KR100213437B1 - 방진원단의 여과효율 측정장치 및 그 측정방법 - Google Patents

방진원단의 여과효율 측정장치 및 그 측정방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100213437B1
KR100213437B1 KR1019970014264A KR19970014264A KR100213437B1 KR 100213437 B1 KR100213437 B1 KR 100213437B1 KR 1019970014264 A KR1019970014264 A KR 1019970014264A KR 19970014264 A KR19970014264 A KR 19970014264A KR 100213437 B1 KR100213437 B1 KR 100213437B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
sample
filtration efficiency
particles
dustproof
Prior art date
Application number
KR1019970014264A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19980077235A (ko
Inventor
임창수
김현준
한윤수
이옥선
Original Assignee
윤종용
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윤종용, 삼성전자주식회사 filed Critical 윤종용
Priority to KR1019970014264A priority Critical patent/KR100213437B1/ko
Priority to JP29754097A priority patent/JP3701108B2/ja
Priority to US08/974,318 priority patent/US5939617A/en
Priority to TW086117798A priority patent/TW369598B/zh
Priority to CNB981043879A priority patent/CN1144044C/zh
Priority to GB9807434A priority patent/GB2330914B/en
Priority to DE19816489A priority patent/DE19816489B4/de
Publication of KR19980077235A publication Critical patent/KR19980077235A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100213437B1 publication Critical patent/KR100213437B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/36—Textiles
    • G01N33/367—Fabric or woven textiles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Textile Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Food Science & Technology (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)
  • Filtering Of Dispersed Particles In Gases (AREA)
  • Treatment Of Fiber Materials (AREA)
  • Professional, Industrial, Or Sporting Protective Garments (AREA)
  • Investigating Or Analysing Biological Materials (AREA)

Abstract

방진원단의 여과효율 측정장치 및 그 측정방법은 작업자 인체에 의한 청정실 오염을 방지하기 위해 정전기가 없고 청정실과 같은 습도의 조건에서 방진원단의 여과효율을 정확히 측정하고 방진원단의 사용기한을 결정하는데 그 목적이 있다.
방진원단의 여과효율 측정장치 및 그 측정방법은 가스 이온화부가 이온화된 가스를 챔버에 주입하고 가습부가 챔버내에 수증기를 주입하고 파티클 발생부가 파티클을 챔버 내에 주입하고 파티클 카운팅부가 챔버 내에 주입된 파티클의 수를 카운팅하도록 구성되는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 구성에 의하면, 챔버 내의 정전기가 이온화된 가스에 의해 제거되고 챔버 내의 습도가 청정실과 동일한 습도로 유지된 상태에서 파티클이 주입될 때, 시료를 통과하기 전, 후의 파티클의 수가 카운팅되고 시료의 여과효율이 연산된다. 따라서, 청정실 내에서 사용할 수 있는 방진복, 방진마스크, 방지장갑, 와이퍼(wiper) 등 방진제품의 방진원단이 개발 가능하고 방진원단의 사용기한 설정이 가능하므로 사용기한 내에서는 작업자 인체에서 발생한 파티클이 청정실로 방출하는 것이 차단되고 청정실의 고청정도가 유지되어 반도체소자의 수율이 향상된다.

