CN213043888U - 天线组件及包括该组件的电感耦合等离子体处理装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及电感耦合等离子体处理装置用天线组件及包括该组件的电感耦合等离子体处理装置，在对基板进行工艺处理的工艺空间生成电感耦合等离子体，以对基板进行工艺处理。本实用新型的电感耦合等离子体处理装置用天线组件包括：输入天线，与外部的电源连接；输出天线，用于向外部输出与所述输入天线连接的电源所提供的电流；连接天线，其相对于所述输入天线和所述输出天线沿着横向配置，且一端分别连接在所述输入天线和所述输出天线；以及桥式天线，其相对于配置有所述连接天线的平面向上方隔开配置，用于对所述连接天线之间进行连接，所述连接天线分别连接在所述输入天线和所述输出天线上。

Description

天线组件及包括该组件的电感耦合等离子体处理装置

技术领域

本实用新型涉及一种电感耦合等离子体处理装置用天线组件及包括该组件的电感耦合等离子体处理装置，更具体涉及在对基板进行工艺处理的工艺空间生成电感耦合等离子体，从而对基板进行工艺处理的电感耦合等离子体处理装置用天线组件以及包括该组件的电感耦合等离子体处理装置。

背景技术

制造半导体，显示器以及太阳能电池(solar cell)等工艺处理过程包括用于在基板(晶片，玻璃基板)的表面上形成电图案的蚀刻工艺。这种蚀刻工艺分为湿蚀刻法和干蚀刻法，近来，相对于湿蚀刻法，广泛使用工艺效率更好的干蚀刻法。

其中，制造半导体、显示器以及太阳能电池等领域里，在干蚀刻法中广泛使用利用电感耦合等离子体的电感耦合等离子体处理装置。电感耦合等离子体处理装置利用感应电场将向进行工艺处理基板的工艺空间供给工艺气体变换成电感耦合等离子体状态。通过电感耦合等离子体装置生成的电感耦合等离子体与基板的表面冲突过程中进行蚀刻工艺。

另一方面，上述电感耦合等离子体处理装置包括：高频电源；天线，被施加高频电源，以在处理基板的工艺空间产生电感耦合等离子体；绝缘体的电介质窗；以及用于支撑电介质窗的框架。配置于天线下部的电介质窗和支撑电介质窗的框架根据在工艺空间进行基板处理的基板的尺寸而定。例如，显示器制造领域中，每个制造商之间都存在差异，但如6G，8G，10G等，按代区分基板的尺寸并使用。按代区分这些基板的尺寸时，相对于基板的尺寸，电介质窗的尺寸也在增加。

电介质窗通常由陶瓷材料制造，材料的物理特性上，达到一定的尺寸后，很难再与基板的尺寸相应地增加尺寸。考虑到这种电介质窗的物理特性，将电介质窗分隔成多个，以对应于基板的尺寸。分隔成多个的电介质窗由框架部支撑。框架部由作为被腔室支撑的边框区域的框架以及配置在框架的内部用于支撑被分隔成多个电介质窗的多个框架杆构成。框架部具有与电介质窗对应的尺寸，该电介质窗的尺寸对应于基板的尺寸。框架部由导电性金属材料制成，支撑多个电介质窗。

但是，现有电感耦合等离子体处理装置中，随着施加高频电源而生成感应电流的天线与导电性材质的框架部之间需要彼此绝缘。因此，天线和框架部配置成彼此不接触。如上述，当增加框架部的尺寸(面积)时，为了维持框架部的强度，只能整体增加框架部的厚度。随着增加这些框架部的厚度，需要防止天线和厚度增加的框架部之间彼此接触的结构。另外，在防止天线和框架部的彼此接触的同时，根据框架部的厚度变更天线的配置结构时，需要通过控制阻抗来消除等离子体密度的不均匀性。

在先技术文献

专利文献

韩国授权专利公报第1512086号：等离子体天线及包括其的等离子体发生装置

实用新型内容

技术问题

本实用新型的目的在于，提供一种通过改善天线的配置结构，能够防止框架和天线之间的彼此接触的电感耦合等离子体处理装置用天线组件及包括该组件的电感耦合等离子体处理装置。

