KR0163960B1 - 경화성 수지 용액 조성물, 그의 제조 방법 및 전자 부품용 보호막 - Google Patents

경화성 수지 용액 조성물, 그의 제조 방법 및 전자 부품용 보호막 Download PDF

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Abstract

본 발명은 저점도이고, 보존 안정성이 뛰어나고, 200℃ 정도의 저온 가열에 의해 기재에 대해 양호한 접착성을 가지며 또한 내용제성이 뛰어난 수지피막을 형성할 수 있는 수지 용액 조성물에 관한 것이다.

Description

경화성 수지 용액 조성물, 그의 제조 방법 및 전자 부품용 보호막
본 발명은, 전자 부품의 절연 보호막 형성제 등으로서 적합하게 사용될 수 있는 폴리이미드 수지형의 경화성 수지 용액 조성물, 그의 제조 방법 및 이 수지 용액 조성물을 경화시켜서 이루어지는 전자 부품용 보호막에 관한 것이다.
종래부터 전자 부품 등의 절연 보호막으로서, 내열성이나, 전기적, 기계적 특성이 뛰어난 폴리이미드 수지가 이용되고 있으나, 보호막 형성에 있어서, 일반적으로 폴리이미드 수지는 유기 용제에 용해되지 않기 때문에, 그 전구체인 폴리이미드산의 용액을 사용하여, 이것을 기재에 도포한 다음, 가열 경화해서, 목적하는 폴리이미드 수지 피막을 형성하는 방법이 채용되고 있다.
그러나, 이 종래의 폴리이미드산의 용액을 사용하는 방법에 있어서는, 폴리이미드산 용액의 점도가 매우 높기 때문에 작업성이 뒤떨어지고, 또 가열 경화에 있어서는 300℃를 넘는 고온이 필요하며, 또한 얻어진 폴리이미드 수지 피막은 니켈, 알루미늄, 실리콘, 실리콘 산화막 등의 기재에 대한 접착력이 뒤떨어지는 등의 결점을 갖는다.
이들 결점 중 기재의 접착성의 개선에 대해서는, 폴리이미드의 원료인 디아민 성분의 일부를 실록산을 함유하는 디아민으로 치환한 폴리이미드 실록산 공중합체(일본국 특허 공고(소)제43-27,439호 공보, 동 제59-7,213호 공보 참조)를 사용하는 방법, 또는 폴리이미드 전구체의 폴리이미드산에 아미노기나 산 무수물기를 갖는 실란을 혼합 또는 반응시키는 방법(일본국 특허 공고(소)제58-32,162호 공보, 동 제58-32,163호 공보, 일본국 특허 공고(평)제1-29,510호 공보, 일본국 특허 공고(소)제61-266,436호 공보, 동 제61-207,438호 공보 참조)이 제안되어 왔다.
그러나, 전자의 방법에서는 공중합체 중의 실록산 함유량 증가에 따라 내열성이 저하한다는 문제점이 있고, 후자의 방법에서는, 첨가되는 실란량이 증가하면 용액의 보존 안정성을 현저히 손상시킨다는 문제점이 있다.
또, 폴리아미드산의 경화에 의해 폴리이미드 피막을 형성하는 경우에 필요한 300℃ 이상이라는 고온의 열처리를 생략하기 위해, 실록산 결합을 갖는 폴리이미드 수지 자체를 용제에 용해시킨 것(일본국 특허 공고(소)제61-83,228호 공보, 동 제61-118,424호 공보, 동 제61-118,425호 공보 참조), 또는 알콕시실릴기를 갖는 이미드 수지(일본국 특허 공고(소)제55-35,076호 공보, 동 제55-35,077호 공보 참조)를 사용해서 폴리이미드 수지 피막을 형성시키는 방법이 여러가지 제안되고 있다.
