KR100196886B1 - 산화질소의 제조방법 - Google Patents

산화질소의 제조방법 Download PDF

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Abstract

수성 질산을 기체-액체 접촉 반응기 안에서 기상 이산화황과 반응시켜 산화질소를 제조한다. 반응은 부생성물인 아산화질소 및 질소의 생성을 최소화하기 위해 화학량론적 과량의 질산의 존재하에 수행된다. 산화질소 기체 생성물에 함유된 대부분의 물 및 부생성물인 아산화질소를 냉동시키기에 충분할 정도로 산화질소 기체 생성물을 냉각시킨다. 이산화질소를 우선적으로 흡착하는 흡착제를 사용하는 흡착 분리에 의해 잔류하는 이산화질소를 제거할 수 있다.

Description

산화질소의 제조방법
제1도는 본 발명의 바람직한 실시양태를 수행할 수 있는 장치를 도시한다.
[발명의 목적]
[발명이 속하는 기술분야 및 그 분야의 종래기술]
본 발명은 산화질소를 제조하는 방법, 더욱 구체적으로는 수성 질산을 기상 이산화황과 반응시켜 고순도 산화질소를 제조하는 방법에 관한 것이다.
최근 산화질소가 인간과 동물의 생명유지에 있어서 중요한 역할을 한다는 것이 밝혀졌다. 예를 들면, 산화질소는 혈관을 확장하여 혈압 유지를 보조하고 신체의 면역 체계중의 외부 침입물질을 죽인다. 연구결과는 어떤 질병 또는 질환을 앓고 있는 환자에게 산화질소 소량을 투여함으로써 비범한 장점을 수득할 수 있다는 것을 지적하고 있다. 특히 흥미 있는 것은 폐동맥 고혈압과 결부된 선천성 심장 질환을 가지고 있는 소아 환자에게 매우 작은 농도의 산화질소를 함유하는 산화질소가 풍부한 공기를 흡입하게 하여 폐혈관 수축현상을 감소시킬 수 있다는 것이다. 흡입되는 산화질소의 최종 투여 제품은 약제용 산화질소를 불활성 성분 및/또는 다른 활성 물질과 혼합하여 제조한다. 약제용 산화질소는 미국 식품의약국(U. S. Food and Drug Administration, FDA)이 지정하는 기준을 만족시키기 위해 순도가 매우 높아야 한다.
산화질소는 다양한 방법으로 제조될 수 있다. 반응물질의 용이한 입수가능성 때문에 특히 바람직한 방법은 질산 수용액을 기상 이산화황과 반응시키는 것이다. 이러한 반응은 다음 문헌에 기재되어 있다[참조: Separation Science and Technology, vol 24, (5 6), pp 414-428(1989)에 개시된 A Chemical Exchange System for Isotopic Feed to a Nitrogen and Oxygen Isotope Separation Plant]. 이러한 반응은, 수성질산을 베드의 상부에서 도입하고 기상 이산화황을 베드의 하부에서 도입하면서, 반응물을 트릭클(trickle) 베드 반응기에서 접촉시켜 수행한다. 상기 문헌의 논문에서는, 반응기 밖으로 이산화황이 나가는 것을 방지할 수 있도록, 질산을 반응에 대한 화학량론적 양보다 약간 과량으로 유동시켜 반응을 수행하는 것을 제시하고 있다. 주로 산화질소인 기상 반응 생성물은 불순물로서 수증기 및 소량의 다른 질소 산화물을 함유한다. 주요한 질소 산화물 불순물은 이산화질소 및 아산화질소 이다. 약재용 산화질소의 부각되는 의학적인 용도의 중요성으로 인해, 약제용 산화질소의 제조를 용이하게 할 제조상의 개선점이 계속해서 모색되고 있다. 본 발명은 이러한 개선점을 제공하는 산화질소 제조 기술을 제시한다.
[발명이 이루고자 하는 기술적 과제]
약제용 산화질소의 부각되는 의학적인 용도의 중요성으로 인해, 약제용 산화질소의 제조를 용이하게 할 제조상의 개선점이 계속해서 모색되고 있다. 본 발명은 이러한 개선점을 제공하는 산화질소 제조 기술을 제시한다.