Description

방진원단의 여과효율 측정장치 및 그 측정방법
본 발명은 방진원단의 여과효율 측정에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 방진원단의 여과효율을 측정하여 작업자 인체로부터 발생한 파티클이 청정실로 방출하는 것을 효과적으로 차단하는 방진제품들의 사용기한을 설정하도록 한 방진원단의 여과효율 측정장치 및 그 측정방법에 관한 것이다.
일반적으로 널리 알려진 바와 같이, 반도체소자의 제조공정은 청정공기를 제공하는 청정실 내에서 진행되고 있다. 청정실 내의 공기에는 미세입자인 파티클이 부유하고 있는데 이는 지금까지 반도체소자의 불량을 유발시킬 오염원으로서 크게 지적되지 않았다. 최근, 반도체소자의 미세화, 고밀도화가 급속히 진행됨에 따라 상기 파티클이 반도체소자의 주요 오염원으로 작용하기 시작하였다. 그래서, 반도체소자의 수율이나 신뢰성, 품질 등에 악영향을 주는 파티클의 발생원을 제거하기 위해 청정실의 고청정도를 유지 관리하는데 많은 관심이 집중되고 있다.
상기 파티클은 청정실에 투입되는 설비, 소모품, 시설물 등의 원자재에서 발생하는 것과 청정실 내에서 작업하는 작업자의 활동에 의해 지속적으로 발생하는 것으로 크게 구분될 수 있다. 현재는 설비, 소모품, 시설물 등의 재질 개선과 소재의 지속적인 개발 덕분으로 이들로부터 발생하는 파티클의 발생량이 상당히 감소되었으므로 작업자의 인체로부터 발생하는 파티클이 주요 불량 요인으로 부각되었다.
상기 파티클이 작업자의 인체로부터 발생하는 것을 억제하기 위해서는 완전한 무인 제조 공정을 운영하는 것이 이상적이나 이는 현실적으로 불가능하다. 그래서, 최소한의 인력을 필요로 하는 무인 제조 공정을 운영하면서 작업자로부터 발생하는 파티클을 최대한 억제하는데 노력이 집중하고 있다.
작업자가 청정실에서 소정의 작업을 하는 동안 자신의 인체로부터 파티클이 방출하는 것을 방지하기 위해 방진제품, 예를 들어 방진복, 방진마스크, 방진장갑 등을 착용하여 왔고, 이들 방진제품의 여과효율을 증가시키기 위해 고성능 여과효율의 방진원단이 지속적으로 개발되어 왔다.
상기 방진제품이 사용기한을 초과하여 사용되면, 방진제품의 방진원단의 여과효율이 감소하므로 작업자의 인체로부터 발생한 파티클이 상기 방진제품에 의해 여과되지 않고 방출된다. 그래서, 이들의 적절한 사용기한을 결정하기 위해 여과효율을 정확하게 측정하는 것이 요구된다. 또한, 방진원단의 개발시 방진원단의 여과효율 수준을 정확하게 테스트하는 것이 요구된다.
그러나, 지금까지 방진원단의 파티클 여과효율을 측정하는 장치가 제안되지 않았고 더욱이, 청정실과 같은 고청정도의 환경 조건에서 방진원단의 파티클 여과효율을 정확히 측정하는 장치가 제안되지 않았다.
이와 같이, 방진원단에 적절한 사용기한을 설정할 수 없는 실정 하에서는 작업자가 방진복, 방진마스크, 방진장갑, 와이퍼(wiper) 등을 청정실에서 사용기한을 초과 사용하여 왔다. 이로써, 다량의 파티클이 작업자 인체로부터 방진원단을 통과하여 청정실로 방출되므로 청정실의 고청정도 유지가 어렵고 반도체소자의 수율 향상에 지장을 주는 문제점이 있었다. 결국, 청정실의 고청정도를 유지하기 위해 고가의 설비들이 추가로 요구되고 이로 인해 반도체소자의 원가가 상승하는 부담이 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 작업자 인체에서 발생한 파티클로 인한 청정실의 오염을 억제하기 위해 방진원단의 여과효율을 정확히 측정하여 방진제품을 개발함과 아울러 방진제품의 적절한 사용기한을 설정할 수 있도록 한 방진원단의 여과효율 측정장치 및 그 측정방법을 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 방진원단의 여과효율 측정장치를 개략적으로 나타낸 구성도.
도 2a는 도 1의 시료 고정치구의 상판과 하판이 이격되어 있는 상태를 나타낸 정면도 및 평면도.
도 2b는 도 1의 시료 고정치구의 상판과 하판이 밀착한 상태를 나타낸 정면도 및 평면도.
도 3은 본 발명의 실시예에 의한 방진원단의 여과효율 측정방법을 나타낸 플로우차트.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 방진원단의 여과효율 측정장치를 개략적으로 나타낸 구성도.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 의한 방진원단의 여과효율 측정방법을 나타낸 플로우차트.
도면의주요부분에대한부호의설명