另外，本实用新型的另一目的在于，提供一种通过用于避免天线和框架部的彼此接触的改善的天线配置结构，易于控制阻抗，以便消除等离子体密度的不均匀性的电感耦合等离子体处理装置用天线组件及包括该组件的电感耦合等离子体处理装置。

技术方案

根据本实用新型，上述问题的解决方案中，电感耦合等离子体处理装置用天线组件包括：输入天线，与外部的电源连接；输出天线，用于向外部输出与所述输入天线连接的电源所提供的电流；连接天线，相对于所述输入天线和所述输出天线沿着横向配置，且一端分别连接在所述输入天线和所述输出天线；以及桥式(bridge)天线，其相对于配置有所述连接天线的平面向上方隔开配置，用于对所述连接天线之间进行连接，所述连接天线分别连接在所述输入天线和所述输出天线上。

向上跨越连接各个所述连接天线的自由端的所述桥式天线的形状包括一侧开放的半圆形和多角形中的一种。

所述电感耦合等离子体处理装置用天线组件可以进一步包括：电介质窗，分隔成多个；以及框架部，具有多个框架杆，所述多个框架杆用于在平面上支撑被分隔成多个的所述电介质窗，所述桥式天线的高度高于所述框架杆的高度，所述桥式天线用于将各个所述连接天线的自由端相连接。

在所述桥式天线形成有沿着高度方向隔开规定间距的多个连接部，对应于，所述连接天线对应于所述多个连接部，并以从所述电介质窗的板面隔开不同高度的方式调整配置位置。

配置在多个所述连接部中任一连接部上的所述连接天线相对于所述电介质窗的板面平行。

另外，所述电感耦合等离子体处理装置用天线组件进一步包括支撑部，其连接在所述桥式天线，以使所述输入天线、所述输出天线、所述连接天线以及所述桥式天线被支撑在天线室。

所述框架部具有4500mm×4000mm以上的尺寸，所述电介质窗可以分隔成至少16个。

与所述输入天线连接的所述连接天线配置在比与所述输出天线连接的所述连接天线的高度更高的位置上。

所述连接天线能够相对于多个所述连接部进行滑动，以调整配置位置。

所述桥式天线可以包括：一对第一桥式天线，分别连接在所述连接天线；第二桥式天线，连接所述一对第一桥式天线；连接部，沿着一对所述第一桥式天线的长度方向分别配置有多个所述连接部，所述第二桥式天线与所述连接部连接，所述第二桥式天线可沿着所述第一桥式天线的长度方向变更配置位置。

在所述输入天线和所述输出天线分别沿着长度方向形成有多个输入天线连接部和输出天线连接部，所述连接天线包括：第一连接天线，连接所述输入天线和所述第一桥式天线；以及第二连接天线，连接所述输出天线和所述第一桥式天线，所述第一连接天线和所述第二连接天线以变更配置位置的方式分别连接在所述输入天线连接部和所述连接部之间以及所述输出天线连接部和所述连接部之间。

另一方面，根据本实用新型，上述问题的解决方案中，电感耦合等离子体处理装置包括：腔室，形成对基板进行等离子体工艺处理的工艺空间；工作台，配置于所述工艺空间内部，用于支撑所述基板；高频电源部，配置于所述腔室的外部，用于施加高频电源；以及电感耦合等离子体处理装置用天线组件，连接于所述高频电源部，用于在所述工艺空间生成对所述基板进行工艺处理所需的电感耦合等离子体。

其它多个实施例的多个具体事项包含在详细说明及附图中。

实用新型效果

本实用新型的电感耦合等离子体处理装置用天线组件以及包含该组件的电感耦合等离子体处理装置的效果如下。

第一，通过将连接输入天线和连接天线之间的桥式天线相对于配置有连接天线的平面向上隔开配置，防止与其他结构之间的干涉，因此能够防止等离子体密度的降低。

第二，桥式天线以高度高于框架杆的高度的方式配置，从而防止与框架杆接触，能够对输入天线、输出天线以及连接天线与框架部之间进行绝缘，因此能够防止伴随防止等离子体密度的降低和故障等。

