KR100596506B1 - 배치 타입의 반도체 설비 제어 방법 - Google Patents

배치 타입의 반도체 설비 제어 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 배치 타입(batch type)의 반도체 설비 제어 방법에 관한 것으로, 반도체 제조 공정을 시작하기 전후에 공정 불량이 발생될 수 있는 요소를 순차적으로 체크하여 공정 불량이 발생되는 것을 미연에 방지하기 위해서, 공정 초기 정보를 토대로 설정된 레써피(recipe)가 반도체 설비에 저장된 레써피 그룹에 포함되어 있는 지를 체크하고, 공정 초기 정보에 포함된 랏의 웨이퍼 매수와 반도체 설비에서 랏 매핑(lot mapping)시 읽어들인 웨이퍼 매수가 동일한 지를 체크하고, 반도체 제조 공정을 시작한 후에 반도체 설비에 세팅되어 진행중인 레써피와 설정된 레써피가 동일한 지를 체크하는 단계를 순차적으로 진행하여 반도체 제조 공정의 진행 여부를 결정하는 배치 타입의 반도체 설비 제어 방법을 제공한다. 특히 반도체 제조 공정의 준비 공정을 시작한 직후 및 주 공정을 시작하기 직전에 반도체 설비에 세팅되어 진행중인 레써피와 설정된 레써피가 동일한 지를 이중으로 체크함으로써, 주 공정에서의 반도체 제조 공정 불량을 미연에 방지할 수 있다.
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배치, 반도체 설비, 공정 불량, 인터로크, 체크 로직

Description

배치 타입의 반도체 설비 제어 방법{METHOD FOR CONTROLLING BATCH TYPE SEMICONDUCTOR EQUIPMENT}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 배치 타입의 반도체 설비 시스템을 보여주는 블록도이다.
도 2 및 도 3은 도 1의 반도체 설비 시스템의 반도체 설비 제어 방법에 따른 흐름도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 설명 *
10 : 반도체 설비 20 : 설비 서버
30 : 작업자 인터페이스 40 : 호스트
50 : 데이터베이스 60 : 랏
100 : 반도체 설비 시스템
본 발명은 반도체 설비 제어 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 랏 단위로 로딩되어 반도체 제조 공정을 진행하는 배치 타입의 반도체 설비에서 발생될 수 있는 대량의 공정 불량을 미연에 방지할 수 있는 배치 타입의 반도체 설비 제어 방 법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정을 진행하는 반도체 설비(semiconductor equipment)는 크게 웨이퍼 낱장 단위로 반도체 제조 공정이 진행되는 매엽 타입의 반도체 설비와, 랏(lot) 단위로 로딩되어 반도체 제조 공정이 진행되는 배치 타입(batch type)의 반도체 설비로 나눌 수 있다.
매엽 타입의 반도체 설비는 웨이퍼 낱장 단위로 반도체 제조 공정이 진행되기 때문에, 반도체 제조 공정 불량에 따른 피해가 적은 반면에 단위 시간 당 생산성이 떨어지는 문제점이 있다.
배치 타입의 반도체 설비는 랏 단위로 반도체 제조 공정이 진행되기 때문에, 단위 시간 당 생산성은 높지만 반도체 제조 공정 불량에 따른 피해가 큰 문제점이 있다.
배치 타입의 반도체 설비에서 발생하는 공정 불량을 미연에 방지할 수 있는 반도체 설비의 관리 방법에 관한 예가 한국공개특허공보 제1998-68085호, 한국공개특허공보 제1999-26068호 등에 개시되어 있다. 상기 공보에 따르면, 호스트(host)로부터 다운로드된 공정 조건이 작업을 진행할 랏의 실 공정 조건과 불일치할 경우, 이를 확인하여 반도체 설비를 정지시킨 후 해당 랏을 반도체 설비에서 자동으로 언로딩시킴으로써, 발생될 수 있는 공정 사고를 미연에 방지할 수 있는 방법이 개시되어 있다. 물론 일치할 경우, 반도체 설비를 가동시켜 다운로드된 공정 조건에 따라서 랏에 반도체 제조 공정을 진행하게 된다.
그런데 종래기술에 따른 반도체 설비 관리 방법은 반도체 설비로 다운로드된 공정 조건이 반도체 설비에서 진행할 수 있는 공정 조건인지를 체크하지 않기 때문에, 공정 불량이 발생될 수 있다. 즉 반도체 설비로 다운로드된 공정 조건이 랏의 실 공정 조건과 일치하더라도, 반도체 설비에서 진행할 수 없는 레써피(recipe)를 포함하는 공정 조건이 반도체 설비에 다운로드될 수 있다. 한편 반도체 설비는 자체적으로 진행할 수 있는 레써피들이 저장되어 있기 때문에, 저장된 레써피들에 포함되지 않은 레써피가 다운로드될 경우 다운로드된 레써피를 포함하는 공정 조건으로 반도체 제조 공정을 정상적으로 진행할 수 없다.