[발명의 구성 및 작용]
본 바령은 아산화질소를 거의 또는 전혀 함유하지 않는 기상 산화질소 생성물을 제조하는, 산화질소 제조방법에 있어서의 개선점을 포함한다. 개선된 방법은 약 0.7:1 이상의 질산 대 이산화황의 몰 비로 질산을 접촉 대역으로 유입시키면서, 트릭클 베드 기체-액체 접촉 대역에서 약 20 내지 약 150℃의 온도 및 약 0.5 내지 약 5bar(bar, 절대압력)의 압력에서 질산 수용액을 기상 이산화황과 접촉시킴을 포함한다. 질산 대 황의 몰 비의 상한선은 결정적이지 않고 일반적으로 주로 경제성에 의해 결정된다. 반응을 약 10:1보다 큰 질산 대 이산화황의 몰 비로 수행하는 것은 일반적으로 경제적이지 않다. 질산 수용액중의 물 대 질산의 중량비는 통상적으로 약 0.3:1 내지 약 10:1이다.
본 발명의 더욱 바람직한 실시양태에 있어서, 질산과 이산화황은 약 1:1 내지 약 1.5:1의 질산 대 이산화황의 몰 비로 기체-액체 접촉 대역으로 유입되고, 기체-액체 대역으로 유입되는 질산 수용액중의 물 대 질산의 중량비는 약 1:1 내지 약 5:1이다.
다른 바람직한 실시양태에 있어서, 산화질소 기체 생성물은 약 30bar 이상까지 가압되고 약 -40℃ 미만, 더욱 바람직하게는 약 -40 내지 산화질소의 비점보다 약 1 내지 약 5℃ 높은 온도까지 냉각되고, 이로써, 약 10ppm 이하의 이산화질소를 함유하는, 실질적으로 수분을 함유하지 않는 산화질소 기체 생성물을 제조한다. 이러한 실시양태의 가장 바람직한 양상에서는, 산화질소 기체 생성물을 약 35bar를 초과하는 압력, 예를 들면 약 35 내지 50bar의 압력까지 압축하고 약 -50℃ 미만, 예를 들면 약 -50 내지 산화질소의 비점보다 약 1 내지 약 5℃ 높은 온도까지 냉각한다.
또 다른 바람직한 양태에서는, 기체를 약 2 내지 약 10℃의 온도까지 냉각시켜 수분을 가압된 산화질소 기체 생성물로부터 응축시키고, 약 -40 내지 산화질소의 비점보다 약 1 내지 약 5℃ 높은 온도까지 냉각시켜 부분적으로 건조된 기체 생성물로부터 이산화질소와 추가의 수분을 제거한다.
다른 바람직한 실시양태에 있어서, 산화질소 기체 생성물을 우선 물 또는 묽은 수성 질산으로 세정하여 기체 생성물로부터 이산화질소를 제거하고 이산화질소가 제거된 기체 생성물을 30 내지 약 50bar의 압력까지 압축한 후 약 2 내지 약 10℃의 온도까지 냉각시켜 기체 생성물로부터 수분을 제거하고, 이산화질소 및 수분이 제거된 기체 생성물을 약 -40℃ 내지 산호질소의 비점보다 약 1 내지 약 5℃ 높은 온도까지 냉각시켜 추가의 수분 및 이산화질소를 제거한다. 이러한 실시양태의 더욱 바람직한 양상에서, 이산화질소가 제거되고 건조된 산화질소 기체 생성물을 이산화질소를 선택적으로 흡착하는 흡착제로 통과시키고, 이로써 기체 생성물중의 이산화질소의 농도를 약 5ppm 미만까지 감소시킨다.
본 발명의 방법에 따라, 수성 질산을 기상 이산화황과 반응시켜 산화질소를 제조한다. 주요 반응은 다음 반응식과 같이 일어난다.