第三，连接天线可沿着桥式天线调整高度，从而可灵活地调整天线的阻抗，因此，能够精确地控制等离子体的密度。

附图说明

图1是本实用新型的实施例涉及的电感耦合等离子体处理装置的概略构成剖面图。

图2是图1中示出的本实用新型的实施例涉及的电感耦合等离子体处理装置用天线组件的俯视图。

图3是本实用新型的第一实施例涉及的电感耦合等离子体处理装置用天线组件的部分立体图。

图4是图3中示出的电感耦合等离子体处理装置用天线组件的侧面图。

图5是本实用新型的第二实施例涉及的电感耦合等离子体处理装置用天线组件的部分立体图。

图6是图5中示出的电感耦合等离子体处理装置用天线组件的侧面图。

图7至图10是本实用新型的第三至第六实施例涉及的电感耦合等离子体处理装置用天线组件的侧面图。

图11是本实用新型的第七实施例涉及的电感耦合等离子体处理装置用天线组件的部分立体图。

图12是图11中示出的电感耦合等离子体处理装置用天线组件的侧面图。

图13是本实用新型的第八实施例涉及的电感耦合等离子体处理装置用天线组件的侧面图。

附图标记：

1：电感耦合等离子体处理装置10：腔室

210：高频电源部

1000：电感耦合等离子体处理装置用天线组件

1100：框架部 1200：电介质窗

1300：输入天线 1400：输出天线

1500：连接天线 1600：桥式天线

1660：连接部 1700：支撑部

具体实施方式

以下，参照附图对本实用新型的实施例涉及的电感耦合等离子体处理装置用天线组件以及具有该组件的电感耦合等离子体处理装置进行详细说明。

本实用新型由第一至第八实施例构成，并对相同结构的名称使用相同的附图标记。对本实用新型的第一以及第二实施例中的桥式天线主体1620，在本实用新型的第三至第六实施例中，则记载为第一桥式天线1620。

图1是本实用新型的实施例涉及的电感耦合等离子体处理装置的概略构成剖面图，图2是图1中示出的本实用新型的实施例涉及的电感耦合等离子体处理装置用天线组件的俯视图。

如图1以及图2所示，本实用新型的实施例涉及的电感耦合等离子体处理装置1包括腔室10、工作台、高频电源部210以及电感耦合等离子体处理装置用天线组件1000。另外，本实用新型的实施例涉及的电感耦合等离子体处理装置1进一步包括门30、排气口50、电极部用电源部170以及静电夹盘用电源部190。

腔室10包括腔室本体12以及盖14。腔室本体12的内部由电感耦合等离子体处理装置用天线组件1000划分为工艺空间16和天线室18。工艺空间16和天线室18被电感耦合等离子体处理装置用天线组件1000分隔成彼此单独的区域。盖14配置在腔室本体12的上部。即，盖14配置在腔室本体12的上部，从而选择性地开闭天线室18的开口区域。形成于腔室本体12的内部的工艺空间16配置有支撑基板S的工作台。

门30分别配置在从腔室10的外部向工艺空间16供给基板S的供给口以及将工艺处理的基板S从工艺空间16向腔室10的外部排出的排出口上。门30可以随着基板S的工艺过程选择性地开闭供给口以及排出口。作为本实用新型的一实施例，门30可以分别配置在位于腔室主体12两侧的供给口以及排出口，但供给口和排出口为同一个时，可以配置成一个。

排气口50与位于腔室10外部的诸如真空泵等真空装置(未图示)连接，以便在对基板S进行工艺处理时，保持工艺空间16的真空氛围。

工作台位于工艺空间16内，用于支撑被工艺空间16工艺处理的基板S。工作台配置成与电感耦合等离子体处理装置用天线组件1000对置。作为本实用新型的一实施例，工作台包括电极部70、基部90、绝缘部110、冷却部130以及静电夹盘150。但除了本实用新型的一实施例以外，工作台可以设计变更为各种结构。