정상적으로 공정 조건이 반도체 설비에 세팅되어 공정이 시작되었지만, 공정 중간에 작업자에 의해 또는 통신상의 문제로 공정 조건이 일부 변경될 수 있다. 그런데 종래기술에 따른 반도체 설비 관리 방법으로는 변경된 공정 조건을 관리할 수 있는 방법이 없다. 즉 반도체 제조 공정이 진행된 이후에는 현재 반도체 설비에 세팅되어 진행중인 공정 조건이 실 공정 조건과 일치하는 지의 여부를 체크하지 않기 때문에, 변경된 공정 조건으로 인한 공정 사고가 발생될 수 있는 개연성을 안고 있다.
그리고 종래기술에 따른 반도체 설비 관리 방법으로는 랏의 웨이퍼 매수에 대한 관리가 이루어지지 않기 때문에, 반도체 설비에 로딩되었지만 반도체 제조 공정을 진행하지 못하고 언로딩되는 웨이퍼가 발생되거나 웨이퍼가 없는 상태에서 반도체 제조 공정이 진행되는 불량이 발생될 수 있다. 즉 진행하려고 한 랏의 웨이퍼 매수와 다르게 반도체 설비가 읽어들일 경우, 반도체 설비는 읽어들인 웨이퍼 매수에 해당되는 매수만큼 반도체 제조 공정을 진행하기 때문에, 공정 불량이 발생 될 수 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 반도체 제조 공정의 시작 전후에 공정 불량이 발생할 수 있는 요소를 순차적으로 체크하여 공정 불량 발생을 미연에 방지할 수 있도록 하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 설비 서버를 통하여 호스트와 온라인으로 연결된 배치 타입의 반도체 설비 제어 방법으로, (A) 호스트는 랏 관련 레써피와 웨이퍼 매수를 포함하는 공정 조건을 설정하고 랏을 반도체 설비에 로딩시키는 단계와, (B) 설정된 레써피가 반도체 설비에 저장된 레써피 그룹에 포함되어 있는 지를 체크하는 단계와, (C) 체크 결과, 설정된 레써피가 레써피 그룹에 포함되어 있으면, 반도체 설비에 설정된 레써피를 세팅하여 반도체 제조 공정을 시작하는 단계와, (D) 반도체 제조 공정을 진행하는 임의의 단계에서 반도체 설비에 세팅되어 진행중인 레써피가 설정된 레써피와 동일한 지를 체크하여 반도체 제조 공정의 계속 진행 여부를 판정하는 단계를 포함하는 배치 타입의 반도체 설비 제어 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 제어 방법에 있어서, (A) 단계는 호스트에 랏 관련 공정 초기 정보를 입력하는 단계와, 호스트는 공정 초기 정보를 토대로 웨이퍼 매수와 레써피를 포함한 공정 조건을 설정하는 단계와, 호스트는 반도체 설비에 랏을 로딩시키는 단계를 포함한다. 이때 랏 관련 공정 초기 정보는 작업자 인터페이스를 통하 여 온라인으로 호스트에 입력될 수 있다.
본 발명에 따른 제어 방법에 있어서, (C) 단계의 체크 결과, 설정된 레써피가 레써피 그룹에 포함되어 있지 않으면, 반도체 제조 공정 시작 실패로 판정하여 랏을 반도체 설비에서 언로딩시킨다.
본 발명에 따른 제어 방법은 (C) 단계와 (D) 단계 사이에, 공정 조건의 웨이퍼 매수가 반도체 설비가 읽어들인 랏의 웨이퍼 매수와 동일한 지를 체크하여 반도체 제조 공정의 시작 여부를 판정하는 단계를 더 포함할 수 있다. 체크 결과 동일하면, 세팅된 레써피에 따라서 반도체 제조 공정을 시작한다. 하지만 체크 결과 동일하지 않으면, 반도체 제조 공정 시작 실패로 판정하여 랏을 반도체 설비에서 언로딩시킨다.
본 발명에 따른 제어 방법에 있어서, (D) 단계는 반도체 설비에 세팅되어 진행중인 레써피가 설정된 레써피와 동일한지를 체크하는 단계와, 반도체 설비에 세팅되어 진행중인 레써피가 설정된 레써피와 동일하면 공정 조건에 따라서 반도체 제조 공정을 진행하는 단계와, 반도체 설비에 세팅되어 진행중인 레써피가 설정된 레써피와 동일하지 않으면 반도체 설비를 인터로크시키는 단계를 포함한다.
특히 본 발명의 바람직한 실시 형태에 따른 (D) 단계는 세팅된 레써피에 따라서 반도체 제조 공정을 시작한 직후 반도체 설비에 세팅되어 진행중인 레써피가 설정된 레써피와 동일한지를 체크하여 반도체 제조 공정의 계속 진행 여부를 판정하는 1차 체크 단계와, 반도체 제조 공정을 진행하는 특정 단계에서 반도체 설비에 세팅되어 진행중인 레써피가 설정된 레써피와 동일한지를 체크하여 반도체 제조 공 정의 계속 진행 여부를 판정하는 2차 체크 단계를 포함한다.
1차 체크 단계와 2차 체크 단계는 각기, 반도체 설비에 세팅되어 진행중인 레써피가 설정된 레써피와 동일한지를 체크하는 단계와, 반도체 설비에 세팅되어 진행중인 레써피가 설정된 레써피와 동일하면 공정 조건에 따라서 반도체 제조 공정을 진행하는 단계와, 반도체 설비에 세팅되어 진행중인 레써피가 설정된 레써피와 동일하지 않으면 반도체 설비를 인터로크시키는 단계를 포함한다.