그러나, 이들 방법에 따라 얻어지는 폴리이미드 수지 피막은, 전자는 본질적으로 내용제성이 뒤떨어지는 한편 후자는 물의 첨가에 의한 알콕시실란의 가수분해가 필요하나, 이 가수분해 후의 보존 안정성에 문제가 있기 때문에, 두가지 방법 모두 실용상 문제를 갖고 있다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 저점도로 작업성이 양호하고, 보존 안정성이 좋으며, 더구나 저온에서도 경화 피막을 형성할 수 있으며 또한 내열성, 기계적 강도, 전기적 특성, 내용제성, 기재와의 접착성이 뛰어난 경화 피막을 부여할 수 있는 폴리이미드 수지형 경화성 수지 용액 조성물, 및 이 경화성 수지 용액 조성물의 제조 방법 및 이 경화성 수지 용액 조성물을 경화시켜서 이루어지는 전자 부품용 보호막을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 하기 일반식(II)의 폴리이미드와 하기 일반식(III)의 실리콘 화합물을 유기 용제 중에서 반응시킴으로써, 하기 일반식(I)의 이미드기 및 알콕시실릴기를 함유하는 폴리이미드 수지형 경화성 수지가 유기 용제에 용해된 경화성 수지 용액 조성물이 얻어짐과 동시에 이 용액 조성물이 저점도로 작업성이 우수한 것을 발견하였다.
(상기 식들 중, X는 2가 유기기이고, Y는 방향족 고리를 함유하는 4가 유기기이고, n은 1 이상의 정수이고, R1및 R2는 동일하거나 또는 상이할 수 있으며 탄소 원자수 1 내지 10개의 비치환되거나 또는 치환된 1가 탄화 수소기이고, R3는 지방족 고리 또는 방향족 고리를 함유하는 3가 유기기이고, m은 1 내지 3의 정수이다.)
또, 이 용액 조성물은 보존 안정성이 우수하고, 더구나 300℃ 이하의 저온 가열에 의해서 용이하게 경화되어 내열성, 기계적 강도, 전기적 특성이 우수한 경화 피막을 기재상에 접착성이 양호하게 형성할 수 있음과 동시에, 이 경화 피막은 내용제성도 우수하기 때문에 전자 부품 등의 보호막으로서 적합하게 사용할 수 있음을 발견하여, 본 발명을 완성하게 되었다.
따라서, 본 발명은, 상기 일반식(I)의 경화성 수지를 유기 용제에 용해시켜 이루어지는 경화성 수지 용액 조성물 및 식(II)와 식(III)을 유기 용제 중에서 반응시켜서 상기 경화성 수지 용액 조성물을 얻는 것으로 이루어지는 경화성 수지 용액 조성물의 제조 방법 및 이 경화성 수지 용액 조성물을 도포하고, 경화시켜서 이루어지는 전자 부품용 보호막을 제공한다.
이하, 본 발명에 대해서 더욱 상세히 설명한다.
본 발명의 폴리이미드 수지형 경화성 수지 용액 조성물은, 하기 일반식(I)의 폴리이미드 수지형 경화성 수지 유기 용제에 용해시켜 이루어지는 것이다.
여기에서, 상기 식 중 R1및 R2는 동일하거나 또는 상이할 수 있으며, 탄소 원자수 1 내지 10개의 비치환되거나 또는 치환된 1가 탄화 수소기이고, R3는 지방족 고리 또는 방향족 고리를 함유하는 3가 유기기이고, X는 2가 유기기이고, Y는 방향족 고리를 함유하는 4가 유기기이고, m은 1 내지 3의 정수이고, n은 1 이상의 정수이나, 양호한 작업성과 충분한 접착력을 얻기 위해서는, n이 1 내지 100인 것이 바람직하다.
이 경화성 수지 용액 조성물은, 하기 일반식(II)의 폴리이미드와 하기 일반식(III)의 실리콘 화합물을 유기 용제 중에서 반응시켜 얻을 수 있다.]
(상기 식들 중, X, Y, n, R1, R2, R3및 m은 상기 정의한 바와 같다.)
여기에서, 상기 식(II)의 폴리이미드는 하기 일반식(IV)
(단, Y는 상기 정의한 바와 같음)
의 테트라카르복실산 이무수물과 하기 일반식(V)
(단, X는 상기 정의한 바와 같음)
의 디아민을 소정의 비율, 즉 식(IV)의 테트라카르복실산 이무수물 n개에 대해서 디아민 (n+1)개를 반응시켜서, 하기 일반식(VI)의 폴리아미드산을 얻고, 이를 통상의 방법을 따라 탈수 시킴으로써 얻을 수 있다.
상기 식 중 Y는 방향족 고리를 함유하는 4가 유기기로서, 식(II)의 폴리이미드의 출발 물질인 상기 식(IV)의 테트라카르복실산 이무수물에 유래하는 것이다. 이를 구체적으로 나타내면, Y가인 경우 피로멜리트산 이무수물, Y가인 경우 벤조페논 테트라카르복실산 이무수물, Y가인 경우 3, 3', 4, 4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, Y가인 경우 2, 2-비스(3, 4'-벤젠디카르복실산 무수물)퍼플루오로프로판, Y가인 경우 비스(3, 4'-디카르복시페닐)디메틸실란 이무수물, 및 Y가인 경우 1, 3-비스(3, 4-디카르복시페닐) 1, 1, 3, 3-테트라메틸디실록산이무수물 등이지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 또한, Y는 상기한 것의 1종이어도 또는 2종 이상의 조합이어도 좋고, 따라서 상기 식(IV)의 테트라카르복실산 이무수물과 식(V)의 디아민으로부터 식(II)의 폴리이미드를 얻는 반응을 행할 경우, 식(IV)의 테트라카르복실산 이무수물은 필요에 따라 상기의 것 1종 또는 2종 이상을 사용해도 좋다.
또, 상기 식 중, X는 2가의 유기기로서, 식(II)의 폴리이미드의 출발 물질인 식(V)의 디아민에 유래하는 것이다. 이 디아민을 구체적으로 나타내면, p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 4, 4'-디아미노디페닐메탄, 4, 4'-디아미노디페닐에테르, 2, 2'-비스(4-아미노페닐)프로판, 4, 4'-디아미노디페닐술폰, 4, 4'-디아미노디페닐술파이드, 1, 4'-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1, 4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1, 4-비스(m-아미노페닐술포닐)벤젠, 1, 4-비스(p-아미노페닐술포닐)벤젠, 1, 4-비스(m-아미노페닐티오에테르)벤젠, 1, 4-비스(p-아미노페닐티오에테르)벤젠, 2, 2-비스[4-(4-아미노페녹시) 페닐]프로판, 2, 2-비스[3-메틸-4-(4-아미노페녹시) 페닐]프로판, 2, 2-비스[3-클로로-4-(4-아미노페녹시) 페닐]프로판, 1, 1-비스[4-(4-아미노페녹시) 페닐]에탄, 1, 1-비스[3-메틸-4-(4-아미노페녹시) 페닐]에탄, 1, 1-비스[3-클로로-4-(4-아미노페녹시) 페닐]에탄, 1, 1-비스[3, 5-디메틸-4-(4-아미노페녹시) 페닐]에탄, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]메탄, 비스[3-메틸-4-(4-아미노페녹시) 페닐]메탄, 비스[3-클로로-4-(4-아미노페녹시) 페닐]메탄, 비스[3, 5-디메틸-4-(4-아미노페녹시) 페닐]메탄, 비스[4-(4-아미노페녹시) 페닐]술폰, 2, 2-비스[4-(4-아미노페녹시) 페닐]퍼플루오로프로판 등의 통상 탄소 원자수 6 내지 20개의 방향족 고리 함유 디아민, 또는
등의 실리콘디아민을 들 수 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다.
또한, X는 상기 디아민 잔기의 1종이어도 2종 이상의 조합이어도 좋고, 따라서 식(II)의 폴리이미드를 얻는 반응에 있어서, 식(V)의 디아민으로서는 상기 디아민의 1종을 단독으로 또는 필요에 따라 2종 이상을 병용해도 좋다.
한편, 상기 식(II)의 폴리이미드와 반응시키는 실리콘 화합물로서는, 하기 식(III)의 화합물을 사용한다.
여기에서, R1및 R2는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등의 알킬기, 비닐기, 알릴기, 부테닐기 등의 아케닐기, 페닐기, 톨릴기 등의 아릴기 또는 이들 기의 탄소 원자에 결합한 수소 원자의 일부 또는 전부를 할로겐 원자, 시아노기, 알콕시기 등으로 치환한 클로로메틸기, 클로로프로필기, 3, 3, 3-트리플루오로프로필기, 2-시아노에틸기, 메톡시에틸기, 에톡시에틸기 등으로부터 선택되는 동일하거나 또는 상이한 탄소 원자수 1내지 10개, 바람직하기로는 탄소 원자수 1 내지 6개의 비치환되거나 또는 치환된 1가 탄화수소기이지만, 이들 중, R1으로서는 알킬기, 알콕시 치환 알킬기가 바람직하고, R2로서는 비치환되거나 또는 치환된 알킬기, 아릴기가 적합하게 사용된다. 또 R3은 지방족 고리 또는 방향족 고리를 함유하는 3가 유기기이며, 구체적으로는, 예를 들면 등의 지방족 고리,등의 통상의 탄소 원자수 6 내지 20개의 방향족 고리를 함유하는 비치환되거나 또는 치환된 3가 유기기를 들 수 있다.
이 식(III)의 실리콘 화합물을 구체적으로 예시하면,
등을 들 수 있으나, 이들에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에 있어서는 이들 실리콘 화합물의 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 병용해서 사용할 수 있다.
본 발명에 있어서는, 상기한 식(II)의 폴리이미드와 식(III)의 실리콘 화합물을 반응시킬 때, 유기 용매 중에서 행하고, 이로써 식(I)의 경화성 수지가 유기 용매 중에 용해된 본 발명의 경화성 수지 용액 조성물을 얻을 수 있다.
이 경우, 유기 용매로서는, 예를 들면 테트라히드로푸란, 1, 4-디옥산, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 등의 에테르류, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브 등의 셀로솔브류, 아세톤, 메틸에틸켄톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로펜타논, 시클로헥사논 등의 케톤류, γ-부틸로락톤, 부틸셀로솔브아세테이트, 부틸아세테이트, 에틸아세테이트 등의 에세테르류를 들 수 있으며, 이들 중 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 혼합해서 사용할 수 있다.
이들 용제의 사용량은 특별한 제한이 있는 것은 아니나 고형분 1% 내지 60%의 범위, 바람직하기로는 5% 내지 40%의 범위가 되게 사용함으로써, 얻어진 반응 생성물을 그대로 경화성 수지 용액 조성물로서 사용할 수 있다.
또한, 반응에 있어서, 식(III)의 실리콘 화합물과 식(II)의 폴리이미드 화합물과의 몰비[(III)/(II)]는 약 1.9-2.1의 범위로 하는 것이 바람직하고, 또 반응 온도는 -20 내지 70℃, 특히 0 내지 50℃가 바람직하다. 반응 시간은 통상 0.5-10시간이다.
이렇게 해서 얻어지는 본 발명의 경화성 수지 용액 조성물에 있어서, 그 고형분은 1% 내지 60%, 특히 5% 내지 40%로 함이 바람직하고, 또 그 용제로서는, 상기한 합성에서 예시한 것을 사용할 수 있다. 이 경화성 수지 용액 조성물은 보존 안정성이 우수하며, 더구나 점도가 비교적 낮고, 사용하기 쉽다. 또, 경화 피막 형성에 있어서는 보통 100℃ 이상, 바람직하기로는 150℃ 이상의 온도에서 1 내지 10시간 가열함으로써, 일반식(I) 중의 아미드산 부분이 이미드화하고, 그 결과 생성되는 물에 의해서 알콕시실릴기의 가교 반응이 진행되어, 경화하여 이미드고리를 함유하는, 내열성, 기계적 특성, 전기 특성이 우수하며, 또한 기재에 대한 접착성, 내용제성이 우수한 고분자량의 중합체가 용이하게 얻어진다.
따라서, 본 발명의 경화성 수지 용액 조성물은, 각종 방법에 의해 각종 기재, 예를 들면 반도체 장치, 구체적으로는 반도체 소자 표면의 표면 안정화막, 보호막, 다이오드, 트랜지스터 등 접합부의 접합보호막, VLSI의 α선 차단막, 층간 절연막, 이온 주입 마스크 등 외에, 인쇄 회로판의 정형 도포막, 액정 표시소자의 배향막, 유리 섬유의 보호막, 태양 전지의 포면 보호막 등으로 폭넓게 이용할 수 있다.
이상 설명했듯이, 본 설명의 경화성 수지 용액 조성물은, 저점도로 보존 안정성이 좋고, 더구나 내열성, 기계적 강도, 전기적 특성, 내용제성이 양호한 경화 피막을 기재와 접착성 있게 300℃ 이하의 저온에서 형성할 수 있는 것이다. 또, 본 발명의 경화성 수지 용액 조성물의 제조 방법에 의하면, 이와 같은 경화성 수지 용액 조성물을 간단히 또한 확실하게 제조할 수 있는 것이다.
이하, 실시예와 비교실시예를 들어, 본 발명을 구체적으로 설명하나, 본 발명이 하기의 실시예들로 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
교반기, 온도계 및 질소 치환 장치를 구비한 플라스크에 디아민 성분으로서 디아미노디페닐에테르 8.0g(0.04몰), 용제로서 시클로헥사논 230g을 넣고, 여기에 산 무수물 성분으로서 2, 2-비스(3, 4-벤젠디카르복실산 무수물)퍼플루오로프로판 13.3g (0.03몰)을 서서히 첨가했다. 첨가 종료 후, 다시금 실온에서 10시간 교반하고, 이어서 플라스크에 수분 수용기 부착 환류 냉각기를 설치한 다음, 톨루엔 30g을 가해서, 반응계를 140℃로 승온하여 그 온도에서 10시간 유지시켰다. 이 반응에 의해서 1.1g의 물이 발생하였다.
상기 조작에 의해서 얻어진 하기 일반식
의 폴리이미드의 시클로헥사는 용액에 5-(트리메톡시실릴)-노르보르닐-2, 3-디카르복실산 무수물 5.7g(0.02몰)을 첨가하여, 실온에서 4시간 교반을 계속하였다.
이 반응에 의해서, 목적하는 하기 일반식
의 경화성 수지의 10% 시클로헥사논 용액을 얻었다.
[실시예 2]
실시예 1의 방법에 따라, 디아민 성분으로서 2, 2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판 20.5g(0.05몰), 테트라카르복실산 이무수물 성분으로서 2, 2-비스(3, 4-벤젠디카르복실산 무수물)퍼플루오로프로판 8.9 g(0.02몰) 및 1, 3-비스(3, 4-디카르복시페닐)1, 1, 3, 3,-테트라메틸디실록산 이무수물 8.5g(0.02몰), 실리콘 화합물로서 5-(디메톡시메틸실릴)-노르보르닐-2, 3-디카르복실산 무수물 5.4g(0.02몰), 용제로서 디에틸렌글리콜디메틸에테르 315g을 사용하여, 목적하는 하기 일반식
의 경화성 수지의 25% 디에틸렌글리콜디메틸에테르 용액을 얻었다.
[실시예 3]
실시예 1의 방법에 따라서, 디아민 성분으로서 2, 2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판 12.3g(0.03몰) 및 1, 3-비스(γ-아미노프로필)1, 1, 3, 3,-테트라메틸디실록산 5.0g(0.02몰), 테트라카르복실산 이무수물 성분으로서 2, 2-비스(3, 4-벤젠디카르복실산 무수물)퍼플루오로프로판 8.9g(0.02몰) 및 3, 3' 4, 4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물 5.9g(0.02몰), 실리콘 화합물로서 5-(트리메톡시실릴)-노르보르닐-2, 3-디카르복실산 무수물 5.7g(0.02몰), 용제로서 γ-부틸로락톤 330g을 사용해서, 목적하는 하기 일반식
의 경화성 수지의 10% γ-부틸로락톤 용액을 얻었다.
[실시예 4]
실시예 1의 방법에 따라서, 디아민 성분으로서 2, 2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]퍼플루오로프로판 20.7g(0.04몰) 테트라카르복실산 이무수물 성분으로서 2, 2-비스(3, 4-벤젠디카르복실산 무수물)퍼플루오로프로판 13.3g(0.03몰) 실리콘 화합물로서 4-트리메톡시실릴 1, 2, 3, 6-테트라히드로 무수 프탈산 5.4g(0.02몰), 용제로서 디에틸렌글리콜디메틸에테르 350g을 사용해서 목적하는 하기 일반식
의 경화성 수지의 10% 디에틸렌글리콜디메틸에테르 용액을 얻었다.
