CN115298797A - 用于等离子体处理的工件支撑系统及其使用方法 - Google Patents

用于等离子体处理的工件支撑系统及其使用方法 Download PDF

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Abstract

一个示例中，等离子体处理腔室的工件支撑结构具有上端和下端以及在该上端和下端之间延伸的第一支撑构件和第二支撑构件。这些支撑构件彼此电气隔离，并且沿着水平方向彼此偏移，以在其间限定空腔。该第一支撑构件和第二支撑构件在空腔内支撑电极，以使得：(1)这些电极沿着竖直方向彼此偏移；(2)这些电极沿着第一水平方向在第一支撑构件与第二支撑构件之间延伸；(3)第一组电极电耦合到该第一支撑构件并且与该第二支撑构件电气隔离；以及(4)与该第一组电极不同的第二组电极电耦合到该第二支撑构件并且与该第一支撑构件电气隔离。

Description

用于等离子体处理的工件支撑系统及其使用方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2020年1月9日提交的美国临时专利申请第62/958,865的优先权，该申请的公开内容通过参见的方式并入本文，就好像其全部内容在本文中阐述一样。
技术领域
本发明总地涉及等离子体处理，特别是涉及用于处理衬底的等离子体处理系统和方法。
背景技术
等离子体处理经常用于改变在多种应用(包括但不限于集成电路、电子封装和印刷电路板)中使用的衬底的表面特性。特别地，等离子体处理可以用于电子封装，例如蚀刻树脂、去除钻屑、增加表面活化和/或表面清洁度，以消除分层和键合故障、提高引线键合强度、确保对附接到印刷电路板的芯片进行无空隙基部填充、去除表面的氧化物、增强裸片的附着力、并且提高芯片封装的粘着力。
在传统的等离子体处理系统中，将多个衬底放置在真空室内，该真空室内被抽真空并充满部分压力的源气体，在真空室内生成由部分电离的源气体构成的等离子体，并且每个衬底的表面均暴露于等离子体簇。通过物理溅射、化学辅助溅射和等离子体促进的化学反应从每个衬底中去除原子的最外表面层。物理或化学作用可以用于调节表面，以改善诸如附着力之类的特性，以选择性地去除外来的表面层，或从衬底表面清除不期望的污染物。
在传统的等离子体处理系统中，料盒保持多个面板，使得每个面板均处于垂直定向中，并且面板沿着水平方向彼此间隔开。将料盒插入到具有多个垂直平面电极的等离子体处理腔室中，使得每个面板均接纳在一对垂直平面电极之间。这些电极由处理系统的处理腔室中存在的合适气氛激发，以生成等离子体。每个平面垂直电极和面板的相邻表面之间的环境提供局部处理腔室，在该局部处理腔室中，存在部分电离的源气体。
在制造半导体衬底期间可以使用等离子体处理。由传统的处理系统在每个衬底的整个表面区域上实现的处理均匀性虽然足以满足其预期目的，但随着技术的进步可能会不足。
发明内容
在一个示例中，工件支撑系统构造成可移除地接纳在等离子体处理系统的腔室中。该工件支撑系统包括沿着竖直方向彼此偏移的上端和下端。该工件支撑系统包括在上端和下端之间延伸的第一支撑构件和第二支撑构件，该第一支撑构件和第二支撑构件沿着第一水平方向彼此偏移，使得在上端和下端之间以及在第一支撑构件和第二支撑构件之间限定空腔，并且该第一支撑构件和第二支撑构件彼此电气隔离。该第一支撑构件和第二支撑构件构造成在该空腔内支撑电极，使得这些电极沿着竖直方向彼此偏移，这些电极沿着第一水平方向在第一支撑构件和第二支撑构件之间延伸，第一组电极电耦合到第一支撑构件并且与第二支撑构件电气隔离，并且不同于第一组电极的第二组电极电耦合到第二支撑构件并且与第一支撑构件电气隔离。
另一示例是等离子体处理产品的方法。该方法包括将工件支撑系统插入到等离子体处理系统的腔室中的步骤。该工件支撑系统具有第一支撑构件和第二支撑构件，该第一支撑构件和第二支撑构件沿着竖直方向延伸，沿着水平方向彼此偏移并且彼此电气隔离。该第一支撑构件和第二支撑构件在该工件支撑系统的空腔内支撑多个电极，其中，这些电极沿着竖直方向彼此偏移并且沿着水平方向在第一支撑构件和第二支撑构件之间延伸。该方法包括将该腔室的第一电触件电耦合到该第一支撑构件，使得第一组电极电耦合到该第一支撑构件并且与该第二支撑构件电气隔离的步骤。该方法包括将该腔室的第二电触件电耦合到该第二支撑构件，使得与第一组电极不同的第二组电极电耦合到该第二支撑构件并且与该第一支撑构件电气隔离的步骤。该方法包括这样的步骤：通过至少部分排空该腔室内的气氛、将源气体输送到电极之间以及向该腔室的第一电触件和第二电触件中的至少一个供电来操作等离子体处理系统，以在该第一支撑构件和第二支撑构件之间建立电压差。
附图说明
当结合附图阅读时，可以更好地理解说明性示例的以下描述。应当理解的是，所公开的系统和方法的潜在示例不限于所示出的那些。
图1示出了根据一个示例的等离子体处理系统的简化示意图；
图2示出了根据一个示例的图1所示等离子体处理系统的腔室的立体图，其中，腔室的门打开；
图3示出了根据一个示例的图1所示等离子体处理系统的腔室的立体图，其中，腔室的门闭合；
图4示出了根据一个示例的图1所示等离子体处理系统的工件支撑系统的正视立体图；
图5示出了图4的工件支撑系统的后视立体图，其中，端盖附接到该工件支撑系统；
图6示出了图2的腔室的内部部分的立体图；
图7示出了图2的腔室的一部分的剖切立体图；
图8示出了根据一个示例的图4的工件支撑系统的示意性正视图，其中图1的等离子体处理系统的腔室的上触件和下触件与该工件支撑系统的上端和下端相接触；以及
图9示出了根据一个示例的操作图1的系统的方法的简化流程图。
具体实施方式
虽然传统的等离子体处理系统已足以满足其预期目的，但仍需要一种等离子体处理系统，该等离子体系统能够提高在每个衬底的整个表面区域上以及在任何单个处理批次的衬底中处理的多个衬底之间的处理均匀性。还需要能够在更短的时间段内执行等离子体处理操作的系统。
参照图1，示出了根据一个示例的等离子体处理系统100的简化示意图。该等离子体处理系统100包括等离子体处理腔室102，该等离子体处理腔室在其中限定空腔104。该空腔104可以构造成在其中支撑至少一个工件支撑系统200(例如，如图2到图5所示)，该工件支撑系统200支撑待等离子体处理的产品，并且在一些示例中，该空腔可以构造成支撑两个或更多个工件支撑系统200。在一些示例中，该等离子体处理系统100可以包括工件支撑系统200，但应当理解的是，该等离子体处理系统100和工件支撑系统200也可以彼此分开地分布。如以下将进一步详细描述的，工件支撑系统200可以包括支撑结构202和构造成由支撑结构202支撑的多个电极250a、250b。工件支撑结构202可以限定料盒，该料盒构造成可移除地接纳在空腔104中。然而，在其它示例中，工件支撑系统200可以在空腔104内部固定地附接到该等离子体处理腔室102，或者可以是等离子体处理腔室102的一部分或与等离子体处理腔室102成一体。
等离子体处理系统100包括真空泵送系统106，该真空泵送系统构造成在等离子体处理操作期间，至少部分地排空该空腔104内的气氛。例如，真空泵送系统106可以构造成在空腔104内至少抽取部分真空。等离子体处理系统100包括源气体输送系统108，该源气体输送系统构造成在等离子体处理操作期间，将源气体输送到空腔104。该等离子体处理系统100可以包括能量供应系统110，例如射频(RF)发生器，该能量供应系统构造成向空腔104中的工件支撑系统200供电。该等离子体处理系统100可以包括控制器112，该控制器构造成控制真空泵送系统106、源气体输送系统108和能量供应系统110中的一个或多个、甚至全部的操作，以执行等离子体处理操作。