电极部70与配置于腔室10外部的电极部用电源部170电连接。电极部70利用电连接的电极部用电源部170供给的电流在工艺空间16形成电场。由电极部70形成的电场与由电感耦合等离子体处理装置用天线组件1000所生成的感应电场通过与供给至工艺空间16的工艺气体的离子化而生成电感耦合等离子体。基部90位于腔室10的下部与电极部70之间。基部90用于对构成工作台的电极部70、绝缘部110、冷却部130以及静电夹盘150进行支撑。

绝缘部110配置于电极部70与基部90之间，使电极部70与基部90之间绝缘。冷却部130配置于电极部70与绝缘部110之间，以冷却电极部70中所产生的发热。冷却部130的内部形成有制冷剂流路，以便对电极部70的发热进行散热。静电夹盘150与位于腔室10外部的静电夹盘用电源部190电连接。静电夹盘150利用从静电夹盘用电源部190选择性地供给的直流电源而选择性地夹持基板S。

<第一以及第二实施例>

图3是本实用新型的第一实施例涉及的电感耦合等离子体处理装置用天线组件的部分立体图，图4是图3中示出的电感耦合等离子体处理装置用天线组件的侧面图，图5是本实用新型的第二实施例涉及的电感耦合等离子体处理装置用天线组件的部分立体图，并且，图6是图5中示出的电感耦合等离子体处理装置用天线组件的侧面图。

如图3至图6所示，本实用新型的第一以及第二实施例的电感耦合等离子体处理装置用天线组件1000包括：输入天线1300、输出天线1400、连接天线1500以及桥式(bridge)天线1600。另外，本实用新型的实施例涉及的电感耦合等离子体处理装置用天线组件1000进一步包括：框架部1100、电介质窗1200以及支撑部1700。

框架部1100和电介质窗1200将腔室本体12内部空间彼此划分为工艺空间16和天线室18，所述天线室18收纳有输入天线1300、输出天线1400、连接天线1500以及桥式天线1600。框架部1100用于支撑多个电介质窗1200。作为本实用新型的一实施例，框架部1100可以具有4500mm×4000mm以上的尺寸。即，框架部1100对应于大型化基板S并位于腔室10内部。作为本实用新型的一实施例，框架部1100包括框架1120和框架杆1140。框架1120构成用于支撑腔室10内部的框架部1100的边框。框架杆1140用于支撑分隔为多个的电介质窗1200。其中，由框架1120和框架杆1140构成的框架部1100由金属材料制成，以使所述框架部1100具有所需强度以支撑被分隔成多个电介质窗。作为本实用新型的一实施例，为了加强确保抗扭曲等强度，具有4500mm×4000mm以上尺寸的框架部1100具备高度大于65mm的框架杆1140。

输入天线1300与位于腔室10外部的高频电源部210电连接。输出天线1400用于向外部输出向输入天线1300供给的高频电源所提供的感应电流。

连接天线1500沿着输入天线1300和输出天线1400的横向配置。详细地，连接天线1500沿着平行于电介质窗1200的板面的方向配置。连接天线1500包括连接于输入天线1300的第一连接天线1520和连接于输出天线1400的第二连接天线1540。作为本实用新型的一实施例，第一连接天线1520和第二连接天线1540的一端分别连接于输入天线1300和输出天线1400，且另一端作为自由端。

桥式天线1600连接分别与输入天线1300和输出天线1400连接的连接天线1500之间。即，桥式天线1600连接第一连接天线1520和第二连接天线1540的自由端，以使第一连接天线1520和第二连接天线1540被通电。桥式天线1600相对于配置有连接天线1500的平面向上隔开配置。详细地，桥式天线1600将配置于电介质窗1200板面上的第一连接天线1520和第二连接天线1540相连接，其具有配置于框架杆1140上方位置的诸如跨栏竞技中使用的障碍物形状，以避免与导电性材料的框架杆1140接触。桥式天线1600包括一侧开放的半圆和多角形形状中的任一种。本实用新型的第一以及第二实施例的桥式天线1600具有一侧开放的四边形形状。这种桥式天线1600对导电性材料的框架杆1140绝缘输入天线1300、输出天线1400以及连接天线1500。

