KR20210153349A - 매거진 지지 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 장비 - Google Patents

매거진 지지 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 장비 Download PDF

Info

Publication number
KR20210153349A
KR20210153349A KR1020200070271A KR20200070271A KR20210153349A KR 20210153349 A KR20210153349 A KR 20210153349A KR 1020200070271 A KR1020200070271 A KR 1020200070271A KR 20200070271 A KR20200070271 A KR 20200070271A KR 20210153349 A KR20210153349 A KR 20210153349A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
magazine
sidewall
plate
support device
contact
Prior art date
Application number
KR1020200070271A
Other languages
English (en)
Inventor
오준영
김승환
박종호
이용관
이종호
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020200070271A priority Critical patent/KR20210153349A/ko
Priority to US17/200,981 priority patent/US11955359B2/en
Publication of KR20210153349A publication Critical patent/KR20210153349A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67383—Closed carriers characterised by substrate supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting substrates others than wafers, e.g. chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6732—Vertical carrier comprising wall type elements whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising sidewalls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67346—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders characterized by being specially adapted for supporting a single substrate or by comprising a stack of such individual supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735—Closed carriers
    • H01L21/67379—Closed carriers characterised by coupling elements, kinematic members, handles or elements to be externally gripped
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Abstract

N개의 기판 투입구를 포함하는 매거진을 지지하는 매거진 지지 장치 및 이를 포함한 반도체 제조 장비가 제공된다. 상기 매거진 지지 장치는 매거진과 접촉하는 접촉판, 접촉판의 일단으로부터 수직하게 연장되는 제1 측벽판 및 제1 측벽판과 평행하고, 접촉판의 타단으로부터 수직하게 연장되는 제2 측벽판을 포함하고, 제1 측벽판은 매거진의 제1 측벽의 적어도 일부를 따라 연장되고, 제2 측벽판은 매거진의 제2 측벽의 적어도 일부를 따라 연장되고, 제1 측벽판 및 제2 측벽판은 가스가 출입되는 제어홀을 포함하되, N은 2 이상의 자연수이다.

