KR100201794B1 - 반도체 웨이퍼 생산 방법 - Google Patents

반도체 웨이퍼 생산 방법 Download PDF

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가네꼬 히사시
닛본 덴기 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명에 따른 시스템은 생산 진척도 비교/계산 유닛, 제조 장치 상태 모니터 유닛, 목록 제어 유닛, 및 공정대 제어기 유닛을 포함하는 반도체 웨이퍼 생산 시스템이다. 제조 장치 상태 모니터 유닛으로부터의 타이밍 신호에 응답하여 생산 진척도 비교/계산 유닛이 후속하여 처리될 반도체 웨이퍼를 결정하고, 결정된 반도체 웨이퍼는 공정대에서 자동적으로 탐색된다. 반도체 웨이퍼 생산 라인의 제조 장치는 적정 시간에 반도체 웨이퍼의 처리를 개시함으로써 생산 계획에 따라 반도체 웨이퍼를 생산하고 반도체 웨이퍼에 대한 인도 시간에 맞출 수 있다.

Description

반도체 웨이퍼 생산 방법
제1도는 반도체 웨이퍼를 생산하는 종래 공정을 나타내는 블록도.
제2도는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 생산 방법을 수행하는데 사용되는 반도체 웨이퍼 생산 시스템의 블록도.
제3도는 본 발명에 따라 처리될 반도체 웨이퍼를 결정하는 공정을 나타내는 다이어그램.
제4도는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 생산 방법의 처리 절차의 순서도.
제5도는 제4도에 도시된 처리 절차의 일부 단계의 순서도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
3 : 생산 진척도 비교/계산 유닛 4 : 제조 장치 상태 모니터 유닛
5 : 목록 제어 유닛 6 : 공정대 제어 유닛
본 발명은 반도체 웨이퍼 생산 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 다수의 처리 공정으로 이루어지는 반도체 웨이퍼 생산 라인의 생산 공정을 제어하는 방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 생산 라인은 약 300 내지 500 제조 단계에 이르는 방대한 생산 단계로 이루어지며, 각 제조 단계마다 고가의 제조 장치에 의해 수행된다. 따라서, 제조 장치는 생산 절차에 따라 일렬로 배열되지 않고 하나의 제조 장치가 제조 단계를 통해 연속적으로 반도체 웨이퍼를 처리하도록 다른 제조 단계에서 반복 사용되는 잡 샵 시스템(job shop system)에 배열된다. 명세서의 설명에 있어서, 다수의 반도체 웨이퍼를 반도체 웨이퍼라고 할 수 있다.
따라서, 다수의 반도체 웨이퍼들이 반도체 웨이퍼 생산 라인으로 공급되는 순서에 관계없이, 반도체 웨이퍼 생산 라인의 제조 장치의 각각의 공정으로 다수의 반도체 웨이퍼들이 처리된다. 제조 장치의 각각의 공정으로 처리된 반도체 웨이퍼들은 종류에 따라 다른 인도 시간(delivery time)을 갖는다. 따라서, 간혹 반도체 웨이퍼 생산 라인으로 공급된 직후의 반도체 웨이퍼 및 웨어하우스(warehouse)에 입고되기 직전의 반도체 웨이퍼가 제조 장치용의 동일한 공정대(process shelf)에 있을 수 있다.
하나의 제조 장치의 공정에 놓여 있는 다수의 반도체 웨이퍼 중 어떤 반도체 웨이퍼가 최고의 우선 순위로 처리되어야 하는지의 공급 순서를 결정하는 종래 공정에 대하여 제1의 도면을 참조하여 하기한다. 조작자가 후속 반도체 웨이퍼를 제조 장치에 공급하는 순서에 있어서, 조작자는 제조 장치가 반도체 웨이퍼를 처리할 준비가 되어 있는 상태에 있는지를 확인한다(단계 1). 제조 장치가 반도체 웨이퍼를 처리하고 있으면, 조작자는 자신의 경험과 기술에 입각하여 반도체 웨이퍼의 처리를 완료하는데 필요한 시간을 추정한다(단계 2). 이어서 조작자는 공정대로 이동하여(단계 3), 공정대에 놓여 있는 반도체 웨이퍼가 다음에 어떤 처리가 되어야 하는지를 생산 제어기에게 질문한다(단계 4). 생산 제어기는 기획되어 입력된 생산 계획과 이러한 생산 계획에 따라 만들어진 생산 달성도에 입각하여 어떤 반도체 웨이퍼가 최고의 우선 순위로 처리되어야 하는지를 결정하여 결정된 반도체 웨이퍼를 조작자에게 지시하여 준다(단계 5). 생산 제어기로부터의 지시에 따라 조작자는 처리 공정대에서 처리될 반도체 웨이퍼를 탐색하고(단계 6), 제조 장치에서 반도체 웨이퍼의 처리를 개시한다(단계 7).
상술한 바와 같이, 후속하여 처리될 반도체 웨이퍼는 조작자가 어떤 웨이퍼가 다음에 처리되어야 하는지에 대하여 생산 제어기에게 질문한 후에만 결정될 수 있다. 따라서, 어떤 반도체 웨이퍼가 다음에 처리되어야 하는지에 대한 시간은 조작자의 기술과 경험에 의거 가변적이다. 이로 인해 다음과 같은 문제점이 제기된다.
(a) 후속하여 처리될 반도체 웨이퍼가 지나치게 일찍 결정되는 경우, 생산 제어기에 의해 다음에 처리되어야 할 것으로 지시받은 반도체 웨이퍼는 제조 장치용 공정대에 일시적으로 적재된 후 제조 장치가 해당 반도체 웨이퍼를 처리할 준비가 된 후에 제조 장치에 의해 처리되게 된다. 이와 같은 경우에, 즉 생산 제어기에 의해 다음에 처리될 것으로 지시된 반도체 웨이퍼가 공정대에 일시적으로 적재 중인 동안, 일시적으로 적재된 반도체 웨이퍼에 우선하여 처리되어야 할 다른 반도체 웨이퍼가 공정대에 놓여 있을 수 있다. 이 반도체 웨이퍼는 일시적으로 적재된 반도체 웨이퍼가 이미 다음에 처리될 반도체 웨이퍼로서 결정되어 있기 때문에, 일시적으로 적재된 반도체 웨이퍼에 우선하여 처리될 수 없다. 따라서, 일시적으로 적재된 웨이퍼에 우선하여 처리되어야 할 후속 반도체 웨이퍼가 최종의 제조 단계에 근접해 있을수록, 후속 반도체 웨이퍼의 인도 시간을 유지하기가 어려워진다.
(b) 후속하여 처리될 반도체 웨이퍼가 지나치게 늦게 결정되는 경우, 제조 장치의 휴지 시간이 증가하고 제조 장치의 작업율이 저하한다. 따라서, 제조 장치에 의해 처리된 반도체 웨이퍼의 수가 감소하여 생산 목표량에 도달하지 못할 수 있다.
조작자는 생산 제어기에 의해 지시받은 반도체 웨이퍼 번호에 기초하여 공정대에서 처리될 반도체 웨이퍼를 탐색한다. 이러한 절차는 다음과 같은 불리함이 있다.
(c) 더 많은 수의 반도체 웨이퍼가 제조 장치용 공정대에 적재되어 갈수록, 조작자가 처리될 반도체 웨이퍼를 찾아내는 데 많은 시간이 소요되기 때문에 제조 장치의 휴지 시간이 증가되어 제조 장치의 작업율이 떨어진다.
(d) 더 많은 수의 반도체 웨이퍼가 제조 장치용 공정대에 적재되어 갈수록, 조작자가 생산 제어기가 지시한 반도체 웨이퍼의 번호와 다른 번호의 반도체 웨이퍼를 찾아내어 처리할 확률이 커지므로, 생산 제어기가 지시한 반도체 웨이퍼의 인도 시간을 맞추기가 어려울 수 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 적정 시간에 제조 장치에 의해 후속하여 처리될 반도체 웨이퍼를 결정하고, 결정된 반도체 웨이퍼를 조작자의 직접적인 시각 조사를 통하지 않고 탐색함으로써, 생산 계획에 대한 지장을 초래하지 않고, 반도체 웨이퍼 생산 라인에 반도체 웨이퍼가 공급되기 전에 만들어진 생산 계획에 따라 반도체 웨이퍼를 생산할 수 있게 하는 반도체 웨이퍼 생산 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 미리 준비된 생산 계획 및 생산 달성도를 비교하고, 생산 진척도를 계산하기 위한 생산 진척도 비교/계산 유닛, 제조 장치의 처리 상태를 모니터하기 위한 제조 장치 상태 모니터 유닛, 제조 장치용 공정대 상에 적재된 반도체 웨이퍼를 제어하기 위한 목록 제어 유닛, 및 제조 장치에 의해 처리될 반도체 웨이퍼를 공정대에서 자동적으로 탐색하기 위한 공정대 제어 유닛을 가진 시스템을 포함하는 반도체 웨이퍼 생산 방법이 제공되는데, 생산 진척도 비교/계산 유닛에서의 생산 진척도 계산은 제조 장치 상태 모니터 유닛으로부터의 타이밍 신호에 응답하여 개시되어 후속하여 처리될 반도체 웨이퍼를 결정하고, 공정대 제어 유닛은 결정된 반도체 웨이퍼를 공정대에서 자동적으로 탐색한다. 자동적으로 탐생하는 단계는 공정대로부터 반도체 웨이퍼를 자동적으로 인도하는 단계를 포함할 수 있다. 타이밍 신호는 제조 장치의 로더(loader)가 비어 있을 때 제조 상태 모니터 유닛으로부터 발생될 수 있다.
반도체 웨이퍼를 생산하는 상기 방법에 따르면, 제조 장치에 의해 후속하여 처리될 반도체가 제조 장치 상태 모니터 유닛으로부터의 타이밍 신호에 응답하여 생산 진척도 비교/계산 유닛에 의해 결정되므로, 적정 타이밍에서 최고의 우선 순위로 처리될 반도체 웨이퍼를 처리하는 것이 가능하고, 제조 장치의 작업율이 일정하게 된다. 최고의 우선 순위로 처리될 반도체 웨이퍼는 자동적으로 탐색되므로, 조작자가 직접 시각적인 검사를 통해 반도체 웨이퍼를 탐색하는 경우에 발생될 수 있는 탐색 오류가 방지된다. 결국, 생산 계획에 따라 반도체 웨이퍼를 생산하는 것이 가능하다.
본 발명의 상술한 목적 및 특징, 그리고 이점은 본 발명의 예를 도시하는 첨부 도면을 참조한 다음의 설명으로부터 명백해질 것이다.
제4도는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 생산 방법의 공정 순서를 도시하고 있으며, 제5도는 제4도에 도시된 공정 순서의 일부 단계를 도시하고 있다.
제4도에 도시된 바에 의하면, 반도체 웨이퍼가 반도체 웨이퍼 생산 라인 속으로 공급된 직후에 P웰이 반도체 웨이퍼에 형성된다. 이어서 필드 영역이 반도체 웨이퍼에 형성된다. 그 다음, 여러 영역들이 반도체 웨이퍼에 형성된 후에 알루미늄 배선 패턴이 반도체 웨이퍼에 형성되고, 처리된 반도체 웨이퍼는 웨어하우스에 놓인다.
제5도의 좌측 열에 도시된 바와 같이, 반도체 웨이퍼를 세정하고, CVD기법으로 반도체 웨이퍼에 절연막을 성장시키며, 반도체 웨이퍼 상에 레지스트층을 코팅하여 그 레지스트층을 노출시키고, 반도체 웨이퍼 상에 패턴을 현상하여, 반도체 웨이퍼를 에칭하며, 레지스트층을 제거하고, 불순물 이온을 반도체 웨이퍼에 주입하며, 활성화를 위해 반도체 웨이퍼에 열을 가함으로써 P웰이 반도체 웨이퍼에 형성된다.
제5도의 우측 열에 도시된 바와 같이, 각각의 제조 장치에서 웨이퍼의 세정, 알루미늄 스퍼터링, 레지스트 코팅, 노출, 현상, 에칭 및 레지스트 제거를 수행함으로써 반도체 웨이퍼 상에 알루미늄 배선 패턴이 형성된다.
제5도를 통해 알 수 있듯이, 반도체 웨이퍼가 반도체 웨이퍼 생산 라인으로 공급된 직후의 P웰 형성 및 처리된 반도체 웨이퍼가 웨어하우스로 보내지기 직전의 알루미늄 배선 패턴 형성에서는, 각각의 세정, 코팅, 노출, 현상, 에칭 및 제거 단계에 동일한 제조 장치가 사용된다.
따라서, 반도체 웨이퍼가 반도체 웨이퍼 생산 라인에 공급된 직후 P웰 형성 처리될 반도체 웨이퍼, 및 그 처리된 반도체 웨이퍼가 웨어하우스로 보내지기 직전 알루미늄 배선 패턴 형성 동안 처리될 반도체 웨이퍼는 상기 각 단계에서 동일한 제조 장치용 공정대에 놓인다.
제2도는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼를 생산하는 방법을 수행하는데 사용되는 반도체 웨이퍼 생산 시스템을 나타낸다. 이 시스템은 미리 준비된 생산 계획(1) 및 그 생산 계획(1)에 따라 만들어진 생산 달성도(2) 비교하여, 비교 결과에 따라 생산의 진척도를 계산하기 위한 생산 진척도 비교/계산 유닛(3), 생산의 진척도의 계산을 개시하기 위해 유닛(3)으로 타이밍 신호를 전달하기 위한 제조 장치 상태 모니터 유닛(4), 제조 장치용 공정대에 놓여진 반도체 웨이퍼를 제어하기 위한 목록 제어 유닛(5), 및 유닛(3)에 의해 처리되도록 결정된 반도체 웨이퍼를 공정대에서 자동적으로 탐색하고, 그 결정된 반도체 웨이퍼를 공정대로부터 인도하여, 제조 장치로 반도체 웨이퍼를 실어 나르도록 콘베이어에 지령하기 위한 공정대 제어 유닛(6)을 포함한다. 이들 시스템의 구성 요부는 모두 컴퓨터에 의해 제어된다.
제조 장치에 의해 처리될 반도체 웨이퍼가 제조 장치용 공정대에 적재되었을 때의 시스템의 동작을 하기한다.
제조 장치 상태 모니터 유닛(4)은 모니터 중인 제조 장치 중 어느 하나라도 반도체 웨이퍼를 처리할 수 있게 되는지, 그리고 로더로부터 제조 장치의 처리 챔버로 전달되어 처리 챔버 내에서 처리되게 된 후 제조 장치의 로더가 비게 되어 다른 반도체 웨이퍼를 수용할 수 있게 되는 때를 검출한다. 제조 장치 상태 모니터 유닛(4)이 상기 조건 중 하나를 검출한 때에, 유닛(4)은 제조 장치가 반도체 웨이퍼를 처리할 수 있음을 나타내는 정보 또는 반도체 웨이퍼가 제조 장치의 로더 내에 배치될 수 있음을 나타내는 정보를 기록하고, 생산 진척도 계산을 개시하기 위해 유닛(3)에 타이밍 신호를 제공한다.
생산 진척도 비교/계산 유닛(3)은 제조 장치용 공정대에 놓여 있는 반도체 웨이퍼의 데이타를 목록 제어 유닛(5)으로부터 인출하고, 반도체 웨이퍼가 제조 장치의 현재 상태에서 처리될 수 있는지를 결정한다. 유닛(5)은 제조 장치용 공정대에 놓여 있는 반도체 웨이퍼의 데이타를 갖고 있다. 예를 들면, 제조 장치용 공정대에 놓여 있는 반도체 웨이퍼에 대한 처리 조건이 1000。C 에서의 산화를 표시하면, 유닛(3)은 산화 용광로의 형태인 제조 장치가 현재 1000。C 의 온도에 있는지를 판단한다.
제조 장치의 현재 조건이 공정대에 있는 반도체 웨이퍼를 처리할 수 있으면, 유닛(3)은 생산 계획(1) 및 생산 달성도(2)에 입각하여 생산 진척도가 어느 정도 생산 계획(1)의 전·후에 있는지를 계산한다. 특정한 계산 공정은 제3도와 관련하여 후술한다.
계산된 결과에 근거하여, 생산 진척도 비교/계산 유닛(3)은 공정대에 있는 반도체 웨이퍼 중 최고의 우선 순위로 처리될 반도체 웨이퍼를 결정하여, 공정대로부터 결정된 반도체 웨이퍼를 인도하도록 공정대 제어기(6)에 지령하고, 조작자 또는 콘베이어 로버트에 결정된 반도체 웨이퍼의 목표지를 지시한다. 그 후에, 제조 장치 상태 모니터 유닛(4)은 제조 장치가 반도체 웨이퍼를 처리할 수 있는 조건에 있는지를 확인한다. 공정대 제어기(6)는 표시된 반도체 웨이퍼를 공정대에서 자동으로 탐색한다. 배치된 반도체 웨이퍼는 공정대 제어기(6)에 의해 제어되는 로버트에 의해 공정대로부터 자동으로 인도된다. 공정대로부터 자동으로 인도된 반도체 웨이퍼는 콘베이어 로버트에 의해 제조 장치로 인도된다. 이와 달리, 공정대로부터 자동으로 인도된 반도체 웨이퍼는 목표 제조 장치에 대하여 디스플레이 패널 등에 표시되는 명령에 입각하여 조작자에 의해 제조 장치로 인도된다.
표시된 반도체 웨이퍼를 공정대에서 자동으로 탐색하는 공정은 하기한다.
반도체 웨이퍼가 공정대에 놓일 때 공정대 제어기(6)는 반도체 웨이퍼를 수납하는 박스에 부여된 바코드 등의 ID 코드에 따라 반도체 웨이퍼의 ID 및 위치를 저장한다. 이어서, 공정대 제어기(6)는 생산 진척도 비교/계산 유닛(3)에 의해 표시된 반도체 웨이퍼의 위치 및 ID에 근거하여, 표시된 반도체 웨이퍼를 공정대에서 탐색한다.
제조 장치용 공정대에 반도체 웨이퍼가 적재되어 있으나 제조 장치가 반도체 웨이퍼에 대한 처리 조건을 만족시키지 못하는 경우, 시스템은 다음과 같이 동작된다. 제조 장치용 공정대에 놓여 있는 반도체 웨이퍼가 1000。C 에서 산화를 위한 처리 조건을 갖고 있다고 가정할 때 제조 장치는 900。C 의 산화 분위기에 있다. 제조 장치 상태 모니터 유닛(4)이 제조 장치가 반도체 웨이퍼를 처리할 수 있는 조건, 즉 그 온도가 1000。C 로 변화되어 1000。C 로 유지되고 있는 것으로 인식할 때, 유닛(4)은 유닛(3)에 그 인식된 조건을 표시한다. 유닛(3)은 목록 제어 유닛(5)으로부터 처리 정보를 취하여, 1000。C에서 산화될 이들 반도체 웨이퍼 중 최고의 우선 순위로 처리될 반도체 웨이퍼를 결정한다. 최고의 우선 순위로 처리될 반도체 웨이퍼는 상술한 방식으로 결정된다.
900。C 로 산화될 필요가 있는 반도체 웨이퍼가 900。C 로 유지되어 있는 제조 장치용 공정대에 놓여 있는 경우, 제조 장치의 온도를 변화시키는 데에는 약간의 시간이 소요되므로 제조 장치의 온도가 변화되기 전에 이러한 반도체 웨이퍼를 처리하는 것이 일반적이다.
제조 장치용 공정대에 어떤 반도체 웨이퍼도 놓여 있지 않은 경우에도, 제조 장치 상태 모니터 유닛(4)은 반도체 웨이퍼를 처리할 수 있는 조건에 있는 제조 장치를 계속 모니터한다. 공정대 제어기(6)가, 제조 장치에 의해 처리될 수 있는 반도체 웨이퍼가 공정대에 놓여 있는 것으로 인식할 때, 공정대 제어기(6)는 생산 진척도 비교/계산 유닛(3)에 인식된 조건을 표시한다. 유닛(3)은 목록 제어 유닛(5)으로부터 공정대에 있는 반도체 웨이퍼의 처리 정보를 취한다. 반도체 웨이퍼의 처리 정보가 제조 장치의 현재 처리 조건에 맞으면 유닛(3)은 공정대로부터 반도체 웨이퍼를 인도하도록 공정대 제어기(6)에 지령한다.
생산 진척도를 계산하기 위한 계산 공정을 제3도를 참조하여 하기한다.
제3도에서, 반도체 웨이퍼 A, B는 동일한 조건에서 처리되도록 하나의 제조 장치용 공정대에 놓여 있다. 제조 장치가 반도체 웨이퍼를 처리할 준비가 되면, 이것은 반도체 웨이퍼 A, B를 둘 다 처리할 수 있다.
생산 진척도 비교/계산 유닛(3)은 공정대에 놓여 있는 반도체 웨이퍼에 대하여 생산 진척도를 계산하기 위한 처리될 모든 반도체 웨이퍼에 대하여 미리 준비된 생산 계획 및 생산 달성도를 취한다.
반도체 웨이퍼 A에 대하여, 생산 계획에 따른 계획된 생산 시간(제3도에 도시된 사각형으로 표시)과 처리 가능한 시간(제3도에 도시된 원으로 표시) 간의 차이인 지연 시간이 XA로 표시되어 있으며, 계획된 생산 시간으로부터 인도 시간까지의 시간은 YA로 표시되어 있다.
반도체 웨이퍼 B에 대하여, 생산 계획에 따라 계획된 제조 시간(사각형으로 표시)과 처리 가능한 시간(원으로 표시) 간의 차이인 지연 시간은 XB로 표시되어 있고, 계획된 생산 시간으로부터 인도 시간까지의 시간은 YB로 표시되어 있다.
반도체 웨이퍼 A, B 중 어느 하나가 다른 하나보다 우선하여 처리되어야 할지는 지연 시간을 인도 시간까지의 나머지 시간으로 나눔으로써 결정된다. 해(A=X/Y) 또는 비율이 크면, 인도 시간을 맞추기가 더욱 어렵다.
반도체 웨이퍼 A에 대하여, AA=XA/YA및 반도체 A의 현재의 상태, 즉 처리 가능한 시간(원형)은 위험 라인 1에 있다.
반도체 웨이퍼 B에 대하여, 반도체 웨이퍼 A에 대한 AA및 반도체 A의 현재의 상태 즉 처리가능 시간(원형)보다 큰 AB=XB/YB는 위험 라인 1보다 더 가파른 위험 2에 있다. 이것은 반도체 웨이퍼 A보다 우선하여 반도체 웨이퍼 B를 처리할 필요가 있음을 나타낸다.
결국, 반도체 웨이퍼 A에 우선하여 반도체 웨이퍼 B를 처리함으로써 인도 라인에 부합하는 것이 가능하게 만들어져 있다.
상술한 처리 순서에서, 생산 계획(1)은 생산 진척도 비교 및 계산 유닛(3)에 계획된 제조 시간, 계획된 인도 시간, 계획된 처리 시간 및 계획된 선적 시간을 제공한다. 생산 달성도(2)는 유닛(3)에 처리 단계의 시작 및 종료 시간 및 선적 시간을 제공한다. 처리 가능한 시간은 계산된 개시 시간의 합, 즉 제조 장치 상태 모니터 유닛(4)가 유닛(3)으로 반도체 웨이퍼 방출 요구를 출력하는 시간, 계획된 선적 시간, 및 계획된 준비 시간이다.
본 발명은 다음과 같은 장점이 있다.
제조 장치가 반도체 웨이퍼를 처리할 수 있을 때 혹은 제조 장치의 로더가 반도체 웨이퍼를 수용할 수 있을 때, 제조 장치 상태 모니터 유닛은 후속하여 처리될 반도체 웨이퍼를 결정하도록 생산 진척도 비교/계산 유닛에 신호를 전달한다. 반도체 웨이퍼는 직접적인 시각적 검사를 통해 반도체 웨이퍼를 서치하는 조작자에 의해서보다 공정대에서 자동적으로 탐색된다. 따라서, 반도체 웨이퍼는 생산 계획에 따라 생산될 수 있고, 반도체 웨이퍼의 인도 시간에도 부합할 수 있다.
후속하여 처리될 반도체 웨이퍼가 제조 장치로부터의 요청에 의해 결정되고 제조 장치에 의해 처리되기 때문에, 제조 장치의 작업율이 일정하게 된다.
이제까지 특정한 용어를 사용하는 본 발명의 양호한 실시예에 대하여 설명하였지만 이러한 설명은 단지 예시의 목적이 있었을 뿐, 다음의 청구 범위의 정신 혹은 영역을 벗어나지 않고서도 변경이 있을 수 있음을 이해해야 한다.

Claims (4)

  1. 반도체 웨이퍼 생산 방법에 있어서, (a) 미리 준비된 생산 계획과 생산 달성도 데이터를 비교하여, 생산 진척도를 계산하기 위한 생산 진척도 비교/계산 단계; (b) 제조 장치의 처리 상태를 모니터하기 위한 제조 장치 상태 모니터 단계; (c) 상기 제조 장치 내에서 처리되도록 공정대 상에 배치되어 있는 반도체 웨이퍼를 제어하기 위한 목록 제어 단계; 및 (d) 상기 제조 장치에 의해 처리될 후속 반도체 웨이퍼를 상기 공정대에서 자동적으로 탐색하기 위한 공정대 제어 단계를 포함하고, 상기 단계(a)의 상기 생산 진척도 계산은 상기 단계(b)로부터의 타이밍 신호에 응답하여 개시되며, 상기 진척도는 상기 처리될 후속 반도체 웨이퍼를 결정하는 데 사용되어, 단계(d)에서 상기 후속 반도체 웨이퍼를 위한 상기 공정대의 탐색을 가능하게 하며, 상기 후속 반도체 웨이퍼를 위한 둘 이상의 적절한 후보가 상기 제조 장치의 상기 공정대 상에 배치되어 있는 경우, 각각의 후보 웨이퍼에 대해 우선 순위를 결정하고 이에 따라 비율을 계산하여, 대응하는 비율이 가장 큰 후보 웨이퍼에게 가장 높은 우선 순위를 부여하고, 대응하는 비율이 가장 작은 후보 웨이퍼에게 가장 낮은 우선 순위를 부여하고, 중간의 비율을 가지는 모든 반도체 웨이퍼들에게 그에 따른 우선 순위를 부여하며, 상기 비율은, 제조 장치 설정 시간을 포함하는 상기 반도체 웨이퍼에 대한 실제 처리 시간과 상기 생산 계획에 의한 상기 계획된 처리 시간 간의 차이를 상기 생산 계획에 의한 상기 계획된 인도 시간과 상기 계획된 처리 시간 간의 차이로 나눔으로써 계산되는 반도체 웨이퍼 생산 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 공정대를 자동적으로 탐색하는 단계는 상기 공정대로부터 반도체 웨이퍼를 자동적으로 인도하는 추가 단계를 포함하는 반도체 웨이퍼 생산 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 생산 진척도 비교/계산 단계, 상기 제조 장치 상태 모니터 단계, 상기 목록 제어 단계, 및 상기 공정대 제어 단계는 컴퓨터에 의해 제어되는 반도체 웨이퍼 생산 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 타이밍 신호는 제조 장치의 로더가 비어 있을 때 상기 제조 장치 상태 모니터 단계에서 발생되는 반도체 웨이퍼 생산 방법.
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