여기서 2차 체크 단계의 반도체 제조 공정의 특정 단계는 랏이 반도체 설비에 로딩되어 실질적인 반도체 제조 공정이 진행되는 공정 챔버에 투입되기 전까지 진행되는 단계에 포함된다.
그리고 본 발명에 따른 제어 방법에 있어서, (B) 단계 내지 (D) 단계 설비 서버의 설비 제어 프로그램 또는 호스트에 프로그래밍된 체크 로직에 의해 진행될 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 배치 타입의 반도체 설비 시스템을 보여주는 블록도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 배치 타입의 반도체 설비 시스템(100)은 다수개의 반도체 설비(10)와, 설비 서버(20; equipment server)와, 작업자 인터페이스(30; operator interface)와, 호스트(40) 및 데이터베이스(50; database)를 포함하여 구성된다.
반도체 제조 라인내에 배치된 각 반도체 설비(10)는 설비 서버(20)를 통해 호스트(40)와 온라인으로 연결된다. 작업자 인터페이스(30) 또한 호스트(40)와 온라인으로 연결된다. 온라인 통신 방식으로 SECS(26; SEMI(Semiconductor equipment and Materials International) Equipment Communication Standard), HSMS(High-Speed SECS Message Services)와 같은 반도체 표준 프로토콜이 사용될 수 있다.
반도체 설비(10)는 자체에서 진행할 수 있는 레써피들에 대한 정보를 저장하고 있으며, 설비 소프트웨어(software)를 포함한다. 설비 소프트웨어를 통하여 반도체 설비(10)에 레써피가 입력된다. 이하 반도체 설비(10)에 저장된 레써피들을 레써피 그룹이라 한다.
각각의 반도체 설비(10)는 랏(60)이 공급되는 로드락 챔버(12; loadlock chamber)와, 로드락 챔버(12)에 연결되어 실질적으로 반도체 제조 공정이 진행되는 공정 챔버(14; process chamber)를 포함한다. 랏(60)은 작업자 또는 무인 반송차에 의해 로드락 챔버(12)로 공급되며, 로드락 챔버(12)로 공급된 랏(60)이 공정 챔버(14)로 투입되어 실질적인 반도체 제조 공정이 진행된다. 여기서 무인 반송차로는 레일을 따라 이동하는 RGV(Rail Guided Vehicle), 컨트롤러에 의한 자체 구동력으로 지정된 경로를 이동하는 AGV(Automatic Guided Vehicle), 레이저 항법 시스템을 갖춘 LGV(Laser Guided Vehicle) 등이 있으며, 호스트(40)의 명령을 받아 작동한다.
설비 서버(20)는 반도체 설비들(10)과 작업자 인터페이스(30) 및 호스트(40)를 연결하는 수단으로서, 반도체 설비들(10)을 제어할 수 있는 설비 제어 프로그램 (equipment control program)이 내장되어 있다. 이 설비 제어 프로그램 내에는 반도체 제조 공정의 시작 전후에 공정 불량이 발생될 수 있는 요소를 체크할 수 있는 체크 로직이 함께 프로그래밍되어 있다. 따라서 작업자가 작업자 인터페이스(30)를 통하여 공정 초기 정보를 입력하여 트랙인을 시도하면, 설비 제어 프로그램이 작동되어 반도체 설비(10)를 제어하게 된다. 특히 설비 제어 프로그램의 체크 로직은 반도체 제조 공정의 시작 전후에 공정 불량이 발생될 수 있는 요소를 체크한다. 따라서 공정 불량이 발생되는 것을 미연에 방지할 수 있다. 구체적인 설명은 반도체 설비 제어 방법에 대한 설명에서 후술하도록 하겠다.
작업자 인터페이스(30)는 설비 서버(20) 및 호스트(40)와 온라인으로 연결되며, 작업자는 작업자 인터페이스(30)를 통하여 랏(60)과 관련된 공정 초기 정보를 호스트(40)에 입력하는 트랙인을 시도한다. 또한 작업자는 작업자 인터페이스(30)를 통하여 진행할 반도체 제조 공정 내용을 확인하고, 필요한 정보를 입력하거나 제공받게 된다.
호스트(40)는 연결된 반도체 설비(10) 및 설비 서버(20)를 제어하며, 트랙인 시 입력된 공정 초기 정보를 토대로 데이터베이스(50)를 조사하여 랏(60)에 진행될 적절한 레써피를 포함한 공정 조건을 설정한다. 이때 공정 조건에는 랏(60)의 웨이퍼 매수에 대한 정보도 포함되어 있다. 설정된 레써피를 포함하는 공정 조건은 설비 서버(20)로 전송된다.
그리고 데이터 베이스(50)는 반도체 설비들(10)에서 진행할 수 있는 모든 레써피에 대한 정보를 저장하고 있으며, 호스트(40)의 신호에 따라서 필요한 정보를 호스트(40)로 전송한다.
특히 체크 로직은 공정 초기 정보를 토대로 설정된 레써피가 반도체 설비(10)에 저장된 레써피 그룹에 포함되어 있는 지를 체크하고, 공정 초기 정보에 포함된 랏(60)의 웨이퍼 매수와 반도체 설비(10)에서 랏(60) 매핑(mapping)시 읽어들인 웨이퍼 매수가 동일한 지를 체크하고, 반도체 제조 공정을 시작한 후에 반도체 설비(10)에 세팅되어 진행중인 레써피와 설정된 레써피가 동일한 지를 체크한다.
이와 같은 구조를 갖는 본 발명의 따른 배치 타입의 반도체 설비 시스템(100)에서의 반도체 설비 제어 방법을 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명하겠다. 여기서 도 2 및 도 3은 도 1의 반도체 설비 시스템(100)의 반도체 설비 제어 방법에 따른 흐름도이다.
본 발명의 실시예에 따른 배치 타입의 반도체 설비 제어 방법은 다수개의 웨이퍼가 적재된 랏(60)이 반도체 제조 공정을 진행할 반도체 설비(10)에 대기된 상태에서, 작업자 인터페이스(30)를 통하여 트랙인을 시도하는 단계로부터 출발한다. 즉 작업자는 작업자 인터페이스(30)를 통하여 공정 초기 정보를 호스트(40)에 입력한다(도 2의 71). 공정 초기 정보는 대상 랏(60)의 아이디(ID), 웨이퍼 매수, 공정이 진행될 반도체 설비(10)의 아이디, 레써피 아이디 및 스펙(SPEC)과 같은 랏(60)에 요구되는 공정 항목 등이 포함될 수 있다.
호스트(40)는 입력된 공정 초기 정보를 토대로 데이터베이스(50)를 조사하여 랏(60)에 진행될 적절한 공정 조건을 설정한다(도 2의 72). 설정된 공정 조건은 웨이퍼 매수와 레써피를 포함하며, 설비 서버(20)로 전송된다.
그리고 랏(60)이 반도체 설비(10)에 로딩된다(도 2의 73). 즉 작업자 또는 무인 반송차에 의해 반도체 설비의 로드락 챔버(12) 안으로 랏(60)이 로딩된다.
다음으로 설비 서버(10)에 내장된 체크 로직을 포함한 설비 제어 프로그램이 가동하여 반도체 제조 공정을 시작하기 전후에 공정 불량이 발생될 수 있는 요소를 순차적으로 체크하여 반도체 제조 공정의 진행여부를 판정하는 단계가 진행된다.
먼저 반도체 설비(10)에 설정된 레써피가 저장되어 있는 지를 체크하는 단계가 진행된다(도 2의 74). 즉 설비 서버(20)는 반도체 설비(10)에 저장된 레써피 그룹을 읽어들여 설정된 레써피가 레써피 그룹에 포함되어 있는 지를 체크한다.
체크 결과 설정된 레써피가 레써피 그룹에 포함되어 있으면, 반도체 설비(10)에 설정된 레써피를 세팅시킨다(도 2의 75).
하지만 체크 결과 설정된 레써피가 레써피 그룹에 포함되지 있지 않으면, 설비 서버(20)는 반도체 제조 공정 시작 실패로 판정한다(도 2의 76). 설비 서버(20)는 반도체 설비(10) 또는 작업자 인터페이스(30)에 구비된 소정의 표시장치(도시 안됨)를 통해 반도체 제조 공정 시작 실패에 따른 소정의 경고 메시지를 외부로 출력시키고, 로드락 챔버(12)에서 랏(60)을 언로딩시킨다(도 2의 77). 그리고 공정 초기 정보를 입력하는 단계(도 2의 71)로부터 다시 실시될 수 있도록 반도체 설비(10)는 초기화된다.
다음으로 반도체 설비(10)에 설정된 레써피가 세팅된 경우, 공정 초기 정보에 포함된 랏(60)의 웨이퍼 매수와 반도체 설비(10)에서 읽어들인 랏(60)의 웨이퍼 매수가 동일한 지를 체크하는 단계가 진행된다(도 2의 78). 즉 랏(60)이 로드락 챔버(12)로 로딩되면 반도체 설비(10)에 로딩되기 전에 진행된 공정 정보를 반도체 설비(10)가 읽어들이는 매핑이 이루어지게 되는데, 이때 웨이퍼 매수도 함께 읽어들인다.
체크 결과 동일한 경우, 반도체 설비(10)에 세팅된 레써피에 따라서 반도체 제조 공정을 자동으로 시작시킨다(도 2의 79).
반대로 체크 결과 동일하지 않는 경우, 설비 서버(20)는 반도체 제조 공정 시작 실패로 판정한다(도 2의 76). 설비 서버(20)는 반도체 설비(10) 또는 작업자 인터페이스(20)에 구비된 소정의 표시장치를 통해 반도체 제조 공정 시작 실패에 따른 소정의 경고 메시지를 외부로 출력시키고, 로드락 챔버(12)에서 랏(60)을 언로딩시킨다(도 2의 77). 그리고 공정 초기 정보를 입력하는 단계(도 2의 71)로부터 다시 실시될 수 있도록 반도체 설비(10)는 초기화된다.
다음으로 반도체 제조 공정이 자동으로 시작된 후에 공정 진행 중간에 반도체 설비(10)에 세팅되어 진행중인 레써피가 설정된 레써피와 동일한 지를 체크하여 반도체 제조 공정의 계속 진행 여부를 판정하는 단계가 진행된다.
이때 반도체 제조 공정은 랏(60)이 로드락 챔버(12)에서 대기된 상태에서 반도체 설비(10)에 세팅된 레써피에 따라서 공정 챔버(14)를 반도체 제조 공정을 진행할 수 있는 분위기로 조성하는 준비 공정과, 준비 공정이 완료된 이후에 로드락 챔버(12)에서 공정 챔버(14)로 랏(60)이 투입되어 실질적인 반도체 제조 공정이 진행되는 주 공정을 포함한다.
상기한 체크 단계는 준비 공정을 시작한 직후에 반도체 설비(10)에 세팅되어 진행중인 레써피와 설정된 레써피가 동일한 지를 1차 체크하는 단계(도 3의 81)와, 주 공정을 진행하기 전에 반도체 설비(10)에 세팅되어 진행중인 레써피와 설정된 레써피가 동일한지를 2차 체크하는 단계(도 3의 84)를 포함한다.
이때 1차 및 2차 체크 단계를 준비 공정 중에 진행하는 이유는, 랏(60)이 공정 챔버(14)에 들어가기 전에 반도체 설비(10)에 세팅된 레써피의 이상여부를 체크함으로써 잘못 세팅된 레써피로 인한 공정 불량의 발생을 미연에 방지하기 위해서이다. 즉 랏(60)이 로드락 챔버(12)에서 공정 챔버(14)로 투입되면 반도체 설비(10)에 세팅된 레써피에 따라서 주 공정이 진행되기 때문에, 이미 실질적인 반도체 제조 공정이 진행된 주 공정에서 반도체 설비(10)에 세팅된 레써피의 이상여부를 체크하는 것은 큰 의미가 없게 된다. 따라서 주 공정이 진행되기 전에 반도체 설비(10)에 세팅된 레써피가 설정된 레써피와 동일한지를 다시 한번 체크함으로써 잘못 세팅된 레써피로 인한 공정 불량의 발생을 미연에 방지할 수 있다.
그리고 1차 체크 단계는 전술된 바와 같이 준비 공정을 시작한 직후에 진행하고, 2차 체크 단계는 준비 공정 중의 특정의 단계에서 진행될 수 있도록 자동 또는 수동으로 지정된다. 바람직하게는 2차 체크 단계가 주 공정을 시작하기 직전에 진행될 수 있도록 지정하는 것이 바람직하다. 예컨대 특정 단계는 준비 공정중의 단계 이름(step name)이나 단계 번호(step number)를 통해 지정될 수 있다.
이때 1차 체크 단계를 준비 공정을 시작한 직후에 진행하는 이유는, 준비 공정의 진행으로 발생될 수 있는 시간적 비용적 손실을 방지하기 위해서이다. 그리고 2차 체크 단계를 주 공정이 시작되기 직전 즉 준비 공정의 종료 시점에 진행하 는 이유는, 준비 공정을 진행하면서 발생될 수 있는 레써피의 변경을 최종적으로 체크하여 주 공정에서 발생될 수 있는 공정 불량을 미연에 방지하기 위해서이다.
한편 본 발명의 실시예에서는 반도체 제조 공정이 진행된 후에 진행되는 체크 단계가, 준비 공정의 시작 시점과 종료 시점에서 진행하는 것을 예를 들어 설명하였지만, 준비 공정의 중간 단계에 적어도 한번 이상 체크하는 단계를 더 진행할 수도 있다.
1차 체크 결과 동일한 경우, 준비 공정을 계속적으로 진행한다(도 3의 82).
하지만 1차 체크 결과 동일하지 않은 경우, 설비 서버(10)는 현재 진행중인 단계에서 반도체 설비(10)를 인터로크시킨다(도 3의 83). 인터로크는 반도체 설비(10)를 일시 정지시키거나, 반도체 설비(10)를 강제 중지시켜 초기부터 다시 시작하게 하거나, 전산상 다운시키는 방법이 포함될 수 있다. 설비 서버(20)는 반도체 설비(10) 또는 작업자 인터페이스(30)에 구비된 소정의 표시장치를 통해 인터로크에 따른 소정의 경고 메시지를 외부로 출력시킨다.
2차 체크 결과 동일한 경우, 반도체 설비(10)에 세팅되어 진행중인 레써피에 따라서 주 공정을 포함한 반도체 제조 공정을 진행한다(도 3의 85). 그리고 반도체 제조 공정이 완료되면, 반도체 제조 공정을 종료한다(도 3의 86).
하지만 2차 체크 결과 동일하지 않은 경우, 설비 서버(10)는 현재 진행중인 단계에서 반도체 설비(10)를 인터로크시킨다(도 3의 83). 설비 서버(20)는 반도체 설비(10) 또는 작업자 인터페이스(30)에 구비된 소정의 표시장치를 통해 인터로크에 따른 소정의 경고 메시지를 외부로 출력시킨다.
한편 본 발명의 실시예에서는 체크 로직이 설비 서버(20)의 설비 제어 프로그램에 프로그래밍된 예를 개시하였지만, 호스트(40)에 프로그래밍될 수 있다. 호스트(40)에 체크 로직이 프로그래밍된 경우, 체크 로직에 따른 체크 단계가 호스트(40)에서 이루어지는 것을 제외하면 본 발명의 실시예에 따른 반도체 설비 제어 방법과 동일한 방법으로 반도체 설비 제어가 이루어지기 때문에 상세한 설명은 생략한다.
또는 본 발명에 따른 체크 로직이 프로그래밍된 별도의 서버 또는 모듈(module)을 구축되어 호스트에 온라인으로 연결된 경우에도, 체크 로직에 따른 체크 단계가 별도의 서버 또는 모듈에서 이루어지는 것을 제외하면 본 발명의 실시예에 따른 반도체 설비 제어 방법과 동일한 방법으로 반도체 설비 제어가 이루어지기 때문에 상세한 설명은 생략한다.
본 발명에 따른 배치 타입의 반도체 설비 제어 방법에 따르면, 반도체 제조 공정을 시작하기 전후에 체크 로직에 따른 체크 단계를 순차적으로 진행하여 공정 불량이 발생될 수 있는 요소를 체크함으로써, 주 공정이 진행되기 전에 공정 불량이 발생되는 것을 미연에 방지할 수 있다.
즉 랏 관련 공정 초기 정보의 입력에 의해 설정된 레써피가 설정된 레써피가 진행될 반도체 설비에 저장된 레써피 그룹에 포함되어 있는 지의 여부를 체크하여 포함되어 있지 않는 경우, 반도체 제조 공정이 진행되기 전에 반도체 설비에서 로딩된 랏을 언로딩시킴으로써 반도체 설비에서 진행할 수 없는 레써피의 진행으로 발생될 수 있는 공정 불량을 미연에 방지할 수 있다.
반도체 설비에 제공된 랏의 웨이퍼 매수와 반도체 설비에서 읽어들인 랏의 웨이퍼 매수가 동일한 지를 체크하여 동일하지 않은 경우, 반도체 제조 공정이 진행되기 전에 반도체 설비에서 로딩된 랏을 언로딩시킴으로써 웨이퍼 매수의 불일치로 인한 공정 불량이 발생되는 것을 미연에 방지할 수 있다.
반도체 제조 공정이 진행된 후에도 반도체 설비에 세팅되어 진행중인 레써피가 설정된 레써피와 동일한 지를 체크함으로써, 잘못된 레써피의 세팅으로 인한 공정 불량이 발생되는 것을 미연에 방지할 수 있다. 특히 반도체 설비에 세팅되어 진행중인 레써피가 설정된 레써피와 동일한 지를 체크하는 단계를 준비 공정이 시작된 직후와 주 공정이 시작되기 직전에 진행함으로써, 주 공정에서 발생될 수 있는 공정 불량을 미연에 방지할 수 있다.
따라서 배치 타입의 반도체 설비에서 문제시된 반도체 제조 공정 불량을 미연에 방지함으로써, 배치 타입의 반도체 설비 사용으로 인한 장점을 극대화할 수 있다.

Claims (20)

  1. 설비 서버를 통하여 호스트와 온라인으로 연결된 배치 타입의 반도체 설비 제어 방법으로,
    (A) 상기 호스트는 랏 관련 레써피와 웨이퍼 매수를 포함하는 공정 조건을 설정하고, 상기 랏을 상기 반도체 설비에 로딩시키는 단계와;
    (B) 상기 설정된 레써피가 상기 반도체 설비에 저장된 레써피 그룹에 포함되어 있는 지를 체크하는 단계와;
    (C) 상기 체크 결과, 상기 설정된 레써피가 상기 레써피 그룹에 포함되어 있으면, 상기 반도체 설비에 상기 설정된 레써피를 세팅하여 반도체 제조 공정을 시작하는 단계와;
    (D) 상기 반도체 제조 공정을 진행하는 임의의 단계에서 상기 반도체 설비에 세팅되어 진행중인 레써피가 상기 설정된 레써피와 동일한 지를 체크하여 상기 반도체 제조 공정의 계속 진행 여부를 판정하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 배치 타입의 반도체 설비 제어 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 (A) 단계는,
    (A1) 상기 호스트에 상기 랏 관련 공정 초기 정보를 입력하는 단계와;
    (A2) 상기 호스트는 상기 공정 초기 정보를 토대로 웨이퍼 매수와 레써피를 포함한 공정 조건을 설정하는 단계와;
    (A3) 상기 호스트는 상기 반도체 설비에 상기 랏을 로딩시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 배치 타입의 반도체 설비 제어 방법.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 (A1) 단계의 공정 초기 정보는 작업자 인터페이스를 통하여 온라인으로 상기 호스트에 입력되는 것을 특징으로 하는 배치 타입의 반도체 설비 제어 방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 (C) 단계의 체크 결과, 상기 설정된 레써피가 상기 레써피 그룹에 포함되어 있지 않으면, 반도체 제조 공정 시작 실패로 판정하여 상기 랏을 상기 반도체 설비에서 언로딩시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 배치 타입의 반도체 설비 제어 방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 (C) 단계와 상기 (D) 단계 사이에, 상기 공정 조건의 웨이퍼 매수가 상기 반도체 설비가 읽어들인 상기 랏의 웨이퍼 매수와 동일한 지를 체크하여 상기 반도체 제조 공정의 시작 여부를 판정하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 배치 타입의 반도체 설비 제어 방법.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 체크 결과,
    상기 공정 조건의 웨이퍼 매수가 상기 반도체 설비가 읽어들인 웨이퍼 매수와 동일하면, 상기 세팅된 레써피에 따라서 반도체 제조 공정을 시작하는 단계와;
    상기 공정 조건의 웨이퍼 매수가 상기 반도체 설비가 읽어들인 웨이퍼 매수와 동일하지 않으면, 반도체 제조 공정 시작 실패로 판정하여 상기 랏을 상기 반도체 설비에서 언로딩시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 배치 타입의 반도체 설비 제어 방법.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 (D) 단계는,
    (D1) 상기 반도체 설비에 세팅되어 진행중인 레써피가 상기 설정된 레써피와 동일한지를 체크하는 단계와;
    (D2) 상기 반도체 설비에 세팅되어 진행중인 레써피가 상기 설정된 레써피와 동일하면, 상기 공정 조건에 따라서 반도체 제조 공정을 진행하는 단계와;
    (D3) 상기 반도체 설비에 세팅되어 진행중인 레써피가 상기 설정된 레써피와 동일하지 않으면, 상기 반도체 설비를 인터로크시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 배치 타입의 반도체 설비 제어 방법.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 (D) 단계는,
    (D1) 상기 세팅된 레써피에 따라서 반도체 제조 공정을 시작한 직후 상기 반도체 설비에 세팅되어 진행중인 레써피가 상기 설정된 레써피와 동일한지를 체크하여 상기 반도체 제조 공정의 계속 진행 여부를 판정하는 단계와;
    (D2) 상기 반도체 제조 공정을 진행하는 특정 단계에서 상기 반도체 설비에 세팅되어 진행중인 레써피가 상기 설정된 레써피와 동일한지를 체크하여 상기 반도 체 제조 공정의 계속 진행 여부를 판정하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 배치 타입의 반도체 설비 제어 방법.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 (D1) 단계는,
    (D11) 상기 반도체 설비에 세팅되어 진행중인 레써피가 상기 설정된 레써피와 동일한지를 체크하는 단계와;
    (D12) 상기 반도체 설비에 세팅되어 진행중인 레써피가 상기 설정된 레써피와 동일하면, 상기 공정 조건에 따라서 반도체 제조 공정을 진행하는 단계와;
    (D13) 상기 반도체 설비에 세팅되어 진행중인 레써피가 상기 설정된 레써피와 동일하지 않으면, 상기 반도체 설비를 인터로크시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 배치 타입의 반도체 설비 제어 방법.
  10. 제 8항에 있어서, 상기 (D2) 단계는,
    (D21) 상기 반도체 설비에 세팅되어 진행중인 레써피가 상기 설정된 레써피와 동일한지를 체크하는 단계와;
    (D22) 상기 반도체 설비에 세팅되어 진행중인 레써피가 상기 설정된 레써피와 동일하면, 상기 공정 조건에 따라서 반도체 제조 공정을 진행하는 단계;
    (D23) 상기 반도체 설비에 세팅되어 진행중인 레써피가 상기 설정된 레써피와 동일하지 않으면, 상기 반도체 설비의 가동을 정지시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 배치 타입의 반도체 설비 제어 방법.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 반도체 제조 공정의 특정 단계는 상기 랏이 반도체 설비에 로딩되어 실질적으로 반도체 제조 공정이 진행되는 상기 반도체 설비의 공정 챔버로 투입되기 전까지 진행되는 단계에 포함되는 것을 특징으로 하는 배치 타입의 반도체 설비 제어 방법.
  12. 제 1항 내지 제 11항의 어느 한 항에 있어서, 상기 (B) 단계 내지 (D) 단계는 상기 설비 서버의 설비 제어 프로그램에 프로그래밍된 체크 로직에 의해 진행되는 것을 특징으로 하는 배치 타입의 반도체 설비 제어 방법.
  13. 제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (B) 단계 내지 (D) 단계는 상기 호스트에 프로그래밍된 체크 로직에 의해 진행되는 것을 특징으로 하는 배치 타입의 반도체 설비 제어 방법.
  14. (A) 작업자 인터페이스를 통하여 호스트에 랏 관련 공정 초기 정보를 입력하는 단계와;
    (B) 상기 호스트는 상기 공정 초기 정보를 토대로 레써피를 설정하는 단계와;
    (C) 상기 반도체 설비에 상기 랏을 로딩하는 단계와;
    (D) 상기 설정된 레써피가 상기 반도체 설비에 저장된 레써피 그룹에 포함되 어 있는 지를 체크하는 단계와;
    (E) 상기 레써피 그룹에 상기 설정된 레써피가 포함된 경우, 상기 설정된 레써피로 상기 반도체 설비를 세팅하는 단계와;
    (F) 상기 공정 초기 정보에 포함된 상기 랏의 웨이퍼 매수와 상기 반도체 설비에서 상기 랏 매핑시 읽어들인 웨이퍼 매수가 동일한 지를 체크하는 단계와;
    (G) 상기 공정 초기 정보에 포함된 웨이퍼 매수와 상기 랏 매핑시 읽어들인 웨이퍼 매수가 동일한 경우, 상기 반도체 제조 공정의 준비 공정을 시작하는 단계와;
    (H) 상기 준비 공정을 시작한 직후 상기 반도체 설비에 세팅되어 진행중인 레써피와 상기 설정된 레써피가 동일한 지를 체크하는 단계와;
    (I) 상기 세팅되어 진행중인 레써피와 상기 설정된 레써피가 동일한 경우, 상기 준비 공정을 계속 진행하는 단계와;
    (J) 상기 반도체 제조 공정의 주 공정을 진행하기 전에 상기 반도체 설비에 세팅되어 진행중인 레써피와 상기 설정된 레써피가 동일한지를 체크하는 단계와;
    (K) 상기 세팅되어 진행중인 레써피와 상기 설정된 레써피가 동일한 경우, 상기 세팅된 레써피에 따른 상기 주 공정을 진행하여 상기 반도체 제조 공정을 완료하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 설비 제어 방법.
  15. 제 14항에 있어서, 상기 (D) 단계에서 상기 레써피 그룹에 상기 설정된 레써피가 포함되지 않거나,
    상기 (F) 단계에서 상기 공정 초기 정보에 포함된 웨이퍼 매수와 상기 랏 매핑시 읽어들인 웨이퍼 매수가 동일하지 않는 경우,
    상기 반도체 제조 공정 시작 실패로 판정하여 상기 반도체 설비에서 상기 랏을 언로딩시키는 것을 특징으로 하는 배치 타입의 반도체 설비 제어 방법.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 (H) 단계와 (J) 단계에서,
    상기 세팅되어 진행중인 레써피와 상기 설정된 레써피가 동일하지 않는 경우, 상기 반도체 설비를 인터로크시키는 것을 특징으로 하는 배치 타입의 반도체 설비 제어 방법.
  17. 제 16항에 있어서, 상기 (G) 단계의 반도체 제조 공정의 준비 공정은 상기 랏이 반도체 설비에 로딩되어 실질적으로 반도체 제조 공정이 진행되는 상기 반도체 설비의 공정 챔버로 투입되기 전까지의 단계인 것을 특징으로 하는 배치 타입의 반도체 설비 제어 방법.
  18. 제 17항에 있어서, 상기 (J) 단계의 반도체 제조 공정의 주 공정은 상기 랏이 반도체 설비의 공정 챔버에 투입되어 실질적인 반도체 제조 공정이 진행되는 단계인 것을 특징으로 하는 배치 타입의 반도체 설비 제어 방법.
  19. 제 14항 내지 제 18항의 어느 한 항에 있어서, 상기 (D) 단계 내지 (K) 단계 는 상기 설비 서버의 설비 제어 프로그램에 프로그래밍된 체크 로직에 의해 진행되는 것을 특징으로 하는 배치 타입의 반도체 설비 제어 방법.
  20. 제 14항 내지 제 18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (D) 단계 내지 (K) 단계는 상기 호스트에 프로그래밍된 체크 로직에 의해 진행되는 것을 특징으로 하는 배치 타입의 반도체 설비 제어 방법.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109003919B (zh) * 2018-07-11 2020-11-03 上海华力微电子有限公司 一种晶圆制程工艺参数的反馈方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08167547A (ja) * 1994-12-14 1996-06-25 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置のプロセスパラメータ検査方法
JP2001068392A (ja) 1999-06-28 2001-03-16 Hyundai Electronics Ind Co Ltd 半導体工場自動化装置及びその自動化システム並びにその自動化方法
JP2001144019A (ja) 1999-11-10 2001-05-25 Tokyo Electron Ltd バッチ式熱処理装置
JP2005093747A (ja) 2003-09-18 2005-04-07 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体処理装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5461559A (en) * 1993-10-04 1995-10-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Hierarchical control system for molecular beam epitaxy
KR19980068085A (ko) 1997-02-14 1998-10-15 김광호 반도체 제조용 설비의 관리방법
KR19980068320A (ko) 1997-02-18 1998-10-15 김광호 광학문자인식기(ocr)를 이용한 반도체 설비의 인터록 방법
JPH1116798A (ja) 1997-06-26 1999-01-22 Sharp Corp 製造装置の処理データ監視システム
KR19990026068A (ko) 1997-09-22 1999-04-15 윤종용 반도체 제조용 설비의 관리방법
CN1298028C (zh) * 2001-08-08 2007-01-31 东京毅力科创株式会社 热处理方法及热处理装置
US6735493B1 (en) * 2002-10-21 2004-05-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Recipe management system
US6957116B2 (en) * 2003-10-03 2005-10-18 Taiwan Semiconductor Manufcturing Co., Ltd. Quality assurance system and method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08167547A (ja) * 1994-12-14 1996-06-25 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置のプロセスパラメータ検査方法
JP2001068392A (ja) 1999-06-28 2001-03-16 Hyundai Electronics Ind Co Ltd 半導体工場自動化装置及びその自動化システム並びにその自動化方法
JP2001144019A (ja) 1999-11-10 2001-05-25 Tokyo Electron Ltd バッチ式熱処理装置
JP2005093747A (ja) 2003-09-18 2005-04-07 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体処理装置

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