급하는 가스공급부를 포함하는 것을 특징으로하는 와이어 본딩 장치.
  43. 제42항에 있어서, 상기 가이드는 전기 절연체로 만들어지는 것을 특징으로하는 와이어 본딩 장치.
  44. 제37항에 있어서, 상기 이송 메카니즘은 상기 리드가 상기 베이스에서 공간을 두고 있을 때, 상기 리드와 상기 베이스 사이의 공간으로 이동하고, 상기 대상물을 상기 이송 통로에 이동하는 아암을 포함하는 것을 특징으로하는 와이어 본딩 장치.
  45. 제42항에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 리드의 하면에 설치되는 것을 특징으로하는 와이어 본딩 장치.
  46. 베이스에 제공된 이송통로에 대상물을 위치시키고, 리드를 상기 베이스의 상면과 접촉시켜서 상기 대상물을 수용하는 시일 공간을 형성하는 단계, 상기 시일 공간을 감압으로 진공시키는 단계, 플라즈마 발생 가스를 진공된 상기 시일 공간내에 공급하는 단계, 상기 대상물 아래에 제공된 제1전극과 상기 제1전극에 대향관계로 상기 대상물위에 제공된 제2 전극사이에 고주파 전압을 인가하여 플라즈마를 발생시켜서 상기 플라즈마에 의해 상기 대상물의 전극을 표면처리하는 단계, 상기 시일 공간을 대기압으로 복원하여 상기 리드를 상기 베이스와 분리시키는 단계, 상기 이송통로를 따라 표면처리된 대상물을 와이어 본딩 메카니즘의 정면 위치로 이송시키는 단계와, 상기 와이어 본딩 메카니즘에 의해 와이어를 상기 표면 처리된 대상물의 전극에 본딩하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로하는 와이어 본딩 방법.
  47. 제46항에 있어서, 상기 표면처리는 상기 대상물의 전극의 표면을 에칭하는 처리인 것을 특징으로하는 와이어 본딩 방법.
  48. 제46항에 있어서, 상기 대상물의 전극은 회로 패턴의 표면에 형성된 장벽 금속층 및, 상기 장벽 금속층의 표면에 형성된 금으로 이루어진 층을 포함하는 데, 상기 장벽 금속층은 니켈을 함유하는 것을 특징으로하는 와이어 본딩 방법.
  49. 제48항에 있어서, 금으로 이루어진 상기 층은 치환 무전해 도금방법에 의해 형성되는 것을 특징으로하는 와이어 본딩 방법.
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