JPH084086B2 - 集積回路製造装置および方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は集積回路製造装置および方法に関する。

集積回路の製造において基本的な問題の一つは粒子状
物体である。この問題は、集積回路の製造工程における
二つの傾向の故にますます困難となつている。第１に、
装置の寸法がますます小さくなるにつれて、ますます小
さな粒子の存在も避ける必要がある。このことは、クリ
ーンルームが実際に清浄であることを保証する仕事をま
すます困難にする。例えば、１ミクロン米およびそれよ
りも大きい粒子についてクラス１（27,000立方糎（１立
方フイート）に１個の粒子を持つている清浄な室は、10
ナノ米までの寸法の粒子が計数されるときには、クラス
100またはそれ以下となろう。

第２に、大型の集積回路パターンを使用したいという
希望がますます大きくなつている。例えば、32平方粍
（50,000平方ミル）よりも大きな集積回路寸法が今日で
は５年前に較べて遥かに普通に使用されている。

したがつて、粒子状物体は現在集積回路製造におけ
る、非常に重大な損失源であるだけではなく、その重要
性は来る数年においても非常に急速に増すだろう。それ
故、本発明の目的は、粒子による汚染が少ない集積回路
の製造方法を提供することである。

従来のプラズマエツチング機での共通の問題は粒子状
物体の発生であつた。ウエフアの感じ易い活性領域の上
の粒子状物体の付着にとつて、プラズマエツチングステ
ーシヨンは典型的に最悪のステーシヨンの中に入る。特
に困難な一つの領域は“シヤワーヘツド”ガル配分シス
テムの使用である。そこではガスは、動作中の電極に面
した多数の孔を通してウエフアの面に配分される。この
構造はウエフアの面上で利用することができるプロセス
ガスを高度に均一に配分するのに魅力ある方法であるよ
うに思われるけれども、実際には、プラズマ相反応の重
合性の、またはその他の副生成物がシヤワーヘツドの孔
の中に沈着しようとし、吹き出され、ついでウエフア上
ち直ちに沈着させられる粒子状物体を発生させる。プロ
セスガスを供給するための他の構造もそれぞれ固有の問
題を持つている。不均一の問題が沢山のガス供給構造物
に共通している。

本発明の新規な教えは、ウエフアの面へのガスの流れ
は拡散によつて律せられなければならないということで
ある。すなわち、本発明のこの特徴は、ウエフアの面上
にいかなるバルクのガスの流れもない、低圧のプラズマ
エツチング（または反応性イオンエツチング）ステーシ
ヨンを提供する。なすわち、（実際にエツチングを行な
う希望のイオンおよび遊離ラジカルを作り出すプラズマ
反応に必要な種類の）供給ガスは（それらが解離に利用
される）プラズマの面に近い高電界領域にガス流のバル
クな流れによつてでもなく、（好ましくは）全体として
平均的なバルクの流れがない領域の中の乱流の渦の流れ
によつてさえもなく、拡散によつて輸送される。このこ
とは、ウエフアの面へのガスの流れに伴う輸送による粒
子状物体の輸送が大幅に低減されることを意味する。

このプラズマ反応器の他の一つの特徴においては、供
給ガス配分器は絶縁材料で作られる。したがつて、供給
ガス配分器は、反応ガスの均一な利用の可能性を保証す
るのを助けるように、ウエフア面に適当に近く（すなわ
ち、１枚のウエフアの直径よりも少なく離れた所に）位
置させられることができるが、（配分器が電導性の材料
で作られていたら起こるような）供給ガス配分器のすぐ
近くのプラズマの中の暗黒領域で大きな電位降下は起こ
らず、したがつて、供給ガス配分器の上の重合性の、ま
たはその他のプラズマ反応生成物の付着は減少させられ
るだろう。このことはそれらの反応生成物のウエフア面
への輸送もまた低下させられるだろうということを意味
する。

本発明の他の一つの特徴においては、ウエフアは面を
下に向けた位置でエツチされ、ウエフア面の下にあり、
ウエフアから離れて吹き出す吹き口を持つているガス配
分器が備えられる。このことは、バルクのガスの流れが
下向きであり、ウエフア面から離れる方向に向かうこと
を保証することを助け、したがつてウエフア面への粒子
状物体の輸送の可能性を低下させる。好ましくは真空引
き口（排気口）の配分器の下にある。

本願によつて教えられる他の一つの新規な特徴は、面
を下にしたウエフアのエツチングのためのプラズマ（ま
たは反応性イオンエツチング）反応器であり、そこで
は、プラズマが見るアースされた金属の反応室の実質上
すべての壁が、反応器を開けたり閉じたりするために、
一つのユニツトとして動く。すなわち、（好ましくは真
空用の）ベローが備えられ、それがウエフアに対向する
対向電極を支持し、また室の側壁および（好ましくは）
プロセスガス配分のための配分器も支持し、そのように
してそれらの部材のすべてが一つのユニツトとして動
く。ウエフアの近くでの機械的に動きを減少させること
によつて粒子状物体の発生が低下させられる。

開閉することができる反応性イオンエツチングの従来
技術は、ウエフアを所定の位置にクランプするために、
典型的にはフイードスルーまたはカムのような複雑な機
械的な作動装置を使用するだろう。しかし、本発明にお
いては、動く機械的な部材は弾性的な支持体の上に取り
付けられた（その圧力に抗して短い距離だけ動く）ウエ
フア支持ピンであり、プラズマエツチングを開始するた
めにプラズマ反応器が封止されるとき、プラズマ室の底
の部分が電圧を印加される電極に当つて閉じられること
ができるようになつている。

この実施例の他の一つの新規な特徴は、電圧を印加さ
れる電極の支持と対となる層として、石英の最上層が室
のハウジングに備えられていることである。この石英の
最上層は室の中のアース面の面積に対する電圧を印加さ
れる電極面積の高い面積比を維持することを助け、この
ことは当業者にはよく知られている、電圧を印加される
電極上の高いイオン衝撃を与える。この高い衝撃は非等
方性のウエフアエツチングを助けるのに好ましい。ここ
での石英の使用は、それが広範な紫外線波長に対して透
明であり、したがつて光学的終点検出もプラズマエツチ
ング操作の操作員の監視も容易となる点でさらに有利で
ある。

石英の最上層はまた、イオン衝撃の優れた均一性を与
えるように形成される。すなわち、プラズマは、ウエフ
アの面から数糎離れた所では、石英の壁によつて、ウエ
フアとほぼ同じ幅を持つた円筒形に閉じ込められる。プ
ラズマのこの平行化はイオン衝撃の改善された均一性を
与え、このことはより均一なエツチングの利点となる。
石英（またその他の高温誘電体）で作られた壁はこの平
行化に特によく適している。それらは金属性の壁よりも
少なくプラズマと相互作用を起こすからである。

他の一つの新規な特徴は、軽微なヘリウム流出口が好
ましくはウエフアの裏側に形成されることである。この
ヘリウムは真空下でウエフアと電圧を印加される電極の
間の優れて均一な熱的接触を保証する。

本発明によれば、裏側を電圧を印加される電極に隣接
して設けられ、部分的に製造された集積回路を含むウエ
フアを面を下に向けて支持するためのウエフア支持、反
応器の側壁に対して固定した位置にベースプレートによ
つて支持され、上記電圧を印加される電極にほぼ対向す
るように位置させられたアース電極、および上記アース
電極に対して固定されているガス配分器を含み、上記ア
ース電極および側壁が、上記電圧を印加される電極と側
壁の間で真空封止を行なうために、上記電圧を印加され
る電極に向かつて一つのユニツトとして動くことができ
る、集積回路のプラズマに伴うエツチングのための装置
が提供される。

本発明によれば、部分的に製造された集積回路を含む
ウエフアを面を下にして保持するように形成された支
持、上記ウエフアに高周波電力を伝達するための接続、
および上記ウエフア面の近くでガスを流出させるように
接続された開口を含むガス配分器を含み、上記ガス配分
器が本質的に非導電性の材料から成つているプラズマ反
応器もまた提供される。

本発明によれば、裏側を電圧を印加される電極に隣接
して設けられ、部分的に製造された集積回路を含むウエ
フアを面を下に向けて支持するためのウエフア支持、反
応器の側壁に対して固定されているベースプレートによ
つて支持され、上記電圧を印加される電極にほぼ対向す
るように位置させられたアース電極、および本質的に非
導電性の材料から成り、上記アース電極に対して固定さ
れているガス配分器を含み、上記ガス配分器は上記ウエ
フア面の近くでガスを流出させるように接続された開口
を含み、上記アース電極および側壁は、上記電圧を印加
される電極と側壁の間で真空封止を行なうために、上記
電圧を印加される電極に向かつて一つのユニツトとして
動くことができる、集積回路のプラズマに伴うエツチン
グのための装置もまた提供される。

本発明によれば、ウエフアを面を下にして支持し、上
記支持されたウエフアの下側に隣接する室にプロセスガ
スの流れを供給し、上記ウエフアの下側の付近でプラズ
マを発生させるために、上記室に高周波電力を供給する
工程を含み、上記プロセスガス（および上記プロセスガ
スの反応生成物の上記ウエフアの上記面への輸送が拡散
によつて律せられる、集積回路構造物のプラズマに伴う
エツチングのための方法もまた提供される。

以下に、図面を参照しながら、本発明が一層詳細に説
明される。

本発明は半導体製造装置に重要な新しい概念を提供す
る。ここで、好ましい実施例が詳細に議論されるが、こ
れらの実施例に含まれている新しい概念は他の沢山の実
施例の中でも使用されることができ、本発明の範囲が示
された特定の実施例に限定されないことは評価されなけ
ればならない。

第１図は、反応性イオンエツチングのために使用する
ことができる、ただ一つの薄板形の反応器として本発明
の見本の実施例を示す。（非常に良く似た反応器の設計
がプラズマエツチングのために、すなわち13.3Pa（100m
Torr）よりも高い圧力でのエツチングのために使用され
ることができる。）“プラズマエツチング”および“反
応性イオンエツチング”（または“RIE"）という語は業
界では時としては区別して用いられている。RIEはイオ
ン衝撃が大きい条件でのエツチング、すなわち低圧で、
電圧を印加される電極に取り付けられたウエフアを用い
るエツチングに関して用いられる。この区別は本出願で
は厳密には守られない。本出願によつて教えられる複数
の新規な特徴のうちのいくつかはRIEエツチング過程に
関連してより有利であるけれども、本発明は通常区別さ
れるプラズマエツチングとRIEエツチングの両者に適用
される。

（成可くArdelのような耐久性の重合体で作られた）
テーパ付きのピン50の上にウエフアを置いた後で、室11
2,アース電極110、ガス配分器120、ベースプレート13
8、および最上層プレート114を含む下のアセンブリの全
体が、例えば（図には示されていない）空気シリンダま
たは真空フイードスルーを使つて、上に動かされる。成
可く、ベロー124が、この垂直運動がエツチステーシヨ
ンの外側への真空封止インターフエースを維持しながら
起こるようにする。この垂直運動がピン50の上にとどま
つているウエフアの裏側に電圧を印加される電極と接触
させるようにし、この点でテーパ付きピン50の下側に取
り付けられている滑動ピン支持130は板ばね132に抗して
僅かに引つこむ。（ウエフアが電圧を印加される電極11
8に余りに強い力で押し付けられないように、ピン支持1
30の中に少量の弾力を保証するために、板ばね132の代
わりに他の弾性的な部材を使用することができるだろ
う。） このアセンブリの上向きの運動の最後の部分が封止13
4に室112の最上層にある石英の板114と電圧を印加され
る電極118を取り囲んでいる石英の板116の間の閉じを形
成させる。

ヘリウム供給源をウエフアの裏側に接続するために、
成可くヘリウム流出ポート134が備えられる。このヘリ
ウムの供給は、電圧を印加される電極118の低い点とウ
エフアの間の空間が真空ではなくて、ヘリウムで満たさ
れることを意味し、このことが適当に低い熱抵抗、およ
びウエフアと電圧を印加される電極118の間の頻繁に繰
り返されることができる熱的接触を保証する。電圧を印
加される電極118は、成可く、冷却材マニフオルド室136
を含んでおり、それに冷却材が供給されることができ
る。

本発明のそれに代る実施例においては、テーパ付きの
ピン50は弾性的な部材132によつて支持された滑動ピン
支持の上に取り付けられてはいず、固定されている。ヘ
リウム流出口134かウエフアの裏側と電圧を印加される
電極118の表面の間の優れた熱的接触を保証するから、
数十ミクロン米の公差はウエフアとの電極118の優れた
高周波結合をなお可能にし、電極118とウエフアの間の
優れた熱的接触をなお可能にするだろう。この大きさの
許容値は、室の上の部分に対する下の部分の信頼できる
封止をなお可能にするように、室の壁の熱膨張封止の厚
さの変化、ウエフアの厚さの変化等に対して十分な許容
量を与えなければならない。この実施例においては、ウ
エフアの面に隣接するプラズマの横方向の広がりを最小
にするように、石英の板114と116が僅かに異なるように
形成されるのが好ましいことには注意しなければならな
い。しかしながら、ここで好ましい実施例は滑動ピン支
持130を使用する。それらは、第２図に示されているよ
うに、石英の片114かプラズマをウエフア48の面のすぐ
近くに閉じ込めることができるようにする。

第２図は、プロセスのためにプラズマ48をその中に保
持して含み、閉じた状態にある第１図のプロセスステー
シヨンの上の部分を示す。反応器を閉じた後で、ポート
134を通してヘリウムの流出を開始することができる。
同時に、プロセスガス配分器120を通して希望のプロセ
スガスを供給することができる。

この好ましい実施例においてはプロセスガス配分器12
0は石英で作られ、したがってそれは存在する高周波電
力から渦電流を拾わない。そのうえ、石英表面は高い絶
縁性を持つているから、石英の近くのプラズマの境界
は、アースされた導電性の部材の近くのプラズマの境界
が持つ程高い電圧も、それ程大きなそれを横切る電流も
持たないだろう。このことは、石英の近くのプラズマに
伴う反応は、アースされた導電性の部材の近く程の高い
率では起こらないだろうということを意味し、したがつ
て沈着は減少させられる。

石英は可成り良い熱絶縁体であり、したがつて受け器
の温度は（プラズマからの放射によつて）100または200
℃まで上昇させられる。このことは有利である。配分器
の温度を上げることはその上の沈着をさらに低下させる
からである。

好ましい操作条件（1.3乃至13.3mPa（10乃至100ミク
ロン）の圧力および400乃至800ワツトの印加電力）の下
では、発生するプラズマは電圧を印加される電極118と
アース電極110の間の室を可成り均一に満たす。そのよ
うにして、ガス配分器120はプラズマの最も濃い部分に
突き出す。ガス配分器120は、成可く、ベースプレート1
38に取り付けられたガス接続140の下に向かつて導く中
空の支持を持つた、処理されるウエフアの直径の多分半
分のリングである。

好ましくは、迅速接続構造が石英製の配分器120のた
めに備えられ、そのようにしてそれは迅速かつ容易に希
望のように変えられることができる。

ガス配分器120は、その好ましい実施例では約４糎だ
けウエフアの表面から離れて設けられる。ガス配分器12
0のこの間隔および正確な形状、およびガス配分器上の
ポート122の間隔のいずれもクリテイカルではない。こ
れらのパラメータは、希望されるときには、変えられる
ことができる。しかし、それが変更されるときは、プロ
セスガスおよびプロセスガス生成物のガス配分器120の
中のポート122からの拡散が、 １） プロセスガスおよびプロセスガス生成物のウエフ
ア48の面におけるプラズマ境界への、拡散で律せられる
輸送、および ２） ウエフア48の面に続くプラズマ境界へのプロセス
ガスおよびプロセスガス生成物の可成り均一な濃度を与
える。

ように選ばれなければならない。例えば、ウエフアの面
からの配分器の間隔は、１から15糎までの範囲のどこか
にあるだろう。

これらの低圧条件の下で、プラズマと接触している電
極118の面積（この実施例では、実質上ウエフア48の面
積と同じである。）とアースされた電極の面積（この実
施例では、実質上アース電極110の面積、プラス室の壁1
12の内側面積およびベースプレート138の露出した上の
面積である。）の間の高い面積比を与えられて、プラズ
マ衝撃の高い密度がウエフア48の面で起こるだろう。当
業者にはよく知られているように、このイオン衝撃はエ
ツチング中希望の非等方性効果を得ることを助ける。

アースの平面電極110は、成可く、電極110の内部のマ
ニフオルド空胴に接続された冷却材の線150を使つて冷
却される。付加の冷却が必要なときは、壁112もまた冷
却されるだろう。

前に記載されたような、下のエツチング室110,112,13
8,120,114の全体の垂直運動を可能にするように、線150
は成可く可撓のホースであることには注意しなければな
らない。接続140を通じてガス配分器120にプロセスガス
を供給するガス供給管150もまた、成可く、同じ理由か
ら可撓である。これらのホースの彎曲が過度の粒子状物
体を発生させることが見られるときは、ベロー124の外
のベースプレート138の側面を通してのガスの供給をそ
の代わりに使用することができるだろう。

第３図は、第１図の反応器の平面図を示す。ガス配分
器120の形状はこの平面図でより明瞭に見ることができ
る。ベースプレート138が、ガス供給ポート122から真空
ポンプベローへの通路を与える、アース電極110の縁の
回りの実質的な空間を含んでいることもまた見ることが
できる。

この反応器の中の全体のガスの流れはウエフアの面か
ら下向きであり、このことが粒子状物体を減少させるこ
とを助ける。

希望のエツチング操作が完了した後で、ガス配分器12
0を通してのガスの供給は遮断され、反応器の圧力は周
囲の圧力と平衡させられ、反応器は開かれ、ウエフアが
取り出される。プロセスステーシヨンの熱的な安定のた
め、または起こり得る懸濁した粒子状物体を放出するた
めに、反応器が開かれる前に、選択的に保持時間が介在
させられる。

したがつて、本発明は以上挙げられた利点およびそれ
に加えてその他の利点のすべてを提供する。本発明は非
常に広範に修正され、変更されることができ、その範囲
は特許請求の範囲の欄に特定されたものに限定されるこ
とはない。

以上の説明に関連して更に以下の項を開示する。

（１） 裏側を電圧を印加される電極に隣接して設けら
れ、部分的に製造された集積回路を含むウエフアを面を
下に向けて支持するためのウエフア支持、 反応器の側壁に対して固定した位置にベースプレート
によつて支持され、上記電圧を印加される電極にほぼ対
向するように位置させられたアース電極、および 上記アース電極に対して固定されているガス配分器、 を含み、上記アース電極および側壁が、上記電圧を印加
される電極と側壁の間で真空封止を行なうために、上記
電圧を印加される電極に向かつて一つのユニツトとして
動くことができる、集積回路のプラズマに伴うエツチン
グのための装置。

（２）部分的に製造された集積回路ウエフアを面を下に
して保持するように形成された支持、 上記ウエフアに高周波電力を伝達するための接続、お
よび 上記ウエフア面の近くでガスを流出させるように接続
された開口を含むガス配分器 を含み、上記ガス配分器が本質的に非導電性の材料から
成つている プラズマ反応器。

（３） 裏側を電圧を印加される電極に隣接して設けら
れ、部分的に製造された集積回路を含むウエフアを面を
下に向けて支持するためのウエフア支持、 反応器の側壁に対して固定した位置にベースプレート
によつて支持され、上記電圧を印加される電極にほぼ対
向するように位置させられたアース電極、および 本質的に非導電性の材料から成り、上記アース電極に
対して固定されているガス配分器 を含み、上記ガス配分器は、上記ウエフア面の近くでガ
スを流出させるように接続された開口を含み、上記アー
ス電極および側壁は、上記電圧を印加される電極と側壁
の間で真空封止を行なうために、上記電圧を印加される
電極に向かつて一つのユニツトとして動くことができ
る、集積回路のプラズマに伴うエツチングのための装
置。

（４） 上記プロセスガスを排出するための孔が上記ウ
エフアに向かつて尖つていない、第２項記載のプラズマ
反応器。

（５） 上記プロセスガスを排出するための孔が上記ウ
エフアに向かつて尖つていない、第３項記載のプラズマ
反応器。

（６） 上記ウエフア支持が上記側壁に隣接する上の面
に可撓に取り付けられている、第１項記載のプラズマ反
応器。

（７） 上記上の面が上記側壁に取り付けられた石英の
板を含んでいる、第６項記載の反応器。

（８） さらに上記ガス配分器の下の排気ポートを含
む、第２項記載の反応器。

（９） さらに上記ガス配分器の下の排気ポートを含
む、第３項記載の反応器。

（10） 上記ガス配分器の上記開口が上記ウエフアの上
記面からそれぞれ１糎以上離れており、上記開口の大部
分が上記ウエフアによつて上記ウエフアの直径より小さ
い距離だけ離れている、第２項記載の反応器。

（11） 上記ガス配分器の上記開口が上記ウエフアの上
記面からそれぞれ１糎以上離れており、上記開口の大部
分が上記ウエフアによつて上記ウエフアの直径より小さ
い距離だけ離れている、第３項記載の反応器。