Description

매거진 지지 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 장비{A EQUIPMENT SUPPORTING A MAGAZINE AND A EQUIPMENT MANUFACTURING SEMICONDUCTOR INCLUDING THE SAME}
본 발명은 매거진 지지 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 장비에 관한 것이다.
일반적으로, 여러 종류의 반도체 패키지 또는 반도체 칩을 기판 등을 포함하는 스트립 자재에 실장하여 반도체 패키지 공정을 수행할 수 있다.
상기 반도체 패키지 공정들을 수행하기 위해서는 복수의 스트립 자재에 대한 세정 및 표면 처리를 위한 플라즈마 공정 등이 선행되어야 한다. 매거진을 이용하여 복수의 스트립 자재에 대한 플라즈마 공정을 수행할 수 있다.
매거진의 비대칭 구조는 플라즈마 공정의 균일도를 저하시킬 수 있고, 공정 균일도 저하는 반도체 패키지 공정의 신뢰성 및 효율성을 저하시킬 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 매거진의 비대칭적 구조로 인한 공정의 불균일을 완화하는 매거진 지지 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 매거진의 비대칭적 구조로 인한 공정의 불균일을 완화하는 반도체 제조 장비를 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 해당 기술 분야의 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 몇몇 실시 예에 따른 N개의 기판 투입구를 포함하는 매거진을 지지하는 매거진 지지 장치에 있어서, 상기 매거진 지지 장치는 매거진과 접촉하는 접촉판, 접촉판의 일단으로부터 수직하게 연장되는 제1 측벽판, 및 제1 측벽판과 평행하고, 접촉판의 타단으로부터 수직하게 연장되는 제2 측벽판을 포함하고, 제1 측벽판은 매거진의 제1 측벽의 적어도 일부를 따라 연장되고, 제2 측벽판은 매거진의 제2 측벽의 적어도 일부를 따라 연장되고, 제1 측벽판 및 제2 측벽판은 가스가 출입되는 제어홀을 포함하되, N은 2 이상의 자연수이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 몇몇 실시 예에 따른 반도체 제조 장비는 N개의 기판 투입구를 포함하는 매거진, 매거진을 지지하는 매거진 지지 장치 및 매거진, 매거진 지지 장치에 식각 가스를 투입시키는 가스 투입부를 포함하되, 상기 매거진 지지 장치는, 매거진과 접촉하는 접촉판, 접촉판의 일단으로부터 수직하게 연장되는 제1 측벽판 및 제1 측벽판과 평행하고, 접촉판의 타단으로부터 수직하게 연장되는 제2 측벽판을 포함하고, 제1 측벽판은 매거진의 제1 측벽의 적어도 일부를 따라 연장되고, 제2 측벽판은 매거진의 제2 측벽의 적어도 일부를 따라 연장되고, 제1 측벽판 및 제2 측벽판은 가스가 출입되는 제어홀을 포함하되, N은 2 이상의 자연수이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 몇몇 실시 예에 따른 반도체 제조 장비는 N개의 기판 투입구 및 N개의 기판 투입구 중 최하단의 기판 투입구 하부에 빈 공간을 포함하는 매거진, 매거진을 지지하는 매거진 지지 장치, 매거진 및 매거진 지지 장치에 식각 가스를 투입시키는 가스 투입부를 포함하되, 상기 매거진 지지 장치는, 매거진과 접촉하는 접촉판, 접촉판의 일단으로부터 수직하게 연장되는 제1 측벽판 및 제1 측벽판과 평행하고, 접촉판의 타단으로부터 수직하게 연장되는 제2 측벽판을 포함하고, 제1 측벽판은 매거진의 제1 측벽의 적어도 일부를 따라 연장되고, 제2 측벽판은 매거진의 제2 측벽의 적어도 일부를 따라 연장되고, 제1 측벽판 및 제2 측벽판은 식각 가스가 출입되는 N+1개의 제어 홀을 포함하되, N은 2 이상의 자연수이다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 매거진 및 매거진 지지 장치을 설명하기 위한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 매거진을 설명하기 위한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 매거진 및 매거진 지지 장치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 4는 도 3의 R을 확대한 확대도이다.
도 5는 본 발명의 몇몇 다른 실시예들에 따른 매거진 지지 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 6은 본 발명의 몇몇 다른 실시예들에 따른 매거진 지지 장치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 7은 본 발명의 몇몇 다른 실시예들에 따른 매거진 및 매거진 지지 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 8은 본 발명의 몇몇 다른 실시예들에 따른 매거진 및 매거진 지지 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 9는 본 발명의 몇몇 다른 실시예들에 따른 매거진 및 매거진 지지 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 10은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 제조 장비를 설명하기 위한 사시도이다.
도 11은 본 발명의 몇몇 다른 실시예들에 따른 반도체 제조 장비를 설명하기 위한 사시도이다.
도 12 내지 도 14는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 제조 장비의 동작을 설명하기 위한 도면들이다.
도 15 및 16은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 제조 장비의 효과를 설명하기 위한 도면들이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 기술적 사상에 따른 실시예들에 대해 설명한다. 도 1 내지 도 16의 설명에서 실질적으로 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호 사용하며, 해당 구성요소에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 매거진 및 매거진 지지 장치를 설명하기 위한 사시도이다. 도 2는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 매거진을 설명하기 위한 평면도이다. 도 3은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 매거진 및 매거진 지지 장치를 설명하기 위한 평면도이다. 도 4는 도 3의 R을 확대한 확대도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 매거진 지지 장치(100)는 접촉판(110), 제1 측벽판(120) 및 제2 측벽판(130)을 포함할 수 있다.
