KR0138083B1 - 고분자분산형 액정표시소자와 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 고시분할구동에 의해 밝고 고정밀한 표시를 고휘도로 얻을 수 있는 TFT 구동식 고분자분산형 액정표시소자를 제공하기 위한 것으로, 한쌍의 투명기판이 대향배치되어 시일재에 의해 접합되고, 이 내부에 고분자분산액정층(11)과 기판간격규제수단이 설치되어있다. 한쪽의 투명기판의 대향면에는 TFT가 각각 배치된 복수의 화소전극(4)이 매트릭스형으로 형성되고, 그 화소전극(4)에 대응하는 화소영역을 제외한 나머지 영역에는 기판간의 간격을 규제하는 스페이서가 수지막(7)을 개재하여 고착되어 있다. 다른쪽의 투명기판의 대향면의 나머지영역에는 블랙마스크가 설치되고, 그 위에 복수의 화소전극(4)과 대향하는 평판상의 대향전극이 설치되어 있다.

상술한 바와 같은 고분자분산형 액정표시소자를 광경화성 고분자재료(P)와 액정재료를 상온상압하에서 용해도이상의 배합비율로 혼합한 용액을 셀(C)내에 진공상태하에서 주입하고, 혼합용액을 액정의 용해 한계온도이상으로 승온한 후, 광경화성 고분자재료(P)를 광경화시키므로서 얻는 것을 특징으로 하는 고분자분산형 액정표시소자의 제조방법에 관한 것이다.

Description

고분자분산형 액정표시소자와 그 제조방법

제 1 도는 본 발명의 고분자 분산형 액정표시소자의 일실시예의 요부를 도시하는 단면도.

제 2 도는 본 발명의 고분자분산형 액정표시소자의 일실시예의 전체를 도시하는 단면도.

제 3 도는 본 발명의 고분자분산형 액정표시소자의 일실시예의 요부를 도시하는 평면도.

제 4 도는 본 발명의 고분자분산형 액정표시소자의 일실시예에 있어서 스페이서의 설치방법을 도시하는 블록도.

제 5A,5B,5C,5D 도는 각각 본 발명의 고분자분산형 액정표시소자의 일실시예에 있어서 스페이서의 설치공정을 도시하는 각 설명도.

제 6A,6B,6C,6D 도는 각각 본 발명의 고분자분산형 액정표시소자의 제조방법의 일실시예를 도시하는 각 공정설명도.

제 7 도는 본 발명의 고분자분산형 액정표시소자에 있어서 고분자 분산액정층을 도시하는 모식적 단면도.

제 8A,8B 도는 각각 본 발명의 고분자분산형 액정표시소자의 제조 방법의 다른 실시예를 도시하는 각 공정설명도.

제 9 도는 본 발명에 있어서 또다른 고분자분산형 액정표시소자의 일시시예의 전체를 도시하는 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

1,2,17,18 . . . 기판 4,20 . . . 화소전극

5,21 . . . 박막 트랜지스터(TFT)

7 . . . 수지막 11,23 . . . 고분자분산액정층

C . . . 셀 P . . . 광경화성 고분자재료

본 발명은 고분자분산형 액정표시소자와 그 제조방법에 관한 것이다.

고분자분산액정은 투명한 고분자재료중에 네마틱액정을 분산시킨 것이며, 이 고분자분산액정을 사용하는 액정표시소자는 투명전극을 형성한 한 쌍의 투명기판간에 고분자분산액정층을 설치한 구성으로 되어있다.

이 고분자분산액정층을 구비한 투과형 액정표시소자는 양 기판의 전극간에 전계를 인가하여 표시구동되는 것으로, 고분자분산액정층 중의 액정분자는 전계가 인가되어있지 않은 상태에서는 여러 방향을 향하고 있다. 이 상태에서는 고분자분산액정층을 투과하는 빛이 액정에 의한 광산란작용 및 액정과 광경화성고분자재료와의 계면에서의 광상란작용에 의해 산란되기 때문에 무전계부분의 표시는 흑색에 가까운 암(暗)표시상태가 된다.

또, 상기 전극간에 액정의 임계전압이상의 전계를 인가하면 액정의 분자가 기판면에 대하여 수직이 되도록 일정하게 배열되고, 투과광이 광산란작용을 거의 받지 않고 고분자분산액정층을 투과하기 때문에 전계인가부분의 표시는 명(明)표시상태가 된다.

상기 고분자분산형 액정표시소자는 투과광량과 산란광량을 제어하여 표시를 실현하는 것이므로 편광판이 불필요하게 된다. 그 때문에 이 고분자분산형 액정표시소자는 일반적으로 이용되고 있는 TN 형의 액정표시소자에 비해 밝은 표시가 얻어진다는 장점을 가지고 있다.

그리고, 근년, 상술한 바와 같은 장점을 갖는 고분자분산형 액정 표시소자를 박막트랜지스터(이하, TFT)에 의해 구동되는 액티브 매트릭스방식의 액정표시소자에 적용하는 것이 제안되고 있다. 이 TFT 구동식 고분자분산형 액정표시소자는 고시분할구동이 가능하고 밝고 고정밀한 도트표시화상이 얻어지지만, 높은 휘도를 얻기가 어렵다는 문제가 있다. 이것은 전계가 인가되지 않는 인접하는 화소사이에서는 항상 빛이 고분자분산액정에 의해 산란되고있고, 그 산란광이 외부로 누출되기 때문이다.

또, 상기 액정표시소자는 한쌍의 기판을 틀형상의 시일재를 개재하여 접합하여 소자를 조립한 후, 이 소자내에 광경화성 고분자의 단위체와 액정을 혼합한용액을 충전하고, 이후, 빛을 조사하여 상기 고분자의 단위체를 중합체화하여 고분자분산액정충을 형성하는 방법으로 제조되어있다. 이렇게 하여 조립된 소자의 기판간겨이 불균일하면 그 사이에 형성되는 고분자분산액정층의 층두께도 불균일하게되어 표시에 얼룩이 생긴다.

이 때문에 종래는 한쌍의 기판간에 구형의 유리입자나 짧게 절단한 유리섬유등으로 구성되는 투명한 기판간격규제용 스페이서를 점재(点在)상태로 개재시켜서 이 스페이서에 의해 기판간격을 규제하고, 고분자분산액정층의 층두께를 그 전역에 걸쳐서 거의 균일하게 하고 있다.