本实用新型的桥式天线1600包括桥式天线主体1620以及连接部1660。桥式天线主体1620如图3至图6所示，具有一侧开放的四边形形状，用于连接第一连接天线1520和第二连接天线1540。并且，沿着桥式天线主体1620的上下方向隔开规定间距形成有多个连接部1660。连接部1660为连接连接天线1500的连接区域。

如图5以及图6所示，本实用新型的第二实施例涉及的连接天线1500连接在沿着桥式天线主体1620的上下方向隔开规定间距形成的连接部1660上。即，连接天线1500对应于多个连接部1660，以对电介质窗1200的板面隔开高度差的方式调整配置位置。本实用新型的第二实施例的连接天线1500可调整连接在输入天线1300的第一连接天线1520的高度。这种使连接于输入天线1300的第一连接天线1520的高度高于第二连接天线1540的高度的理由为，供给于输入侧的电流强度相对高于从输出侧输出的电流强度。通过调整连接至输入天线1300的第一连接天线1520的高度，使阻抗的控制变得容易，且由此可以调整等离子体密度的不均匀性。其中，位于更高位置的第一连接天线1520应与电介质窗1200的板面平行配置。另一方面，如上所述，相对于输出侧的第二连接天线1540，输入侧的第一连接天线1520位于更高的位置，但根据设计变更或者控制阻抗的需求，也可以使输出侧的第二连接天线1540位于更高的位置。

其次，支撑部1700连接盖14和桥式天线1600。支撑部1700连接于桥式天线1600，同时连接于盖14，从而将输入天线1300、输出天线1400、连接天线1500以及桥式天线1600支撑在天线室18。

<第三至第六实施例>

图7至图10是本实用新型的第三至第六实施例涉及的电感耦合等离子体处理装置用天线组件的侧面图。

本实用新型的第三至第六实施例涉及的电感耦合等离子体处理装置用天线组件1000与本实用新型的第一和第二实施例涉及的电感耦合等离子体处理装置用天线组件1000不同，在输入天线1300、输出天线1400、连接天线1500以及桥式天线1600具有区别。

详细地，输入天线1300包括输入天线主体1320和输入天线连接部1340，输出天线1400包括输出天线主体1420和输出天线连接部1440。输入天线主体1320与位于腔室10外部的高频电源部210电连接。并且，输出天线主体1420向外部输出来自输入天线主体1320的从高频电源所提供的感应电流。

沿着输入天线主体1320的长度方向形成有多个输入天线连接部1340，沿着输出天线主体1420的长度方向配置有多个输出天线连接部1440。这种输入天线连接部1340和输出天线连接部1440在形成于后述的第一桥式天线1620的连接部1660之间，分别与第一连接天线1520和第二连接天线1540连接。

连接天线1500沿着输入天线1300和输出天线1400的横向配置。详细地，沿着对电介质窗1200的板面平行的方向配置有连接天线1500。连接天线1500包括连接于输入天线1300的第一连接天线1520以及连接于输出天线1400的第二连接天线1540。其中，第一连接天线1520和第二连接天线1540以可变更配置位置的方式分别连接在输入天线1300和第一桥式天线1620之间以及输出天线1400和第一桥式天线1620之间。

桥式天线1600对分别连接于输入天线1300和输出天线1400的连接天线1500之间进行连接。即，桥式天线1600连接第一连接天线1520和第二连接天线1540的自由端，以使第一连接天线1520和第二连接天线1540被通电。桥式天线1600以相对于配置有连接天线1500的平面向上隔开的方式配置。详细地，桥式天线1600连接位于电介质窗1200板面上的第一连接天线1520和第二连接天线1540，其具有位于框架杆1140上方位置的诸如跨栏竞技中使用的障碍物形状，以避免与导电性材料的框架杆1140接触。

本实用新型的第三至第六实施例的桥式天线1600包括第一桥式天线1620、第二桥式天线1640以及连接部1660。

配置有一对第一桥式天线1620，以便分别连接至连接天线1500。详细地，第一桥式天线1620与连接输入天线1500和第一桥式天线1620之间的第一连接天线1520连接，且与连接输出天线1400和第一桥式天线1620之间的第二连接天线1540连接。

第二桥式天线1640连接一对第一桥式天线1620。第二桥式天线1640连接一对第一桥式天线1620，以使从输入天线1300供给的电流向输出天线1400输出。

沿着第一桥式天线1620的长度方向形成多个连接部1660。连接部1660在第二桥式天线1640以可改变相对于第一桥式天线1620的配置位置、即高度的方式与第二桥式天线1640连接。另外，连接部1660以可改变与第一连接天线1520和第二连接天线1540的配置位置的方式，与第一连接天线1520的一端和第二连接天线1540的一端连接。

例如，比较图7和图8，相对于图7的第二桥式天线1640，图8的第二桥式天线1640位于更靠下的配置位置。并且，比较图7和图9，相对于与输出天线1400连接的第二输出天线1540，第一连接天线1520位于更高的位置。这种使连接于输入天线1300的第一连接天线1520的高度高于第二连接天线1540的高度的理由为，向输入侧供给的电流大于从输出侧输出的电流。通过调整连接于输入天线1300的第一连接天线1520的高度，阻抗控制变得容易，由此可以调整等离子体密度的不均匀性。

另一方面，比较图9和图10，相对于与输入天线1300连接的第一连接天线1520，与输出天线1400连接的第二连接天线1540位于更高的位置。如图10所示的第一连接天线1520和第二连接天线1540的高度差与上述图9不同，是根据设计变更或者控制阻抗的需求，使连接在输出天线1400的第二连接天线1540的高度位于更高的位置。

<第七和第八实施例>

图11是本实用新型的第七实施例涉及的电感耦合等离子体处理装置用天线组件的部分立体图，图12是图11中示出的电感耦合等离子体处理装置用天线组件的侧面图，图13是本实用新型的第八实施例涉及的电感耦合等离子体处理装置用天线组件的侧面图。

如图11至图13所示，本实用新型的第七和第八实施例涉及的电感耦合等离子体处理装置用天线组件1000与本实用新型的第一和第二实施例涉及的电感耦合等离子体处理装置用天线组件1000同样，包括：框架部1100、电介质窗1200、输入天线1300、输出天线1400、连接天线1500、桥式天线1600以及支撑部1700。其中，本实用新型的第七、第八实施例涉及的电感耦合等离子体处理装置用天线组件1000的框架部1100、电介质窗1200、输入天线1300、输出天线1400以及连接天线1500在本实用新型的第一和第二实施例的电感耦合等离子体处理装置用天线组件1000进行了说明，因此省略说明。

桥式天线1600与本实用新型的第一和第二实施例的桥式天线1600不同，具有一侧开放的半圆形状。当然，桥式天线1600具有比框架杆1140更高的半圆，即具有半径大于框架杆1140的高度的半圆形状，从而避免接触于框架杆1140。本实用新型的第八实施例中，连接天线1500沿着半圆形状的桥式天线1600的圆周方向向上配置。该连接天线沿着桥式天线1600的圆周方向调整配置高度，但并非沿着法线方向配置，而是如本实用新型的第二实施例，配置成与电介质窗1200的板面平行。

通过将连接输入天线和连接天线的桥式天线以相对于配置有连接天线的平面向上隔开方式配置，可以防止与其他结构之间的干涉，从而防止等离子体密度的降低。

另外，桥式天线被配置成高度高于框架杆的高度，防止与框架杆接触，能够对输入天线、输出天线以及连接天线和框架部之间进行绝缘，因此防止等离子体密度的降低和故障等。

另外，连接天线能够沿着桥式天线调整高度，从而可灵活调整天线的阻抗，因此能够精确调整等离子体密度。

以上，参照附图对本实用新型的多个实施例进行了说明，本领域技术人员理解无需对本实用新型的技术思想或必要特征进行变更也能够以其它具体形式实施。因此，上述的多个实施例在所有方面均是示例性的而非限定性的。本实用新型的范围由所附权利要求书体现，而非上述详细说明，并且，由权利要求书的含义、范围以及其等同概念导出的所有变更及变形的形式，应均属于本实用新型的范围。

Claims (12)

1.一种电感耦合等离子体处理装置用天线组件，其特征在于，包括：

输入天线，与外部的电源连接；

输出天线，用于向外部输出与所述输入天线连接的电源所提供的电流；

连接天线，其相对于所述输入天线和所述输出天线沿着横向配置，且一端分别连接在所述输入天线和所述输出天线；以及

桥式天线，其相对于配置有所述连接天线的平面向上方隔开配置，用于对所述连接天线之间进行连接，所述连接天线分别连接在所述输入天线和所述输出天线上。

2.根据权利要求1所述的电感耦合等离子体处理装置用天线组件，其特征在于，

向上跨越连接各个所述连接天线的自由端的所述桥式天线的形状包括一侧开放的半圆形和多角形中的一种。

3.根据权利要求1所述的电感耦合等离子体处理装置用天线组件，其特征在于，进一步包括：

电介质窗，分隔成多个；以及

框架部，具有多个框架杆，所述多个框架杆用于在平面上支撑被分隔成多个的所述电介质窗，

所述桥式天线的高度高于所述框架杆的高度，所述桥式天线用于将各个所述连接天线的自由端相连接。

4.根据权利要求1所述的电感耦合等离子体处理装置用天线组件，其特征在于，

在所述桥式天线形成有沿着高度方向隔开规定间距的多个连接部，对应于，所述连接天线对应于所述多个连接部，并以从电介质窗的板面隔开不同高度的方式调整配置位置。

5.根据权利要求4所述的电感耦合等离子体处理装置用天线组件，其特征在于，

配置在多个所述连接部中任一连接部上的所述连接天线相对于所述电介质窗的板面平行。

6.根据权利要求3所述的电感耦合等离子体处理装置用天线组件，其特征在于，

进一步包括支撑部，所述支撑部连接在所述桥式天线，以使所述输入天线、所述输出天线、所述连接天线以及所述桥式天线被支撑在天线室。

7.根据权利要求3所述的电感耦合等离子体处理装置用天线组件，其特征在于，

所述框架部具有4500mm×4000mm以上的尺寸，所述电介质窗被分隔成至少16个。

8.根据权利要求4所述的电感耦合等离子体处理装置用天线组件，其特征在于，

与所述输入天线连接的所述连接天线配置在比与所述输出天线连接的所述连接天线的高度更高的位置上。

9.根据权利要求4所述的电感耦合等离子体处理装置用天线组件，其特征在于，

所述连接天线相对于多个所述连接部进行滑动，以调整配置位置。

10.根据权利要求1所述的电感耦合等离子体处理装置用天线组件，其特征在于，

所述桥式天线包括：

一对第一桥式天线，分别连接在所述连接天线；

第二桥式天线，连接所述一对第一桥式天线；

连接部，沿着一对所述第一桥式天线的长度方向分别配置有多个所述连接部，所述第二桥式天线与所述连接部连接，所述第二桥式天线可沿着所述第一桥式天线的长度方向变更配置位置。

11.根据权利要求10所述的电感耦合等离子体处理装置用天线组件，其特征在于，

在所述输入天线和所述输出天线分别沿着长度方向形成有多个输入天线连接部和多个输出天线连接部，

所述连接天线包括：

第一连接天线，连接所述输入天线和所述第一桥式天线；

第二连接天线，连接所述输出天线和所述第一桥式天线，

所述第一连接天线和所述第二连接天线以变更配置位置的方式分别连接在所述输入天线连接部和所述连接部之间以及所述输出天线连接部和所述连接部之间。

12.一种电感耦合等离子体处理装置，其特征在于，包括：

腔室，形成对基板进行等离子体工艺处理的工艺空间；

工作台，配置于所述工艺空间内部，用于支撑所述基板；

高频电源部，配置于所述腔室的外部，用于施加高频电源；以及

根据权利要求1至11中任一项所述的电感耦合等离子体处理装置用天线组件，其连接于所述高频电源部，用于在所述工艺空间生成对所述基板进行工艺处理所需的电感耦合等离子体。

Images