1: 시료 3: 시료 고정치구 3a: 상판 3b: 하판 3c: 연결부 3d: 무정전 필름 11: 챔버 11a: 전방체 11b: 후방체 11c: 무정전 필름 13: 가스 이온화부 15: 파티클 발생부 17: 파티클 카운팅부 17a: 제 1 파티클 카운팅부 17b: 제 2 파티클 카운팅부 19: 필터부 20: 챔버 개폐부
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 방진원단의 여과효율 측정장치는 여과효율을 측정하기 위한 시료를 고정하는 시료 고정치구와, 상기 고정 치구를 장착하기 위한 밀폐 공간을 마련하는 챔버와, 상기 챔버 내의 정전기를 제거하기 위해 상기 챔버에 이온화된 소정 가스를 발생하여 주입하는 가스 이온화부와, 상기 챔버에 파티클을 발생하여 주입하는 파티클 발생부와, 상기 시료를 통과하기 전, 후의 상기 파티클의 수를 카운팅하는 파티클 카운팅부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 방진원단의 여과효율 측정방법은 가스 이온화부를 이용하여 이온화된 소정 가스를 밀폐된 챔버에 주입하여 상기 챔버 내의 정전기를 제거하는 단계와, 상기 정전기가 제거된 챔버에 여과효율을 측정할 시료를 고정한 시료 고정치구를 장착하는 단계와, 파티클 발생부를 이용하여 상기 시료 고정치구를 장착한 챔버에 파티클을 주입하는 단계와, 파티클 카운팅부를 이용하여 상기 시료를 통과하기 전, 후의 상기 파티클의 수를 각각 카운팅하는 단계와, 상기 카운팅된 파티클의 수를 이용하여 상기 여과효율을 연산하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 의하면, 본 발명은 이온화된 질소가 이온화부로부터 밀폐된 챔버로 주입되어 챔버 내면의 잔존하는 정전기와 챔버 내에 잔존하는 질소의 정전기가 제거되면, 챔버 내의 파티클의 수가 파티클 카운팅부의 제 1 파티클 카운팅부에 의해 제로로 카운팅된다. 이후, 여과효율을 측정할 시료를 고정한 시료 고정치구를 챔버에 장착하고 파티클 발생부로부터 챔버의 전방체로 파티클을 주입하여 파티클 카운팅부의 제 1 파티클 카운팅부와 제 2 파티클 카운팅부를 이용하여 시료를 통과하기 전, 후의 파티클의 수를 카운팅한다. 따라서, 작업자가 시료를 통과하기 전, 후의 파티클의 수를 기초로 하여 여과효율을 연산한다.
이렇게 설정된 사용기한 내에서 방진원단을 이용한 방진복, 방진마스크, 방진장갑, 와이퍼(wiper) 등이 청정실에서 사용되면, 작업자 인체에 의한 파티클의 발생이 억제되고 청정실의 고청정도가 유지된다.
이하, 본 발명에 의한 방진원단의 여과효율 측정장치 및 그 측정방법을 첨부된 도면 도 1 내지 도 3을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 의한 방진원단의 여과효율 측정장치를 개략적으로 나타낸 구성도이고, 도 2a는 도 1의 시료 고정치구의 상판과 하판이 이격되어 있는 상태를 나타낸 정면도 및 평면도이고, 도 2b는 도 1의 시료 고정치구의 상판과 하판이 밀착한 상태를 나타낸 정면도 및 평면도이고, 도 3은 본 발명에 의한 방진원단의 여과효율 측정방법을 나타낸 플로우차트이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 방진원단의 여과효율 측정장치는 개폐 가능한 챔버(11)의 전방체(11a) 내에 이온화된 가스를 주입하는 가스 이온화부(13)와, 전방체(11a) 내에 파티클을 주입하는 파티클 발생부(15)와, 챔버(11)의 전, 후방체(11a),(11b) 사이에 장착되는 시료 고정치구(3)와, 챔버(11) 내의 상기 파티클의 수를 카운팅하는 파티클 카운팅부(17)와, 챔버(11)로부터 배출되는 파티클을 필터링하는 필터부(19)와, 챔버(11)의 개폐를 위해 후방체(11b)를 전, 후진시키는 챔버 개폐부(20)를 포함하고 있다.
여기서, 챔버(11)의 내면에 무정전 필름(11c)이 코팅되어 있다. 파티클 카운팅부(17)는 시료 고정치구(3)에 고정된 시료(1)를 통과하기 전, 후의 파티클의 수를 각각 카운팅하는 제 1 파티클 카운팅부(17a)와 제 2 파티클 카운팅부(17b)를 갖고 있다.
도 2a와 도 2b에 도시된 바와 같이, 시료 고정치구(3)의 상판(3a)과 하판(3b)의 중앙부에 동일한 크기의 원형 관통홀이 형성되고, 상판(3a)과 하판(3b)의 양측면 전, 후방부에 연결부(3c)를 수용하기 위한 홈들(도시안됨)이 각각 형성되고, 상기 홈들에 연결부(3c)가 각각 삽입되어 있다. 시료 고정치구(3)의 표면에 무정전 필름(3d)이 코팅되어 있다.
이와 같이 구성된 방진원단의 여과효율 측정장치의 여과효율 측정방법을 도 3을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
