JPS62165332A - 集積回路製造装置および方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 集積回路の製造において基本的な問題の一つは粒子状物
体である。この問題は、集積回路の製造工程における二
つの傾向の故にますます困難となっている。第１に、装
置の寸法がますます小さくなるにつれて、ますます小さ
な粒子の存在も避ける必要がある。このことは、クリー
ンルームが実際に清浄であることを保証する仕事をます
ます困難にする。例えば、１ミクロン米およびそれより
も大きい粒子についてクラス１　（２７，０００立方糎
（１立方フイート）に１個の粒子を持っている清浄な室
は、１０ノ−ノ米までの寸法の粒子が１数されるときに
は、クラス１００またはそれ以下となろう。

第２に、大型の集積回路パターンを使用したいという希
望がますます大きくなっている。例えば、３２平方粍（
５０，０００平方ミル）よりも大きな集積回路寸法が今
日では５年前に較べて遥かに普通に使用されている。

したがって、粒子状物体は現在集積回路製造における、
非常に重大な損失源であるだ番」ではなく、その重要性
は来る数年においても非常に急速に増すだろう。それ故
、本発明の目的は、粒子による汚染が少ない集積回路の
製造方法を提供することである。

従来のプラズマエツチング機での共通の問題は粒子状物
体の発生であった。つ■ファの感じ易い活性領域の−Ｆ
の粒子状物体の付着にとって、プラズマエツチングステ
ーションは曲型的に最悪のステーションの中に入る。特
に困難な一つの領域はパシャワーヘッド″ガス配分シス
テムの使用である。そこではガスは、動作中の電極に而
した多数の孔を通してつ■ファの面に配分される。この
構造はウェファの面上で利用することができるプロセス
ガスを高度に均一に配分するのに魅力ある方法であるよ
うに思われるけれども、実際には、プラズマ相反応の重
合性の、またはその他の副生成物がシャワーヘッドの孔
の中に沈着しようとし、吹き出され、ついでウェファ上
に直ちに沈着させられる粒子状物体を発生さける。プロ
セスガスを供給するための他の構造もそれぞれ固有の問
題を持っている。不均一の問題が沢山のガス供給構造物
に共通している。

本発明の新規な教えは、つ■ファの面へのガスの流れは
拡散によって律せられなければならないということであ
る。すなわち、本発明のこの特徴は、ウェファの面上に
いかなるバルクのガスの流れもない、低圧のプラズマエ
ツチング（または反応性イオンエツチング）ステーショ
ンを提供する。

なすわち、（実際にエツチングを行なう希望のイオンお
よびＭｌｌｌｌラジカルを作り出すプラズマ反応に必要
な種類の）供給ガスは（それらが解離に利用される）プ
ラズマの面に近い高電界領域にガス流のバルクな流れに
よってでもなり、（好ましくは）全体として平均的なバ
ルクの流れがない領域の中の乱流の渦の流れによってさ
えもなく、拡散によって輸送される。このことは、ウェ
ファの面へのガスの流れに伴う輸送による粒子状物体の
輸送が大幅に低減されることを意味する。

このプラズマ反応器の他の一つの特徴においては、供給
ガス配分器は絶縁材料で作られる。したがって、供給ガ
ス配分器は、反応ガスの均一な利用の可能性を保証する
のを助けるように、ウェファ面に適当に近く（すなわら
、１枚のウェファの直径よりも少なく離れた所に）位置
させられることができるが、（配分器が電導性の材料で
作られていたら起こるような）供給ガス配分器のすぐ近
くのプラズマの中の暗黒領域で大きな電位降下は起こら
ず、したがって、供給ガス配分器の上の重合性の、また
はその他のプラズマ反応生成物の付着は減少させられる
だろう。このことはそれらの反応生成物のつ１７７面へ
の輸送もまた低下させられるだろうということを意味す
る。

本発明の他の一つの特徴においでは、ウェファは曲を下
に向けた位置でエッチされ、ウェファ面の下にあり、ウ
ェファから離れて吹き出す吹き口を持っているガス配分
器が備えられる。このことは、バルクのガスの流れが下
向きであり、ウェファ面から離れる方向に向かうことを
保証することを助け、したがってつ１７７面への粒子状
物体の輸送の可能性を低下させる。好ましくは真空引き
口（排気口）の配分器の下にある。