转向图2和图3，等离子体处理腔室102可以包括沿着竖直方向V彼此相对的基部102a和顶部102b。该等离子体处理腔室102可以包括在基部102a和顶部102b之间延伸的至少一个侧壁102c。例如，至少一个侧壁102c可以从基部102a延伸到顶部102b。至少一个侧壁102c可以在基部102a和顶部102b之间限定空腔104。例如，至少一个侧壁102c可以至少部分地围绕空腔104延伸。该等离子体处理腔室102可以包括腔室门102d，该腔室门可以打开，以通达等离子体处理腔室102内的空腔104，并且该腔室门可以关闭，以提供将空腔104与周围环境隔离的流体密封。在图3中，腔室门102包括玻璃面板，使得该腔室的内部是可见的；然而，应当理解的是，该腔室门并非必须包括玻璃面板。该腔室门102d可以定位成例如通过至少一个侧壁102c、通达基部102a和顶部102b之间的空腔104。在一个示例中，如图所示，该等离子体处理腔室102可以具有盒状形状，其中，至少一个侧壁102c围绕空腔104延伸。例如，至少一个侧壁102c可以限定沿着第一方向彼此相对的第一侧和第二侧，以及在该第一侧和第二侧之间延伸的背面。腔室门102d可以设置在该等离子体处理腔室102的、与背面相对的正面处。应当理解的是，在替代示例中，该等离子体处理腔室102可以是圆柱形的或具有任何其它合适的形状。
如图6所示，对于每个工件支撑系统200，该等离子体处理腔室102可以包括至少一个第一电触件114和至少一个第二电触件116。该至少一个第一电触件114和至少一个第二电触件116可以以任何合适的方式定位，以电耦合到该工件支撑系统200的第一支撑构件210和第二支撑构件212。图2、图3和图6示出了一个示例，其中，至少一个第一电触件114和至少一个第二电触件116各自定位成接合该工件支撑系统200的下端。至少一个第一电触件114接合第一支撑构件210，并且至少一个第二电触件116接合第二支撑构件212。在该示例中，等离子体处理腔室102构造成将工件支撑系统200接纳在空腔104中，使得工件支撑系统200搁置在该至少一个第一电触件114和至少一个第二电触件116上。此外，至少一个第一电触件114和至少一个第二电触件116在位置上固定在腔室102内。在其它示例中，如将在下文参照图8描述的，至少一个第一电触件114和至少一个第二电触件11中的一个或两个可以以其它方式定位，和/或可以构造成移入和移出与工件支撑系统200的接合。
至少一个第一电触件114构造成电耦合到工件支撑系统200的第一支撑构件210，并且至少一个第二电触件116构造成电耦合到工件支撑系统200的第二支撑构件212。因此，腔室102构造成使得在等离子体处理操作期间，腔室102向第一电触件114施加的电荷不同于向第二电触件116施加的电荷。因此，第一电触件114构造成向第一支撑构件210施加第一电荷，并且至少一个第二电触件116构造成向第二支撑构件212施加不同于第一电荷的第二电荷。第一电触件114和第二电触件116中的一个可以是通电的电触件，并且第一电触件114和第二电触件116中的另一个可以是接地电触件。因此，第一电触件114和第二电触件116中的一个可以构造成将第一支撑构件210和第二支撑构件212中的相应一个接地。在另一示例中，第一电触件114和第二电触件116可以各自是通电的电触件，其中，由第一电触件114向工件支撑系统200供应的电力不同于由第二电触件116向工件支撑系统200供应的电力。
现在转向图4和图5，示出了等离子处理工件支撑系统200的示例。工件支撑系统200包括支撑结构202，该支撑结构202构造成可移除地接纳在该等离子体处理系统100的腔室102中。支撑结构202可以是在其中限定空腔204的外壳。工件支撑系统200可以包括多个电极250a、250b，这些电极250a、250b被构造成被支撑在支撑结构202内。因此，该支撑结构202可以构造成在空腔204中支撑多个电极250a、250b。
支撑结构202具有沿着竖直方向V彼此偏移的下端202a和上端202b。支撑结构202具有沿着第一水平方向H1彼此偏移的第一侧202c和第二侧202d。支撑结构202可以具有沿着第二水平方向H2彼此偏移的第一端202e和第二端202f，该第二水平方向垂直于第一水平方向H1。空腔204可以在第一端202e和第二端202f之间延伸。例如，空腔204可以延伸穿过第一端202e和第二端202f中的一个或两个，使得空腔204在第一端202e和第二端202f中的一个或两个处限定开口。因此，第一端202e和第二端202f中的一个或两个可以打开，以允许源气体通过其中进入空腔204。
在一些示例中，如图5所示，支撑结构200可以包括至少一个可移除端盖203、例如一对可移除端盖。每个端盖203均可以构造成可移除地附接到第一端202e和第二端202f中的一个，以便闭合或阻塞在第一端202e和第二端202f的一个处的开口的至少一部分。因此，每个端盖203可以构造成，当附接到第一端202e和第二端202f中的一个时，端盖203与电极250a、250b和/或由电极支撑的产品形成干涉，以防止电极250a、250b和/或产品在运输支撑结构200时无意滑出空腔204。例如，在电极250a、250b固定地附接到支撑结构200、以使得电极250a、250b无法相对于支撑结构200移动的示例中，端盖203可以防止由电极250a、250b支撑的产品滑出空腔204。在电极250a、250b可移动地附接到支撑结构200，以使得电极250a、250b能够相对于支撑结构200移动的示例中，端盖203可以防止电极250a、250b滑出空腔204。可以在等离子体处理操作之前，例如在将支撑结构200接纳在空腔104中之前，将端盖203中的一个或两个移除。
第一侧202c和第二侧202d在下端202a和上端202b之间延伸。例如，第一侧202c和第二侧202d可以从下端202a延伸到上端202b。第一侧202c和第二侧202d在第一端202e和第二端202f之间延伸。例如，第一侧202c和第二侧202d可以从第一端202e延伸到第二端202f。空腔204可以在第一侧202c和第二侧202d之间延伸。第一侧202c和第二侧202d可以各自限定从中穿过的多个槽，这些槽允许源气体通过其中进入空腔204。然而，发明人已经发现这些槽对于在支撑于支撑结构202中的产品的整个表面上获得均匀的等离子体处理并非是必须的。因此，第一侧202c和第二侧202d中的每个在其从上端延伸到下端并且从前端延伸到后端时都可以是实心的。换言之，侧部202c和侧部202d可以不具有槽或开口，这些槽或开口完全延伸穿过其中并且开通到空腔204。
支撑结构200具有在下端202a和上端202b之间延伸的第一支撑构件210和第二支撑构件212。第一支撑构件210和第二支撑构件212沿着第一水平方向H1彼此间隔开，使得空腔204限定在下端202a和上端202b之间以及第一支撑构件210和第二支撑构件212之间。例如，第一侧壁202c和第二侧壁202d可以限定第一支撑构件210和第二支撑构件212。在其它示例中，第一支撑构件210和第二支撑构件212可以与第一侧壁202c和第二侧壁202d分开。支撑结构200还可以具有顶部211和基部213。顶部211和基部213可以沿着竖直方向V彼此间隔开。在一个示例中，支撑结构200可以包括手柄209，手柄209附接到顶部211。
第一支撑构件210和第二支撑构件212彼此电气隔离。第一支撑构件210和第二支撑构件212构造成在空腔204内支撑电极250a、250b，使得电极250a、250b沿着竖直方向V彼此偏移，并且沿着第一水平方向H1在第一支撑构件210和第二支撑构件212之间延伸。当由第一支撑构件210和第二支撑构件212支撑时，第一组电极250a电耦合到第一支撑构件210并且与第二支撑构件212电气隔离，而第二组电极250b与第一组电极不同，该第二组电极电耦合到第二支撑构件212并且与第一支撑构件210电气隔离。