그러나, 종래의 액정표시소자는 기판간격규제용 스페이서가 위치하고 있는 부분을 통과하는 빛이 거의 산란되지않고, 스페이서를 투과하여 출사하기 때문에 고분자분산액정층에서의 산란광에 의해 표시되는 암표시영역중에 스페이서의 형상에 대응한 휘점이 점재하여 보이고, 그 때문에 표시품위가 나빠진다는 문제를 갖고 있다.

특히, TFT 구동식 고분자분산형 액정표시소자의 경우, 영상표시등의 작은 화소(畵素)에 의한 고정밀표시에 이용되는 경우가 많지만 작은 화소에서의 상기 휘점의 발생은 보다 중대한 문제가 된다.

또, 이 고분자분산형 액정표시장치는 화면이 밝은 반면, 액정이 수지중에 분산되어있기 때문에 높은 구동전압을 필요로 하고, 이것이 표시장치로서의 실용화의 방해가 되고 있다.

이 때문에 종래부터 고분자분산액정층중의 액정의 비율을 많게 하는 것이 고안되고 있고, 고분자분산액정층내에 액정의 비율이 많으면 그만큼 수지성분에 의한 전압강하가 적어지므로 구동전압을 내릴 수 있다.

그러나, 종래의 제조방법에서는 셀내에 주입하는 혼합용액의 액정 비율을 높게 하면 균일하게 액정이 분산된 고분자분산액정층이 얻어지지 않게 되어 고분자분산형 액정표시장치에 표시얼룩이 발생한다는 문제가 있었다.

이것은, 상기 혼합용액을 액정을 포화하여 용해한 상태로 조합하고 있어도, 이 혼합용액을 진공주입법으로 셀내에 주입할 때 진공상태에 있는 셀내에 주입된 용액의 압력이 내려가서 그 액정용해도가 낮아지기 때문이며, 용액의 액정용해도가 낮아지면 이 용해도를 넘는 액정이 분해하여 용액중에 액정만이 집합한 액정고임이 생겨버린다.

그리고, 고분자분산액정층은 셀내에 상기용액을 주입한 후, 이 용액의 광경화성수지를 광중합시켜서 형성되기 때문에 용액중에 액정고임이 존재하고 있으면, 고분자액정층의 액정의 분산상태가 불균일하게 되고, 그 광학특성(투과 및 산란특성)이 불균일하게 표시 얼룩이 발생한다.

또, 상술한 광중합시에 고분자끼리의 원활한 중합반응이 액정분자에 의해 방해되면 균일한 고분자분산액정층의 구조가 얻어지지않고, 광학특성이 불균일하게 되어 표시얼룩이 발생한다.

본 발명은 상술한 실정을 감안하여 이루어진 것의로서 고시분할구동에 의해 밝고 고정밀한 표시를 고휘도로 얻는 것이 가능한 TFT 구동식 고분자분산형 액정표시소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상술한 목적을 달성하기 위해 본 발명의 한쪽의 고분자분산형 액정표시소자는 적어도 그 한쪽이 투명하며, 소정의 간격을 두고 대향 배치된 한쌍의 기판과 한쌍의 기판내에 한쪽의 기판상에 매트릭스형으로 배치된 복수의 화소전극과, 다른 쪽의 기판상에 배치되고, 복수의 화소전극과 대향시킨 대향전극과, 상기 화소전극에 각각 1개씩 설치된 복수의 박막트랜지스터와, 한쌍의 기판간에 존재하고, 고분자재료중에 액정을 분산상태로 혼재시킨 고분자분산액정층과, 고분자액정층이 존재하는 영역에서 상기 복수의 화소전극에 대응하는 화소영역을 제외한 영역에 설치된 광차단수단과, 고분자분산액정층중에 설치되고, 상기 한쌍의 기판간의 간격을 규제하는 기판각격규제수단을 구비하고 있다.

상술한 바와 같이 고분자분산형 액정표시소자를 구성하므로서 화소영역이외의 영역에 입사하고 고분자분산액정에 의해 분산된 빛이 외부로 노출하는 것을 광차단수단에 의해 확실히 저지할 수 있다. 따라서, TFT 구동식 고분자분산형 액정표시소자에 의한 표시화상의 휘도가 향상되고 고시분할구동에 의해 밝게 고휘도이고 고정밀한 표시 화상을 얻을 수 있다.

상기 고분자분산형 액정표시소자는 그 기판간격규제수단을 한쪽의 기판상의 화소영역을 제외한 영역에 설치하는 것이 좋고, 그 경우에, 기판간격규제수단으로서 유리입자를 사용하는 것이 좋고, 또, 기판간격규제수단을 겸한 광차단수단으로서 적어도 표면이 흑색인 유리입자를 사용해도 좋다. 또, 기판간격규제수단을 간격규제부재와 이것을 기판에 고정하는 고정부재로 구성하고, 그 경우의 고정부재로서 감광성 폴리이미드나 포토레지스트 등의 광경화성 고분자재료로 구성되는 수지막을 기판과의 사이에 개재시켜도 좋다.

또, 상기 고분자분산형 액정표시소자는 기판간격규제수단으로서 광산란성을 갖는 부재를 사용해도 좋다. 그 경우의 광산란성을 갖는 부재로서는 표면을 거칠게 한 유리입자가 적합하다.

상술한 바와 같은 고분자분산형 액정표시소자에 의하면 기판간격규제수단을 투과한 빛이 외부로 누출되어 암표시영역중의 휘점이 되는 것이 확실히 방지되고, 표시의 휘도가 다시 향상된다.

본 발명의 다른 고분자분산형 액정표시소자는 적어도 그 한쪽이 투명하며, 소정의 간격을 두고 대향배치된 한쌍의 기판과, 한쌍의 기판 내의 한쪽 기판상에 매트릭스형으로 배치된 복수의 화소전극과, 다른 쪽의 기판상에 배치되고 복수의 화소전극과 대향시킨 대향전극과, 화소전극에 각각 1개씩 부설된 복수의 박막트랜지스터와, 한쌍의 기판간에 존재하고 광경화성고분자재료중에 액정을 분산상태로 혼재시킨 고분자분산액정층과, 고분자분산액정층중에 점재시킨 광산란성을 갖는 한 쌍의 기판간의 간격을 규제하는 기판간격규제부재를 구비하고 있다.

상술한 바와 같이 고분자분산형 액정표시소자를 구성하므로서 기판 간격규제부재가 높은 광산란성을 갖고 있기 때문에 기판간격규제부재가 위치하고 있는 부분을 통과하는 빛도 고분자분산액정층의 TFT 구동에 의한 무전계부분에서의 광산란과 마찬가지로 산란되고, 암표시영역이 그 전역에 걸쳐서 거의 균일한 어둡기로 되기 때문에 암표시영역중에 휘점이 보이는 일은 없다.

상기 고분자분산형 액정표시소자에 있어서 광산란성을 갖는 기판간격규제부재로서는 표면을 거칠게 한 입자가 적합하다.

본 발명의 다른 목적은 액정의 배합비율을 많게 해도 액정이 균일하게 분산된 고분자분산액정층을 형성할 수 있는 고분자분산형 액정 표시소자의 제조방법을 제공하는 것이다.

상술한 목적을 달성하기 위해 본 발명의 고분자분산형 액정표시소자의 제조방법은 광경화성 고분자재료와 액정재료의 두 가지 재료를 포함하는 혼합용액의 온도가 주위 압력하에서 그 두가지 재료가 상호 용해하는 하한의 온도인 용애한계온도이상에서, 두가지 재료가 서로 용해한 혼합용액이 한쌍의 대향기판간에 충정된 셀을 형성하는 셀형성스텝과, 혼합용액에 빛을 조사하고, 상기 광경화성 고분자재료를 경화시키는 경화스탭을 구비하고 있다.

상술한 바와 같은 고분자분산형 액정표시소자의 제조방법에 의하면 다량의 액정재료가 광경화성 고분자재료중에 용해된 상태에서 광경화성 고분자재료가 경화하고, 광경화된 고분자재료층중에 다량의 액정이 균일하게 분산된 상태로 유지된 고분자분산형 액정표시소자가 항상 형성된다. 이에 의해 저전압구동이 가능한 고분분산형 액정 표시소자를 확실히 얻을 수 있다.

상기 고분자분산형 액정표시소자의 제조방법은 셀형성스텝이 한쌍의 기판간에 상기 두가지 재료의 배합비율이 상온상압(常溫常壓)하에서 용해온도 이상인 혼합용액을 진공상태하에서 충전하는 충전스텝과 그 혼합용액의 온도를 상술한 용해한계온도이상으로 상승시키는 승온스텝으로 구성하는 것이 바람직하고, 그 경우 충전스텝 후에 승온스텝을 실시해도 좋고, 충전스텝의 전후에 각각 승온스텝을 실시해도 좋다. 또, 경화스텝은 혼합용액의 온도를 상기 용해한계온도이상의 범위로 강하시키는 강온스텝과, 강온시킨 혼합용액에 빛을 조사하여 광경화성 고분자재료를 중합시키는 광중합스텝으로 구성하는 것이 바람직하다. 충전스텝의 전후에 승온스텝을 실시할 경우, 전단의 승온스텝에서 혼합용액의 농도를 용해한계온도까지 높이고, 후단의 승온스텝에서 혼합용액의 온도를 액정의 N-I점 이상으로 올리는 것이 좋고, 이 경우에 경화스텝에서 혼합용액의 온도를 N-I점 이하에서 용해 한계온도 이상의 범위로 경화시킨 후에 광중합스텝을 실시하는 것이 바람직하다.

또, 상기 고분자분산형 액정표시소자의 제조방법은 셀형성스텝에서 충전스텝 후에 혼합용액을 액정의 N-I점 이상으로 승온시켜도 좋고, 충전스텝 전에 혼합용액을 N-I점 이상으로 승온시키고, 충전스텝 후에 다시 혼합용액의 농도를 승온시켜도 좋다. 그리고, 이들 양방의 경우에 있어서, N-I점 이상으로 승온시킨 혼합용액을 N-I점 이상의 범위에서 강하시킨 후에 광중합시켜도 좋고, N-I점 이하에서 용해 한계온도이상의 범위로 강하시킨 후에 광중합시켜도 좋다.

또, 상기 고분자분산형 액정표시소자의 제조방법은 경화스텝에서 혼합용액을 분산혼합시키면서 빛을 조사하여 광경화성 고분자재료를 중합시키는 것이 좋고, 그 경우, 혼합용액을 초음파진동으로 분산혼합시키는 것이 바람직하다.

이하, 본 발명의 실시예에 대하여 제 1 도∼제 9 도를 참조하여 상세히 설명한다.

본 발명의 일실시예로서 TFT구동에 의한 고분자분산형 액정표시소자는 제 1 도 내지 제 3 도에 도시하는 바와 같이 구성되어 있다. 제 2 도에 있어서, 유리등으로 구성되는 한쌍의 대향배치된 투명기판(1,2)이 그 가장자리부에서 틀형상의 시일재(3)를 개재하여 접합되어 있다. 한쪽기판(1)의 대향측표면에는 제 3 도에 도시하는 바와 같이 복수의 화소전극(4)이 매트릭스형으로 배치되고, 각 화소전극(4)에는 TFT(5)가 한개씩 설치되어있다. 또, 제 2 도에서는 TFT의 도시를 생략하고 있다.

그리고, 제 1 도에 도시되는 바와 같이 틀형상 시일재(3)의 내측의 영역에 있어서, 화소전극(4)에 대응하는 화소영역(A), 즉 화소전극(4)의 소자의 두께방향에 따라 상방의 영역(A)을 제외하는 나머지 영역 (B)에는 양 기판(1,2)의 간격이 소정의 크기가 되도록 규제하는 기판간격규제수단이 배치되어 있다.

본 예의 기판간격규제수단은 간격규제부재로서의 복수의 스페이서(6)와 이것을 기판(1) 표면에 고정하는 고정부재로서의 수지막(7)으로 구성되고, 복수의 스페이서(6)가 수지막(7)을 개재하여 투명기판(1)의 나머지영역(B)에 거의 균등하게 고정배치되고, 이들 스페이서(6)에 의해 기판(1,2)간의 간격이 거의 균일하게 유지된다. 스페이서(6)의 재료로서는 구형의 유리입자를 짧게 절단한 유리섬유등이 수지막(7)의 재료로서는 감광성 포리이미드 등의 광경화성 고분자재료가 각각 적합하다.

다른쪽의 기판(2)의 대향측표면에서 화소전극과 대향하는 화소영역(A)을 피한 나머지영역(B)에는 광차단수단으로서의 블랙마스크(B)가 격자상으로 설치되어있다. 이 블랙마스크(8)를 덮어서 기판(2)의 대향측표면의 거의 전역에 절연막(9)이 부설되고, 이 절연막(9)의 거의 전역을 덮어서 평판형의 대향전극(10)이 설치되어 있다.

기판(1,2)과 시일재(3)로 둘러싸이는 영역에는 고분자분산액정층(11)이 설치되어있다. 고분자분산액정층(11)은 광경화성, 고분자재료중에 액정재료를 균일하게 분산혼합한 상태에서 광경화성 고분자재료를 광경화 시킨 것으로 투명한 고분자층중에 액정이 균일하게 분산된 분포상태로 유지되어있다.

상술한 바와 같이 구성된 고분자분산형 액정표시소자는 화소전극(4)에 스위칭소자로서의 TFT(5)를 통하여 표시데이터에 대응한 신호전압이 인가되고, 화소전극(4)과 대향전극(10)간에 표시데이터에 대응하여 전계가 인가되고, 화소전극(4)과 대향전극(10)간에 표시데이타에 대응하여 전계가 인가된다. 고분자분산액정층(11)중의 액정분자는 전계가 인가되어있지 않은 상태에서는 여러방향을 향하고 있고, 이 무전계상태에서는 고분자분산액정층(11)에 입사하는 빛이 액정에 의한 광산란작용 및 액정과 고분자층과의 계면에서의 광산란작용에 의해 산란되므로 광투과율이 낮아지고, 투과형 액정표시소자의 경우는 암표시 상태가 된다.

또, 화소전극(4)과 대향전극(10)간에 액정의 역치전압이상의 전계를 인가하면 액정의 분자가 기판(1,2)면에 대하여 수직이 되도록 일정하게 배열되고, 투과광이 광산란작용을 거의 받지 않고 고분자분산액정층(11)을 투과하기 때문에 전계인가부분의 광투과율이 높아지고 투과형 액정표시소자의 경우는 명상태가 된다.

그리고, 스페이서(6)가 나머지영역(B)에만 배치되고, 화소영역(A)내에는 스페이서가 개재되지않고, 이 때문에 무전계부분의 화소 영역(A)에 빛이 입사된 경우에는 그 빛의 모두가 고분자분산액정층(11)에 의해 산란하여 그 출사가 억제된다. 따라서, 종래와 같이 암표시영역내에 스페이서(6)의 형상에 대응한 휘점이 생기지 않고, 암표시영역내의 전역이 균일한 어둡기가 되고, 표시품위가 확실히 향상된다. 나머지영역(B)에 입사하는 빛 내의 스페이서(6)에 입사되는 빛은 산란되지 않고 스페이서(6)를 투과하지만, 블랙마스크(8)에 의해 차단되어 출사가 방지되므로 문제는 없다. 기타 나머지영역(B)에 입사된 빛은 고분자분산액층에 의해 산란되지만 이 산란광의 출사도 블랙마스크(8)에 의해 저지된다. 이처럼 나머지 영역(B)에 입사된 빛은 블랙마스크(8)에 의해 모두 확실히 출사가 방지되므로 표시휘도가 향상되고, TFT 구동식 고분자분산형 액정표시소자으 표시품위가 다시 향상된다.

또 스페이서(6)를 비투광성의 예를 들면 흑색의 재료로 형성하거나 표면에 흑색의 막을 피착한 스페이서를 사용하는 것도 가능하며, 이 경우에는 스페이서(6)가 블랙마스크로서의 효과도 발휘하고, 블랙마스크(8)를 별개로 설치하지 않아도 좋다.

다음에 상술한 고분자분산형 액정표시소자의 제조방법중의 기판(1)의 제작방법에 대하여 제 4 도와 제 5A 도∼제 5D 도에 의거하여 설명한다. 또, 제 5A 도∼제 5D 도에서는 화소전극(4)를 생략하고 있다.

우선, 화소전극이 형성된 투명기판을 세정한다. 또, 다수의 스페이서를 예를 들면 감광성 폴리이미드 전구체의 수지액중에 투입하여 혼합한다.

이후, 제 5A 도에 도시하는 바와 같이 투명기판(1)의 화소전극을 형성한 표면전체에 스페이서(6)가 혼입된 감광성 폴리이미드 전구체의 수지액을 도표하고, 이 수지액을 건조시키므로서 투명기판(1)의 위에 다수의 스페이서(6)를 수지막(7)을 개재하여 밀착시킨다.

다음에, 제 5B 도에 도시하는 바오 같이 투명기판(1)의 상방에 포토마스크(M)를 배치하고, 이 포토마스크(M)에 의해 화소영역(A)을 덮고, 나머지영역(B)에 빛(자외선)을 조사하여 노광한다. 이 노광에 의해 수지막(7)으로서의 감광성 폴리이미드 전구체가 광가교한다.

이후, 제 5C 도에 도시하는 바와 같이 현상처리에 의해 노광부분의 수지막(7)과 스페이서(6)를 남기고 비노광부분의 수지막(7)을 이 부분의 스페이서(6)와 함께 제거한다. 그리고, 제 5D 도에 도시하는 바와 같이 그 현상한 수지막(7)을 소성하므로서 감광성 폴리이미드 전구체를 이미드화하여 경화시킨다. 이에 의해 스페이서(6)가 수지막(7)에 의해 투명기판(1)에 고정된다. 이렇게 하여 투명기판(1)의 특정부분 즉, 화소영역(A)을 피한 나머지영역(B)에 스페이서(6)가 고정된다. 또, 수지막(7)의 재료로서는 포토레지스트 등을 이용하는 것도 가능하다.

다음에 상술한 바와 같이 하여 제작된 투명기판(1)을 이용하여 고분자분산형 액정표시소자를 제조하는 공정에 대하여 제 6A 도∼제 6D 도에서는 화소전극(4)과 대향전극(10)이 생략되어있다.

우선, 제 6 도에 도시하는 바와 같이 한쌍의 투명기판(1,2)을 시일재(3)를 개재하여 접합하고, 셀(C)을 조립한다. 또, 이 셀(C)의 일측부에는 상기 시일재(3)의 일부를 결락시켜서 형성한 주입구(3a)를 설치해둔다.

다음에 제 6B 도에 도시하는 바와 같이 상기 셀(C) 내에 진공주입법에 의해 액정과 광경화성 고분자재료의 혼합용액(S)을 주입한다. 이 혼합용액(S)은 광경화성 고분자재료에 대하여 액정재료를 상온상압하에서의 용해도 이상의 비율로 배합하고, 이들 양 재료가 그 주위 압력하에서 용해하는 하한의 온도인 용해한계온도이상으로 가열하여 양 재료를 서로 용해시킨 혼합용액이다. 또, 이 혼합용액(S)에는 광경화성 고분자재료의 라디칼화를 촉진하기 위한 라디칼개시제를 첨가해둔다.

혼합용액(S)의 주입은 종래의 진공주입법과 마찬가지로 도시하지 않는 진공조내에 셀(C)을 세트하여 조내(槽內)를 진공상태로 감압한후, 셀(C)의 주입구(3a)를 용액기(12)내의 혼합용액(S)에 침지(沈漬)하고, 이후, 조내를 대기압(상압) 또는 그것보다 약간 높은 기압으로 승압시키므로서 실시한다.

이 경우, 용액기(12)내의 혼합용액(S)은 충분히 용해시킨 용액이지만 이 혼합용액(S)을 진공주입법으로 셀(C)내에 주입하면 진공상태에 있는 셀(C)내에 주입된 혼합용액(S)의 압력이 내려가서 그 액정용해도가 낮아지기 때문에 이 저하된 용해도를 넘는 만큼의 용액이 석출되고, 혼합용액(S) 중에 과잉액정이 액정고임(a)이 되어 산재하는 상태가 된다.

다음에 혼합용액(S)을 주입한 셀(C)을 상기 진공조에 꺼낸 후, 이 셀(C)을 가열하여 그 내부의 혼합용액(S)을 석출한 액정이 용해할 때까지 승온시킨다. 제 6C 도는 이 상태를 나타내고 있고, 혼합용액(S)을 승온시키면 그 액정용해도가 온도의 상승에 의한 용해도저하에 따라 석출한 액정이 다시 용해하기 때문에 셀(C)내의 혼합용액(S)은 액정이 광경화성 고분자재료에 균일하게 용해된 용액이 된다.

그리고, 이때의 혼합용액(S)의 온도는 상기 석출한 액정이 다시 혼합용액(S)중에 용해하는 온도 이상이라면 좋지만 이 재용해온도보다도 액정의 N-I점 온도가 높은 경우는 이 N-I점 온도이상으로 승온시키는 것이 바람직하다.

이것은 N상(相)(네마틱상)에서는 분자길이축을 일정방향으로 향하게 하는 힘이 액정분자상호에 생겨있는 데에 대하여 I상(아이소트로픽상)에서는 개개의 액정분자상호에 질서를 유지하는 힘이 서로 작용하지 않기 때문이며, 따라서, 상기 N-I점 온도이상으로 승온시키면 석출한 액정이 보다 균일하게 재용해된다.

이렇게하여 석출액정을 용해시킨 후는 액정이 다시 석출되지 않도록 혼합용액(S)의 온도를 용해한계온도이상으로 유지해 두고, 그 상태에서 제 6D 도에 도시하는 바와 같이 광원(13)에서 셀(C)에 자외선을 조사하므로서 셀(C)내의 혼합용액(S)의 광경화성 고분자재료를 광중합시키고, 제 7 도에 도시한 바와 같은 고분자분산액정층(11)을 형성한다.

이 광중합은 혼합용액(S)의 온도를 액정(L)이 충분히 용해할 수 있는 범위에서 가능한 한 낮게 하여 실시한다. 이것은 광경화성 고분자재료(P)를 광중합시키는 데에 필요한 자외선량이 혼합용액(S)의 온도가 높을수록 많아지기 때문이며, 자외선을 지나치게 많이 조사하면 액정의 약화가 빨라지므로 광경화성 고분자재료(P)의 광중합은 가능한한 온도를 내려서 적은 자외선량으로 실시하는 것이 바람직하다.

또, 액정이 I상에 있는 상태인채 광경화성 고분자재료(P)를 광중합시켜서 고분자분산액정층(11)을 형성하면 일부의 액정이 광경화성 고분자재료(P)중에 용해된채로 광중합하고, 상(相)분리하여 네마틱액정으로서 동작하는 액정의 비율이 저하하고, 그 결과, 액정표시소자의 구동전압이 높아져버리기 때문에 상기 광경화성 고분자재료(P)의 광중합은 혼합용액(S)의 온도를 액정이 N상으로 복귀하는 온도까지 강하시키고나서 실시하는 것이 바람직하다.

단, 액정의 N-I점 온도가 혼합용액(S)의 액정용해한계온도보다 낮은 경우는 셀온도를 상기 N-I점 온도이하로 강하시키면 혼합용액(S)중의 액정이 다시 석출되어버리므로 이 경우는 혼합용액(S)의 온도를 액정과 광경화성 고분자재료가 서로 용해하는 범위로 하여 액정이 I상에 있는 상태인채 광중합을 실시한다.

이렇게하여 고분자분산액정층(11)을 형성한 후는 상기 셀(C)의 주입구(3a)를 광경화성수지등으로 봉입하고, 제 2 도에 도시한 고분자 분산형 액정표시소자를 완성한다.

즉, 상기 고분자분산형 액정표시소자의 제조방법은 셀(C)내에 액정을 광경화성수지중에 충분히 용해시킨 혼합용액(S)을 진공주입법으로 주입한 후, 이 셀(C)내의 상기 혼합용액(S)을 승온시켜서 그 액정 용해도를 높게 하고, 주입시에 석출한 액정을 용해시킨 상태에서 상기 광경화성 고분자재료를 광중합시키는 것이다.

이처럼 혼합용액(S)을 승온시켜서 액정용해도를 높게 하면 셀(C)내로의 혼합용액(S)의 주입시에 압력감소에 의한 용해도저하에 의해 석출된 액정이 다시 용해되기 때문에 그 용해상태에서 광경화성 고분자재료를 광중합시키면 제 7 도에 도시하는 바와 같이 중합수지(P)중에 액정(L)이 균일하게 분산된 고분자분산액정층(11)이 얻어진다. 따라서, 이 제조방법에 의하면 액정(L)의 비율을 해도 균일하게 액정이 분산된 고분자분산액정층(11)을 형성할 수 있다.

따라서, 상기 제조방법에 의하면 구동전압이 낮아지고 또 광학특성이 균일하고 표시얼룩이 없는 양호한 표시품질을 갖는 고분자분산형 액정표시장치를 얻을 수 있다.

다음의 [표 1]은 상기 제조방법에 의해 제조한 고분자분산형 액정표시소자와, 상기 제조방법에 있어서 승온처리를 실시하지 않고 제조한 고분자분산형 액정표시소자의 고분자분산액정층의 중합상태를 비교하여 나타낸 것이다.

이 [표 1]에서 비교예는 상기 승온처리를 실시하지 않는 예이며, 실시예 1∼3은 모두 승온처리를 실시한 예이다. 또, 어떤 예에서도 액정과 광경화성 고분자재료의 혼합용액은 같은 액정과 광경화성 고분자재료를 이용하여 조제했다.

이 [표 1]과 같이 상기 승온처리를 실시하지 않는 비교예에서는 혼합용액의 액정비율이 상온상압하에서의 액정용해도(여기에서는 70wt%)와 같아도 고분자분산액정층의 액정분산상태가 불균일하게 되어 버리고, 그 때문에 액정표시소자의 광학특성(투과 및 산란특성)이 불균일하게 되어 표시얼룩이 발생했다.

이에 대하여 실시예 1 에서는 상기 혼합용액의 액정비율을 상온상압하에서의 액정용해도와 같이 하고 있지만 액정분산상태는 균일하며, 따라서, 액정표시소자의 광학특성은 균일하고, 표시얼룩이 없는 양호한 표시가 얻어졌다.

또, 실시예 2 에서는 상기 혼합용액의 액정비율을 상온상압하에서의 액정용해도보다 높게(여기에서는 80wt%)하고 있고, 실시예 3에서는 상기 혼합용액의 액정비율을 더욱 높게(여기에서는 90wt%)하고 있지만 이들 실시예 2,3 에서도 액정분산상태는 균일하며 따라서 액정표시소자의 광학특성은 균일하고 표시얼룩이 없는 양호한 표시가 얻어졌다.

더구나, 이 실시예 2,3 에서는 상기 혼합용액의 액정비율을 상온상압하에서의 액정용해도보다 높게 하고 있기 때문에 형성된 고분자 분산액정층의 액정의 비율이 많고, 따라서 액정표시소자의 구동전압도 보다 낮게 할 수 있었다.

또, 상기 제조방법에 있어서, 주입전의 혼합용액(S)의 승온을 생략하고, 혼합용액(S)을 셀(C)내에 진공하에서 주입한 후에 광경화성 액정재료와 액정재료가 서로 용해할때까지 혼합용액을 승온시켜도 좋다.

여기에서, 상기 고분자분산형 액정표시소자의 제조방법의 다른 실시예에 대하여 제 8A 도 및 제 8B 도에 의거하여 설명한다. 또, 제 8A 도와 제 8B 도에서는 화소전극과 대향전극을 생략하고 있다.

본 예의 제조방법은 셀을 조립하는 단계부터 액정과 광경화성 고분자재료의 혼합용액을 셀내에 주입하고 승온시키는 단계까지는 상술한 제조방법과 같다. 셀내에 주입되는 혼합용액을 액정의 용해한계 온도이상 승온시켜서 광경화성 고분자재료와 액정을 상호용해시키면 제 8A 도에 도시하는 바와 같이 주입구(3a)를 열중합성수지로 구성되는 봉입재(3b)로 봉입하고, 이후, 셀(C)내에 봉입한 혼합용액(S)을 계속 분산혼합시키고 광경화성 고분자재료를 광중합시킨다.

이 광중합은 제 8B 도에 도시하는 바와 같이 초음파진동자(14)가 설치된 진동조(15)내의 진동매체(16)중에 셀(C)을 침지하고, 초음파진동자(14)를 진동시키므로서 진돔매체(16)내를 전파하는 초음파에 의해 셀(C)을 초음파진동시키면서 진동조(15)의 상방에서 셀(C)에 자외선(UV)을 조사하여 실행한다. 또, 진동조(15)내의 진동매체(16)으로서는 자외선에 대하여 불활성 투명액체, 예를 들면 IPA(이온·프로필·알콜)등을 사용한다.

이렇게하여 셀(C)내의 용액(S)에 자외선(UV)을 조사하면 단위체 혹은 올리고머상태에 있는 고분자의 이중결합이 풀려서 라디칼화하고, 이웃하는 고분자의 라디칼이 서로 결합하는 라디칼중합반응에 의해 고분자가 중합체화하기 때문에 제 7 도에 도시하는 바와 같이 광경화성고분자재료(P)와 액정(L)이 상(相)분리하고, 액정(L)이 광경화성고분자재료(P)중에 분산된 고분자분산액정층(11)이 형성된다.

이 경우, 고분자 상호의 라디칼중합반응이 액정에 의해 방해되지만 상기 광중합을 셀(C)을 초음파진동시키면서 실행하면 초음파진동에 의한 용액(S)의 교반효과에 의해 고분자상호의 라디칼결합이 조성되고, 반대로 액정에 의한 고분자상호의 라디칼중합반응에 대한 저해작용이 작아져서 이웃하는 고분자상호가 양호하게 라디칼결합하고, 또, 용액(S)에 첨가한 라디칼개시제에 의한 라디칼화 촉진효율도 초음파 교반효과에 의해 조장된다.

이 때문에 이웃하는 고분자 상호의 라디칼결합이 중단되거나 같은 고분자의 라디칼끼리 재결합하거나 하는 비율이 적어지므로 용액(S)의 전역에 있어서 고분자에 일정한 라디칼중합반응을 생기게 하여 균일한 구조의 고분자분산액정층(11)을 얻을 수 있다.

따라서, 상기 제조방법에 의하면 경화한 광경화성 고분자재료층중에 액정이 균일하게 분산된 상태로 유지된 구조의 고분자분산액정층(11)을 갖고, 전기광학효과가 균일하고 표시얼룩이 없는 양호한 표시품질의 고분자 분산형 액정표시소자를 얻을 수 있다.

또, 상기 실시예에서는 셀(C)내로의 혼합용액(S)의 봉입을 진공주입법에 의해 실행했지만, 이 혼합용액(S)은 한쌍의 기판(1,2)을 시일재(3)를 개재하여 접합하여 셀(C)을 조립할 때에 그 한쪽의 기판상에 혼합용액(S)을 떨어뜨리는 방법으로 셀9C)내에 봉입해도 좋다.

다음에 본 발명의 또 한쪽의 고분자분산형 액정표시소자의 일실시예를 제 9 도에 의거하여 설명한다.

유리등으로 구성되는 한쌍의 대향배치된 투명기판(17,18)이 그 가장 자리부에 있어서 틀형상의 시일재(19)를 개재하여 접합되어있다. 한쪽의 기판(17)의 대향측표면에는 복수의 화소전극(20)이 매트릭스형으로 배열되고, 각 화소전극(20)에는 TFT(21)가 하나씩 설치되어있다. 다른 쪽의 기판(18)의 대향측표면에는 거의 전역에 평판상의 대향전극(22)이 설치되어있다.

이들 투명기판(17,18)과 시일재(19)로 둘러싸이는 영역에는 고분자분산액정층(23)을 설치함과 동시에 기판간격규제부재로서의 스페이서(24)를 점재상태로 양 기판(17,18)간에 개재시키고 있다. 이 스페이서(24)로서는 높은 광산란성을 갖는 재료, 예를 들면 구형의 유리입자의 표면을 거칠게 한 것을 사용한다.

고분자분산액정층(23)은 광경화성 고분자재료중에 액정재료를 균일하게 분산혼합한 상태에서 광경화성고분자재료를 광경화시킨 것으로, 투명한 고분자층중에 액정이 균일한 분산분포상태로 유지되어 있다.

상기 액정표시소자에 있어서는 기판간격규제용 스페이서(24)가 높은 광산란성을 갖고 있기 때문에 이 스페이서(24)가 위치하고 있는 부분을 통과하는 빛도 고분자분산액정층(23)의 무전계부분에서의 광산란과 마찬가지로 산란되고, 암표시영역이 그 전역에 걸쳐서 거의 균일한 어둡기가 된다.

따라서, 상기 액정표시소자에 의하면 TFT 구동하는 경우도, 한쌍의 기판(17,18)간에 투명한 기판간격규제용 스페이서(24)를 점재상태로 개재시킨 것이면서 암표시영역중의 휘점을 없애서 표시품위를 향상시킬 수 있다.

또, 전계인가부분에서는 스페이서(24)가 없는 부분을 통과하는 빛이 광산란작용을 거의 받지 않고, 고분자분산액정층(23)을 투과하는 데에 대하여 스페이서부분을 통과하는 빛은 상기와 같이 산란되므로 명표시영역중에 스페이서(24)의 형상에 대응한 음영이 생기지만 이 명표시 영역중의 음영은 종래의 액정표시소자에서 생기고 있는 암표시영역중의 휘점에 비하면 거의 눈에 띄지 않고, 따라서 상기 명표시영역중의 음영이 표시품위에 영향을 주는 일은 없다.

특히, 프로젝션방식의 표시장치에 본 발명의 고분자분산형 액정표시소자를 적용한 경우는 표시상이 확대되어 스크린면에 투영되기 때문에 상기 명표시영역중의 음영의 형태가 희미해져서 이 음영이 다시 눈에 띄지 않게 되므로 적합하다.

또, 본 발명은 고분자재료중에 액정을 내포한 캅셀을 균일한 분포상태로 유지하는 고분자분산형 액정표시소자에도 적용할 수 있다.

Claims (27)

1. 적어도 한쪽이 투명하며, 소정의 간격을 두고 대향배치된 한 쌍의 기판(1,2)과,

   상기 한쌍의 기판내의 한쪽의 기판상에 매트릭스형으로 배치된 복수의 화소전극(4)과,

   다른쪽의 기판상에 배치되어 상기 복수의 화소전극(4)과 대향시킨 대향전극과,

   상기 화소전극에 각각 한 개씩 부설된 복수의 박막트랜지스터와,

   상기 한쌍의 기판(1,2)간에 존재하고, 고분자재료중에 액정을 분산 상태로 혼재시킨 고분자분산액정층(11)과,

   상기 고분자분산액정층(11)이 존재하는 영역으로부터 상기 복수의 화소전극(4)에 대응하는 화소영역 중의 적어도 상기 화소전극간의 영역엑 설치된 광차단수단과,

   상기 고분자분산액정층(11)속에 설치된 상기 한쌍의 기판(1,2)간의 간격을 규제하는 기판간격규제수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 고분자분산형 액정표시소자.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 기판간격규제수단은 한쌍의 기판(1,2)내의 한쪽의 기판상의 상기 화소영역을 제외한 영역에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 고분자분산형 액정표시소자.
3. 제 2 항에 있어서, 상기 기판간격규제수단은 유리입자를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 고분자분산형 액정표시소자.
4. 제 2 항에 있어서, 상기 광차단수단이 적어도 표면이 흑색의 유리입자인 것을 특징으로 하는 고분자 분산형 액정표시소자.
5. 제 2 항에 있어서, 상기 기판간격규제수단은 상기 한쌍의 기판(1,2)간의 간격을 규제하는 간격규제부재 및 이 간격규제부재를 상기 기판에 고정하기 위한 고정부재로 구성되는 것을 특징으로 하는 고분자분산형 액정표시소자.
6. 제 5 항에 있어서, 상기 고정부재는 상기 간격규제부재와 상기 기판과의 사이에 개재시킨 수지막(7)인 것을 특징으로 하는 고분자분산형 액정표시소자.
7. 제 6 항에 있어서, 상기 수지막(7)은 감광성 고분자재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 고분자분산형 액정표시소자.
8. 제 1 항에 있어서, 상기 기판간격규제부재는 광산란성을 갖는 부재인 것을 특징으로 하는 고분자분산형 액정표시소자.
9. 제 8 항에 있어서, 상기 광산란성을 갖는 부재는 표면을 거칠게 한 유리입자인 것을 특징으로 하는 고분자분산형 액정표시소자.
10. 적어도 한쪽이 투명하며, 소정의 간격을 두고 대향배치된 한쌍의 기판(1,2)과,

    상기 한쌍의 기판(1,2)내의 한쪽의 기판상에 매트릭스형으로 배치된 복수의 화소전극(4)과,

    다른쪽의 기판상에 배치되고 상기 복수의 화소전극(20)과 대향시킨 대향전극과,

    상기 화소전극(4)에 각각 한 개씩 부설된 복수의 박막트랜지스터와,

    상기 한쌍의 기판(1,2)간에 존재하고, 고분자재료중에 액정을 분산 상태로 혼재시킨 고분자분산액정층(11)과.

    상기 고분자분산액정층(11)중에 점재시킨 광산란성을 갖고 상기 한 쌍의 기판(1,2)간의 간격을 규제하는 기판간격규제수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 고분자분산형 액정표시소자.
11. 제 10 항에 있어서, 상기 기판간격규제부재는 표면을 거칠게한 유리입자인 것을 특징으로 하는 고분자분산형 액정표시소자.
12. 각각에 전극이 형성되고 대향배치된 한쌍의 기판간에 고분자층 중에 액정을 분산상태로 유지시킨 고분자분산액정층을 설치한 고분자 분산형 액정표시소자의 제조방법에 있어서,

    광경화성 고분자재료(P)와 액정재료의 두가지 재료를 포함하는 혼합용액의 온도가 주위압력하에서 상기 두가지 재료가 상호 용해하는 하한온도인 용해한계온도이상에서, 상기 두가지 재료가 상호 용해된 혼합용액이 상기 한쌍의 대향기판간에 충전된 셀(C)을 형성하는 셀형성스텝과,

    상기 혼합용액에 빛을 조사하고 상기 광경화성 고분자재료(P)를 경화시키는 경화스텝을 구비하는 것을 특징으로 하는 고분자분산형 액정표시소자의 제조방법.
13. 제 12 항에 있어서, 상기 셀형성스텝은 상기 한쌍의 기판(17,18)간에 상기 두가지 재료의 배합비율이 상온상압하에서 용해도 이상인 혼합용액을 진공상태하에서 충전하는 충전스텝과 상기 혼합용액의 온도를 상기 용해한계온도이상으로 올리는 상온스텝으로 구성되는 것을 특징으로 하는 고분자분산형 액정표시소자의 제조방법.
14. 제 13 항에 있어서, 상기 경화스텝은 상기 혼합용액의 온도를 상기 용해한계온도이상의 범위내에서 하강시키는 강온스텝과, 강온시킨 혼합용액에 빛을 조사하여 상기 광경화성 고분자재료(P)를 중합시키는 광중합스텝으로 구성되는 것을 특징으로 하는 고분자분산형 액정표시소자의 제조방법.
15. 제 13 항에 있어서, 상기 셀형성스텝은 상기 충전스텝 다음에 상기 승온스텝을 실시하는 스텝인 것을 특징으로 하는 고분자분산형 액정표시소자의 제조방법.
16. 제 13 항에 있어서, 상기 셀형성스텝은 상기 충전스텝의 전후에 상기 승온스텝을 각각 실시하는 스텝인 것을 특징으로 하는 고분자분산형 액정표시소자의 제조방법.
17. 제 16 항에 있어서, 상기 경화스텝은 상기 혼합용액의 온도를 상기 용해한계온도이상의 범위내에서 하강시키는 강온스텝과, 상기 혼합용액에 빛을 조사하여 상기 광경화성 고분자재료(P)를 중합시키는 광중합스텝으로 구성되는 것을 특징으로 하는 고분자분산형 액정 표시소자의 제조방법.
18. 제 16 항에 있어서, 상기 셀형성스텝은 상기 충전스텝 전에 실시하는 승온스텝에서 상기 혼합용액의 온도를 상기 용해한계온도이상으로 올리고, 상기 충전스텝 다음의 승온스텝에서 상기 혼합용액의 온도를 상기 액정재료의 N-I점 이상으로 올리는 스텝인 것을 특징으로 하는 고분자분산형 액정표시소자의 제조방법.
19. 제 18 항에 있어서, 상기 경화스텝은 상기 혼합용액의 온도를 상기 N-1점 이하에서 상기 용해한계온도이상의 범위내에서 하강시키는 강온스텝과, 상기 혼합용액에 빛을 조사하여 상기 광경화성 고분자재료(P)를 중합시키는 광중합스텝으로 구성되는 것을 특징으로 하는 고분자분산형 액정표시소자의 제조방법.
20. 제 13 항에 있어서, 상기 승온스텝은 상기 혼합용액의 온도를 액정재료의 N-I점 이상으로 승온시키는 스텝인 것을 특징으로 하는 고분자분산형 액정표시소자의 제조방법.
21. 제 20 항에 있어서, 상기 경화스텝은 상기 혼합용액의 온도를 상기 N-I점 이상의 범위내에서 하강시키는 강온스텝과, 상기 혼합용액에 빛을 조사하여 상기 광경화성 고분자재료(P)를 중합시키는 광중합스텝으로 구성되는 것을 트ㄱ징으로 하는 고분자분산형 액정표시소자의 제조방법.
22. 제 20 항에 있어서, 상기 경화스텝은 상기 혼합용액의 온도를 상기 N-I점 이하에서 상기 용해한계온도이상의 범위내에서 하강시키는 강온스텝과, 상기 용해한계온도이상의 범위내에서 하강시키는 강온스텝과, 상기 혼합용액에 빛을 조사하여 상기 광경화성 고분자재료(P)를 중합시키는 광중합스텝으로 구성되는 것을 특징으로 하는 고분자분산형 액정표시소자의 제조방법.
23. 제 20 항에 있어서, 상기 셀형성스텝은 상기 충전스텝 다음에 상기 승온스텝을 실시하는 스텝인 것을 특징으로 하는 고분자분산형 액정표시소자의 제조방법.
24. 제 20 항에 있어서, 상기 셀형성스텝은 상기 충전스텝의 전후에 상기 승온스텝을 각각 실시하는 스텝인 것을 특징으로 하는 고분자분산형 액정표시소자의 제조방법.
25. 제 24 항에 있어서, 상기 경화스텝은 상기 혼합용액의 온도를 상기 N-I점 이하에서 상기 용해한계온도이상의 범위내에서 하강시키는 강온스텝과, 상기 혼합용액에 빛을 조사하여 상기 광경화성 고분자재료(P)를 중합시키는 광중합스텝으로 구성되는 것을 특징을 하는 고분자분산형 액정표시소자의 제조방법.
26. 제 2 항에 있어서, 상기 경화스텝은 상기 혼합용액을 분산혼합시키면서 빛을 조사하여 상기 고분자재료를 중합시키는 스텝인 것을 특징으로 하는 고분자분산형 액정표시소자의 제조방법.
27. 제 26 항에 있어서, 상기 분산혼합은 초음파진동에 의한 분산혼합인 것을 특징으로 하는 고분자분산형 액정표시소자의 제조방법.