본 반응에서 생성되는 기체 생성물은 주로 산화질소(NO)를 포함한다. 이산화질소(NO2)는 또한 기체 생성물의 약 3부피% 이하의 양으로 생성된다. 생성될 수 있는 다른 생성물은 아산화질소(N2O) 및 질소(N2)이다. 약제용 산화질소는 실질적으로 다른 질소 산화물을 함유하지 않아야 하므로, 반응을 질소 및 산화질소 이외의 다른 질소 산화물의 생성을 최소화하는 조건하에 수행하는 것이 중요하다. 상기 반응으로부터 알 수 있듯이, 산화질소 제조를 위한 질산 대 이산화황의 화학량론적인 몰비는 2:3이다. 질산 대 이산화황의 몰 비가 화학량론적인 값 미만이면, 아산화질소와 질소가 반응중에 부생성물로서 생성된다. 따라서, 이러한 부생성물의 형성을 피하기 위해, 반응 대역 전체에서 질산 대 이산화황의 몰 비가 2:3 이상이어야 한다는 것이 중요하다. 본 발명에 의해 질산과 이산화황이 1:1 이상의 질산 대 이산화황의 몰 비로 반응 대역으로 도입되면, 반응기에서 이산화질소 및 질소가 전혀 또는 거의 생성되지 않는다는 사실이 밝혀졌다. 반응을 이러한 값 이상의 질산 대 이산화황의 몰 비로 수행하면 확실히 모든 반응 대역에서의 질산 대 이산화황의 몰 비가 화학량론적인 값 이상일 것이며, 따라서 아산화질소 및 질소의 생성이 실질적으로 없어질 것이다.
첨부된 도면으로부터 본 발명을 더욱 잘 이해할 수 있을 것이다. 본 발명을 이해하는데에 필수적이지는 않은, 밸브, 압축기 및 열교환기를 포함하는 보조 장치는 본 발명의 설명을 간략화하기 위해 도면에서 생략한다.
도면에는 주요 장치로서 기체-액체 접촉 반응기(A), 선택적인 기체 세정기(B), 이산화질소 제거 단위장치(C) 및 선택적인 기체 흡착 시스템(D)을 포함하는, 산화질소를 제조하기 위한 시스템이 도시되어 있다. 반응기(A)는 임의의 유형의 기체-액체 접촉 반응기일 수 있으나, 유리, 유리-라이닝 또는 스테인레스 강 트릭클 베드 칼럼(2)을 포함하는 것이 바람직하다. 칼럼(2)은 랜덤 충전물 또는 구조화된 충전물로 충전될 수 있고, 열을 반응 대역으로부터 제거하기 우한, 냉각 재킷(4)과 같은 적절한 열 교환 수단이 장착되어 있다. 냉각 재킷(4)에는 냉각수 유입 라인(6) 및 방출 라인(8)이 각각 장착되어 있다. 칼럼(2)의 상부 또는 그 인접부에는 질산 공급 라인(10)이 위치하고 칼럼의 하부 또는 그 인접부에는 이산화황 기체 유입 라인(12)이 위치한다. 또한 칼럼(2)의 상부에는 기체 생성물 방출 라인(14)이 위치하고 칼럼의 하부에는 폐액 방출 라인(16)이 위치한다.
도면에 도시된 본 발명의 실시양태에서는, 라인(14)의 말단이 기체 세정기(B)의 유입구에 연결되어 있다. 세정기(B)에는 세정액 유입 라인(17) 및 세정액 방출 라인(18)이 각각 장착되어 있다. 세정기(B)의 유출 말단은 도관에 의해 압축기(20)의 유입 말단에 연결되어 있다. 이의 유출 말단에는 압축기(20)가 도관을 거쳐 수 층축기(22)의 공급 기체 유입 말단에 연결되어 있다. 응축기(22)에는 응축산물 배수 라인(24)이 장착되어 있다. 응축기(22)의 기체 유출 말단은 이산화질소 냉각 단위장치(C)의 유입 매니폴드(26)에 연결되어 있다. 매니폴드(26)는 이산화질소 냉동기(28 및 30)의 유입구에 연결되어 있다. 매니폴트(26)와 냉동기(28 및 30) 사이의 유량은 각각 밸브(32)와 밸브(34)에 의해 조절된다. 냉동기(28 및 30)에는 이산화질소 방출 라인(36 및 38)이 각각 장착되어 있고, 이 라인은 합쳐지고 이후의 폐기물 처리 시스템까지 방출된다. 이산화질소 냉동기(28 및 30)의 기체 유출 말단은 매니폴드(40)에 연결되어 있다. 냉동기(28)와 매니폴드(40) 사이의 유량은 밸브(42)에 의해 조절되고 냉동기(30)와 매니폴드(40) 사이의 유량은 밸브(44)에 의해 조절된다. 라인(46)은 매니폴드(40)를 기체 흡착 단위장치(D)의 공급 기체 매니폴드(48)에 연결한다. 매니폴드(48)는 라인(50 및 52)에 연결되고, 이 라인들은 흡착 용기(54 및 56)의 유입구에 각각 연결된다. 라인(50및 52)을 통한 유량은 각각 밸브(58 및 60)에 의해 조절된다. 용기(54 및 56)와 매니폴드(62) 사이의 유량은 각각 밸브(64 및 66)에 의해 조절된다. 매니폴드(62)는 비흡착 기체 방출 라인(68)에 연결된다. 탈착 기체 매니폴드(70)는 라인(50)과 라인(52)을 연결한다. 라인(50 및 52)과 매니폴드(70) 사이의 유량은 각각 밸브(72 및 74)에 의해 조절된다. 매니폴드(70)는 탈착 기체 방출 라인(76)에 연결된다.