[비교실시예 1]
2, 2-비스(3, 4-벤젠디카르복실산 무수물)퍼플루오로프로판 17.8g(0.04몰)과 2, 2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판 16.4g(0.04몰)을 디에틸렌글리콜디메틸에테로 310g 중에서 반응시켜 폴리아미드산 용액을 얻고, 이 용액 중에 5-(트리메톡시실릴)-노르보르닐-2, 3-디카르복실산 무수물 2.9g(0.01몰)을 첨가하여, 알콕시실란 화합물 함유 폴리아미드산 용액을 제조하였다.
[비교실시예 2]
2, 2-비스(3, 4-벤젠디카르복실산 무수물)퍼플루오로프로판 17.8g(0.04몰)과 2, 2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판 12.3g(0.03몰) 및 1, 3-비스(γ-아미노프로필)-1, 1, 3, 3,-테트라메틸디실록산 2.5g(0.01몰)을 디에틸렌글리콜디메틸에테로 280g 중에서 반응시켜 폴리아미드산 용액을 얻고, 이 용액을 150℃에서 6시간 가열. 탈수하여 폴리이미드 수지의 디에틸렌글리콜디메틸에테르 용액을 조제하였다.
이상의 실시예1 내지 4에서 얻어진 경화성 수지 용액 조성물과 비교 실시예 1,2에서 얻어진 용액에 대해, 점도(25℃)와 5℃에서 3개월 후의 보존 안정성에 대해서 시험하였다. 또, SiO2기재에 도포하여 150℃/1시간 + 200℃/1시간으로 경화시킨 후의 수지 피막에 대해서, 기재에 대한 접착성과 디에틸렌글리콜디메틸에테르에 대한 내용제성을 각각 시험하였다.
결과를 하기 표 1에 나타낸다.
표 1의 결과로부터, 실시예 1 내지 4에서 얻은 수지 용액 조성물은 저점도임과 동시에 보존 안정성이 뛰어나고, 또, 200℃ 정도의 저온 가열에 의해서, 기재에 대해 양호한 접착성을 가지며, 또한 내용제성도 뛰어난 수지 피막을 형성하는 것이 확인되었다.

Claims (3)

  1. 하기 일반식(I)의 경화성 수지를 유기 용제에 용해시켜 이루어진 경화성 수지 용액 조성물.
    상기 식 중, R1및 R2는 동일하거나 또는 상이할 수 있으며, 탄소 원자수 1 내지 10개의 비치환되거나 또는 치환된 1가 탄화 수소기이고, R3는 지방족 고리 또는 방향족 고리를 함유하는 3가 유기기이고, X는 2가 유기기이고, Y는 방향족 고리를 함유하는 4가 유기기이고, m은 1 내지 3의 정수이고, n은 1 이상의 정수이다.
  2. 하기 일반식(II)의 폴리이미드와 하기 일반식(III)의 실리콘 화합물을 유기 용제 중에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 하기 일반식(I)의 경화성 수지 용액 조성물의 제조 방법.
    상기 식들 중, R1및 R2는 동일하거나 또는 상이할 수 있으며, 탄소 원자수 1 내지 10개의 비치환되거나 또는 치환된 1가 탄화 수소기이고, R3는 지방족 고리 또는 방향족 고리를 함유하는 3가 유기기이고, X는 2가 유기기이고, Y는 방향족 고리를 함유하는 4가 유기기이고, m은 1 내지 3의 정수이고, n은 1 이상의 정수이다.
  3. 하기 일반식(I)의 경화성 수지 용액 조성물을 도포하여, 경화시켜서 이루어진 전자 부품용 보호막.
    상기 식 중, R1및 R2는 동일하거나 또는 상이할 수 있으며, 탄소 원자수 1 내지 10개의 비치환되거나 또는 치환된 1가 탄화 수소기이고, R3는 지방족 고리 또는 방향족 고리를 함유하는 3가 유기기이고, X는 2가 유기기이고, Y는 방향족 고리를 함유하는 4가 유기기이고, m은 1 내지 3의 정수이고, n은 1 이상의 정수이다.
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