本願によって教えられる他の一つの新規な特徴は、面を
下にしたウェファのエツチングのためのプラズマ（また
は反応性イオンエツチング）反応器であり、そこでは、
プラズマが見るアースされた金属の反応室の実質上Ｊべ
ての壁が、反応器を開けたり閉じたりするために、一つ
のユニットとして動く。すなわら、（好ましくは真空用
の）ベローが備えられ、それがウェファに対向する対内
電極を支持し、また室の側壁および（好ましくは）プロ
セスガス配分のための配分器も支持し、そのようにして
それらの部材のすべてが一つのユニットとして動く。ウ
ェファの近くでの機械的に動きを減少さＵることによっ
て粒子状物体の発生が低下させられる。

開閉することができる反応性イオンエツチングの従来技
術は、ウェファを所定の位置にクランプするために、負
型的にはフィードスルーまたはカムのような複雑な機械
的な作動装置を使用するだろう。しかし、本発明におい
ては、動く機械的な部材は弾性的な支持体の上に取り付
けられた（その圧力に抗して短い距離だけ動く）ウェフ
ァ支持ビンであり、プラズマエツチングを開始するため
にプラズマ反応器が封止されるとき、プラズマ室の底の
部分が電圧を印加される電極に当って閉じられることが
できるようになっている。

この実施例の他の一つの新規な特徴は、電圧を印加され
る電極の支持と対となる層として、石英の最上層が室の
ハウジングに備えられていることである。この石英の最
−Ｌ層は室の中のアース面の面積に対する電圧を印加さ
れる電極面積の高い面積比を維持することを助け、この
ことは当業者にはよく知られている、電圧を印加される
電極上の高いイオン衝撃を与える。この高い衝撃は非等
方性のウーファーツチングを助＆」るのに好ましい。

ここでの石英の使用は、それが広範な紫外線波長に対し
て透明であり、したがって光学的終点検出もプラズマエ
ツチング操作の操作員の監視も容易となる点でさらに有
利である。

石英の最上層はまた、イオン衝撃の優れた均一性を与え
るように形成される。すなわち、プラズマは、ウェファ
の面から数糎離れた所では、石英の壁によって、つ■フ
ァとほぼ同じ幅を持った円筒形に閉じ込められる。プラ
ズマのこの平行化はイオン衝撃の改善された均一性を与
え、このことはより均一なエツチングの利点となる。石
英（またその他の高温誘電体）で作られた壁はこの平行
化に特によく適している。それらは金属性の壁よりも少
なくプラズマと相互作用を起こすからである。

他の一つの新規な特徴は、軽微なヘリウム流出口が好ま
しくはウェファの裏側に形成されることである。このヘ
リウムは真空下でウェファと電圧を印加される電極の間
の優れて均一な熱的接触を保証する。

本発明によれば、裏側を電圧を印加される電極に隣接し
て設けられ、部分的に製造された集積回路を含むウェフ
ァを面を下に向けて支持するためのウェファ支持、反応
器の側壁に対して固定した位置にベースプレートによっ
て支持され、上記電圧を印加される電極にほぼ対向する
ように位置させられたアース電極、および上記アルスミ
極に対して固定されているガス配分器を含み、上記アー
ス電極および側壁が、上記電圧を印加される電極と側壁
の間で真空封止を行なうために、−上記電圧を印加され
る電極に向かって−っのユニットとして動くことができ
る、集積回路のプラズマに伴うエツチングのための装置
が提供される。

本発明によれば、部分的に製造された集積回路−〇　　
− を含むウェファを面を下にして保持づるにうに形成され
た支持、上記つ■ファに高周波電力を伝達するための接
続、および上記ウェファ面の近くでガスを流出させるよ
うに接続された開口を含むガス配分器を含み、上記ガス
配分器が本質的に非導電性の材料から成っているプラズ
マ反応器もまた提供される。

本発明によれば、裏側を電圧を印加される電極に隣接し
て設けられ、部分的に製造された集積回路を含むウェフ
ァを向を下に向番」で支持するためのウェファ支持、反
応器の側壁に対して固定されているベースプレートによ
って支持され、上記電圧を印加される電極にほぼ対向す
るように位置させられたアース電極、および本質的に非
導電性の材料から成り、を配アース電極に対して固定さ
れているガス配分器を含み、上記ガス配分器は−［記ウ
ェファ面の近くでガスを流出さけるように接続された開
口を含み、上記アース電極および側Ｗ！は、上記電圧を
印加される電極と側壁の間で真空封止を行なうために、
上記電圧を印加される電極に向かつて一つのコニットと
して動くことができる、集積回路のプラズマに伴うエツ
チングのための装置もまた提供される。

本発明によれば、ウェファを面を下にして支持し、上記
支持されたウェファの下側に隣接する室にプロセスガス
の流れを供給し、上記ウェファの下側の付近でプラズマ
を発生させるために、上記室に高周波電力を供給するＴ
程を含み、上記プロセスガス（および上記プロセスガス
の反応生成物の上記ウェファの上記面への輸送が拡散に
よって律せられる、集積回路構造物のプラズマに伴うエ
ツチングのための方法もまた提供される。

以下に、図面を参照しながら、本発明が一層詳細に説明
される。

本発明は半導体製造装置に重要な新しい概念を提供する
。ここで、好ましい実施例が詳細に議論されるが、これ
らの実施例に含まれている新しい概念は他の沢山の実施
例の中でも使用されることができ、本発明の範囲が示さ
れた特定の実施例に限定されないことは評価されなけれ
ばならない。

第１図は、反応性イオンエツチングのｌこめに使用する
ことができる、ただ一つの薄板形の反応器として本発明
の見本の実施例を示Ｊ。（非常に良く似た反応器の設訂
がプラズマエツチングのために、ずなわち１３．３Ｐａ
（１００ｍＴｏｒｒ）よりも高い圧力でのエツチングの
ために使用されることができる。）゛′プラズマエツチ
ング″およびパ反応性イオンエツチング″（または’Ｒ
ＩＦ”）という詔は業界では時としては区別して用いら
れている。ＲＩＥはイオン衝撃が大きい条例でのエツチ
ング、すなわち低圧で、電圧を印加される電極に取り付
けられたウェファを用いるエツチングに関して用いられ
る。この区別は本出願では厳密には守られない。本出願
によって教えられる複数の新規な特徴のうちのいくつか
はＲＩ　Ｅ　、Ｔツチング過程に関連してより有利であ
る（）れども、本発明は通常区別されるプラズマエツチ
ングとＲＩ　Ｅ　エツチングの両者に適用される。

（成句（Ａｒｄｅｌのような耐久性の重合体で作られた
）テーパ付きのビン５０の土につ■ファを置いた後で、
室１１２．アース電極１１０１ガス配分器１２０１ベー
スプレー］〜１３８、および最上層プレート１１４を含
む下のアセンブリの全体が、例えば（図には示されてい
ない）空気シリンダまたは真空フィードスルーを使って
、上に動かされる。成句く、ベロー１２４が、この垂直
運動がエッチステーションの外側への真空封止インター
フェースを維持しながら起こるようにする。この垂直運
動がビン５０の上にとどまっているウェファの裏側に電
圧を印加される電極と接触させるようにし、この点でテ
ーパ付きビン５０の下側に取り付けられている滑動ビン
支持１３０は板ばね１３２に抗して僅かに引っこむ。（
ウェファが電圧を印加される電極１１８に余りに強い力
で押し付けられないように、ビン支持１３０の中に少量
の弾力を保証するために、板ばね１３２の代わりに他の
弾性的な部材を使用することができるだろう。）このア
センブリの上向きの運動の最後の部分が封止１３４に室
１１２の最上層にある石英の板１１４と電圧を印加され
る電極１１８を取り囲んでいる石英の板１１６の間の閉
じを形成させる。

ヘリウム供給源をつ■ファの裏側に接続するために、成
句くヘリウム流出ボー１〜１３４が備えられる。このヘ
リウムの供給は、電圧を印加される電極１１８の低い点
とつ■ファの間の空間が真空ではなくて、ヘリウムで満
たされることを意味し、このことが適当に低い熱抵抗、
およびつＪファど電圧を印加される電極１１８の間の頻
繁に繰り返されることができる熱的接触を保証する。電
圧を印加される電極１１８は、成句く、冷却材マニフオ
ルド室１３６を含んでおり、それに冷却材が供給される
ことができる。

本発明のそれに代る実施例においては、テーパ付きのビ
ン５０は弾性的な部材１３２によって支持された滑動ビ
ン支持の上に取り付けられてはいず、固定されている。

ヘリウム流出口１３４かウェファの裏側と電圧を印加さ
れる電極１１８の表面の間の優れた熱的接触を保証する
から、数十ミクロン米の公差はウェファとの電極１１８
の優れた高周波結合をなお可能にし、電極１１８とつ■
ファの間の優れた熱的接触をなお可能にするだろう。こ
の大きさの許容値は、室の−１−の部分に対する下の部
分の信頼できる封止をなお可能にするように、室の壁の
熱膨張封止の厚さの変化、ウェファの厚さの変化等に対
して十分な許容量を与えなＧＪればならない。この実施
例においては、ウェファの面に隣接するプラズマの横方
向の広がりを最小にするように、石英の板１１４と１１
６が僅かに異なるように形成されるのが好ましいことに
は注意しなければならない。しかしながら、ここで好ま
しい実施例は滑動ビン支持１３０を使用する。

それらは、第２図に示されているように、石英の片１１
４かプラズマをウェファ４８の面のすぐ近くに閉じ込め
ることができるようにする。

第２図は、プロセスのためにウェファ４８をその中に保
持して含み、閉じた状態にある第１図のプロセスステー
ションの上の部分を示す。反応器を閉じた後で、ボート
１３４を通してヘリウムの流出を開始することができる
。同時に、プロセスガス配分器１２０を通して希望のプ
ロセスガスを供給することができる。

この好ましい実施例においてはプロレスガス配分器１２
０は石英で作られ、したがってそれは存在Ｊ−る高周波
電力から渦電流を拾わない。そのうえ、石英表面は高い
絶縁性を持っているから、石英の近くのプラズマの境界
は、アースされた導電性の部Ｈの近くのプラズマの境界
が持つ程高い電圧も、それ程大きなそれを横切る電流も
持たないだるう。このことは、石英の近くのプラズマに
伴う反応は、アースされた導電性の部材の近く程の高い
率では起こらないだろうということを意味し、したがっ
て沈着は減少させられる。

石英は可成り良い熱絶縁体であり、したがって受は器の
温度は（プラズマからの放射によって）１００または２
００　℃まで、ト昇させられる。このことは有利である
。配分器の温度を上げることはその上の沈着をさらに低
下さけるからである。

好ましい操作条件（１，３乃至１３．３ｍＰａ（１０乃
至１００ミクロン〉の圧力および４００　　　　　’ｈ
至８００ワットの印加電力）の下では、発生するプラズ
マは電圧を印加される電極１１８とアース電極１１０の
間の至を可成り均一に満たす。

そのようにして、ガス配分器１２０はプラズマの最も淵
い部分に突き出ず。ガス配分器１２０は、酸相く、ベー
スプレート１３８に取り付けられたガス接続１４０に下
に向かって導く中空の支持を持った、処理されるウェフ
ァの直径の多分半分のリングである。

好ましくは、迅速接続構造が石英製の配分器１２０のた
めに備えられ、そのようにしてそれは迅速かつ容易に希
望のように変えられることができる。

ガス配分器１２０は、その好ましい実施例では約４′ｍ
だけつ■ファの表面から離れて設けられる。

ガス配分器１２０のこの間隔および正確な形状、および
ガス配分器上のボート１２２０間隔のいずれもクリティ
カルではない。これらのパラメータは、希望されるとき
には、変えられることができる。しかし、それが変更さ
れるときは、プロセスガスおよびプロセスガス生成物の
ガス配分器１２０の中のボー１〜１２２からの拡散が、
１）プロセスガスおよびプロセスガス生成物のウェファ
４８の面におけるプラズマ境界への、拡散で律せられる
輸送、および ２）ウェファ４８の面に続くプラズマ境界へのプロ［ス
ガスおよびプロセスガス生成物の可成り均一な濃度を与
える ように選ばれなければならない。例えば、ウェファの面
からの配分器の間隔は、１から１５糎までの範囲のどこ
かにあるだろう。

これらの低圧条件の下で、プラズマと接触している電極
１１８の面積（この実施例では、実質上ウェファ４８の
面積と同じであや。）とアースされた電極の面積（この
実施例では、実質上アース電極１１０の面積、プラス室
の壁１１２の内側面積およびベースプレート１３８の露
出した一トの面積である。）の間の高い面積比を与えら
れて、プラズマ衝撃の高い密度がウェファ４８の面で起
こるだろう。当業者にはよく知られているように、この
イオン衝撃はエツチング中希望の非等方性効果を得るこ
とを助ける。

アースの平面電極１１０は、酸相く、電極１１０の内部
のマニフォルド空胴に接続された冷却材の線１５０を使
って冷却される。付加の冷却が必要なときは、壁１１２
もまた冷却されるだろう。

前に記載されたような、下のエツチング室１１０．１１
２，１３８，１２０．１１４１７）全体の垂直運動を可
能にするように、線１５０は酸相く可撓のホースである
ことには注意しなければならない。接続１４０を通じて
ガス配分器１２０にプロセスガスを供給するガス供給管
１５０もまた、酸相く、同じ理由から可撓である。これ
らのボースの彎曲が過度の粒子状物体を発生させること
が見られるときは、ベロー１２４の外のベースプレート
１３８の側面を通してのガスの供給をその代わりに使用
することができるだろう。

第３図は、第１図の反応器の平面図を示す。ガス配分器
１２０の形状はこの平面図でより明瞭に見ることができ
る。ベースプレート１３８が、ガス供給ボーｈ　１２２
がら真空ポンプベローへの通路を与える、アース電極１
１０の縁の回りの実質的な空間を含んでいることもまた
見ることかできる。

この反応器の中の全体のガスの流れはウェファの面から
下向きであり、このことが粒子状物体を減少させること
を助ける。

希望のエツチング操作が完了した後で、ガス配分器１２
０を通してのガスの供給は遮断され、反応器の圧力は周
囲の圧力と平衡させられ、反応器は開かれ、つ■ファが
取り出される。プロセスステーションの熱的な安定のた
め、または起こり得る懸濁した粒子状物体を放出するた
めに、反応器が開かれる前に、選択的に保持時間が介在
させられる。

したがって、本発明は以」−挙げられた利点およびそれ
に加えてその他の利点のすべてを提供する。

本発明は非常に広範に修正され、変更されることができ
、その範囲は特許請求の範囲の欄に特定されたものに限
定されることはない。

以上の説明に関連して更に以下の項を開示する。

（１）　　裏側を電圧を印加される電極に隣接して設け
られ、部分的に！ｉｌ造された集積回路を含むウェファ
を面を下に向けて支持するためのウェファ支持、 反応器の側壁に対して固定した位置にベースプレートに
よって支持され、上記電圧を印加される電極にほぼ対向
するように位置させられたアース電極、および 上記アース電極に対して固定されているガス配分器、 を含み、上記アース電極および側壁が、上記電圧を印加
される電極と側壁の間で真空封止を行なうために、上記
電圧を印加される電極に向かって一つのユニツ１−とし
て動くことができる、集積回路のプラズマに伴うエツチ
ングのための装置。

（２）部分的に製造された集積■路つェファを面を下に
して保持するように形成された支持、　　′上記ウェフ
ァに高周波電力を伝達するための接続、および １２９１９７面の近くでガスを流出させるように接続さ
れた開口を含むガス配分器 を含み、上記ガス配分器が本質的に非導電性の材料から
成っている プラズマ反応器。

（３）　　裏側を電圧を印加される電極に隣接して設け
られ、部分的に製造された集積回路を含むウェファを面
を下に向けて支持するためのウェファ支持、 反応器の側壁に対して固定した位置にベースプレートに
よって支持され、上記電圧を印加される電極にほぼ対向
するように位置させられたアース電極、および 本質的に非導電性の材料から成り、上記アース電極に対
して固定されているガス配分器を含み、上記ガス配分器
は、上記つ■ファ向の近くでガスを流出させるように接
続された開口を含み、□上記アース電極および側壁は、
上記電圧を印加される電極と側壁の間で真空封止を行な
うために、上記電圧を印加される電極に向かって一つの
ユニットとして動くことができる、集積回路のプラズマ
に伴うエツチングのための装置。

（４）　　上記プロセスガスを排出するための孔が上記
ウェファに向かって尖っていない、第２項記載のプラズ
マ反応器。

（５）　　上記プロセスガスを排出するための孔が上記
ウェファに向かって尖っていない、第３項記載のプラズ
マ反応器。

（６）　　上記つ■ファ支持が上記側壁に隣接する土の
面に可撓に取り句けられている、第１項記載のプラズマ
反応器。

（７）　　上記−トの面が上記側壁に取り付【」られた
石英の板を含んでいる、第６項記載の反応器。

（８）　　ざらに上記ガス配分器の下の排気ポー１〜を
含む、第２項記載の反応器。

（９）　　さらに上記ガス配分器の下の排気ポートを含
む、第３項記載の反応器。

（１０）上記ガス配分器の上記開口が上記ウェファの上
記面からそれぞれ１糎以上離れており、上記開口の大部
分が上記ウェファによって上記ウェファの直径より小さ
い距離だけ離れている、第２項記載の反応器。

（１１）上記ガス配分器の上記開口が上記ウェファの−
上記面からそれぞれ１ｌｌｆｆ１以上離れており、上記
開口の大部分が−１−記ウエファによって上記つ■ファ
の直径より小ざい距離だけ離れている、第３項記載の反
応器。

（１２）さらに、上記電圧を印加される電極の付近に、
上記ウェファの裏側にヘリウムを供給するように位置さ
せられているヘリウム流出ボートを含む、第１項記載の
反応器。

（１３）さらに、上記電圧を印加される電極の付近に、
上記ウェファの裏側にヘリウムを供給するように位置さ
Ｕられているヘリウム流出ポートを含む、第２項記載の
反応器。

（１４）さらに、−［記つ■ファの近くに石英の側壁を
含み、 上記石英の側壁が上記ウェファの近くでプラズマを］リ
メーｌ−するように位置させられている、第１項記載の
反応器。

（１５）さらに、上記つ１フアの近くに石英の側壁＝　
２４− を含み、 十舊ｄ石英の側壁が上記ウェファの近くでプラズマをコ
メリー１〜するように位置させられている第２項記載の
反応器。

（１６）さらに、上記ウェファの近くに石英の側壁を含
み、 上記石英の側壁が上記ウェファの近くでプラズマを」リ
メー１〜するように位置させられている第３項記載の反
応器。

（１７）ウェファを面を下にして支持し、上記支持され
たつ■ファの下側に隣接する室、にプロセスガスの流れ
を供給し、 上記ウェファの下側の付近でプラズマを発生させるため
に、上記室に高周波電力を供給する工程を含み、上記プ
ロセスガス（および、上記プロセスガス）の反応生成物
の上記ウェファの上記面への輸送が拡散によって律せら
れる集積回路構造物のプラズマに伴うエツチングのため
の方法。

（１８）ヘリウムが、上記＾周波電力印加中、上記電圧
を印加される電極の付近で上記つ■ファの裏側に供給さ
れる 第１７項記載の方法。

（１９）さらに希望のエツチング過程が完了した後で、
−［記つ■ファを上記反応器から取り出す前に１３３０
Ｐａ　（１０Ｔｏｒｒ）以下５３２　Ｐａ　（４Ｔｏｒ
ｒ）までの圧力に上記プロセス室をポンプ引きする工程
を含む第１７項記載の方法。

（２０）上記ガスが上記ガス配分器が上記プラズマの中
に突き出すような圧力で供給され、上記配分器がそのよ
うな位置に置かれている 第１７項記載の方法。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による反応性イオンエッチ機の見本の実
施例を示す図、第２図は実際のエッチプロセス中のよう
に、閉じた状態にある第１図のプラズマ反応器を示す、
図、第３図は第１図の反応器の平面図である。 ４８・・・つ■ファ、５０・・・ビン、１１０・・・ア
ース電極、１１２・・・室、１１４・・・最上段（石英
）プレート、１１６・・・石英プレート、１１８・・・
電圧を印加される電極、１２０・・・ガス配分器、１２
２・・・ボート、１２４・・・ベロー、１３０・・・滑
動ビン支持、１３２・・・板ばね、１３４・・・ヘリウ
ム流出ポーＩ〜、１３６・・・冷却材マニフオルド室、
１３８・・・ベースプレート、１４０・・・ガス接続、
１５０・・・ガス供給管。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）裏側を電圧を印加される電極に隣接して設けられ
   、部分的に製造された集積回路を含むウエフアを面を下
   に向けて支持するためのウエフア支持、反応器の側壁に
   対して固定した位置にベースプレートによつて支持され
   、上記電圧を印加される電極にほぼ対向するように位置
   させられたアース電極、および 上記アース電極に対して固定されているガス配分器 を含み、上記アース電極および側壁が、上記電圧を印加
   される電極と側壁の間で真空封止を行なうために、上記
   電圧を印加される電極に向かつて一つのユニットとして
   動くことができる、 ことを特徴とする、集積回路のプラズマに伴うエッチン
   グのための装置。
2. （２）ウエフアを面を下にして支持し、 上記支持されたウエフアの下側に隣接する室にプロセス
   ガスの流れを供給し、 上記ウエフアの下側の付近でプラズマを発生させるため
   に、上記室に高周波電力を供給する工程を含み、上記プ
   ロセスガス（および上記プロセスガスの反応生成物）の
   上記ウエフアの、上記面への輸送が拡散によつて律せら
   れる ことを特徴とする、集積回路構造物のプラズマに伴うエ
   ッチングのための方法。