第一支撑构件210和第二支撑构件212构造成沿着竖直方向V将第一组电极250a和第二组电极250b以交替布置的方式支撑。例如，第一支撑构件210和第二支撑构件212可以构造成在第二组的不同对电极250b之间，支撑第一组中的各个电极250a。类似地，第一支撑构件210和第二支撑构件212可以构造成在第一组的不同对电极250a之间，支撑第二组中的各个电极250b。第一支撑构件210和第二支撑构件212可以构造成可移除地附接到第一组电极250a和第二组电极250b，尽管在替代示例中，第一支撑构件210和第二支撑构件212也可以固定地附接到电极250a、250b。
电极250a、250b可以可移除地附接到第一支撑构件210和第二支撑构件212。例如，第一支撑构件210和第二支撑构件212中的每个可以限定沿着竖直方向V彼此偏移的联接器214。第一支撑构件210和第二支撑构件212的联接器214可以构造成在其中接合电极250a、250b的边缘，以支撑电极250a、250b。在一个示例中，联接器214中的每个可以限定凹部，该凹部构造成在其中接纳电极250a、250b的一个的边缘，以支撑电极250a、250b。例如，由第一支撑构件210所限定的凹部214沿着第一水平方向H1，远离第二支撑构件212延伸到第一支撑构件210中，并且由第二支撑构件212所限定的凹部214沿着第一水平方向H1，远离第一支撑构件210延伸到第二支撑构件212中。第一支撑构件210的每个联接器214可以沿着第一水平方向H1，与第二支撑构件212的对应联接器214对准。在替代示例中，联接器214可以是除凹部之外的特征件，例如构造成夹持到电极250a、250b上的夹具。
在又一些其它示例中，每个电极250a、250b均可以固定地附接到第一支撑构件210和第二支撑构件212中的相应一个。例如，每个电极250a可以固定地附接到第二支撑构件212，并且每个电极250b可以固定地附接到第一支撑电极210。每个电极250a、250b可以通过焊接、锡焊或任何其它合适的方法固定到第一支撑构件210和第二支撑构件212中的相应一个，或者可以与第一支撑构件210和第二支撑构件212中的相应一个成一体，从而与第一支撑构件210和第二支撑构件212中的相应一个形成单个一体单元。
支撑结构202可以限定第一电触件218，该第一电触件218构造成接纳腔室102的第一电触件114，从而将支撑结构202的第一电触件218和腔室102的第一电触件114布置成彼此电连通。在一个示例中，支撑结构202的第一电触件218可以是限定在支撑结构202的下端202a处的下电触件，如图4所示。支撑结构202的第一电触件218可以由支撑结构202的第一侧202c限定，例如由第一支撑构件210限定。
第一电触件218可以是任何合适的电触件。作为一个示例，在图4和图7中，第一电触件218可以包括至少一个接触表面219。在一些示例中，至少一个接触表面219可以限定在容座中或可以限定容座，并且该容座可以具有任何合适的形状，尽管在其它示例中，例如图8所示，至少一个接触表面219并非必须限定在容座中。图4和图7示出了具有三角形形状的容座的一种构造，该容座构造成接纳腔室102的第一电触件114。第一电触件114包括延伸到腔室102的空腔104中的突起114a。该突起可以呈销的形状或者可以具有另一合适的形状。当工件支撑结构202接纳在空腔104中时，突起114a接触该容座的至少一个接触表面219。电触件114可以可选地包括对准主体114b，该对准主体构造成接合工件支撑结构202，例如容座，从而当工件支撑结构202接纳在腔室102的空腔104中时，使得电触件114与接触表面219对准。对准主体114b可以具有与第一电触件218的容座的形状一致的形状。例如，对准主体114b可以具有相对于竖直方向V成角度的至少一个斜面。在一个特定示例中，对准主体114b可以是具有相对斜面的三角形主体，尽管应该理解的是，对准主体114b也可以具有另一合适的形状。对准主体114b可以是绝缘的或者可以是导电的。
工件支撑结构202的第一电触件218电耦合到第一支撑构件210，使得支撑结构202的第一电触件218构造成将腔室102的第一电触件114与第一支撑构件210电耦合。支撑结构202构造成将第一支撑构件210与第二支撑构件212电气隔离，并且因此当腔室102的第一电触件114电耦合到支撑结构202的第一电触件218时、与腔室102的至少一个第二电触件116电气隔离。在一个示例中，下端202a包括下绝缘体222，该下绝缘体222构造成将第一支撑构件210与第二支撑构件212电气隔离。附加地或替代地，上端202b包括上绝缘体220，该上绝缘体220构造成将第一支撑构件210与第二支撑构件212电气隔离。
支撑结构200的顶部211可以电耦合到第一支撑构件210和第二支撑构件212中的一个，并且与第一支撑构件210和第二支撑构件212中的另一个电气隔离。在图4的示例中，顶部211电耦合到第二支撑构件212，并且由上绝缘体220与第一支撑构件210电气隔离。类似地，支撑结构200的底部213可以电耦合到第一支撑构件210和第二支撑构件212中的一个，并且与第一支撑构件210和第二支撑构件212中的另一个电气隔离。在图4的示例中，底部213电耦合到第二支撑构件212，并且由下绝缘体222与第一支撑构件213电气隔离。应当理解的是，顶部211和底部214中的一个或两者可以替代地与第二支撑构件212电气隔离，并且电耦合到第一支撑构件210。支撑结构202可以限定至少一个第二电触件216(在图5中标识)，该第二电触件216构造成接纳腔室106的第二电触件116，以使得支撑结构202的第二电触件216和腔室102的第二电触件116彼此电耦合。至少一个第二电触件216可以是任何合适的电触件。至少一个第二电触件216可以包括至少一个接触表面217。在一些示例中，该至少一个接触表面217可以由支撑结构202的底表面所限定。
支撑结构202的至少一个第二电触件216电耦合到第二支撑构件212，使得支撑结构202的第二电触件216构造成将腔室102的第二电触件116与第二支撑构件212电耦合。支撑结构202构造成将第二支撑构件212与第一支撑构件210电气隔离，并且因此当腔室102的第二电触件116电耦合到支撑结构202的第二电触件216时，与腔室102的第一电触件114电气隔离。腔室102的至少一个第二电触件116可以具有任何合适的形状。在一个示例中，至少一个第二电触件116中的每个可以实施为如图6所示的块体。参照图4，支撑结构202可以包括多个绝缘体224，该多个绝缘体构造成将第一组电极250a与第一支撑构件210电气隔离。类似地，支撑结构202可以包括多个绝缘体224，该多个绝缘体构造成将第一组电极250b与第二支撑构件212电气隔离。每个绝缘体224均可以设置在电极250a、250b中的相应一个与第一支撑构件210和第二支撑构件212中的相应一个之间。
每个绝缘体224可以限定联接器215。每个联接器215可以构造成在其中接合对应电极250a、250b的边缘，以支撑电极250a、250b。在一个示例中，联接器215中的每个可以限定凹部，该凹部构造成在其中接纳电极250a、250b的对应一个的边缘，以支撑电极250a、250b。例如，由每个绝缘体224所限定的凹部可以沿着第一水平方向H1延伸到绝缘体224中。每个绝缘体224均可以由第一支撑构件210和第二支撑构件212中的一个支撑。由第一支撑构件210支撑的每个绝缘体224可以沿着第一水平方向H1，与第二支撑构件212的对应联接器214对准。由第二支撑构件212支撑的每个绝缘体224可以沿着第一水平方向H1，与第一支撑构件210的对应联接器214对准。在替代示例中，绝缘体224的联接器215可以是除凹部之外的特征件，例如构造成夹持到电极250a、250b上的夹具。
第一支撑构件210和第二支撑构件212构造成沿着竖直方向将绝缘体224以交替布置的方式支撑。例如，第一支撑构件210的每隔一个联接器215可以由绝缘体224限定。类似地，第二支撑构件212的每隔一个联接器215可以由绝缘体224限定。由第一支撑构件210支撑的每个绝缘联接器215可以沿着第一水平方向H1，与第二支撑构件212的未由绝缘体224限定的联接器214对准。由第二支撑构件212支撑的每个绝缘联接器215可以沿着第一水平方向H1，与第一支撑构件210的未由绝缘体224限定的联接器214对准。
参照图6，对于每个工件支撑系统200，腔室102可以包括至少一个，例如多个对准特征件120。至少一个对准特征件120构造成使得工件支撑结构202在腔室102的空腔104内对准，使得腔室102的至少一个第一电触件114中的每个与工件支撑结构202的至少一个第一电触件218对准，并且使得腔室102的至少一个第二电触件216与工件支撑结构202的至少一个第二电触件116对准。在图6的示例中，至少一个对准特征件120包括至少一个，例如多个主体或块体，该多个主体或块体与工件支撑结构202的覆盖区域相符。应当理解的是，至少一个对准特征件120可以以任何其它合适的方式实施。在一些示例中，至少一个对准特征件120可以包括突起。在一些这样的示例中，该突起可以接纳在工件支撑结构202的凹部中或工件支撑结构202的一侧上。在其它示例中，至少一个对准特征件120可以是接纳工件支撑结构202的突起的凹部。在一些示例中，至少一个对准特征件120可以具有非圆形横截面，该非圆形横截面与工件支撑结构202的非圆形横截面匹配，以防止工件支撑结构202和腔室102之间的相对旋转。
转向图8，示出了工件支撑系统200'的另一示例。应当理解的是，图8中的所具有的附图标记与上面讨论的那些附图标记相似的特征可以参照上面的对应描述来理解。工件支撑系统200'类似于工件支撑系统200，但至少具有一些例外，包括第一电触件114和第二电触件116的位置。在图8中，第一电触件114和第二电触件116可以定位成使得第一电触件114和第二电触件116中的一个可以是下电触件，并且第一电触件114和第二电触件116中的另一个可以是上电触件，该上电触件沿着竖直方向V，与第一电触件114和第二电触件116中的一个偏移。例如，第一电触件114和第二电触件116中的一个可以构造成接合工件支撑系统200'的下端202a，并且第一电触件114和第二电触件116中的另一个可以构造成接合工件支撑系统200'的上端202b。在另一示例(未示出)中，第一电触件和第二电触件可以定位成使得该第一电触件和第二电触件沿着第一水平方向H1彼此偏移。例如，该第一电触件和第二电触件可以构造成分别接合工件支撑系统200'的侧部202c和202d。每个电触件114和116可以成形为板或棒，或者可以具有任何其它合适的形状。
第一电触件114和第二电触件116中的一个或两个可以是可移动的。例如，第二电触件116可以在第一位置和第二位置之间移动，在该第一位置中，当工件支撑系统200'接纳在腔室102中时，第二电触件116与工件支撑系统200'隔开，而在该第二位置中，当工件支撑系统200'接纳在腔室102中时，第二电触件116与工件支撑系统200'相接触。第一电触件114和第二电触件116中的一个或两个可以构造成在第一位置和第二位置之间移动，在该第一位置中，在第一电触件114和第二电触件116之间限定第一距离，而在该第二位置中，在第一电触件114和第二电触件116之间限定第二距离，该第二距离小于第一距离。等离子体处理腔室102可以包括这样的机构，该机构构造成移动第一电触件114和第二电触件116中的一个或两个。该机构可以是无动力的机械机构。该无动力机械机构可以由杠杆、旋钮或任何其它合适的致动装置致动。替代地，该机构可以是动力机构，该动力机构包括任何合适的动力致动器，例如电气致动器、液压致动器或气动致动器。
支撑结构202的至少一个第一电触件218构造成接纳腔室102的第一电触件114，从而将支撑结构202的第一电触件202和腔室102的第一电触件114布置成彼此电连通。在该示例中，支撑结构202的第一电触件218是限定在支撑结构202的上端202b处的上电触件，如图8所示。第一电触件218可以由支撑结构202的第一侧202c限定，例如由第一支撑构件210或由附接到支撑构件210的触件所限定。
第一电触件218可以是任何合适的电触件。第一电触件218可以包括至少一个接触表面219。在该示例中，不同于图4和图7的示例，接触表面219并非限定在容座中。第一电触件218可以包括突起，该突起从第一支撑构件210向上延伸，使得当腔室102的第一电触件114电耦合到支撑结构202的第一电触件218时，支撑结构202的第一电触件218提供了将第一电触件114与第二支撑构件212隔开的间隙。
工件支撑结构202的第一电触件218电耦合到第一支撑构件210，使得支撑结构202的第一电触件218构造成将腔室102的第一电触件114与第一支撑构件210电耦合。支撑结构202构造成将第一支撑构件210与第二支撑构件212电气隔离，并且因此当腔室102的第一电触件114电耦合到支撑结构202的第一电触件218时、与腔室102的至少一个第二电触件116电气隔离。在一个示例中，下端202a包括下绝缘体222，该下绝缘体222构造成将第一支撑构件210与第二电触件116，并且由此与第二支撑构件212电气隔离。附加地，上端202b包括上绝缘体220，该上绝缘体构造成将第二支撑构件212与第一电触件114、且由此与第一支撑构件210电气隔离。
至少一个第二电触件216构造成接纳腔室106的第二电触件116，以使得支撑结构202的第二电触件216和腔室102的第二电触件116彼此电耦合。至少一个第二电触件216可以是任何合适的电触件。至少一个第二电触件216可以包括至少一个接触表面217。在一些示例中，该至少一个接触表面217可以由支撑结构202的底表面所限定。
支撑结构202的至少一个第二电触件216电耦合到第二支撑构件212，使得支撑结构202的第二电触件216构造成将腔室102的第二电触件116与第二支撑构件212电耦合。支撑结构202构造成将第二支撑构件212与第一支撑构件210电气隔离，并且因此当腔室102的第二电触件116电耦合到支撑结构202的第二电触件216时，与腔室102的第一电触件114电气隔离。腔室102的至少一个第二电触件116可以具有任何合适的形状。支撑结构202的下端202a可以构造成当腔室102的第一电触件114电耦合到支撑结构202的第一电触件218时，将第一支撑构件210与腔室102的第二电触件116间隔开。
在一个示例中，支撑结构202的第二电触件216可以是限定在支撑结构202的上端202b处的上电触件。在另一示例中，支撑结构202的第二电触件216可以由支撑结构202的第一侧202c限定，例如由第一支撑构件210限定。在一个示例中，支撑结构202的上端202b可以限定上绝缘体220，该上绝缘体220构造成当腔室102的第一电触件114和支撑结构202的第一电触件218彼此电耦合时，使得第二支撑构件212与腔室102的第一电触件114电气隔离。
参照图4和图8，支撑结构202可以包括这样的机构(未示出)，该机构构造成调节电极250a、250b中的相邻电极之间的间距。该机构可以构造成使得至少一个电极250a、250b相对于相邻电极250a、250b在第一位置和第二位置之间移动，在该第一位置中，在至少一个电极250a、250b和相邻电极250a、250b之间限定第一空间，而在该第二位置中，在至少一个电极250a、250b和相邻电极250a、250b之间限定第二空间，该第二空间大于第一空间。例如，可以使得上电极250a、250b远离相邻的下电极250a、250b移动，以增加它们之间的空间。然后，可以将待处理的产品放置在相邻的下电极250a、250b上。增加电极之间的间距可以使得产品能够放置在相邻的下电极250a、250b上，而不会使产品沿着相邻的下电极250a、250b滑动。然后，可以将上电极250a、250b移向相邻的下电极250a、250b，以减小它们之间的空间。
在一些示例中，每个电极250a、250b可以是导电板，该导电板构造成在产品的等离子体处理期间，在其上支撑产品。该产品可以是例如(但不限于)集成电路、电子封装、印刷电路板、引线框架或任何其它合适的待等离子体处理的产品。在其它示例中，每个电极可以是待等离子体处理的导电产品。例如，每个电极可以是导电引线框。每个导电引线框架可以包括电引线的多个图案化布置，每个图案化布置构造成封装在不同的电气设备中。