본 발명의 공정을 수행할 때, 중량을 기준으로 약 1/11 내지 약 1/1.3, 바람직하게는 약 1/6 내지 약 1/2의 질산을 함유하는 질산 수용액이 라인(10)을 통해 반응기(2)로 도입된다. 질산 용액은 반응기의 상부 전체에 고르게 분포되어 칼럼(2)을 통해 질산이 하향으로 균일하게 유동한다. 동시에 기상 이산화황은 라인(12)을 통해 칼럼(2)의 하부로 도입된다. 이산화항은 칼럼(2)의 하부에 위치하는 기체 분배기(도시되지 않음)를 통해 유동하여 이산화황이 칼럼(2)을 통해 상향으로 고르게 유동한다. 질산과 이산화황은 0.7:1 이상의 질산 대 이산화황의 몰 비, 바람직하게는 1:1 이상의 질산 대 이산화황의 반응물 몰 비로 칼럼(2)으로 유입된다. 반응물이 칼럼(2)을 생성한다. 칼럼(2)의 어떤 위치에서도 질산 대 이산화황의 몰 비가 화학량론적인 비율보다 훨씬 크기 때문에, 질산이 아산화질소 또는 질소로 거의 또는 전혀 환원되지 않는다. 또한, 물 대 칼럼(2)으로 유입되는 이산화황의 비율은 공정의 반응 단계 동안 이산화질소의 형성을 감소시키기에 충분하다. 황산 폐수가 과량의 질산 및 물과 함께 라인(16)을 통해 칼럼(2)을 빠져나와 이후의 폐산처리 시설(도시되지 않음)로 수송된다.
질산과 이산화황 사이의 반응은 발열반응이다. 반응 온도를 수용액의 비점 미만의 온도로 유지하는 것이 바람직하다. 따라서, 칼럼(2)에는 반응온도를 칼럼(2)의 어떤 위치에서도 약 150℃ 미만, 바람직하게는 약 50 내지 약 120℃의 온도로 유지시킬 수 있는 냉각 수단이 장착되어 있다. 이는 예를 들면, 냉수와 같은 냉각제를 칼럼(2)을 둘러싸는 냉각 재킷(4)으로 통과시켜 수행할 수 있다. 냉각제는 각각 라인(6 및 12)을 통해 재킷으로 유입되거나 방출된다.
실질적으로 산화질소로 이루어지고 또한 불순물로서 물 및 이산화질소를 약 3부피% 이하 함유하는 칼럼(2)의 상층 기체 생성물을 게속 처리하여 이러한 불순물을 제거한다. 도면에 도시된 실시양태에서, 기체 생성물은 라인(14)을 통과하여 세정기(B)로 유입된 물 또는 묽은 질산 수용액과 접촉한다. 물 또는 질산 용액은 이산화질소를 기체 생성물로부터 세정하고 세정액은 세정되어 나온 이산화질소와 함께 라인(18)을 통해 세정기(B)를 빠져나와 폐기물 처리 장치(도시되지 않음)로 수송된다. 위에서 지적한 바와 같이, 세정기(B)는 본 발명의 필수적인 부분은 아니지만, 이산화질소 냉동 단위 장치(C)의 하중을 감소시키고자 할 대 유용하다.
산화질소 기체 생성물은 이어서 압축기(20) 안에서 약 30bar 이상, 바람직하게는 약 35bar 이상의 압력가지 압축된다. 압축된 기체는 이어서 냉각기(22)를 통과하며, 여기에서는 온도가 0℃ 바로 위, 예를 들면, 약 2 내지 약 10℃, 바람직하게는 2 내지 5℃의 온도에서 유지된다. 기체 생성물중의 물은 응축되고 응축산물 라인(24)을 통해 응축기(22)로부터 제거된다. 응축기(22)도 또한 본 발명의 시스템의 필수적인 부분은 아니지만, 역시 냉동 단위장치(C)상의 하중을 감소시키기 위해서는 유리하다.
압축된 기체 생성물은 이어서 이산화질소 냉동 단위장치(C)의 매니폴드(26)로 유입된다. 도면에 도시된 실시양태에서, 단위장치(C)는 하나의 냉동기가 작동중인 동안 다른 냉동기는 재생되도록 번갈아가며 작동하는 한 쌍의 냉동기(28, 30)를 포함한다. 단위장치(C)는 간헐적으로 작동하고 단위장치(C)가 작동되지 않을 때 생성된 산화질소 기체 생성물을 수집하기 위해 수용 탱크(도시되지 않음)가 라인(14)에 장착될 수 있다.
단위장치(C)가 냉동운전중인 냉동기(28)와 함께 작동되면, 밸브(32 및 42)가 개방되고 밸브(34 및 44)가 폐쇄되며, 냉동기(30)가 냉동운전중이면, 밸브(34 및 44)가 개방되고 밸브(32 및 42)는 폐쇄된다. 운전중인 냉동기를 통과하는 기체 생성물은 이산화질소의 빙점(-11.2℃) 미만까지, 단 산화질소의 빙점(-163.6℃)보다 높은 온도까지, 일반적으로 약 -50 내지 산화질소의 비점보다 약 1 내지 5℃ 높은 온도까지, 바람직하게는 약 -50 내지 산화질소의 비점보다 약 1 내지 5℃ 높은 온도까지 냉각된다. 이러한 단계중에, 기체 생성물 중에 잔류하는 이산화질소 및 임의의 수증기가 거의 모두 냉각되고 기체 생성물로부터 제거된다. 냉동기(28)가 이산화탄소 냉동 운전중인 동안, 냉동기(30) 중에서 냉동된 이산화질소는 예를 들면, 냉동된 이산화질소를 냉동기를 통해 더운 기체 또는 액체를 순환시킴으로써, 또는 전기히터에 의해, 또는 이러한 기술을 조합하여 가열함으로써 해동시킨다. 해동된 이산화질소를 라인(38)을 통해 냉동기(30)로부터 제거하고 이후에 폐기물 처리 다누이장치(도시되지 않음)로 수송한다. 소정량의 이산화질소가 냉동기(28) 안에 축적되면, 이 냉동기는 재생을 위해 운전이 중지되고, 재생 공정이 완결된 냉동기(30)가 이산화질소 냉동 운전에 들어간다.
무수의, 이산화질소가 제거된 기체 생성물은 매니폴드(40)중의 밸브(42)를 통해 냉동기 단위장치(C) 밖으로 나간다. 이제 일반적으로 이산화질소를 약 10ppm 미만 함유하는 이러한 기체는 고압 저장 용기에 있는 것처럼 수집될 수 있거나 또는 추가로 정제되어 기체중에 잔류하는 잔류 이산화질소의 대부분을 제거할 수 있다. 도면에 도시된 실시양태는 산화질소 기체 생성물을 추가로 정제하기 위한 흡착 장치를 포함한다. 이러한 실시양태에 있어서, 냉동기 단위장치(C)를 빠져나오는 산화질소 기체 생성물은 라인(46)을 통과하여 흡착 장치(D)에 도달한다. 장치(D)는 일반적으로 압력 가변식 흡착(PSA) 단위장치와 같은 순환형 흡착 단위장치이다. 흡착 장치(D)는 하나의 흡착용기가 흡착 동작중인 동안 다른 흡착용기는 재생되도록 번갈아 가며 작동하는 한 쌍의 흡착 용기(54 및 56)를 포함한다. 각각의 용기(54 및 56)는 이산화질소를 흡착하는 흡착제를 함유한다. 단위장치에서 사용되는 특정 흡착제를 비롯한 흡착 단계의 세부사항은 본 발명의 일부를 구성하지 않는다. 이러한 세부사항은 다음 문헌에 개시되어 있다(참조: 미국 특허원 제08/271.592호, 1994년 7월 7일에 출원).
용기(54)가 흡착운전중이고 용기(56)중의 흡착제가 재생되는 경우에는, 밸브(58, 64 및 74)가 개방되고 모든 다른 밸브가 폐쇄된다. 상승된 압력에서 라인(46)을 통과하는 기체 생성물은 라인(50)을 통해 용기(54)로 유입된다. 기체가 용기(54)중의 베드를 통과함에 따라 이산화질소가 기체로부터 흡착된다. 정제된 기체는 매니폴드(62)를 통해 용기(54) 밖으로 빠져나오고 이후의 저장 또는 다른 처리시설로 라인(68)을 통해 수송된다. 흡착 공정이 진행됨에 따라, 이산화질소 흡착 프론트(front)가 용기(54)중에 형성되고 흡착 용기를 통해 나란히 이동한다. 흡착 프론트가 용기(54) 중의 에정된 지점에 다다르면, 용기중의 흡착이 종료된다. 밸브(58, 64 및 74f)는 폐쇄되고 밸브(60, 66 및 72)는 개방되며, 용기(54)가 베드 재생 단계로 들어가는 반면, 용기(56)는 사이클의 흡착 단계로 들어간다. 흡착 장치(D)를 빠져나가는 기체 생성물은 일반적으로 이산화질소 함량이 약 5ppm 미만이다.
본 발명이 범주 안에서 시스템 내부의 기체의 유량을 모니터하고 자동적으로 조절하기 위한 통상적인 장치를 사용하여 효율적인 방법으로 연속적으로 완전 자동화되어 작동시킬 수 있을 것이라고 기대된다.
또한 본 발명은 다음 실시예에 다라 설명되며, 여기서 특별한 지시가 없는 한, 부, 백분율 및 비율은 부피기준이다.
[실시예 1]
길이가 3피트이고 내경이 1in이며 스테인레스 강 랜덤 충전물로 충전된 유리 반응기를 본 실시예에서 사용한다. 이산화항은 반응기를 통해 49.4mmole/분의 유속으로 상향으로 통과하고 25중량% 질산을 함유하는 수성 질산은 반응기를 통해 15.53g/분의 유속으로 하향으로 통과하며, 여기서 질산의 양 대 이산화황의 양의 몰 비는 약 1.25:1이다. 반응기로부터의 기상 유출물의 질소의 농도는 약 50ppm부터 1500ppm까지 다양하고 아산화질소의 농도는 약 20ppm부터 50ppm까지 다양하며 나머지는 수증기와 산화질소이다. 극소량의 이산화질소만이 유출물중에서 검출된다.
본 실시예는, 이산화황의 농도에 비해 상대적으로 화학량론적 과량의 질산을 사용하여 질산을 이산화황과 반응시킬 때, 매우 소량의 질소 및 아산화질소가 반응중에 생성된다는 것을 나타낸다.
본 발명이 비록 특정 장치의 배열과 특정 실험을 참조로 하여 기술되었지만, 이러한 특징은 본 발명의 예시일 뿐이며 변형이 기대된다. 본 발명의 범위는 단지 첨부된 특허청구의 범위에 의해서만 한정된다.

Claims (10)

  1. 질산 수용액을 기상 이산화황과 기체-액체 접촉 대역에서 접촉시킴으로써 산화질소를 포함하는 기체 생성물을 제조함을 포함한는 산화질소의 제조방법에 있어서, 질산과 이산화황을, 0.7:1 이상의 질산 대 이산화황의 몰 비로 접촉 대역 안으로 도입함으로써 아산화질소 및 질소가 제거된 산화질소 기체 생성물을 제조하는 점이 개선된 방법.
  2. 제1항에 있어서, 질산 용액중의 물 대 질산의 중량비가 약 0.3:1 내지 10:1인 개선된 방법.
  3. 제1항에 있어서, 질산 및 이산화황을 1:1 이상의 질산 대 이산화황이 몰 비로 접촉 대역 안으로 도입하는 개선된 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 접촉 대역에서의 온도를 약 50 내지 약 120℃로 유지시키는 개선된 방법.
  5. 제1항에 있어서, 기체 생성물을 약 20bar 이상의 압력까지 압축하고 이를 약 -40℃ 이하의 온도까지 냉각시켜, 이산화질소를 상기 기체 생성물로부터 제거하는 개선된 방법.
  6. 제5항에 있어서, 기체 생성물을 약 35bar 이상의 압력까지 압축하고 약 -50℃ 이하의 온도까지 냉각시키는 개선된 방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 기체 생성물을 압축하기전에, 상기 기체 생성물을 물 또는 묽은 질산 수용액으로 세정하여 상기 기체 생성물로부터 이산화질소를 제거하는 개선된 방법.
  8. 제5항에 있어서, 이산화질소가 제거된 기체 생성물을 이산화질소를 선택적으로 흡착하는 흡착제에 통과시켜 기체 생성물중의 이산화질소의 농도를 약 5ppm 미만까지 감소시키는 개선된 방법.
  9. 제5항에 있어서, 질산 용액중의 물 대 질산의 중량비가 약 1:1 내지 약 5:1인 개선된 방법.
  10. 제1항에 있어서, 기체 생성물을 약 20bar 이상의 압력까지 압축시키고 약 1 내지 약 5℃까지 냉각시켜 수분을 이로부터 응축시키고 부분적으로 건조된 기체 생성물을 약 -40℃ 이하의 온도까지 냉각시켜 이로부터 이산화질소를 냉동시킴으로써, 수분과 이산화질소를 기체 생성물로부터 제거하는 개선된 방법.
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06264438A (ja) * 1993-03-16 1994-09-20 Toyo Lock Soil Kk 地中壁の施工法およびそれに使用する多軸オーガ掘削機
US6576044B1 (en) 1999-02-25 2003-06-10 The Boc Group, Inc. Process for the purification of nitric oxide
US6231824B1 (en) 1999-08-10 2001-05-15 The Boc Group, Inc. Removal of nitric oxide from gas streams
US6998270B2 (en) * 2001-11-26 2006-02-14 Lab Vision Corporation Automated tissue staining system and reagent container
EP1930295A4 (en) * 2005-08-19 2010-02-24 Sumitomo Seika Chemicals METHOD FOR CLEANING NITRIC OXIDE AND DEVICE FOR CLEANING NITRIC OXIDE
US8790715B2 (en) 2006-02-16 2014-07-29 Ino Therapeutics Llc Method and apparatus for generating nitric oxide for medical use
WO2008079993A2 (en) * 2006-12-22 2008-07-03 Ikaria, Inc. Combinations of nitric oxide and sulfide and methods of use and manufacture thereof
WO2008134490A1 (en) * 2007-04-26 2008-11-06 2B Technologies, Inc Method to produce a calibration, reagent or therapeutic gas by exposing a precursor gas to ultraviolet light
SI3498328T1 (sl) 2009-05-27 2021-03-31 Mallinckrodt Hospital Products IP Limited Pripomoček za spajanje indeksiranega ventila in sestava posode pod tlakom s pritrdilnim obročem in za linearno sprožitev sestava sprožilnika pri odvajanju tekočin s pripomočkom za reguliranje dovajanja zdravila
JP2011010865A (ja) 2009-06-30 2011-01-20 Ikaria Holdings Inc 肺高血圧の臨床的または超音波心臓検査上の証拠を伴う低酸素性呼吸器不全に罹った満期産およびほぼ満期産の新生児を治療する方法
JP5224471B2 (ja) * 2009-09-09 2013-07-03 住友精化株式会社 一酸化窒素ガスの製造方法および製造装置
KR101778350B1 (ko) 2014-12-04 2017-09-14 엠디에스 네트웍스(주) 전원 추출이 가능한 스위치 및 제어방법
CN105168240B (zh) * 2015-09-30 2018-03-09 刘平 用于治疗人肺动脉高压的含no气体药物和给药系统
CN112678786B (zh) * 2020-12-24 2023-10-20 大连理工江苏研究院有限公司 一种稀硝酸制备系统及方法
CN113753868A (zh) * 2021-10-14 2021-12-07 苏州金宏气体股份有限公司 一氧化氮气体的提纯方法、提纯装置和生产装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE698852C (de) * 1937-11-04 1940-11-18 I G Farbenindustrie Akt Ges Herstellung konzentrierter Stickoxyde
NL65076C (ko) * 1947-05-21
GB661903A (en) * 1949-02-17 1951-11-28 Dirk Willem Van Krevelen Process for the preparation of a gas with a high nitric oxide content and practically free from nitrogen peroxide
DE1174748B (de) * 1961-04-19 1964-07-30 Bayer Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Stickstoffmonoxid
DE1258401B (de) * 1965-12-04 1968-01-11 Basf Ag Verfahren zur Herstellung von Stickstoffmonoxid durch Umsetzung von Salpetersaeure mit Schwefel

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