접촉판(110)은 매거진(200)의 하부벽(220)과 접촉하고, 제1 방향(D1)을 따라 제1 거리(W_110)까지 연장될 수 있다. 제1 거리(W_110)는 매거진(200)의 매거진폭(W_200)보다 클 수 있다. 따라서, 제1 거리(W_110)와 매거진폭(W_200)의 차이가 제1 측벽판(120)과 제2 측벽판(130)의 두께의 합보다 큰 경우, 각각의 제1 측벽판(120)과 제2 측벽판(130)은 각각 매거진(200)의 제1 측벽(201) 및 제2 측벽(202)과 비접촉할 수 있다.
도 10의 설명에서 후술하는 바, 접촉판(110)의 제3 방향(D3)으로 하부에 회전부(160, 도 10 참조)가 부착될 수 있고, 회전부(160, 도 10 참조)에 의해 매거진 지지 장치(100) 및 매거진(200)은 지지될 수 있다.
도면 상으로 접촉판(110)은 매거진(200)의 하부벽(220)에 접촉하지만, 실시예에 따라 접촉판(110)은 제3 방향(D3)을 기준으로 매거진(200)의 상부벽(210)의 상부에 배치되어, 상부벽(210)과 접촉할 수 있고, 이에 따라 회전부(160, 도 10 참조)는 제3 방향(D3)을 기준으로 접촉판(110)의 상부에 배치될 수 있다. 이러한 경우, 제1 및 제2 측벽판(120, 130) 각각은 매거진(200)의 각각의 제1 및 제2 측벽(201, 202)과 접촉할 수 있다.
제1 측벽판(120)은 접촉판(110)의 일단을 따라 제3 방향(D3)으로 연장될 수 있다. 실시예에 따라, 매거진(200)의 상부벽(210)의 상부까지 연장되어, 매거진(200)의 제1 측벽(201) 전부를 덮어 D2-D3평면에서 바라볼 때 매거진(200)의 제1 측벽(201) 전부를 가릴 수 있다.
제1 측벽판(120)은 제1 내지 제10 제어 홀(121_1 내지 121_10)을 포함한다. 상기 제1 내지 제10 제어 홀(121_1 내지 121_10)은 제2 방향(D2)으로 연장되는 직사각형일 수 있으나 제1 내지 제10 제어 홀(121_1 내지 121_10)의 모양은 원형이나 다각형일 수 있으며, 이는 실시예의 일 예시적 표현으로, 본원 발명의 기술적 사상은 이에 제한되지 않는다. 제1 내지 제10 제어 홀(121_1 내지 121_10)의 상하폭 및 배치에 대한 구체적인 설명은 매거진(200)의 설명과 함께 후술한다.
제1 제어 홀(121_1)은 제3 방향(D3)을 기준으로 접촉판(110)에서 가장 높게 배치될 수 있고, 제10 제어 홀(121_10)은 가장 낮게 배치될 수 있다. 제1 내지 제10 제어 홀(121_1 내지 121_10)은 제1 제어 홀(121_1) 부터 제10 제어 홀(121_10) 순서대로 수직하게 배치될 수 있다. 제1 내지 제10 제어 홀(121_1 내지 121_10)의 제2 방향(D2)으로 폭이 모두 동일할 수 있다.
제2 측벽판(130)은 접촉판(110)의 타단을 따라 제3 방향(D3)으로 연장될 수 있고, 매거진(200)의 상부벽(210)의 상부까지 연장되어, 매거진(200)의 제2 측벽(202) 전부를 덮어 D2-D3평면에서 바라보았을 때 매거진(200)의 제2 측벽(202) 전부를 가릴 수 있다.
제2 측벽판(130)은 제1 내지 제10 제어 홀(131_1 내지 131_10)을 포함한다.
제2 측벽판(130)의 제1 내지 제10 제어 홀(131_1 내지 131_10) 각각은 제1 측벽판(120)의 제1 내지 제10 제어 홀(121_1 내지 121_10) 각각에 대응하고, 접촉판(110)을 기준으로 대칭적으로 배치될 수 있어 제2 측벽판(130)의 제1 내지 제10 제어 홀(131_1 내지 131_10)에 대한 설명은 제1 측벽판(120)의 제1 내지 제10 제어 홀(121_1 내지 121_10)에 대한 설명으로 대체될 수 있다.
이러한 제1 내지 제10 제어 홀(121_1 내지 121_10)을 통해 가스가 출입할 수 있고, 출입되는 가스는 매거진(200)으로 유입될 수 있다.
매거진 지지 장치(100)의 접촉판(110), 제1 측벽판(120) 및 제2 측벽판(130)은 내연성, 절연성 물질을 포함할 수 있으며, 플라즈마화된 공정 가스(ex. 플라즈마화된 O2 가스)에 의해 식각되지 않는다.
본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 매거진(200)은 제1 측벽(201), 제2 측벽(202), 제3 측벽(204), 제4 측벽(205), 상부벽(210) 및 하부벽(220)을 포함하는 직육면체의 형태를 가질 수 있다.
매거진(200)의 하부벽(220)은 매거진 지지 장치(100)의 접촉판(110)과 접촉할 수 있고, 제1 측벽(201), 제2 측벽(202)은 하부벽(220)으로부터 제3 방향(D3)으로 연장될 수 있고, 제1 측벽(201), 제2 측벽(202) 각각은 매거진 지지 장치(100)의 제1 측벽판(120)과 제2 측벽판(130)과 각각 대향할 수 있다.
제3 측벽(204), 제4 측벽(205) 각각은 제1 측벽(201), 제2 측벽(202) 사이에 각각 배치되어, 제3 측벽(204), 제4 측벽(205)은 이격되면서 서로 대향할 수 있다.
제1 측벽(201) 및 제2 측벽(202)은 제1 내지 제9 기판 투입구(201_1 내지 201_9) 및 하부 공간(201_10)을 포함할 수 있다.
제1 내지 제9 기판 투입구(201_1 내지 201_9) 및 하부 공간(201_10)은, 제3 측벽(204), 제4 측벽(205)을 따라 제1 방향(D1)으로 연장되면서 하부벽(220)으로부터 최상단의 제1 돌출부(F_1)부터 최하단의 제9 돌출부(F_9) 순서대로 수직하게 배치되는 각각의 제1 내지 제9 돌출부(F_1 내지 F_9)에 의해 형성될 수 있다.
제1 기판 투입구(201_1)는 상부벽(210), 제1 돌출부(F_1) 및 제3 내지 제4 측벽(204, 205)에 둘러쌓인 공간이고, 제2 기판 투입구(201_2)는 제1 돌출부(F_1), 제2 돌출부(F_2) 및 제3 내지 제4 측벽(204, 205)에 둘러쌓힌 공간이다. 이하, 제3 내지 제9 기판 투입구(201_3 내지 201_9)는 제2 기판 투입구(201_2)와 대응되면서 돌출부와 제3 내지 제4 측벽(204, 205)에 둘러쌓인 공간이다.
하부 공간(201_10)은 제9 돌출부(F_9). 하부벽(220) 및 제3 내지 제4 측벽(204, 205)에 둘러쌓힌 공간이고, 실시예에 따라 제1 내지 제9 기판 투입구(201_1 내지 201_9) 및 하부 공간(201_10)은 하나의 공간으로 연결된 열린 공간을 형성할 수 있고, 이러한 제1 내지 제9 기판 투입구(201_1 내지 201_9)을 통해 기판 등을 포함하는 스트립 자재들을 반입, 반출이 가능한 구조를 가질 수 있다.
제1 내지 제9 돌출부(F_1 내지 F_9)의 수직적 배치에 의해, 제1 기판 투입구(201_1)는 제3 방향(D3)을 기준으로 가장 높게 배치될 수 있고, 하부 공간(201_10)은 가장 낮게 배치될 수 있다. 제1 내지 제9 기판 투입구(201_1 내지 201_9) 및 하부 공간(201_10)은 제1 기판 투입구(201_1)부터 하부 공간(201_10)까지 순서대로 수직하게 배치될 수 있다. 제1 내지 제9 기판 투입구(201_1 내지 201_9) 및 하부 공간(201_10)의 제2 방향(D2)으로의 폭이 모두 동일할 수 있다.
제1 내지 제9 기판(1_1 내지 1_9)은 각각의 제1 내지 제9 기판 투입구(201_1 내지 201_9) 내에 투입될 수 있고, 각각의 제1 내지 제9 돌출부(F_1 내지 F_9) 상에 배치될 수 있다.
제1 내지 제9 기판 투입구(201_1 내지 201_9)의 수직적 배치에 의해 하부벽(220)으로부터 가장 높은 제1 기판(1_1)부터 가장 가까운 제9 기판(1_9)까지 순서대로 수직하게 배치될 수 있으며, D1-D3평면에서 바라보았을 때, 제1 내지 제9 기판(1_1 내지 1_9)은 중첩될 수 있다. 제1 내지 제9 기판(1_1 내지 1_9)은 각각은 실리콘 기판, 회로필름, 또는 리드프레임 등일 수 있으며, 인쇄회로기판(PCB: printed circuit board) 자체 혹은 각각의 기판 상에 반도체 칩 본딩, 와이어 본딩 등이 수행된 반도체 패키지를 의미할 수도 있으나, 본원의 기술적 사상은 이에 제한되지 않는다.
도 3을 참조하면, 각각의 제1 내지 제9 기판 투입구(201_1 내지 201_9) 및 하부 공간(201_10)은 매거진 지지 장치(100)의 각각의 제1 내지 제10 제어 홀(121_1 내지 121_10)은 대응될 수 있다.
도 4를 참조하면, 실시예에 따라 제4 기판 투입구(201_4)의 상하폭과 동일한 제3 돌출부(F_3)와 제4 돌출부(F_4) 사이의 거리(d201_4)와 제5 기판 투입구(201_5)의 상하폭과 동일한 제4 돌출부(F_4)와 제5 돌출부(F_5) 사이의 거리(d201_5)와 상이하여, 제3 돌출부(F_3)와 제4 돌출부(F_4) 사이의 거리(d201_4)가 제4 돌출부(F_4)와 제5 돌출부(F_5) 사이의 거리(d201_5)보다 클 수 있다. 다만, 실시예에 따라 제1 내지 제9 기판 투입구(201_1 내지 201_9) 및 하부 공간(201_10)의 상하폭은 서로 동일할 수 있다.
제3 돌출부(F_3)와 제4 돌출부(F_4) 사이의 거리(d201_4)와 제4 제어 홀(121_4)의 상하폭(d121_4)은 동일하고, 제4 돌출부(F_4)와 제5 돌출부(F_5) 사이의 거리(d201_5)와 제5 제어 홀(121_5)의 상하폭(d121_5)은 동일할 수 있다.
이에 따라 D2-D3평면에서 바라봤을 때, 각각의 제1 내지 제10 제어 홀(121_1 내지 121_10)은 제1 내지 제9 기판 투입구(201_1 내지 201_9) 및 하부 공간(201_10)에 중첩될 수 있다.
제3 측벽(204), 제4 측벽(205)은 제1 내지 제9 돌출부(F_1 내지 F_9)를 포함할 수 있다. 제1 내지 제9 돌출부(F_1 내지 F_9) 사이로, 제3 측벽(204) 상에는 복수의 제1 개구부(206), 제4 측벽(205) 상에는 복수의 제2 개구부(207)가 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(206) 및 개구부(207)를 통해 기판에 가스가 유입된다.
매거진(200)은 내연성, 절연성 물질을 포함할 수 있으며, 플라즈마된 공정가스(ex. 플라즈마화된 O2 가스)에 의해 식각되지 않는다.
도면 상에 도시되지 않았지만, 상부벽(210), 하부벽(220) 상에 통공이 형성될 수 있고, 상기 통공은 스트립 자재의 수납, 이송 시 통풍이나 방열 등의 역할을 수행할 수 있다.
또한 도면 상에 도시되지 않았지만, 상부벽(210)에 매거진의 수납 및 이송에 사용되는 노브(knob)가 배치될 수 있다.
도면 상에서 매거진(200) 내 제1 내지 제9 기판 투입구(201_1 내지 201_9)가 도시되었지만, 본원 발명의 기술적 사상은 이에 제한되지 않고, 매거진(200)의 제1 내지 제N 기판 투입구가 배치될 수 있다. 이에 따라 제1 측벽판(120) 및 제2 측벽판(130) 내에도 제1 내지 제N+1 제어 홀이 배치될 수 있다. 마찬가지로 제1 내지 제N 기판 투입구 및 하부 공간 각각은 제1 내지 제N+1 제어 홀과 대응되고, 일 평면에서 바라봤을 때 중첩될 수 있다.
도 5는 본 발명의 몇몇 다른 실시예들에 따른 매거진 지지 장치를 설명하기 위한 사시도이다. 도 6은 본 발명의 몇몇 다른 실시예들에 따른 매거진 지지 장치를 설명하기 위한 평면도이다.
이하에서, 도 5 및 도 6을 참조하여 본 발명의 또 다른 몇몇 실시예에 따른 매거진 지지 장치를 설명한다. 도 1 내지 도 4에 도시된 매거진 지지 장치들과의 차이점을 중심으로 설명한다.
도 5 및 도 6를 참조하면, 매거진 지지 장치(100)는 제1 측벽판(140) 및 제2 측벽판(150)을 포함할 수 있다.
제1 측벽판(130)은 접촉판(110)의 일단을 따라 제3 방향(D3)으로 연장될 수 있다. 실시예에 따라, 매거진(200)의 상부벽(210)보다 높게 연장될 수 있다.
제1 측벽판(130)은 제1 내지 제4 제어 홀(141_1 내지 141_4)을 포함한다. 상기 제1 내지 제4 제어 홀(141_1 내지 141_4)은 제2 방향(D2)으로 연장되는 직사각형일 수 있으나 제1 내지 제4 제어 홀(141_1 내지 141_4)의 모양은 원형이나 다각형일 수 있으며, 이는 실시예의 일 예시적 표현으로, 본원 발명의 기술적 사상은 이에 제한되지 않는다.
제1 제어 홀(141_1)은 제3 방향(D3)을 기준으로 접촉판(110)에서 가장 높게 배치될 수 있고, 제4 제어 홀(141_4)은 가장 낮게 배치될 수 있다. 제1 내지 제4 제어 홀(141_1 내지 141_4)은 제1 제어 홀(141_1) 부터 제4 제어 홀(141_4) 순서대로 수직하게 배치될 수 있다. 제1 내지 제4 제어 홀(141_1 내지 141_4)의 제2 방향(D2)으로 폭이 모두 동일할 수 있다.
제2 측벽판(150)은 접촉판(110)의 타단을 따라 제3 방향(D3)으로 연장될 수 있고, 매거진(200)의 상부벽(210)보다 높게 연장될 수 있다,
제2 측벽판(150)은 제1 내지 제4 제어 홀(151_1 내지 151_4)을 포함한다.
제2 측벽판(150)의 제1 내지 제4 제어 홀(151_1 내지 151_4) 각각은 제1 측벽판(140)의 제1 내지 제4 제어 홀(141_1 내지 141_4) 각각에 대응하고, 접촉판(110)을 기준으로 대칭적으로 배치될 수 있어 제2 측벽판(150)의 제1 내지 제4 제어 홀(151_1 내지 151_4)에 대한 설명은 제1 측벽판(140)의 제1 내지 제4 제어 홀(141_1 내지 141_4)에 대한 설명으로 대체될 수 있다.
제1 측벽판(140)의 제1 제어 홀(141_1)은 D2-D3평면에서 바라보았을 때, 매거진(200)의 제1 기판 투입구(201_1) 및 제2 기판 투입구(201_2)의 일부와 중첩될 수 있다.
제1 측벽판(140)의 제2 제어 홀(141_2)은 D2-D3평면에서 바라보았을 때, 제3 기판 투입구(201_3)의 일부, 제4 기판 투입구(201_4) 및 제5 기판 투입구(201_5)와 중첩될 수 있다.
제1 측벽판(140)의 제3 제어 홀(141_3)은 D2-D3평면에서 바라보았을 때, 제6 기판 투입구(201_6) 및 제7 기판 투입구(201_7)와 중첩될 수 있다.
제1 측벽판(140)의 제4 제어 홀(141_4)은 D2-D3평면에서 바라보았을 때, 제9 기판 투입구(201_9) 및 하부 공간(201_10)과 중첩될 수 있다.
도면 상에서 제1 측벽판(140) 및 제2 측벽판(150) 내에 제1 내지 제4 기판 투입구(141_1 내지 141_4)가 도시되었지만, 본원 발명의 기술적 사상은 이에 제한되지 않고, 각각의 제1 측벽판(140) 및 제2 측벽판(150)에 자연수인 M개의 제어 홀이 배치될 수 있다.
매거진(200)의 제1 내지 제N 기판 투입구가 배치될 경우, 제1 측벽판(120) 및 제2 측벽판(130) 내에도 제1 내지 제M 제어 홀이 배치될 수 있다. M은 N과 동일할 수 있고, 다를 수 있다.
본원 발명의 실시예에 따라, 제어 홀의 개수, 크기 및 배치는 공정 중에 제어 홀을 통해 유입되는 가스의 양을 조절하기 위해 차이가 있을 수 있다.
도 7은 본 발명의 몇몇 다른 실시예들에 따른 매거진 및 매거진 지지 장치를 설명하기 위한 사시도이다. 이하에서, 도 7을 참조하여 본 발명의 또 다른 몇몇 실시예에 따른 매거진 지지 장치를 설명한다. 도 1 내지 도 4에 도시된 매거진 및 매거진 지지 장치들과의 차이점을 중심으로 설명한다.
매거진 지지 장치(100)는 매거진(200)의 제1 내지 제4 측벽(201, 202, 204, 205)에 인접하게 접촉하는 제1 내지 제4 승강 부재(161-164, 164 미도시)를 더 포함할 수 있다.
제1 내지 제4 승강 부재(161-164)를 통하여 매거진 지지 장치(100)와 매거진(200)은 기계적으로 연결될 수 있고, 제1 내지 제4 승강 부재(161-164)는 접촉판(110)을 기준으로 제3 방향(D3)으로 매거진(200)을 승강시킬 수 있다.
실시예에 따라, 제1 내지 제4 승강 부재(161-164)는 베어링을 포함하는 롤러를 포함하거나, 내부에 홈을 포함하여 플레이트를 포함시켜 매거진(200)을 제3 방향(D3)으로 슬라이드 이동할 수 있다.
상기 제1 내지 제4 승강 부재(161-164)의 구성들은 매거진(200)을 승강시키는 실시예의 예시로, 본원 발명의 기술적 사상은 상기 예시들에 제한되지 않는다.
본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 승강된 매거진(200)을 통해 제1 기판(1_1)을 포함한 스트립 자재를 반입 및 반출을 할 수 있다.
도 8은 본 발명의 몇몇 다른 실시예들에 따른 매거진 및 매거진 지지 장치를 설명하기 위한 사시도이다. 도 9는 본 발명의 몇몇 다른 실시예들에 따른 매거진 및 매거진 지지 장치를 설명하기 위한 사시도이다. 이하에서, 도 8 및 도 9를 참조하여 본 발명의 또 다른 몇몇 실시예에 따른 매거진 지지 장치를 설명한다. 도 1 내지 도 4에 도시된 매거진 및 매거진 지지 장치들과의 차이점을 중심으로 설명한다.
도 8 및 도 9의 접촉판(110)은 내부에 베어링을 포함하는 롤러를 포함하거나, 내부에 홈을 포함하여 플레이트를 포함시켜 제1 측벽판(120)을 슬라이드 이동시켜 제1 거리(W_110)를 변동시킬 수 있다.
도 8의 제1 접촉판(110)의 제1 거리(W_110)는 도 1의 제1 접촉판(110)과 비교하였을 때, 추가 거리(W_add)가 더해져 제1 측벽판(120)과 매거진의 제1 측벽(201) 사이의 거리를 추가 거리(W_add)가 추가될 수 있다.
도 9의 접촉판(110)과 같이, 제1 거리(W_110)와 매거진폭(W_200)의 차이가 제1 측벽판(120), 제2 측벽판(130)의 두께의 합과 같게 돼 각각의 제1 측벽(201)과 제2 측벽(202)은 각각의 제1 측벽판(120)과 제2 측벽판(130)과 접촉할 수 있다.
본원 발명의 실시예에 따라 매거진(200)에 유입되는 가스의 양을 조절하기 위해 접촉판(110)의 제1 거리(W_110)에 대하여 차이가 있다.
도 10은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 제조 장비를 설명하기 위한 사시도이다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 제조 장비(10)는 매거진(200), 매거진 지지 장치(100), 챔버 본체(300), 가스 주입부(400)가 포함할 수 있다.
매거진 지지 장치(100)와 매거진(200)은 도 1 내지 도 4의 매거진 지지 장치(100) 및 매거진(200)에 대응될 수 있고, 이들과의 차이점을 중심으로 설명한다.
매거진 지지 장치(100)는 도 1 내지 도 4와 비교하였을 때, 접촉판(110) 하부에 회전부(160)를 더 포함할 수 있다.
회전부(160)는 회전 구동 유닛(161) 및 회전 블록(162)을 포함할 수 있다. 회전 구동 유닛(161)은 접촉판(110) 하부에 연결되어 배치될 수 있고, 회전 블록(162)은 회전 구동 유닛(161)과 연결되고, 회전 블록(162)의 회전축과 매거진(200)의 중심축이 일치하도록 배치될 수 있다. 회전부(160)는 공정 중에 매거진(200)을 매거진(200)의 중심축을 기준으로 회전시킬 수 있다.
이에 따라 회전부(160)는 매거진(200) 및 매거진 지지 장치(100)를 챔버 본체(300) 상에서 지지할 수 있다.
챔버 본체(300)는 플라즈마 공정, 세척 공정, 식각 공정 등이 진행되는 공간을 제공할 수 있다. 챔버 본체(300)는 상부벽, 측벽, 및 하부벽으로 이루어질 수 있으며, 도시되지 않았으나, 챔버 본체(300)의 일 측에는 기판이 투입된 매거진(200)이 반입 및 반출되는 통로가 제공될 수 있다.
또한, 도면상에서는 챔버 본체(300)는 공정이 수행되는 하나의 스테이션을 포함하지만, 실시예에 따라 챔버 본체(300) 내에 복수의 스테이션들을 가질 수 있으며, 각각의 스테이션들은 매거진(200), 매거진 지지 장치(100), 챔버 본체(300), 가스 주입부(400) 등을 포함할 수 있다.
가스 주입부(400)는 챔버 본체(300) 내에서 접촉판(110)과 마주보도록 매거진 지지 장치(100)의 상부에 배치될 수 있다. 가스 주입부(400)는 가스 공급 유닛(미도시)과 연결되어, 가스 공급 유닛(미도시)으로부터 공급된 공정가스를 분배하여 매거진(200) 내 기판에 제공하기 위한 구성일 수 있다. 가스 주입부(400)는 예를 들어, 샤워 헤드일 수 있으며, 공정 가스를 분사하는 복수의 분사 홀들을 갖는 플레이트를 포함할 수 있다.