在至少一些示例中，可以使用本发明的支撑结构，在比传统料盒更高的压力范围下充分处理产品。
现在转向图9，示出了操作图1的等离子体处理系统的方法的简化流程图。该方法包括将工件支撑系统200插入到等离子体处理系统100的腔室102中的步骤302。该方法包括将工件支撑系统200电耦合到腔室102的步骤304。电耦合步骤304可以包括将腔室102的第二电触件116电耦合到工件支撑系统200的第一支撑构件210的步骤，以及将腔室102的第一电触件114电耦合到支撑结构202的第二支撑构件212的步骤。在一个示例中，如图2到图7中所示，电耦合步骤304可以包括将支撑结构202的下端202a接纳在腔室102的第一电触件114和第二电触件116上的步骤。在另一示例中，电耦合步骤304可以包括这样的步骤，即将支撑结构202的下端202a接纳在腔室102的第一电触件114上，并且使得第二电触件116从第一位置移动到第二位置，在该第一位置中，腔室103的第二电触件116与工件支撑系统200间隔开，而在该第二位置中，腔室102的第二电触件116与工件支撑系统200接触。在其它示例(未示出)中，插入步骤302可以包括使得第一电触件114和第二电触件116中的一个或两个移动，以各自与支撑结构202的第二侧202d和第一侧202c中的相应一个接触的步骤。在插入步骤302之后，该方法可以包括关闭腔室102的腔室门102d的步骤，以提供将空腔104与周围环境隔离的流体密封。可以在将工件支撑系统200电耦合到腔室102之前或之后关闭腔室门102d。
该方法包括操作等离子体处理系统100，从而对由支撑结构202支撑的产品进行等离子体处理的步骤306。操作步骤306可以包括将腔室102的空腔104内的气氛进行至少部分地排空的步骤。例如，将空腔104进行至少部分排空的步骤可以包括将空腔104排空到约50毫托和约10000毫托之间的压力范围。作为另一示例，将空腔104进行至少部分排空的步骤可以包括将空腔104排空到约3000毫托和约6000毫托之间的压力范围。
操作步骤306可以包括向腔室102的第一电触件114和第二电触件116中的一个或两个供电的步骤。例如，供电的步骤可以包括向腔室102的第二电触件116和第一电触件114中的一个供电，而腔室102的第二电触件116和第一电触件114中的另一个接地。在另一示例中，供电的步骤可以包括向腔室102的第二电触件116和第一电触件114两者供电，其中，向腔室102的第二电触件116供应的电力不同于向腔室102的第一电触件114供应的电力。
操作步骤306可以包括将源气体输送到工件支撑系统200的电极250a、250b之间，以对产品进行等离子体处理的步骤。操作步骤306可以包括致使源气体至少部分电离，以在电极250a、250b中的相邻电极之间生成等离子体的步骤。在产品已经进行等离子体处理之后，工件支撑系统200可以在步骤308中从腔室102中移除。
尽管未示出，但该方法可以包括检查处理过的产品、以确定产品是否经过充分处理的步骤。在一些示例中，可以通过执行液滴接触角测试来检查产品，其中测量液滴在产品表面上的接触角。已经发现，可以通过本发明的等离子体处理系统在比传统等离子体处理系统所采用的压力更高的压力下处理产品，同时获得相同或相当的结果。例如，压力可以在大约50毫托和大约10000毫托之间的范围内。在优选实施例中，压力在大约3000毫托和大约6000毫托之间的范围内。事实上，发明人已经发现在大约3000毫托和大约6000毫托之间的范围内操作本发明的等离子体处理系统可以产生对产品的一致处理。
由于本发明的系统可以在更高的压力下操作，因此对于每个等离子体处理操作，排空等离子体处理腔室102的空腔104中的气氛的时间可以少于常规等离子体处理系统的时间。于是，本发明的系统可以比常规等离子体处理系统更快地处理产品，从而允许在更短的时间段内处理更多的产品。换言之，每次等离子体处理操作的时间可以比传统等离子体处理系统的时间更短，同时产生可比较的处理结果。
鉴于以下示例，可以理解本发明的各个方面：
示例1.一种等离子体处理系统的工件支撑结构，该工件支撑结构包括：上端和下端，该上端和下端沿着竖直方向彼此偏移；以及第一支撑构件和第二支撑构件，该第一支撑构件和第二支撑构件在上端和下端之间延伸，并且该第一支撑构件和第二支撑构件沿着第一水平方向彼此偏移，使得在上端和下端之间以及在第一支撑构件和第二支撑构件之间限定空腔，并且该第一支撑构件和第二支撑构件彼此电气隔离，其中，该第一支撑构件和第二支撑构件构造成在空腔内支撑电极，使得：这些电极沿着竖直方向彼此偏移；这些电极沿着第一水平方向在第一支撑构件与第二支撑构件之间延伸；第一组电极电耦合到第一支撑构件并且与第二支撑构件电气隔离；以及与第一组电极不同的第二组电极电耦合到第二支撑构件并且与第一支撑构件电气隔离。
示例2.根据示例1的工件支撑结构，其中，第一支撑构件和第二支撑构件构造成沿着竖直方向以交替布置的方式支撑第一组电极和第二组电极。
示例3.根据前述示例的任一项的工件支撑结构，其中，第一支撑构件和第二支撑构件构造成在第二组的不同对电极之间，支撑第一组中的各个电极。
示例4.根据前述示例的任一项的工件支撑结构，其中，第一支撑构件和第二支撑构件构造成在第一组的不同对电极之间，支撑第二组中的各个电极。
示例5.根据前述示例的任一项的工件支撑结构，其中，第一支撑构件和第二支撑构件构造成可移除地附接到第一组电极和第二组电极。
示例6.根据前述示例的任一项的工件支撑结构，其中，第一支撑构件和第二支撑构件中的每个限定沿着竖直方向彼此偏移的联接器，并且第一支撑构件和第二支撑构件的联接器构造成在其中接合电极的边缘，以支撑电极。
示例7.根据前述示例的任一项的工件支撑结构，其中，第一支撑构件和第二支撑构件中的每个限定沿着竖直方向彼此偏移的凹部，并且第一支撑构件和第二支撑构件的凹部构造成在其中接纳电极的边缘，以支撑电极。
示例8.根据示例7的工件支撑结构，其中，由第一支撑构件所限定的凹部沿着第一水平方向，远离第二支撑构件延伸到第一支撑构件中，并且由第二支撑构件所限定的凹部沿着第一水平方向，远离第一支撑构件延伸到第二支撑构件中。
示例9.根据示例8的工件支撑结构，其中，该第一支撑构件的每个凹部沿着第一水平方向与该第二支撑构件的对应凹部对准。
示例10.根据前述示例的任一项的工件支撑结构，其中，该工件支撑结构限定了第一电触件，该第一电触件构造成接纳该腔室的第一电触件，从而将工件支撑结构和腔室的第一电触件彼此电耦合。
示例11.根据示例10的工件支撑结构，其中，该工件支撑结构的第一电触件电耦合到第一支撑构件，使得该工件支撑结构的第一电触件构造成将该腔室的第一电触件与第一支撑构件电耦合。
示例12.根据示例10和11的任一项的工件支撑结构，包括绝缘体，该绝缘体构造成当工件支撑结构和该腔室的第一电触件彼此电耦合时，将第一支撑构件与腔室的第二电触件电气隔离。
示例13.根据前述示例的任一项的工件支撑结构，其中，该工件支撑结构限定了第二电触件，该第二电触件构造成接纳该腔室的第二电触件，从而将腔室和工件支撑结构的第二电触件放置成彼此电连通。
示例14.根据示例13的工件支撑结构，其中，该工件支撑结构的第二电触件电耦合到第二支撑构件，使得该工件支撑结构的第二电触件构造成将该腔室的第二电触件与第二支撑构件电耦合。
示例15.根据示例13和14的任一项的工件支撑结构，其中，该工件支撑结构的上端包括绝缘体，该绝缘体构造成当腔室和工件支撑结构的第二电触件彼此电耦合时，将第二支撑构件与腔室的第一电触件电气隔离。
示例16.根据前述示例的任一项的工件支撑结构，其中，该工件支撑结构包括构造成调节相邻电极之间的间距的机构。
示例17.根据示例16的工件支撑结构，其中，该机构构造成使得至少一个电极相对于相邻电极在第一位置和第二位置之间移动，在该第一位置中，在至少一个电极和相邻电极之间限定第一空间，而在该第二位置中，在至少一个电极和相邻电极之间限定第二空间，该第二空间大于第一空间。
示例18.根据前述示例的任一项的工件支撑结构，其中，该工件支撑结构具有沿着第一水平方向彼此偏移的第一侧和第二侧，该第一侧和第二侧中的每个从上端延伸到下端，并且从工件支撑结构的前端延伸到工件支撑结构的后端。
示例19.根据示例18的工件支撑结构，其中，第一侧和第二侧中的每个在其从上端延伸到下端并且从前端延伸到后端时，均是实心的。
示例20.根据示例18和19的任一项的工件支撑结构，其中，第一侧和第二侧中的每个都没有完全延伸穿过其中的任何开口。
示例21.一种等离子体处理系统，包括：根据前述示例的任一项的工件支撑结构；以及腔室，该腔室在其中限定腔室空腔，该腔室空腔构造成接纳工件支撑结构。
示例22.根据示例21的等离子体处理系统，其中，该腔室包括彼此偏移的第一电触件和第二电触件。
示例23.根据示例22的等离子体处理系统，其中，该第二电触件构造成在第一位置和第二位置之间移动，在该第一位置中，当等离子体处理工件支撑结构接纳在腔室中时，该第二电触件与工件支撑结构隔开，而在该第二位置中，当该工件支撑结构接纳在腔室中时，该第二电触件与工件支撑结构接触。
示例24.根据示例22的等离子体处理系统，其中，该腔室的第一电触件和第二电触件中的一个或两个构造成在第一位置和第二位置之间移动，在该第一位置中，在该腔室的第一电触件和第二电触件之间限定第一距离，而在该第二位置中，在该腔室的第一电触件和第二电触件之间限定第二距离，该第二距离小于该第一距离。
示例25.根据示例22到24中的任一项的等离子体处理系统，其中，该腔室的第一电触件和第二电触件中的一个是通电的电触件，并且该腔室的第一电触件和第二电触件中的另一个是接地的电触件。
示例26.根据示例22到25中的任一项的等离子体处理系统，其中，由该腔室的第一电触件向工件支撑结构供应的电力不同于由该腔室的第二电触件向工件支撑结构供应的电力。
示例27.根据示例21到26中的任一项的等离子体处理系统，包括真空泵送系统，该真空泵送系统构造成在等离子体处理系统处理支撑在工件支撑结构中的产品时，将腔室空腔排空到大约50毫托和大约10000毫托之间的压力范围。
示例28.根据示例21到26中的任一项的等离子体处理系统，包括真空泵送系统，该真空泵送系统构造成在等离子体处理系统处理支撑在工件支撑结构中的产品时、将腔室空腔排空到大约3000毫托和大约6000毫托之间的压力范围。
示例29.根据示例21到28中的任一项的等离子体处理系统，包括源气体输送系统，该源气体输送系统构造成将源气体输送到这些电极之间。
示例30.根据示例29的等离子体处理系统，其中，该系统构造成使该源气体至少部分地电离，以在这些电极中的相邻电极之间生成等离子体。
示例31.一种等离子体处理系统的工件支撑系统，该工件支撑系统包括：工件支撑结构和电极，该工件支撑结构构造成可移除地接纳在该等离子体处理系统的腔室中，该工件支撑结构在其中限定空腔并且包括：上端和下端，该上端和下端沿着竖直方向彼此偏移；以及第一支撑构件和第二支撑构件，该第一支撑构件和第二支撑构件在上端和下端之间延伸，并且该第一支撑构件和第二支撑构件沿着第一水平方向彼此偏移，使得在上端和下端之间以及在第一支撑构件和第二支撑构件之间限定空腔，并且该第一支撑构件和第二支撑构件彼此电气隔离；并且这些电极构造成在空腔内由第一支撑构件和第二支撑构件支撑，使得：这些电极沿着竖直方向彼此偏移；这些电极沿着第一水平方向在第一支撑构件与第二支撑构件之间延伸；第一组电极电耦合到第一支撑构件并且与第二支撑构件电气隔离；以及与第一组电极不同的第二组电极电耦合到第二支撑构件并且与第一支撑构件电气隔离。
示例32.根据示例31的工件支撑系统，其中，第一组电极和第二组电极沿着竖直方向交替布置。
示例33.根据示例31和32的任一项的工件支撑系统，其中，第一组中的各个电极各自设置在第二组的不同电极对之间。
示例34.根据示例31到33的任一项的工件支撑系统，其中，第二组中的各个电极各自设置在第一组的不同电极对之间。
示例35.根据示例31到34的任一项的工件支撑系统，其中，该电极能够可移除地附接到该第一支撑构件和第二支撑构件。
示例36.根据示例31到35的任一项的工件支撑系统，其中，该工件支撑结构限定了第一电触件，该第一电触件构造成接纳该腔室的第一电触件，从而将该腔室和工件支撑结构的第一电触件彼此电耦合。
示例37.根据示例36的工件支撑系统，其中，该工件支撑结构的第一电触件电耦合到第二支撑构件，使得该工件支撑结构的第一电触件构造成将该腔室的第一电触件与第二支撑构件电耦合。
示例38.根据示例36和37的任一项的工件支撑系统，其中，下端限定下绝缘体，该下绝缘体构造成当腔室和工件支撑结构和的第一电触件彼此电耦合时，将第一支撑构件与该腔室的第一电触件电气隔离。
示例39.根据示例31到38的任一项的工件支撑系统，其中，该工件支撑结构限定了第二电触件，该第二电触件构造成接纳该腔室的第二电触件，从而将该腔室和工件支撑结构的第二电触件放置成彼此电连通。
示例40.根据示例39的工件支撑系统，其中，该工件支撑结构的第二电触件电耦合到第一支撑构件，使得该工件支撑结构的第二电触件构造成将该腔室的第二电触件与第一支撑构件电耦合。
示例41.根据示例39和40的任一项的工件支撑系统，其中，上端限定上绝缘体，该上绝缘体构造成当该腔室和工件支撑结构和的第二电触件彼此电耦合时，将第二支撑构件与该腔室的第二电触件电气隔离。
示例42.根据示例31到41的任一项的工件支撑系统，其中，每个电极均是导电板，该导电板构造成在产品的等离子体处理期间，在其上支撑产品。
示例43.根据示例31到41的任一项的工件支撑系统，其中，每个电极均是待等离子体处理的产品。
示例44.根据示例43的工件支撑系统，其中，每个产品均是导电引线框架，该导电引线框架包括电引线的多个图案化布置，每个图案化布置构造成封装在不同的电气设备中。
示例45.根据示例31到44的任一项的工件支撑系统，其中，该腔室包括构造成调节相邻电极之间的间距的机构。
示例46.根据示例45的工件支撑系统，其中，该机构构造成使得至少一个电极相对于相邻电极在第一位置和第二位置之间移动，在该第一位置中，在至少一个电极和相邻电极之间限定第一空间，而在该第二位置中，在至少一个电极和相邻电极之间限定第二空间，该第二空间大于第一空间。
示例47.根据示例31到46的任一项的工件支撑系统，其中，该腔室具有沿着第一水平方向彼此偏移的第一侧和第二侧，该第一侧和第二侧中的每个从上端延伸到下端，并且从工件支撑结构的前端延伸到工件支撑结构的后端。
示例48.根据示例47的工件支撑系统，其中，第一侧和第二侧中的每个在其从上端延伸到下端并且从前端延伸到后端时，均是实心的。
示例49.根据示例47的工件支撑系统，其中，第一侧和第二侧中的每个都没有完全延伸穿过其中的任何开口。
示例50.根据示例31到49的任一项的工件支撑系统，其中，第一支撑构件和第二支撑构件中的每个限定沿着竖直方向彼此偏移的联接器，并且第一支撑构件和第二支撑构件的联接器构造成在其中接合电极的边缘，以支撑电极。
示例51.根据示例31到49的任一项的工件支撑系统，其中，第一支撑构件和第二支撑构件中的每个限定沿着竖直方向彼此偏移的多个凹部，并且第一支撑构件和第二支撑构件的多个凹部构造成在其中接纳电极的边缘，以支撑电极。
示例52.根据示例51的工件支撑系统，其中，由第一支撑构件所限定的凹部沿着第一水平方向，远离第二支撑构件延伸到第一支撑构件中，并且由第二支撑构件所限定的凹部沿着第一水平方向、远离第一支撑构件延伸到第二支撑构件中。
示例53.根据示例51和52的任一项的工件支撑系统，其中，该第一支撑构件的每个凹部沿着第一水平方向与该第二支撑构件的对应凹部对准。
示例54.一种等离子体处理系统，包括：根据示例31到53中的任一项的工件支撑系统；以及腔室，该腔室在其中限定腔室空腔，该腔室空腔构造成接纳工件支撑结构。
示例55.根据示例54的等离子体处理系统，其中，该腔室包括彼此偏移的第一电触件和第二电触件。
示例56.根据示例55的等离子体处理系统，其中，该第二电触件构造成在第一位置和第二位置之间移动，在该第一位置中，当工件支撑结构接纳在腔室中时，该第二电触件与工件支撑结构隔开，而在该第二位置中，当该工件支撑结构接纳在腔室中时，该第二电触件与工件支撑结构接触。
示例57.根据示例55的等离子体处理系统，其中，该腔室的第一电触件和第二电触件中的一个或两个构造成在第一位置和第二位置之间移动，在该第一位置中，在该腔室的第一电触件和第二电触件之间限定第一距离，而在该第二位置中，在该腔室的第一电触件和第二电触件之间限定第二距离，该第二距离小于第一距离。
示例58.根据示例55到57中的任一项的等离子体处理系统，其中，该腔室的第一电触件和第二电触件中的一个是通电的电触件，并且该腔室的第一电触件和第二电触件中的另一个是接地的电触件。
示例59.根据示例55到57中的任一项的等离子体处理系统，其中，由该腔室的第一电触件向工件支撑结构供应的电力不同于由该腔室的第二电触件向工件支撑结构供应的电力。
示例60.根据示例54到59中的任一项的等离子体处理系统，包括真空泵送系统，该真空泵送系统构造成在等离子体处理系统处理支撑在工件支撑结构中的产品时，将腔室空腔排空到大约50毫托和大约10000毫托之间的压力范围。
示例61.根据示例54到59中的任一项的等离子体处理系统，包括真空泵送系统，该真空泵送系统构造成在等离子体处理系统处理支撑在工件支撑结构中的产品时，将腔室空腔排空到大约3000毫托和大约6000毫托之间的压力范围。
示例62.根据示例54到61中的任一项的等离子体处理系统，包括源气体输送系统，该源气体输送系统构造成将源气体输送到电极之间。
示例63.根据示例62的等离子体处理系统，其中，该系统构造成使该源气体至少部分地电离，以在这些电极中的相邻电极之间生成等离子体。
示例64.一种等离子体处理系统，包括：腔室，该腔室在其中限定腔室空腔，该腔室空腔构造成接纳工件支撑结构，该工件支撑结构在其中支撑待等离子体处理的产品；彼此偏移的第一电触件和第二电触件，其中，该第二电触件构造成在第一位置和第二位置之间移动，在该第一位置中，当工件支撑结构接纳在腔室中时，该第二电触件与工件支撑结构隔开，而在该第二位置中，当该工件支撑结构接纳在腔室中时，该第二电触件与工件支撑结构接触。
示例65.根据示例64的等离子体处理系统，其中，在第一位置中，在腔室的第一电触件和第二电触件之间限定第一距离，并且在第二位置中，在腔室的第一电触件和第二电触件之间限定第二距离，该第二距离小于第一距离距离。
示例66.根据示例64到65中的任一项的等离子体处理系统，其中，该腔室的第一电触件和第二电触件中的一个是通电的电触件，并且该腔室的第一电触件和第二电触件中的另一个是接地的电触件。
示例67.根据示例64到66中的任一项的等离子体处理系统，其中，由该腔室的第一电触件向工件支撑结构供应的电力不同于由该腔室的第二电触件向工件支撑结构供应的电力。
示例68.根据示例64到67中的任一项的等离子体处理系统，包括真空泵送系统，该真空泵送系统构造成在等离子体处理系统处理支撑在工件支撑结构中的产品时，将腔室空腔排空到大约50毫托和大约10000毫托之间的压力范围。
示例69.根据示例64到67中的任一项的等离子体处理系统，包括真空泵送系统，该真空泵送系统构造成在等离子体处理系统处理支撑在工件支撑结构中的产品时，将腔室空腔排空到大约3000毫托和大约6000毫托之间的压力范围。
示例70.根据示例64到67中的任一项的等离子体处理系统，包括源气体输送系统，该源气体输送系统构造成将源气体输送到电极之间。
示例71.根据示例70的等离子体处理系统，其中，该系统构造成使该源气体至少部分地电离，以在这些电极中的相邻电极之间生成等离子体。
示例72.一种等离子体处理产品的方法，该方法包括：在等离子体处理系统的腔室中，触及根据31到53中的任一项的工件支撑系统；将该等离子体处理系统的第一电触件电耦合到该第一支撑构件使得第一组电极电耦合到该第一支撑构件并且与该第二支撑构件电气隔离；将该等离子体处理系统的第二电触件电耦合到该第二支撑构件、使得第二组电极电耦合到该第二支撑构件并且与该第一支撑构件电气隔离；以及通过至少部分排空该腔室内的气氛、将源气体输送到电极之间以及向该腔室的第一电触件和第二电触件中的至少一个供电，以在该第一支撑构件和第二支撑构件之间建立电压差，来操作等离子体处理系统。
示例73.根据示例72的方法，其中：电耦合第一电触件的步骤包括将工件支撑结构的下端接纳在该腔室的第一电触件上；以及电耦合第二电触件的步骤包括将第二电触件从第一位置移动到第二位置，在该第一位置中，该腔室的第二电触件与工件支撑结构间隔开，而在该第二位置中，该腔室的第二电触件与工件支撑结构接触。
示例74.根据示例72和73中的任一项的方法，其中，该操作步骤包括向腔室的第一电触件和第二电触件中的一个供电，而腔室的第一电触件和第二电触件中的另一个接地。
示例75.根据示例72到73中的任一项的方法，其中，该操作步骤包括向腔室的第一电触件和第二电触件供应电力，其中，向腔室的第一电触件供应的电力不同于向腔室的第二电触件供应的电力。
示例76.根据示例72到75中的任一项的方法，其中，该操作步骤包括将腔室排空到约50毫托和约10000毫托之间的压力范围。
示例77.根据示例72到75中的任一项的方法，其中，该操作步骤包括将腔室排空到约3000毫托和约6000毫托之间的压力范围。
示例78.根据示例72到77中的任一项的方法，其中，该操作步骤包括致使源气体至少部分地电离，以在电极的相邻表面生成等离子体。
示例79.根据示例72到78中的任一项的方法，包括将工件支撑结构插入腔室的步骤。
示例80.根据示例72到79中的任一项的方法，其中，每个电极均是导电板，该导电板构造成在产品的等离子体处理期间，在其上支撑产品。
示例81.根据示例72到79的任一项的工件支撑系统，其中，每个电极均是待等离子体处理的产品。
示例80.根据示例72到79中的任一项的方法，其中，每个电极均是导电引线框架，该导电引线框架包括电引线的多个图案化布置，每个图案化布置构造成封装在不同的电气设备中。
应当注意的是，附图中所示示例的说明和描述仅用于示例性目的，不应解释为限制本发明。本领域技术人员将理解，本发明设想了各种示例。附加地，应该理解的是，上文结合上述示例描述的概念可以单独使用或与上述任何其它示例组合使用。还应当理解的是，上文关于一个图示示例所描述的各种替代示例可以适用于本文所述的所有示例，除非另有说明。
除非另有明确说明，否则每个数值和范围应解释为近似值，就好像在该数值或范围之前有词语“大约”、“近似”或“基本上”那样。除非另有说明，否则术语“大约”、“近似”和“基本上”可以理解为描述在指定值的15％以内的范围。
除非另有明确说明，或在上下文中以其它方式理解，本文所使用的诸如“可以”、“可”、“可能”、“也许”、“例如”之类的条件语言通常旨在传达某些实施例包括(而其它实施例不包括)某些特征、元件和/或步骤。因此，这种条件语言通常不旨在暗示一个或多个示例以任何方式需要这些特征、元件和/或步骤，或者一个或多个示例必须包括这些特征、元件和/或步骤。“包括”、“包含”、“具有”之类的术语是同义的并且以开放式内含地使用，并且不排除附加的元件、特征、动作、操作等等。
尽管已描述了某些示例，但这些示例只作为示例呈现，并且不旨在限制本文公开的本发明的范围。因此，前文描述中没有任何内容旨在暗示任何特定特征、特性、步骤、模块或块是必须或必不可少的。实际上，本文描述的新颖方法和系统可以通过多种其它形式体现；此外，在不偏离本文公开的本发明精神的情况下，可以对本文描述的方法和系统的形式做出多种删减、替代和改变。所附权利要求书及其等同物意在覆盖如将落入本文公开的本发明的某些精神和范围的这种形式或修改。
应当理解的是，这里阐述的示例性方法的步骤并非必须以所描述的顺序执行，并且这些方法的步骤的顺序应当理解为仅仅是示例性的。类似地，在与本发明的各实施例一致的方法中，附加的步骤可以包括在这些方法中，并且某些步骤可以省略或组合。
尽管所附方法权利要求(如果有的话)中的要素利用对应标记以特定顺序描述，但是，除非这些权利要求描述以其它方式暗示用于实施这些要素中的某些或全部的特定顺序，否则这些要素并不一定旨在限于以该特定顺序来实现。
应当理解的是，本文参照“一”或“一个”来描述诸如部件或步骤的特征并不排除附加的特征或多个特征。例如，参照具有或限定“一个”特征的装置并不排除该装置具有或限定多于一个特征，只要该装置具有或定义至少一个特征即可。类似地，本文参照多个特征中的“一个”并不排除本发明包括两个或更多个、甚至所有特征。例如，参照具有或限定“X和Y的一个”的装置并不排除该装置同时具有X和Y。

Claims (24)

1.一种等离子体处理系统的工件支撑结构，所述工件支撑结构包括：
上端和下端，所述上端和所述下端沿着竖直方向彼此偏移；以及
第一支撑构件和第二支撑构件，所述第一支撑构件和第二支撑构件在所述上端和所述下端之间延伸，所述第一支撑构件和所述第二支撑构件沿着水平方向彼此偏移，使得在所述上端和所述下端之间以及在所述第一支撑构件和所述第二支撑构件之间限定空腔，其中，所述第一支撑构件和所述第二支撑构件彼此电气隔离，
其中，所述第一支撑构件和所述第二支撑构件被构造成在所述空腔内支撑电极，使得：
所述电极沿着所述竖直方向彼此隔开；
所述电极沿着所述水平方向在所述第一支撑构件与所述第二支撑构件之间延伸；
第一组电极电耦合到所述第一支撑构件并与所述第二支撑构件电气隔离；以及
与所述第一组电极不同的第二组电极电耦合到所述第二支撑构件并且与所述第一支撑构件电气隔离。
2.根据权利要求1所述的工件支撑结构，其中，所述第一支撑构件和所述第二支撑构件构造成沿着所述竖直方向将所述第一组电极和所述第二组电极以交替布置的方式支撑。
3.根据前述权利要求中的任一项所述的工件支撑结构，其中，所述第一支撑构件和所述第二支撑构件构造成在所述第二组电极的不同电极对之间支撑所述第一组电极中的各个电极。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的工件支撑结构，其中，所述第一支撑构件和所述第二支撑构件构造成在所述第一组电极的不同电极对之间支撑所述第二组电极中的各个电极。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的工件支撑结构，其中，所述第一支撑构件和所述第二支撑构件中的每个支撑构件限定沿着所述竖直方向彼此偏移的联接器，并且所述第一支撑构件和所述第二支撑构件的联接器构造成在其中接合所述电极的边缘以支撑所述电极。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的工件支撑结构，其中，所述第一支撑构件和所述第二支撑构件中的每个支撑构件限定沿着所述竖直方向彼此偏移的凹部，并且所述第一支撑构件和所述第二支撑构件的凹部构造成在其中接纳所述电极的边缘以支撑所述电极。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的工件支撑结构，其中，所述工件支撑结构限定第一电触件，所述第一电触件构造成接合所述腔室的第一电触件，从而将所述工件支撑结构的第一电触件和所述腔室的第一电触件彼此电耦合。
8.根据权利要求7所述的工件支撑结构，其中，所述工件支撑结构的第一电触件电耦合到所述第一支撑构件，使得所述工件支撑结构的第一电触件构造成将所述腔室的第一电触件与所述第一支撑构件电耦合。
9.根据权利要求7和8中的任一项所述的工件支撑结构，包括绝缘体，所述绝缘体构造成当所述工件支撑结构的第一电触件和所述腔室的第一电触件彼此电耦合时将所述第一支撑构件与所述腔室的第二电触件电气隔离。
10.根据前述权利要求中的任一项所述的工件支撑结构，其中，所述工件支撑结构限定第二电触件，所述第二电触件构造成接纳所述腔室的第二电触件，从而将所述腔室的第二电触件和所述工件支撑结构的第二电触件放置成彼此电连通。
11.根据权利要求10所述的工件支撑结构，其中，所述工件支撑结构的第二电触件电耦合到所述第二支撑构件，使得所述工件支撑结构的第二电触件构造成将所述腔室的第二电触件与所述第二支撑构件电耦合。
12.根据权利要求10和11中的任一项所述的工件支撑结构，其中，所述工件支撑结构包括绝缘体，所述绝缘体构造成当所述腔室的第二电触件和所述工件支撑结构的第二电触件彼此电耦合时将所述第二支撑构件与所述腔室的第一电触件电气隔离。
13.根据前述权利要求中的任一项所述的工件支撑结构，其中，所述工件支撑结构包括如下的机构：所述机构被构造成调节所述电极中的相邻电极之间的间距。
14.根据权利要求10到12中的任一项所述的工件支撑结构，其中，所述工件支撑结构的第一电触件和第二电触件被限定在所述工件支撑结构的下端处，并且被构造成当所述工件支撑结构设置在所述腔室中时搁置在所述腔室的第一电触件和第二电触件上。
15.一种工件支撑系统，包括：
根据前述权利要求中的任一项所述的工件支撑结构；以及
所述第一组电极和所述第二组电极。
16.根据权利要求15所述的工件支撑系统，其中，每个电极均是导电板，所述导电板构造成在产品的等离子体处理期间在其上支撑所述产品。
17.根据权利要求15所述的工件支撑系统，其中，每个电极均是待被等离子体处理的产品。
18.根据权利要求17所述的工件支撑系统，其中，每个产品均是导电引线框架，所述导电引线框架包括电引线的多个图案化布置，每个图案化布置被构造成封装在不同的电气设备中。
19.一种等离子体处理产品的方法，所述方法包括：
触及在等离子体处理系统的腔室中的工件支撑结构，所述工件支撑结构包括第一支撑构件和第二支撑构件，所述第一支撑构件和所述第二支撑构件沿着竖直方向延伸，沿着水平方向彼此偏移，并且彼此电气隔离，所述第一支撑构件和所述第二支撑构件在所述工件支撑结构的空腔内支撑多个电极，所述电极沿着所述竖直方向彼此隔开并且沿着所述水平方向在所述第一支撑构件和所述第二支撑构件之间延伸；
将所述等离子体处理系统的第一电触件电耦合到所述第一支撑构件，使得第一组电极电耦合到所述第一支撑构件并且与所述第二支撑构件电气隔离；
将所述等离子体处理系统的第二电触件电耦合到所述第二支撑构件，使得与所述第一组电极不同的第二组电极电耦合到所述第二支撑构件并且与所述第一支撑构件电气隔离；
通过如下方式来操作所述等离子体处理系统：至少部分排空所述腔室内的气氛，将源气体输送到所述腔室中，以及向所述等离子体处理系统的第一电触件和第二电触件中的至少一个电触件供电，以在所述第一支撑构件和所述第二支撑构件之间建立电压差，所述电压差与源气体交互由此生成处理所述产品的等离子体。
20.根据权利要求19所述的方法，包括将所述工件支撑结构插入所述等离子体处理系统的腔室的步骤。
21.根据权利要求19和20中的任一项所述的方法，其中，电耦合所述腔室的第一电触件和第二电触件的步骤包括将所述工件支撑结构的下端接纳在所述腔室的第一电触件和第二电触件上。
22.根据权利要求19和20中的任一项所述的方法，其中，
电耦合所述腔室的第一电触件的步骤包括将所述工件支撑结构的下端接纳在所述腔室的第二电触件上；以及
电耦合所述腔室的第二电触件的步骤包括将所述第二电触件从第一位置移动到第二位置，在所述第一位置中，所述腔室的第二电触件与所述工件支撑结构间隔开，而在所述第二位置中，所述腔室的第二电触件与所述工件支撑结构接触。
23.根据权利要求19到22中的任一项所述的方法，其中，所述操作的步骤包括将所述腔室排空到约3000毫托和约6000毫托之间的压力范围。
24.根据权利要求19到23中的任一项所述的方法，其中，每个电极均是导电引线框架，所述导电引线框架包括电引线的多个图案化布置，每个图案化布置构造成被封装在不同的电气设备中。
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