（12） さらに、上記電圧を印加される電極の付近に、
上記ウエフアの裏側にヘリウムを供給するように位置さ
せられているヘリウム流出ポートを含む、第１項記載の
反応器。

（13） さらに、上記電圧を印加される電極の付近に、
上記ウエフアの裏側にヘリウムを供給するように位置さ
せられているヘリウム流出ポートを含む、第２項記載の
反応器。

（14） さらに、上記ウエフアの近くに石英の側壁を含
み、 上記石英の側壁が上記ウエフアの近くでプラズマをコ
リメートするように位置させられている、第１項記載の
反応器。

（15） さらに、上記ウエフアの近くに石英の側壁を含
み、 上記石英の側壁が上記ウエフアの近くでプラズマをコ
メリートするように位置させられている 第２項記載の反応器。

（16） さらに、上記ウエフアの近くに石英の側壁を含
み、 上記石英の側壁が上記ウエフアの近くでプラズマをコ
リメートするように位置させられている 第３項記載の反応器。

（17） ウエフアを面を下にして支持し、 上記支持されたウエフアの下側に隣接する室にプロセ
スガスの流れを供給し、 上記ウエフアの下側の付近でプラズマを発生させるた
めに、上記室に高周波電力を供給する 工程を含み、上記プロセスガス（および上記プロセス
ガス）の反応生成物の上記ウエフアの上記面への輸送が
拡散によつて律せられる集積回路構造物のプラズマに伴
うエツチングのための方法。

（18） ヘリウムが、上記高周波電力印加中、上記電圧
を印加される電極の付近で上記ウエフアの裏側に供給さ
れる 第17項記載の方法。

（19） さらに希望のエツチング過程が完了した後で、
上記ウエフアを上記反応器から取り出す前に1330Pa（10
Torr）以下532Pa（4Torr）までの圧力に上記プロセス室
をポンプ引きする工程を含む第17項記載の方法。

（20） 上記ガスが上記ガス配分器が上記プラズマの中
に突き出すような圧力で供給され、上記配分器がそのよ
うな位置に置かれている 第17項記載の方法。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による反応性イオンエツチ機の見本の実
施例を示す図、第２図は実際のエツチプロセス中のよう
に、閉じた状態にある第１図のプラズマ反応器を示す
図、第３図は第１図の反応器の平面図である。 48……ウエフア、50……ピン、110……アース電極、112
……室、114……最上段（石英）プレート、116……石英
プレート、118……電圧を印加される電極、120……ガス
配分器、122……ポート、124……ベロー、130……滑動
ピン支持、132……板ばね、134……ヘリウム流出ポー
ト、136……冷却材マニフオルド室、138……ベースプレ
ート、140……ガス接続、150……ガス供給管。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フエツト ビー．ジヤツチヤ アメリカ合衆国テキサス州セレステ，ルー ト １，ボツクス 113−１エイ (56)参考文献 特開 昭59−64779（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−32410（ＪＰ，Ａ)

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】裏側を電圧を印加される電極に隣接して設
   けられ、部分的に製造された集積回路を含むウェファ面
   を下に向けて支持するためのウェファ支持、 反応器の側壁に対して固定した位置にベースプレートに
   よって支持され、上記電圧を印加される電極にほぼ対向
   するように位置させられたアース電極、および 上記アース電極に対して固定されているガス配分器 を含み、 前記ガス配分器は該ガス配分器を通過するガスを下向き
   にかつ前記ウェファから離れる方向に向ける開口を有
   し、 上記アース電極および側壁が、上記電圧を印加される電
   極と側壁の間で真空封止を行なうために、上記電圧を印
   加される電極に向かって一つのユニットとして動くこと
   ができる、 ことを特徴とする、集積回路のプラズマ支援エッチング
   のための装置。
2. 【請求項２】ウェファを面を下にして支持し、 上記支持されたウェファの下側に隣接する室にプロセス
   ガスの流れを供給し、 上記ウェファの下側の付近でプラズマを発生させるため
   に、上記室に高周波電力を供給する 工程を含み、上記プロセスガスは、開口パターンと圧力
   の使用により、下向きにかつ上記ウェファから離れる方
   向に輸送されるよう供給される ことを特徴とする、集積回路のプラズマ支援エッチング
   の方法。