다만, 도 11의 반도체 제조 장비(10)와 달리 전극들을 포함하지 않는 경우, 리모트 플라즈마(Remote Plasma) 주입 방식과 같이 가스 주입부(400)는 가스 공급 유닛에서 이미 플라즈마화된 가스 혹은 화학 가스(chemical gas)를 공급받아 매거진(200) 및 매거진 지지 장치(100)에 투입시킬 수 있다. 상기 플라즈마화된 가스 혹은 화학 가스는 플라즈마된 O2를 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
도 11은 본 발명의 몇몇 다른 실시예들에 따른 반도체 제조 장비를 설명하기 위한 사시도이다. 이하에서, 도 11을 참조하여 본 발명의 또 다른 몇몇 실시예에 따른 반도체 제조 장비를 설명한다. 도 10에 도시된 반도체 제조 장비와의 차이점을 중심으로 설명한다.
반도체 제조 장비(10)는 제1 내지 제2 전극(501, 502) 및 제1 내지 제2 전력 공급원(503, 504)를 포함할 수 있다.
제1 내지 제2 전극(501, 502)은 매거진(200) 및 매거진 지지 장치(100)를 기준으로 대칭적으로 배치될 수 있다. 도면상에서는 각각의 제1 내지 제2 전극(501, 502)은 각각 매거진(200)의 제3 측벽(204), 제4 측벽(205)에 대향되도록 배치되었으나, 이에 제한되지 않는다. 또한, 제1 내지 제2 전극(501, 502)의 전극폭(W_501, W_502)은 매거진(200)의 매거진폭(W_200)보다 넓을 수 있다.
각각의 제1 및 제2 전력 공급원(503, 504)은 각각의 제1 내지 제2 전극(501, 502)으로 RF 전력을 공급할 수 있으며, 제1 내지 제2 전극(501, 502) 사이에 전압차에 의한 전기장을 발생시키고, 발생된 전기장은 매거진(200) 및 매거진 지지 장치(100) 내에 있는 공정가스를 플라즈마 공정에 이용되는 플라즈마 가스로 변환시킬 수 있다. 매거진(200) 및 매거진 지지 장치(100) 내에 있는 가스는 산소일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
도 12 내지 도 14는 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 제조 장비의 동작을 설명하기 위한 도면들이다.
도 12를 참조하면, 가스 주입부(400)는 공정가스(Gas)를 매거진(200) 및 매거진 지지 장치(100)가 배치되는 공정 영역에 제공할 수 있다. 이후, 공정이 수행되는 매거진(200) 내부의 기판에 공정가스(Gas)가 공급될 수 있다.
도 13을 참조하면, 각각의 제1 및 제2 전력 공급원(503, 504)은 각각의 제1 내지 제2 전극(501, 502)으로 RF 전력을 공급하고, 제1 내지 제2 전극(501, 502) 사이에 전압차에 의한 전기장을 발생시켜 제2 전극(502)에서 제1 전극(501)으로 공정전계(E)를 발생시킬 수 있다.
발생된 공정전계(E)에 의해 매거진(200) 내부에 공급된 공정가스(Gas)를 플라즈마화할 수 있다. 매거진 지지 장치(100)의 제1 측벽판(120)과 제2 측벽판(130)은 매거진(200)에 배치되어 매거진(200) 양측에 발생할 수 있는 빈 공간(V)에 공정전계(E)가 집중되는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 매거진(200) 내에서 D1 방향으로 위치가 변동되어도 공정전계(E)가 균일하게 유지될 수 있어, 매거진 내 플라즈마된 공정가스(Gas)의 농도가 균일해질 수 있다.
도 14를 참조하면, 가스 주입부(400)는 공정가스(Gas)를 주입하고, 제1 및 제2 전력 공급원(503, 504)이 각각의 제1 내지 제2 전극(501, 502)으로 RF 전력을 공급하는 등 공정이 수행되는 동안, 회전부(160)는 턴 플라즈마(Turn Plasma) 방식으로 매거진(200) 및 매거진 지지 장치(100)를 매거진의 중심축을 기준으로 회전시킬 수 있다.
실시예에 따라, 회전부(160)는 다이렉트 플라즈마(Direct Plasma) 방식으로 지지대의 역할을 수행하여 플라즈마 공정 수행동안, 매거진(200) 및 매거진 지지 장치(100)를 회전시키지 않을 수 있다.
도 15 및 16은 본 발명의 몇몇 실시예들에 따른 반도체 제조 장비의 효과를 설명하기 위한 도면들이다.
도 15 및 도 16을 참조하면, 제1 기판(1_1)은 공정이 수행된 위치에 따라 제1 방향(D1)의 순서대로 A1 내지 A6, B1 내지 B6, I1 내지 I6, J1 내지 J6, Q1 내지 Q6 및 R1 내지 R6의 영역을 포함할 수 있다. 도 16은 상기 각각의 영역에 따라 식각 정도를 나타내는 G.V(Gray Value) 값를 나타낸 그래프이다.
일반적으로 기판에서 식각이 될수록 필러(Filler)가 노출이 돼, G.V 값이 떨어지는 경향성을 가지게 된다. 따라서, 제1 기판(1_1) 내에 서로 다른 두 영역이 비슷한 값의 G.V 값을 갖는 경우 두 영역의 식각 정도는 유사하다고 볼 수 있다.
도 16을 참조하면, 본원 발명의 매거진 지지 장치(100)를 적용하고 플라즈마 공정을 수행하는 경우, 최외곽 영역 A1에서 중심 영역 I6를 지나 최외곽 영역(R6)까지 G.V 값이 약 180로 균일하여 제1 기판(1_1) 내 식각 정도는 균일한 것을 알 수 있다.
본원 발명의 매거진 지지 장치(100)를 적용하지 않고 플라즈마 공정을 수행하는 경우, 최외곽 영역 A1, R6의 G.V 값이 약 80 내지 90 범위 내에 있고, 중심 영역 I6에서 G.V 값은 약 170으로 영역 A1과 영역 I6의 G.V값 차이(diff_A1_I6)는 약 80 이상이기 때문에 중심 영역과 최외곽 영역의 식각 정도는 차이가 크다고 볼 수 있다.
본원 발명의 몇몇 실시예들에 따른 매거진 지지 장치(100)는 매거진(200)의 측벽으로 과도하게 발생하는 전계를 측벽판(120, 130)과 측벽판(120, 130) 내 제어 홀 등을 통해 조절하여 매거진(200) 내부의 플라즈마된 공정가스의 농도를 균일하게 하여 공정의 신뢰성 및 효율성을 향상시킬 수 있다.
또한, 측벽판(120, 130) 사이의 간격 및 측벽판(120, 130) 내 제어홀들의 개수, 배치, 크기등을 조절하여 매거진(200)을 지나는 전계를 조절할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 매거진 지지 장치 110: 접촉판
120: 제1 측벽판
121_1 내지 121_10: 제1 내지 제10 제어 홀
130: 제2 측벽판
131_1 내지 131_10: 제1 내지 제10 제어 홀
200: 매거진
201_1 내지 201_9: 제1 내지 제9 기판 투입구
201_10: 하부 공간
201: 제1 측벽 202: 제2 측벽

Claims (10)

  1. N개의 기판 투입구를 포함하는 매거진을 지지하는 매거진 지지 장치에 있어서,
    상기 매거진 지지 장치는
    상기 매거진과 접촉하는 접촉판;
    상기 접촉판의 일단으로부터 수직하게 연장되는 제1 측벽판; 및
    상기 제1 측벽판과 평행하고, 상기 접촉판의 타단으로부터 수직하게 연장되는 제2 측벽판을 포함하고,
    상기 제1 측벽판은 상기 매거진의 제1 측벽의 적어도 일부를 따라 연장되고,
    상기 제2 측벽판은 상기 매거진의 제2 측벽의 적어도 일부를 따라 연장되고,
    상기 제1 측벽판 및 상기 제2 측벽판은 가스가 출입되는 제어홀을 포함하되,
    상기 N은 2 이상의 자연수인 매거진 지지 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 측벽판은 상기 매거진의 상기 제1 측벽과 접촉하는 매거진 지지 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 매거진은 상기 N개의 기판 투입구 중 최하단의 기판 투입구 하부에 빈 공간을 더 포함하고,
    상기 제1 측벽판과 제2 측벽판 각각은 N+1개의 제어 홀을 각각 포함하는 매거진 지지 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 측벽판은 상기 제1 측벽의 전부를 덮고, 상기 제2 측벽판은 상기 제2 측벽의 전부를 덮는 매거진 지지 장치.
  5. N개의 기판 투입구를 포함하는 매거진;
    상기 매거진을 지지하는 매거진 지지 장치; 및
    상기 매거진 및 상기 매거진 지지 장치에 식각 가스를 투입시키는 가스 투입부를 포함하되,
    상기 매거진 지지 장치는,
    상기 매거진과 접촉하는 접촉판,
    상기 접촉판의 일단으로부터 수직하게 연장되는 제1 측벽판, 및
    상기 제1 측벽판과 평행하고, 상기 접촉판의 타단으로부터 수직하게 연장되는 제2 측벽판을 포함하고,
    상기 제1 측벽판은 상기 매거진의 제1 측벽의 적어도 일부를 따라 연장되고,
    상기 제2 측벽판은 상기 매거진의 제2 측벽의 적어도 일부를 따라 연장되고,
    상기 제1 측벽판 및 상기 제2 측벽판은 가스가 출입되는 제어홀을 포함하되,
    상기 N은 2 이상의 자연수인 반도체 제조 장비.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 매거진과 상기 매거진 지지 장치는 기계적으로 연결되는 반도체 제조 장비.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 매거진은 상기 접촉판을 기준으로 수직한 방향으로 이동하는 반도체 제조 장비.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 접촉판의 상기 일단과 상기 타단 사이의 폭을 변경하여,
    상기 제1 측벽판과 상기 제2 측벽판 사이의 거리를 변경하는 반도체 제조 장비.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 접촉판에 부착되는 회전 구동 유닛;
    상기 회전 구동 유닛에 연결되어, 상기 매거진의 중심을 축으로 상기 매거진을 회전시키는 회전 블록을 더 포함하는 반도체 제조 장비.
  10. N개의 기판 투입구 및 상기 N개의 기판 투입구 중 최하단의 기판 투입구 하부에 빈 공간을 포함하는 매거진;
    상기 매거진을 지지하는 매거진 지지 장치;
    상기 매거진 및 상기 매거진 지지 장치에 식각 가스를 투입시키는 가스 투입부를 포함하되,
    상기 매거진 지지 장치는,
    상기 매거진과 접촉하는 접촉판,
    상기 접촉판의 일단으로부터 수직하게 연장되는 제1 측벽판, 및
    상기 제1 측벽판과 평행하고, 상기 접촉판의 타단으로부터 수직하게 연장되는 제2 측벽판을 포함하고,
    상기 제1 측벽판은 상기 매거진의 제1 측벽의 적어도 일부를 따라 연장되고,
    상기 제2 측벽판은 상기 매거진의 제2 측벽의 적어도 일부를 따라 연장되고,
    상기 제1 측벽판 및 제2 측벽판은 상기 식각 가스가 출입되는 N+1개의 제어 홀을 포함하되,
    상기 N은 2 이상의 자연수인 반도체 제조 장비.
KR1020200070271A 2020-06-10 2020-06-10 매거진 지지 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 장비 KR20210153349A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200070271A KR20210153349A (ko) 2020-06-10 2020-06-10 매거진 지지 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 장비
US17/200,981 US11955359B2 (en) 2020-06-10 2021-03-15 Magazine supporting equipment and semiconductor manufacturing apparatus including the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200070271A KR20210153349A (ko) 2020-06-10 2020-06-10 매거진 지지 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 장비

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210153349A true KR20210153349A (ko) 2021-12-17

Family

ID=78825908

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200070271A KR20210153349A (ko) 2020-06-10 2020-06-10 매거진 지지 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 장비

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11955359B2 (ko)
KR (1) KR20210153349A (ko)

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4293249A (en) 1980-03-03 1981-10-06 Texas Instruments Incorporated Material handling system and method for manufacturing line
US4457661A (en) 1981-12-07 1984-07-03 Applied Materials, Inc. Wafer loading apparatus
US6245189B1 (en) * 1994-12-05 2001-06-12 Nordson Corporation High Throughput plasma treatment system
KR0164141B1 (ko) 1995-06-30 1999-02-01 김주용 반도체 매거진 세척장치
US6034000A (en) * 1997-07-28 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Multiple loadlock system
KR100275135B1 (ko) 1997-12-30 2001-01-15 김영환 반도체 패키지의 제조공정용 세척장치 및 그를 이용한 세척방법
US6267075B1 (en) * 1998-07-09 2001-07-31 Yield Engineering Systems, Inc. Apparatus for cleaning items using gas plasma
KR200243280Y1 (ko) 1998-12-30 2001-12-01 마이클 디. 오브라이언 반도체패키지용매거진
TWI239794B (en) 2002-01-30 2005-09-11 Alps Electric Co Ltd Plasma processing apparatus and method
TWM243458U (en) * 2003-02-27 2004-09-11 Innolux Display Corp Substrate cassette
US6877194B2 (en) * 2003-07-14 2005-04-12 Peak Plastic & Metal Products (International) Ltd. Open frame tray clip
KR100669661B1 (ko) 2005-07-15 2007-01-16 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 제조용 매거진
KR200418767Y1 (ko) 2006-04-04 2006-06-13 강칠국 반도체 패키지 제조용 매거진
KR100941447B1 (ko) 2007-12-18 2010-02-11 주식회사제4기한국 Ｐｃｂ의 플라즈마 연속 자동 처리장치
KR100851242B1 (ko) 2008-03-27 2008-08-08 비전세미콘 주식회사 반도체용 플라즈마 세정장치
KR101866201B1 (ko) * 2011-04-12 2018-06-12 삼성전자주식회사 세정 장치
KR101887461B1 (ko) 2017-06-28 2018-08-13 엠케이메탈 주식회사 기판 수납용 매거진
KR20210011536A (ko) * 2019-07-22 2021-02-02 삼성디스플레이 주식회사 미세 소자의 전사 장치 및 전사 방법
CN115298797A (zh) * 2020-01-09 2022-11-04 诺信公司 用于等离子体处理的工件支撑系统及其使用方法
DE202020101033U1 (de) * 2020-02-25 2020-03-27 Asys Automatisierungssysteme Gmbh Substratmagazin für Be- oder Entladeeinrichtungen

Also Published As

Publication number Publication date
US20210391199A1 (en) 2021-12-16
US11955359B2 (en) 2024-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8409995B2 (en) Substrate processing apparatus, positioning method and focus ring installation method
KR20120137986A (ko) 정전척
US20090183833A1 (en) Plasma processing apparatus
KR20080076574A (ko) 돌기 모양의 전극 패턴을 가지는 바이폴라 정전척 및 이를이용한 기판 처리 방법
KR20080023569A (ko) 식각프로파일 변형을 방지하는 플라즈마식각장치
US20090223449A1 (en) Cover part, process gas diffusing and supplying unit, and substrate processing apparatus
US9484213B2 (en) Processing gas diffusing and supplying unit and substrate processing apparatus
CN102290328A (zh) 干蚀刻装置
JP5250445B2 (ja) プラズマ処理装置
KR20210153349A (ko) 매거진 지지 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 장비
KR102458733B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
US20220285135A1 (en) Substrate processing apparatus
KR101015389B1 (ko) 기판 처리 장치
US20210002781A1 (en) Plating device and plating method
KR20080026340A (ko) 배플 플레이트를 구비한 플라즈마 처리 장치
KR102363678B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP5821039B2 (ja) プラズマ処理装置
KR100504541B1 (ko) 화학기상 증착장비 및 이의 제조방법
KR101256485B1 (ko) 기판처리장치의 공정챔버
CN103718284A (zh) 等离子体处理装置以及等离子体处理方法
KR20190122577A (ko) 기판처리장치
KR101079224B1 (ko) 상부전극 어셈블리 및 플라즈마 처리 장치
KR100725785B1 (ko) 플라스마 에칭 장치
KR101362455B1 (ko) 리프트 핀 구동장치 및 이를 구비한 평판표시소자 제조장치
KR20200022277A (ko) 기판 처리 방법 및 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination