KR0141943B1 - 반도체소자의 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 제조방법Info
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로, 반도체기판 위에 절연물질을 도포하여 층간절연막을 형성하는 공정과, 상기 층간절역막 위에 다결정실리콘을 도포하여 실리콘층을 형성하는 공정과, 상기 실리콘층 위에 실리콘층의 배선으로 사용하지 않을 부분은 노출되고 나머지 배선으로 사용할 부분은 보호되도록 이온주입 마스크를 형성하는 공정과, 상기 이온주입 마스크를 적용하여 상기 실리콘층에 이온을 주입하는 공정을 포함하여 구성되며, 상기와 같이 실리콘층을 배선부분과 절연부분으로 나누어 상기 절연부분에만 실리콘층과 반응하여 절연막을 형성할 수 있는 이온을 주입하고, 이에따라 상기 실리콘층과 이온과의 반응에 의해 배선간 절연막을 형성함으로써 종래와 같은 식각에 의한 요철이 발생하지 않기 때문에 추가적인 평탄화공정이 필요없으며, 공정시간을 단축할 수 있는 효과가 있다.
Description
제1도는 종래의 기술에 의한 반도체소자의 제조방법을 도시한 단면도.
제2도는 본 발명에 의한 반도체의 제조방법을 도시한 단면도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11:반도체 기판 13:층간절연막
15:실리콘층 17:이온주입마스크
본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 실리콘을 주배선박막으로 사용하기 위한 반도체소자의 제조방법에 관한 것이다.
실리콘을 배선박막으로 사용하는 종래의 기술에 반도체소자의 제조방법은, 제1도에 도시한 바와 같이 먼저 (a)도에서 반도체기판(1) 위에 절연물질을 소정의 두께로 증착시켜 절연막(3)을 형성하고, 상기 절연막(3) 위에 다결정실리콘을 도포하여 배선박막(5)을 형성하며, 이어서 상기 배선박막(5) 위에 포토레지스트를 도포, 노광 및 현상하여 사진식각마스크(7)를 형성한 후, (b)도에서 상기 사진식각마스크(7)를 적용하여 상기 절연막(3)과 배선박막(5)을 선택적으로 식각한 다음 (c)도에서 상기 사진식각마스크를 제거한다.
그러나 상기와 같은 종래의 방법은 상기와 같이 배선박막을 식각에 의해 형성함으로써 배선박막 하부의 절연막이 과도식각되며, 이에따라 평탄화가 이루어지지 않아 별도의 평탄화공정 수행으로 공정시간이 길어질 뿐만 아니라 공정상의 선택성을 저하시키게 되는 문제점이 있다.
따라서 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 반도체 기판과 절연되는 실리콘층을 형성한 후 상기 실리콘층을 배선부분과 절연부분으로 나누어 상기 절연부분에만 실리콘층과 반응하여 절연막을 형성할 수 있는 이온을 주입함으로써 추가적인 평탄화공정 없이 배선을 완성할 수 있는 반도체소자의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체소자의 제조방법은 반도체기판 위에 절연물질을 도포하여 층간절연막을 형성하는 공정과, 상기 층간절연막 위에 다결정실리콘을 도포하여 실리콘층을 형성하는 공정과, 상기 실리콘층 위에 실리콘층의 배선으로 사용하지 않을 부분은 노출되고 나머지 배선으로 사용할 부분은 보호되도록 이온주입 마스크를 형성하는 공정과, 상기 이온주입 마스크를 적용하여 상기 실리콘층에 이온을 주입하는 공정을 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
이하 첨부도면을 참조하여 본 발명을 좀 더 상세하게 설명하고자 한다.
본 발명의 반도체소자의 제조방법은, 제2도에 도시한 바와 같이 먼저 (a)도에서는 반도체기판(11) 위에 절연물질을 소정의 두께로 도포하여 층간절연막(13)을 형성하고, 상기 층간절연막(13) 위에 불순물이 도핑되거나 또는 도핑되지 않는 다결정실리콘을 소정의 두께로 도포하여 실리콘층(15)을 형성한 후 상기 실리콘층(15) 위에 포토레지스트를 도포, 노광 및 현상하여 실리콘층(15) 중 배선으로 사용하지 않을 부분은 노출되고 나머지 배선으로 사용할 부분은 보호되도록 이온주입 마스크(17)를 형성한다.
이어서 (b)도 및 (c)도에서는 상기 이온주입 마스크(17)를 적용하여 상기 실리콘층(15)에 상기 실리콘층과 반응하여 절연막을 형성할 수 있는 원소 또는 분자를 주입함으로써 배선간절연막(15')을 형성한 후 상기 이온주입 마스크를 제거한다.
이상에서와 같이 본 발명에 의하면 실리콘층을 배선부분과 절연부분으로 나누어 상기 절연부분에만 실리콘층과 반응하여 절연막을 형성할 수 있는 이온을 주입하고, 이에따라서 상기 실리콘층과 이온과의 반응에 의해 배선간 절연막을 형성함으로써 종래와 같은 식각에 의한 요철이 발생하지 않기 때문에 추가적인 평탄화공정이 필요없으며, 공정시간을 단축할 수 있는 효과가 있다.
Claims (2)
- 반도체기판 위에 절연물질을 도포하여 층간절연막을 형성하는 공정과, 상기 층간절역막 위에 다결정실리콘을 도포하여 실리콘층을 형성하는 공정과, 상기 실리콘층 위에 실리콘층의 배선으로 사용하지 않을 부분은 노출되고 나머지 배선으로 사용할 부분은 보호되도록 이온주입 마스크를 형성하는 공정과, 상기 이온주입 마스크를 적용하여 상기 실리콘층에 이온을 주입하는 공정을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실리콘층을 주입되는 이온은 상기 실리콘층과 반응하여 절연막을 형성할 수 있는 원소 또는 분자임을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940027966A KR0141943B1 (ko) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | 반도체소자의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940027966A KR0141943B1 (ko) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | 반도체소자의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR0141943B1 true KR0141943B1 (ko) | 1998-07-15 |
Family
ID=19396380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940027966A KR0141943B1 (ko) | 1994-10-28 | 1994-10-28 | 반도체소자의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0141943B1 (ko) |
-
1994
- 1994-10-28 KR KR1019940027966A patent/KR0141943B1/ko not_active IP Right Cessation
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