먼저, 단계(S1)에서는 작업자가 여과효율을 측정하기 위한 시료(1), 예를 들어 방진복, 방진마스크, 방진장갑, 와이퍼 등의 방진원단을 도 2a에 도시된 바와 같이, 시료 고정치구(3)의 상판(3a)과 하판(3b) 사이의 간격을 충분히 넓게 한다.
이때, 연결부(3c)의 양단부가 상판(3a)과 하판(3b)의 양측면에 형성된 홈(도시안됨)에 각각 삽입되어 있으므로 상판(3a) 또는 하판(3b)을 밀거나 당김으로써 양자의 사이가 조절된다.
이러한 상태에서 시료(1), 예를 들어 방진원단을 하판(3b)의 중앙부에 올려 놓고 나서 도 2b에 도시된 바와 같이, 상판(3a)과 하판(3b) 사이의 간격을 최대한 좁혀 시료(1)를 견고히 고정시켜 놓는다. 상기 시료(1)는 상판(3a)의 관통홀과 하판(3b)의 관통홀을 충분히 커버할 정도의 면적을 갖는 것이다.
단계(S2)에서는 챔버(11) 내면의 정전기를 제거하기 위해 작업자가 가스 이온화부(13)의 밸브(V1)를 개방하고 파티클 발생부(15)의 밸브(V2)를 폐쇄 상태로 계속 유지한다. 여기서, 가스 이온화부(13)는 TSI사의 시판중인 제품이다.
상기 이온화된 가스, 예를 들어 질소(N2)가 챔버(11) 내에 주입되면, 챔버(11) 내면의 정전기는 물론 챔버(11) 내의 잔존하는 질소의 정전기도 제거되기 시작한다. 이와 더불어 챔버(11) 내의 잔존하는 파티클도 제거되기 시작한다.
단계(S3)에서는 상기 정전기가 제거되는 동안 파티클 카운팅부(17)의 제 1 파티클 카운팅부(17a)가 상기 파티클의 수를 카운팅한다. 상기 파티클이 완전히 제거되고 나면, 제 1 파티클 카운팅부(17a)가 챔버(11) 내의 파티클의 수를 제로로 카운팅한다. 이는 파티클 발생부(15)에서만 발생되는 파티클을 이용하여 시료(1)의 여과효율을 측정하기 위함이다.
단계(S4)에서는 작업자가 이를 확인하고 나서 가스 이온화부(13)의 밸브(V1)를 계속 개방한 상태에서 상기 고정치구(3)를 챔버(11) 내에 장착한다. 이를 좀 더 상세히 언급하면, 단계(S41)에서는 작업자가 챔버 개폐부(20), 예를 들어 에어 실린더 또는 구동모터를 이용하여 챔버(11)의 전방체(11a)에 밀착된 후방체(11b)를 후진시켜 챔버(11)를 개방시킨다.
단계(S43)에서는 후방체(11b)의 후진 완료후 작업자가 고정치구(3)를 상기 고정치구 고정부에 장착한다. 단계(45)에서는 고정치구(3)가 장착되고 나면, 작업자가 챔버 개폐부(20)를 이용하여 후방체(11b)를 전방체(11a)로 전진시켜 챔버(11)를 밀폐시킨다.
챔버(11)가 개방되어 있는 동안 상기 이온화된 질소를 챔버(11)에 계속 주입하는 것은 챔버(11)의 개방된 내부 공간이 주위 환경으로부터 오염되는 것을 방지하기 위함이다.
단계(S5)에서는 챔버(11)가 밀폐되고 나면, 작업자가 가스 이온화부(13)의 밸브(V1)를 폐쇄하고 파티클 발생부(15)의 밸브(V2)를 개방하여 소정 크기, 예를 들어 0.1-5.0μm 직경의 파티클과 함께 질소를 전방체(11a) 내에 주입한다. 챔버(11) 내의 압력을 원하는 압력, 예를 들어 12psi의 압력으로 조정한다. 상기 압력은 챔버(11)에 연결된 압력계(도시안됨)에 의해 확인된다.
이후, 전방체(11a) 내의 파티클과 질소가 시료(1)를 거쳐 후방체(11b) 내에 주입되는 동안 전방체(11a) 내의 파티클 전부가 후방체(11b) 내로 주입되지 않고 파티클 일부가 시료(1)에 의해 여과된다. 따라서, 전방체(11a) 내의 파티클 수가 후방체(11b) 내의 파티클 수보다 많음은 당연하다.
이어서, 후방체(11b) 내의 파티클과 질소가 필터부(20)를 거쳐 외부로 배출되는데, 파티클이 필터부(20)에 의해 거의 필터링되므로 외부로 전혀 배출되지 않는다. 이는 방진원단의 여과효율 측정장치를 청정실 내에서도 사용 가능함을 의미한다. 물론, 필터부(20)가 생략되어도 방진원단의 여과효율 측정장치 본연의 역할은 아무런 지장을 받지 않는다.
단계(S6)에서는 제 1 파티클 카운팅부(17a)가 전방체(11) 내의 파티클의 수를 카운팅하고 제 2 파티클 카운팅부(17b)가 후방체(11b) 내의 파티클 수를 카운팅하며 그 카운팅된 파티클의 수를 자체의 디스플레이부(도시안됨)에 각각 디스플레이한다.
단계(S7)에서는 작업자가 상기 파티클 수를 이용하여 시료(1)의 여과효율을 연산한다. 여과 효율이 다음 식에 의해 결정된다.
여과효율(%) = (A - B)/A
여기서, A는 전방체(11a) 내의 카운팅된 파티클의 수이고, B는 후방체(11b) 내의 카운팅된 파티클의 수이다.
가령, A가 100이고 B가 20이라고 카운팅되었으면, 여과효율(%)은 80%로 결정된다.
따라서, 본 발명은 정전기가 없는 고청정도의 챔버 내에서 방진원단의 여과효율을 측정하여 청정실에서의 방진원단의 적절한 사용기한을 결정할 수 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시예에 의한 방진원단의 여과효율 측정장치 및 그 방법을 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 본 발명의 실시예와 동일한 부분에는 동일한 부호를 부여하도록 한다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 의한 방진원단의 여과효율 측정장치를 개략적으로 나타낸 구성도이고, 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 의한 방진원단의 여과효율 측정방법을 나타낸 플로우차트이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 가습부(16)가 챔버(11) 내의 습도를 조정하기 위해 수증기를 주입하는 것을 제외하면, 도 3의 구조와 동일한 구조를 갖고 있다.
이와 같이 구성되는 방진원단의 여과효율 측정장치의 한 원단 여과효율 측정방법을 도 6을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
먼저, 단계(11)에서는 도 4의 단계(S1)의 과정을 동일하게 실시하여 시료(1)를 고정치구(3)에 고정한다.
단계(S12)에서는 도 4의 단계(S2)의 과정을 동일하게 실시하고 이와 더불어 챔버(11) 내의 습도를 소정 습도, 예를 들어 청정실의 습도와 동일하게 하기 위해 가습부(16)의 밸브(V3)를 개방한다.
상기 수증기가 챔버(11) 내에 주입되면, 챔버(11) 내의 습도가 청정실의 습도인 45±5%의 습도와 동일하게 유지된다. 또한, 상기 이온화된 질소(N2)가 챔버(11) 내에 주입되면, 챔버(11) 내면의 정전기는 물론 챔버(11) 내의 잔존하는 질소의 정전기도 제거되기 시작한다. 또한, 챔버(11) 내의 잔존하는 파티클도 제거되기 시작한다.
단계(S13)에서는 가습부(16)의 밸브(V3)가 계속 개방된 상태에서 도 4의 단계(S3)의 과정을 동일하게 실시한다. 따라서, 제 1 파티클 카운팅부(17a)가 챔버(11) 내의 파티클의 수를 제로로 카운팅한다. 단계(S14)에서는 작업자가 이를 확인하고 나서 가스 이온화부(13)의 밸브(V1)와 가습부(16)의 밸브(V3)가 계속 개방된 상태에서 단계(S4)의 과정을 동일하게 실시하여 시료(1)를 고정한 고정치구(3)를 챔버(11) 내에 장착한다.
단계(S15)에서는 챔버(11)가 밀폐되고 나면, 챔버(11) 내의 습도가 청정실의 습도와 동일하게 유지되고 있는 상태에서 도 4의 단계(S5)의 과정을 동일하게 실시하여 파티클과 함께 질소를 전방체(11a) 내에 주입한다.
단계(S16)와 단계(S17)에서는 도 4의 단계(S6)와 단계(S7)의 과정을 동일하게 실시하여 청정실과 같은 환경조건에서 시료(1)의 여과효율을 연산한다.
따라서, 본 발명은 정전기가 없고, 습도가 청정실의 습도와 동일한 고청정도의 챔버 내에서 방진원단의 여과효율을 측정하여 청정실에서의 방진원단의 적절한 사용기한을 보다 정확하게 결정할 수 있다.
한편, 본 발명은 청정실 조건 이외에 방진복을 착용한 작업자의 인체에서 발생되는 온도, 습도 조건과 동일한 조건에서 방진원단의 여과효율을 측정하여 방진원단의 적절한 사용기한을 보다 정확하게 결정할 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의한 방진원단의 여과효율 측정장치 및 그 측정방법은 정전기를 제거하고 또한 챔버 내의 습도를 청정실의 습도와 동일하게 한 환경 조건을 갖춘 챔버 내에서 방진원단을 통과하기 전, 후의 파티클의 수를 카운팅하여 방진원단의 여과효율을 정확히 측정할 수 있다. 그러므로, 작업자가 청정실에서 방진복, 방진마스크, 방진장갑, 와이퍼 등을 사용기한을 초과하여 사용하지 않으면, 작업자 인체에서 발생하는 파티클을 청정실로 방출하는 것을 효과적으로 차단할 수 있다. 따라서, 본 발명은 큰 비용 부담없이 청정실의 고청정도를 유지하여 반도체소자의 수율 향상에 기여할 수 있다. 또한, 본 발명은 방진원단의 여과효율을 정확히 측정하고 이를 향후의 방진원단 개발에 기여할 수 있다.
한편, 본 발명은 당 분야에 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 도면과 상세한 설명에 기재된 특정한 예에 한정되지 아니하고 다양한 변형이 가능함은 자명한 사실이다. 본 발명의 다양한 변형은 본 발명의 사상과 관점을 벗어나지 않는 범위 내에서 개별적으로 이해되지 아니하며 첨부된 특허청구범위에 속하는 것으로 간주하여야 할 것이다.

Claims (23)

  1. 여과효율을 측정하기 위한 시료를 고정하는 시료 고정치구와;
    상기 시료 고정치구를 장착하기 위한 밀폐 공간을 마련하는 챔버와;
    상기 챔버 내의 정전기를 제거하기 위해 상기 챔버에 이온화된 소정 가스를 발생하여 주입하는 가스 이온화부와;
    상기 챔버에 파티클을 발생하여 주입하는 파티클 발생부와;
    상기 시료를 통과하기 전, 후의 상기 파티클의 수를 카운팅하는 파티클 카운팅부를 포함하는 방진원단의 여과효율 측정장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 카운팅부가 상기 챔버의 전, 후방체에 각각 설치되어 상기 시료를 통과하기 전, 후의 상기 파티클의 수를 각각 카운팅하는 제 1 파티클 카운팅부와 제 2 파티클 카운팅부를 갖는 특징으로 하는 방진원단의 여과효율 측정장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 챔버의 후방체로부터 배출되는 상기 파티클을 필터링하는 필터부를 포함하는 것을 특징으로 하는 방진원단의 여과효율 측정장치.
  4. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 챔버를 개폐하기 위해 상기 챔버의 고정된 전방체에 대해 상기 챔버의 후방체를 이동시키는 챔버 개폐부를 포함하는 것을 특징으로 하는 방진원단의 여과효율 측정장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 챔버의 내면에 무정전 필름이 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 방진원단의 여과효율 측정장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 이온화된 소정의 가스가 질소 가스인 것을 특징으로 하는 방진원단의 여과효율 측정장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 시료 고정치구의 표면에 무정전 필름이 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 방진원단의 여과효율 측정장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 시료 고정치구가 관통홀이 각각 형성된 상, 하판과, 상기 상, 하판을 서로 연결하는 연결부를 갖는 것을 특징으로 하는 방진원단의 여과효율 측정장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 상, 하판이 소정 거리 이격된 상태에서 상기 상, 하판의 관통홀이 수직으로 일부만 겹쳐지도록 위치는 것을 특징으로 하는 방진원단의 여과효율 측정장치.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 상, 하판이 밀착된 상태에서 상기 상, 하판의 관통홀이 수직으로 전부 겹쳐지도록 위치하는 것을 특징으로 하는 방진원단의 여과효율 측정장치.
  11. 가스 이온화부를 이용하여 이온화된 소정 가스를 밀폐된 챔버에 주입하여 상기 챔버 내의 정전기를 제거하는 단계와;
    상기 정전기가 제거된 챔버에 여과효율을 측정할 시료를 고정한 시료 고정치구를 장착하는 단계와;
    파티클 발생부를 이용하여 상기 시료 고정치구를 장착한 챔버에 파티클을 주입하는 단계와;
    파티클 카운팅부를 이용하여 상기 시료를 통과하기 전, 후의 상기 파티클의 수를 각각 카운팅하는 단계와;
    상기 카운팅된 파티클의 수를 이용하여 상기 여과효율을 연산하는 단계를 포함하는 방진원단의 여과효율 측정방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 챔버 내의 정전기가 제거되는 동안 상기 파티클 카운팅부가 상기 챔버 내의 잔존하는 파티클의 수를 제로로 카운팅하면, 상기 시료 고정치구를 상기 챔버에 장착하는 것을 특징으로 하는 방진원단의 여과효율 측정방법.
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서, 상기 시료 고정치구를 장착하는 단계는 챔버 개폐부를 이용하여 상기 챔버의 후방체를 상기 챔버로부터 이격시켜 상기 챔버를 개방하는 단계와, 상기 개방된 챔버의 전방체에 상기 시료 고정치구를 장착하는 단계와, 상기 챔버 개폐부를 이용하여 상기 시료 고정치구가 장착된 전방체로 상기 후방체를 밀착시켜 상기 챔버를 밀폐하는 단계를 갖는 것을 특징으로 하는 방진원단의 여과효율 측정방법.
  14. 제 12 항에 있어서, 상기 파티클 카운팅부의 제 1 파티클 카운팅부와 제 2 파티클 카운팅부중 어느 하나가 상기 파티클의 수가 제로로 카운팅하는 것을 특징으로 하는 방진원단의 여과효율 측정방법.
  15. 제 11 항에 있어서, 상기 파티클 카운팅부의 제 1 파티클 카운팅부와 제 2 파티클 카운팅부가 상기 시료를 통과하기 전, 후의 상기 파티클의 수를 각각 카운팅하는 것을 특징으로 하는 방진원단의 여과효율 측정방법.
  16. 제 11 항에 있어서, 상기 시료를 장착하는 단계에서 상기 이온화된 소정 가스를 상기 챔버에 주입하는 것을 특징으로 하는 방진원단의 여과효율 측정방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 챔버가 개방된 상태에서도 상기 이온화된 가스가 상기 챔버에 주입되는 것을 특징으로 하는 방진원단의 여과효율 측정방법.
  18. 제 11 항 또는 제 16항에 있어서, 상기 이온화된 가스가 질소 가스인 것을 특징으로 하는 방진원단의 여과효율 측정방법.
  19. 여과효율을 측정하기 위한 시료를 고정하는 시료 고정치구와;
    상기 시료 고정치구를 장착하기 위한 밀폐 공간을 마련하는 챔버와;
    상기 챔버 내의 정전기를 제거하기 위해 상기 챔버에 이온화된 소정 가스를 발생하여 주입하는 가스 이온화부와;
    상기 챔버 내의 소정의 습도를 유지하기 위해 상기 챔버에 수증기를 발생하여 주입하는 가습부와;
    상기 챔버에 파티클을 발생하여 주입하는 파티클 발생부와;
    상기 시료를 통과하기 전, 후의 상기 파티클의 수를 카운팅하는 파티클 카운팅부를 포함하는 방진원단의 여과효율 측정장치.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 가습부가 상기 챔버 내의 습도를 청정실의 습도와 동일하게 유지시키는 것을 특징으로 하는 방진원단의 여과효율 측정장치.
  21. 가스 이온화부를 이용하여 이온화된 소정 가스를 밀폐된 챔버에 주입하여 상기 챔버 내의 정전기를 제거함과 아울러 가습부를 이용하여 상기 챔버에 수증기를 주입하여 소정 습도를 유지시키는 단계와;
    상기 정전기가 제거된 챔버에 여과효율을 측정할 시료를 고정한 시료 고정치구를 장착하는 단계와;
    파티클 발생부를 이용하여 상기 시료 고정치구를 장착한 챔버에 파티클을 주입하는 단계와;
    파티클 카운팅부를 이용하여 상기 시료를 통과하기 전, 후의 상기 파티클의 수를 각각 카운팅하는 단계와;
    상기 카운팅된 파티클의 수를 이용하여 상기 여과효율을 연산하는 단계를 포함하는 방진원단의 여과효율 측정방법.
  22. 제 21 항에 있어서, 상기 챔버가 개방된 상태에서도 상기 이온화된 가스와 함께 상기 수증기가 상기 챔버에 주입되는 것을 특징으로 하는 방진원단의 여과효율 측정방법.
  23. 제 21 항에 있어서, 상기 챔버의 온도와 습도가 작업자 인체의 온도와 습도와 동일한 조건에서 상기 시료의 여과효율을 측정하는 것을 특징으로 하는 방진원단의 여과효율 측정방법.
KR1019970014264A 1997-04-17 1997-04-17 방진원단의 여과효율 측정장치 및 그 측정방법 KR100213437B1 (ko)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970014264A KR100213437B1 (ko) 1997-04-17 1997-04-17 방진원단의 여과효율 측정장치 및 그 측정방법
JP29754097A JP3701108B2 (ja) 1997-04-17 1997-10-29 防塵繊維部材の濾過効率測定装置及びその測定方法
US08/974,318 US5939617A (en) 1997-04-17 1997-11-19 Method and apparatus for testing the filtration efficiency of cloth materials intended for use in a clean room environment
TW086117798A TW369598B (en) 1997-04-17 1997-11-26 Method and apparatus for testing the filtration efficiency of cloth materials intended for use in a clean room environment
CNB981043879A CN1144044C (zh) 1997-04-17 1998-01-25 测试在净化室环境下使用的布料过滤效率的方法和装置
GB9807434A GB2330914B (en) 1997-04-17 1998-04-08 Method and apparatus for testing the filtration efficiency of cloth materials intended for use in a clean room environment
DE19816489A DE19816489B4 (de) 1997-04-17 1998-04-14 Verfahren und Vorrichtung zum Prüfen der Filtereffizienz von für den Einsatz in einer Reinraumumgebung bestimmten Geweben

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970014264A KR100213437B1 (ko) 1997-04-17 1997-04-17 방진원단의 여과효율 측정장치 및 그 측정방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980077235A KR19980077235A (ko) 1998-11-16
KR100213437B1 true KR100213437B1 (ko) 1999-08-02

Family

ID=19503099

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970014264A KR100213437B1 (ko) 1997-04-17 1997-04-17 방진원단의 여과효율 측정장치 및 그 측정방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5939617A (ko)
JP (1) JP3701108B2 (ko)
KR (1) KR100213437B1 (ko)
CN (1) CN1144044C (ko)
DE (1) DE19816489B4 (ko)
GB (1) GB2330914B (ko)
TW (1) TW369598B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107014736A (zh) * 2017-05-26 2017-08-04 睿仑空气处理技术东台有限公司 一种纤维过滤材料检测仪

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100236717B1 (ko) * 1997-12-24 2000-01-15 윤종용 크린룸용 방진복의 파티클발생 분석장치 및 이를 이용한 파티클분석방법
JP2000325700A (ja) * 1999-05-25 2000-11-28 Mitsubishi Electric Corp 無塵衣管理装置，エアシャワ室及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
US6532797B1 (en) * 2000-02-04 2003-03-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company Barrier test apparatus and method
GB2411137A (en) * 2004-02-20 2005-08-24 Helmet Integrated Syst Ltd Portable test equipment for air filters
US7739926B2 (en) 2005-10-24 2010-06-22 Camfil Farr, Inc. Method and apparatus for v-bank filter bed scanning
JP4309467B2 (ja) * 2005-10-24 2009-08-05 カムフィル ファー，インコーポレーテッド Ｖバンクフィルタベッド（ｂｅｄ：層）走査のための方法及び装置
KR100750641B1 (ko) 2006-02-21 2007-08-20 재단법인한국의류시험연구원 직물의 투습량 및 투과열량 측정장치 및 그 측정방법
CN101131345B (zh) * 2006-09-22 2010-07-21 北京清能创新科技有限公司 一种口罩过滤效率与阻力的检测装置
US8691071B2 (en) * 2008-05-02 2014-04-08 Mocon, Inc. Coulometric analyte sensing instrument with an analyte-consuming sensor in a closed cell
TWI395938B (zh) * 2008-12-22 2013-05-11 Taiwan Textile Res Inst 氣體混合裝置
CN101995372B (zh) * 2010-10-19 2012-07-18 北京市劳动保护科学研究所 一种空气过滤材料测试仪
DE202012101230U1 (de) 2012-04-04 2012-04-25 Topas Gmbh Technologie-Orientierte Partikel-, Analysen- Und Sensortechnik Einrichtung zur Qualitätsprüfung von hocheffizienten Partikelfiltern für die Luft von Rein- und Reinsträumen
CN103792171B (zh) * 2013-12-06 2016-04-20 山东大学 一种实际大气环境中评价pm2.5口罩过滤效率的装置
CN103837460A (zh) * 2014-03-17 2014-06-04 天津三星电机有限公司 一种无尘口罩过滤效率的检测评价方法
CN104019965B (zh) * 2014-05-15 2016-09-07 中车青岛四方机车车辆股份有限公司 防风沙性能试验方法及试验装置
CN104568705B (zh) * 2015-01-29 2018-07-31 泉州弘盛琉璃有限公司 一种防水袜的检验装置
CN104964907A (zh) * 2015-07-10 2015-10-07 苏州华达仪器设备有限公司 一种滤料效率模拟测试系统
CN105973784A (zh) * 2016-06-03 2016-09-28 中国安全生产科学研究院 一种固体颗粒物防护服检测实验舱
CN108931469A (zh) * 2017-05-25 2018-12-04 华为技术有限公司 防尘试验设备和防尘试验方法
TWI646321B (zh) * 2017-07-31 2019-01-01 裕親有限公司 Air pollution test system
CN111140046A (zh) * 2020-03-16 2020-05-12 河南森源电气股份有限公司 口罩加工系统
CN112229769B (zh) * 2020-10-22 2023-03-14 山东长信化学科技股份有限公司 一种n-甲基吡咯烷酮颗粒度的检测系统及检测方法
CN113884324B (zh) * 2021-11-30 2022-03-08 聊城产研检验检测技术有限公司 一种用于测试室内空气净化组件净化性能的环境测试装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1387408A (en) * 1971-11-03 1975-03-19 Atomic Energy Authority Uk Testing of filters
DE3071580D1 (en) * 1979-03-05 1986-06-05 Flanders Filters Method and apparatus for the leak testing of filters
SE8005872L (sv) * 1980-08-21 1982-02-22 Camfil Ab Forfarande och anordning for testning av filter
US4382378A (en) * 1981-03-20 1983-05-10 Surgikos, Inc. Method for testing filtration efficiency
JPS6015543A (ja) * 1983-07-06 1985-01-26 Shinwa Boeki Kk フイルタの効率測定装置
JPH0733992B2 (ja) * 1987-06-12 1995-04-12 日本科学工業株式会社 エアフィルタの捕集効率測定装置
GB2233462B (en) * 1989-06-22 1993-01-06 Ca Minister Nat Defence Aerosol fabric penetration measurement system
US5055963A (en) * 1990-08-15 1991-10-08 Ion Systems, Inc. Self-balancing bipolar air ionizer
US5203201A (en) * 1991-12-20 1993-04-20 Donaldson Company, Inc. On-line web filtration efficiency test method
DE4215783A1 (de) * 1992-05-13 1993-11-18 Jagenberg Ag Verfahren und Vorrichtung zum Feststellen der Filtrationswirkung von Filtern zur Filtration von Luft, Gasen oder Flüssigkeiten an Füll- und Verschließmaschinen oder dergleichen, insbesondere bei der Sterilluftaufbereitung

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107014736A (zh) * 2017-05-26 2017-08-04 睿仑空气处理技术东台有限公司 一种纤维过滤材料检测仪

Also Published As

Publication number Publication date
CN1144044C (zh) 2004-03-31
JP3701108B2 (ja) 2005-09-28
GB2330914A (en) 1999-05-05
KR19980077235A (ko) 1998-11-16
TW369598B (en) 1999-09-11
GB2330914B (en) 2001-07-18
US5939617A (en) 1999-08-17
GB9807434D0 (en) 1998-06-03
JPH10296028A (ja) 1998-11-10
CN1196484A (zh) 1998-10-21
DE19816489B4 (de) 2004-09-16
DE19816489A1 (de) 1998-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100213437B1 (ko) 방진원단의 여과효율 측정장치 및 그 측정방법
US6535270B1 (en) Exposure apparatus and air-conditioning apparatus for use with exposure apparatus
US9494328B2 (en) Filter unit
CN100405536C (zh) 基板处理系统
US4967608A (en) Test chamber for particle emitters
KR100840025B1 (ko) 공기유동 차단장치
JP5946109B2 (ja) 空気浄化装置およびその試験システム
KR101932989B1 (ko) 공기 여과 장치
CN106486345B (zh) 掩膜结构的制造方法
JPH1111966A (ja) スクライブ装置及びスクライブ方法
JPH0938449A (ja) 装置本体部取付け型空調装置
JP2001244322A (ja) ウェハストッカー及びストック方法
JPH09275055A (ja) 露光装置
KR20040082305A (ko) 대형 기판 홀더
JPH07136450A (ja) エアーフィルタ及びエアーフィルタ装置
JP2586754B2 (ja) 半導体製造環境の評価方法
JPH09180974A (ja) エアフィルタを備えた基板処理装置
KR100396378B1 (ko) 반도체 노광장비의 레티클 표면 이물질 제거장치
JPH04145918A (ja) 半導体製造装置における除塵装置の試験方法
JPH11316298A (ja) 放射性物質内包機器の処理方法および処理装置
JP2007064663A (ja) 無塵服生地の性能評価方法
KR20060075692A (ko) 팬 유닛
JPH10300145A (ja) クリーン設備用気体導入設備
JPH04177819A (ja) 半導体装置の製造方法
KR20120062653A (ko) 반도체 또는 디스플레이 제조용 공조시스템 및 상기 공조시스템에 구비되는 내기필터유닛

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080502

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee