KR0122309B1 - 반도체 장치의 보호회로 - Google Patents

반도체 장치의 보호회로

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KR0122309B1
KR0122309B1 KR1019910003057A KR910003057A KR0122309B1 KR 0122309 B1 KR0122309 B1 KR 0122309B1 KR 1019910003057 A KR1019910003057 A KR 1019910003057A KR 910003057 A KR910003057 A KR 910003057A KR 0122309 B1 KR0122309 B1 KR 0122309B1
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히사오 시게카네
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나까오 다께시
후지 덴끼 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 반도체 장치의 보호회로에 관한 것으로, 스위칭 파우워 장치칩의 온도를 검출하기 위한 온도센서, 검출된 온도가 소정값을 초과하는지를 결정하므로써 제1정보신호를 발생시키는 수단, 주회로의 합전류가 소정값을 초과하는지를 결정함으로써 제2경보신호를 발생시키는 수단 및 상기 제1, 제2의 경보수단을 OR시키는 수단을 특징으로 하여, 보다 간단한 반도체 장치의 보호회로를 제공한다.

Description

반도체 장치의 보호회로
제1도는 본 발명의 일실시예로서 원리회로 다이어그램.
제2도는 제1도의 회로동작을 설명하기 위한 파형도.
제3도는 과전류 보호기능을 가진 베이스 구동회로의 상세한 다이어그램.
제4도는 제3도의 회로에 경보회로가 제공된 회로의 상세한 다이어그램.
제5도는 과전류 보호기능을 가진 베이스 구동회로의 원리 다이어그램.
제6도는 파우워 트랜지스터의 과부하 안전동작 영역의 예를 보여주는 다이어그램.
제7도는 인버터의 단락회로 결함의 다양한 모드의 설명도.
제8도는 종래의 3상 브리지 인버터회로 구성의 예를 보여주는 다이어그램.
제9도는 파우워 트랜지스터의 종래 베이스 구동회로의 구성예를 보여주는 다이어그램.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
TR(TR1-TR6) : 파우워 트랜지스터 OC : 과전류 보호회로
OC1 : 경보회로를 가지는 과전류 보호회로 DR : 베이스 구동회로
H : 온도센서 OH : 과열보호회로
G1 : OR 회로
ALM0, ALM1, ALM2 : 경보회로
본 발명은 인버터용 반도체 장치의 과전류 보호회로에 관한 것으로, 특히 회로부품을 감소시켜 구성을 단순화시킬 수 있는 보호회로에 관한 것이다.
이후에, 첨부된 도면에서 똑같은 부재번호 및 참조부호는 똑같은 대응부분을 나타낸다.
제9도는 스위칭 파우워 트랜지스터로서 파우워 트랜지스터의 베이스 구동회로를 나타낸다. TR은 달링톤 연결에서 NPN 파우워 트랜지스터를 나타내고, DR은 베이스 구동회로를 나타내며, 부재번호(3)는 이 베이스 구동회로의 전원(구동전원)을 나타낸다. 참조부호(Si1 및 Si2)는 파우워 트랜지스터(TR)를 온 및 오프시키는 구동신호(S)의 입력단자를 나타낸다. 이 회로에서, 파우워 트랜지스터(TR)는 광커플러(PC1)가 온될때 온으로 되며, 역으로, 파우워 트랜지스터(TR)는 광커플러(PC1)가 오프될때 오프로 된다.
제8도는 제9도에서 보여진 것같은 베이스 구동회로와 파우워 트랜지스터를 포함하는 인버터 회로의 예를 보여준다.
제8도에서, TR(TR1-TR6)은 3상 인버터를 형성하도록 브리지 연결의 NPN 파우워 트랜지스터이고, IM은 유도모터를 나타낸다. 이 회로에서, 주 DC 전극의 정의라인((+)LP)와 부의라인((-)LN) 사이에 가해진 DC 전력은 3상(U,V,W)의 AC 전력으로 변환되는데, 이는 브리지의 상단 및 하단 아암의 각 연결점(중간점)으로부터 유도모터(IM)에 가해진다.
제9도에 도시된 것같은 베이스 구동회로가 제8도에 도시된 것같은 인버터에 사용될때, 각각이 트랜지스터(TR1,TR3,TR5)에 대응하는 3개의 절연 구동전원을 요구하는데, 이는 이들이 상단 아암에 있고 이러한 구동전원(3)의 부의전극이 서로 다른 전위에 있는 3상의 다른 출력라인에 각각 결합되어 있기 때문이다.
이와 비교하여, 이러한 구동전원(3)의 부의전극이 똑같은 전위에 있을 주회로 DC 전원의 부의라인((-)LN)에 모두 결합되기 때문에 오직 하나의 구동전원(3)은 하단 아암에 있는 트랜지스터(TR2,TR4,TR6)에 요구될 수 있다. 즉, 3상 브리지 연결에서 인버터 회로에 있는 구동전원(3)은 적어도 4개의 전원으로 구성될 수 있는데, 3개는 상단 아암용이고, 1개는 하단 아암용이다.
제8도에 보여진 것같은 인버터회로에서, 그러한 단락회로 결함은 제7도에 도시된 아암단락회로, 직렬단락 아암회로, 출력단락회로 및 접지이다.
이러한 결함에서, 과전류는 파우워 트랜지스터(TR)를 통하여 흐른다. 그러나, 파우워 트랜지스터는 제6도에서 보여진 대로 콜렉터전류(ICP) 대 콜렉터-에미터 전압(VCE) 특성 다이어그램에서 과부하 안전동작영역(OLSOA)을 가지며, ICP의 궤적이 OLSOA를 벗어날 때까지 깨지지 않는다. 그리고나서, 단락회로 결함에서, 파우워 트랜지스터는 제5도에 보여진 것같은 회로에 의하여 과전류를 검출하므로서 즉시 턴-오프 모드(turn-off mode)로 되어야 한다.
제5도는 과전류 보호의 기능을 가진 베이스 구동회로의 원리 다이어그램을 보여준다. 이 다이어그램에서, 점선으로 둘러싸인 부분은 과전류 보호회로(OC)이다.
제5도에서 파우워 트랜지스터 보호의 기능은 다음과 같이 기술된다 :
① 파우워 트랜지스터를 온시키기 위하여 단자(Si)에 가해지는 구동신호(S)는 저항(R1)을 통하여 캐퍼시터(C1)를 충전시키고, 동시에 저항(R2)을 통하여 파우워 트랜지스터(TR)을 온시킨다.
② 정상적으로 동작된 파우워 트랜지스터(TR)는 제너다이오드(ZD)의 애벌란쉬 전압보다 훨씬 낮은 포화 콜렉터-에미터전압(VCE(Sat))을 갖는다. 그리고나서, 캐퍼시터(C1)는 다이오드(D2)를 통하여 그 충전전압을 파우워 트랜지스터(TR)의 콜렉터(C)로 방전시킨다.
③단락회로 결함에서, 파우워 트랜지스터(TR)에서 흐르기 시작한 초과전류는 TR의 VCE(Sat)를 상승시켜 제너다이오드(ZD)의 애벌란쉬 전압보다 더 높다. 이것은 캐퍼시터(C1)가 그 충전전압을 파우워 트랜지스터(TR)로 방전시키는 것을 막는다.
④ 결국, 캐퍼시터(C1)의 단자전압은 제너다이오드(ZD)에 애벌란쉬 전압보다 더 높아지도록 상승된다. 이것은 보조 트랜지스터(Q2)를 온시켜 파우워 트랜지스터(TR)를 오프시키는 포화 콜렉터-에미터전압(VCE(Sat))까지 파우워 트랜지스터(TR)의 베이스-에미터전압을 낮춘다.
제3도는 제5도에 있는 파우워 트랜지스터(TR)와 등가인 스위칭 파우워 장치로서 IGBT를 사용하는 과전류보호 기능을 가진 베이스구동(이 경우에, 게이트구동)회로의 구체적인 회로구성의 예를 보여준다.
제3도에서, 점선으로 둘러싸인 부분은 또한 과전류 보호회로(OC)이고, 다른 부분은 베이스 구동회로(DR)이다. 제3도에서 회로의 기본기능은 제5도에서의 것과 같지만, 구동신호(S)는 제9도에서 주어진 것과 같은 광커플러(PC1)를 통하여 주어지고, 베이스 구동회로(DR)는 좀더 복잡하게 구성된다.
그러나, 제3도에 보여진 회로는 과전류 보호회로(OC)의 기능을 회로의 외부로 알리기 위한 수단이 없다. 그리하여, 보통 회로에 경보회로(ALMG)가 제공되는데, 이는 점선으로 둘러싸인 부분으로써 제4도에 보여져 있다. 경보회로가 제공된 제4도에서의 과전류 보호회로는 편의상 경보회로(OC1)를 가진 과전류 보호회로로서 불리워진다.
보통의 인버터 회로에서, 경보신호(ALM)는 구동신호(S)를 차단시키기 위해 구동신호 발생회로에 가해지는데, 이는 과전류가 이러한 파우어 장치의 한 칩만을 통하여 흐를지라도 이러한 스위칭 파우워 장치를 보호하기 위하여 3상 인버터 회로에 있는 6개의 파우워 장치를 동시에 오프시킨다.
상기의 종래 과전류 보호회로는 다음의 문제점을 갖는다. 제4도의 경보회로를 가진 구동회로가 제8도의 3상 인버터에 사용될때, 각 파우워 트랜지스터를 위한 경보신호(ALM)용 라인들은 6개의 트랜지스터를 위한 구동신호를 제어하는 장치(예를들어, 마이크로 컴퓨터)로 신호를 공급하도록 함께 모으기 위하여 서로 절연되어야 하는데, 이는 구동전원(3)의 전위가 상단 3개 아암에 있는 트랜지스터(TR1,TR3,TR5)의 가각 및 하단 3개 아암에 있는 모든 트랜지스터(TR2,TR4,TR6)에 대해 서로 다르기 때문이다. 따라서, 제4도에서 PC2로 나타내진 적어도 4개의 광커플러는 인버터 회로에서 경보용으로 요구된다. 이리하여 부품수의 증가로 회로가 복잡해진다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하고 보다 줄어든 비용으로 낮은 저항 전압(low withstanding voltage)의 전자부품을 사용하도록 허용하는 간단화된 반도체 장치의 보호회로를 제공하는 것이다.
상기 문제를 해결하기 위하여, 본 발명의 보호회로는 각각이 제1 및 제2의 두개 주전극(콜렉터와 에미터와 같은)과, 제2 주전극과 제어전극 사이에 가해진 제어신호에 응답하여 제1 및 제2주전극 사이의 회로(이후, 주회로라 한다)를 온 및 오프시키기 위한 제어전극(베이스 또는 게이트와 같은)을 가지는 스위칭 파우워 장치칩(파우워 장치칩과 같은)을 포함하며, 병렬로 연결된 직렬회로의 양단자 사이에 DC 전압을 가하므로써 직렬회로에서 두개의 스위칭 파우워 장치칩의 연결점(이후, 중간점이라 한다)으로 부터 AC전압 공급을 출력시키며, 두개의 스위칭 파우워 장치칩은 주회로가 똑같은 극성과 직렬로 연결되는 직렬회로를 형성하도록 연결되고, 똑같은 극성과 병렬로 연결된 하나 또는 다수의 직렬회로가 하나의 패키지에 있으며, 다수의 직렬회로가 똑같은 극성과 병렬로 연결되어 있는 반도체 장치(인버터용)의 회로로서, 갯수가 제2주전극이 상기 중간점에 연결되어 있는 스위칭 파우워 장치칩의 총갯수와 같거나 적으며, 각각의 또는 다수의 스위칭 파우워 장치칩의 온도를 검출하기 위한 온도센서(H와 같은), 직렬회로에서 스위칭 파우워 장치칩의 제2주전극용 단자점(이후, 기전전위의 점이라 함)에 등전위로 연결되고, 온도센서의 각각에 의하여 검출된 온도가 소정값을 초과하는지를 결정함으로써 제1 경보신호(ALM2와 같은)를 발생시키는 수단(과전류 보호회로(OH)와 같은), 제2 전극이 기준전위점에 연결된 스위칭 파우워 장치칩에서 주회로 각각의 전류, 또는 스위칭 파우워 장치칩에서 다수의 주회로의 합전류가 소정의 값을 초과하는지를 결정함으로써 제2경보신호(ALM1과 같은)를 발생시키는 수단(경보회로를 갖는 과전류 보호회로와 같은), 및 제1 및 제2의 모든 경보신호를 위해 OR 조건(OR 회로(G1)와 같은)을 얻는 수단으로 구성된다. 장치와 전기적으로 연결된 송신라인을 통하여 이러한 장치에 인접하여 배치된 더미스터와 같은 온도센서에 의하여 적어도 제8도에 보여진 브릿지의 인버터회로의 상단 아암에 있는 스위칭 파우워 장치에 대하여 과전류상태로 인한 과열이 검출된다.
본 발명의 바람직한 실시예는 제1도 내지 제4도를 기초하여 설명된다. 제1도는 본 발명의 실시예중 하나로서 원리회로를 보여준다. 제2도는 제3도 내지 제5도의 회로에 의한 과전류 보호동안 파우워 트랜지스터의 베이스전류(IB), 콜렉터전류(IC) 및 콜렉터-에미터전압(VCE) 파형을 각각 보여준다.
제1도에서, 3상 브리지 연결로 인버터 회로를 구성하는 각각의 파우워 트랜지스터 TR(TR1-TR6)은 이 경우에 파우워 트랜지스터 칩이며, 이러한 6개의 칩들이 한 패키지에 있게 된다. 상단 아암에 있는 파우워 트랜지스터(TR1,TR3,TR5)용 과전류 보호회로(OC)와 베이스 구동회로(OR)는 경보신호를 출력시키지 않는 제3도의 것과 같다. 한편, 하부 아암에 있는 파우워 트랜지스터(TR2,TR4,TR6)용 과전류 보호회로는 경보신호(ALM1)를 출력시키는 것이고, 제4도에서 경보회로(OCI)를 갖는 과전류 보호회로는 어떤 수정도 없이 파우워 트랜지스터용으로 사용될 수 있다. 그러나, 이 경보신호(ALM1)는 광커플러(PC2)를 통하여 중계되지 않고 경보회로로부터, 예를 들면, 전단(previous stage)에 있는 트랜지스터(Q3)의 콜렉터로부터 직접 취해질 수 있고, 3개 파우워 트랜지스터(TR2,TR4,TR6)의 각 에미터가 기준전위점상에 있는 주 DC 전원의 부(-)의 라인에 함께 결합된다. 그리고나서, 본 발명에서, 경보를 위한 광커플러(PC2)는 제4도의 경보회로(OC1)를 갖는 과전류 보호회로로부터 제거될 수 있다. 이러한 3개 경보신호(ALM1)는 OR 회로(G1)에 연결된다. 하단 아암에서, 파우워 트랜지스터(TR2,TR4,TR6)용 베이스 구동회로(DR)는 제3도 또는 제4도에 도시된 것과 같다.
칩 또는 파우워 트랜지스터(TR1,TR3,TR5) 근처에, 더미스터와 같은 온도센서(H)가 배치된다. 각 온도센서(H)는 부(-)의 라인이 기준전위점 상에서 주 DC 전원의 부의라인((-)LN)에 등전위로 결함되는 과열방지회로(OH)를 통하여 OR 회로(G1)에 결합된다.
과전류가 상단 아암에서 파우워 트랜지스터(TR1,TR3,TR5)중 어느 하나를 통하여 흐를때, 그 콜렉터 전류(IC)와 에미터전압(VCE)은 제2도에 보여진대로 변화하여 트랜지스터가 과열되게 한다. 동시에, 대응 과전류 보호회로(OC)는 직접 트랜지스터에 가해진 구동신호를 오프시키도록 작용하고, OC에 있는 보조 트랜지스터(Q2)는 캐퍼시터(C1)의 연속방전에 의하여 온상태를 유지하기 때문에 이런 조건은 OFF 모드로서 래치된다. 그리고나서 입력신호로서 트랜지스터의 베이스 구동회로(DR)에 가해진 펄스의 구동신호(S)가 OFF모드로 될때 캐퍼시터(C1)는 저항(R1)을 통하여 충전되지 않고 Q2를 통하여 그 충전전압을 방전하여 제너다이오드(ZD)의 애벌란쉬 전압 이하로 단자전압을 감소시켜 Q2를 오프시키기 때문에 과전류 보호회로(OC)의 래치는 해제된다.
따라서, 구동신호(S)가 다시 ON 모드로 되어 과전류를 흐르게 할때, 파우워 트랜지스터의 IC및 VCE는 다시 제2도와 똑같은 파형을 갖게 되어 파우워 트랜지스터를 재가열시킨다.
그러한 ON 및 OFF 모드를 반복하므로써, 과전류가 흐르는 트랜지스터(TR1,TR3,TR5) 가운데 어느것이 과열되고, 과열된 트랜지스터의 온도가 소정 값을 넘을때, 과열보호회로(OH)는 경보신호(ALM2)를 OR 회로(G1)에 가하도록 작용한다. 이리하여, 6개의 파우워 트랜지스터(TR1 내지 TR6) 가운데 어느것의 과전류에 의한 경보신호가 OR 회로(G1)에 가해진다. 그리고나서 이 OR 회로(G1)의 출력, 즉 경보신호(ALM0)는 도면으로 도시되지 않는 마이크로 컴퓨터에 가해진다. 마이크로 컴퓨터는 OFF모드에서 과전류 보호회로에 구동신호(S)를 제공하는데, 이는 신호 전송라인이 주회로와 절연되는 광커플러를 통하여 6개 트랜지스터에 송신된다. 그리고나서 6개의 트랜지스터(TR1 내지 TR6)는 동시에 보호될 수 있도록 오프된다.
제1도의 실시예에서, 파우워 트랜지스터는 스위칭 장치로서 사용된다. 그러나, 스위칭 장치는 파우워 트랜지스터에 제한되지 않고 자기 턴-오프형(self-turn-off type)의 어느 스위칭 장치라도 본 발명에 사용 가능할 수 있다.
그 이외에, 온도센서(H)의 갯수는 파우워 트랜지스터의 갯수보다 적을 수 있고, 파우워 트랜지스터(TR1,TR3,TR5)가 매우 근접하여 배치되어 온도센서가 그들 사이에 배치되도록 허용된다면 과전류 보호목적을 잘 성취시키기 위하여 적어도 두개일 수 있다.
더욱이, 제1도에서, 하단 아암에 있는 파우워 트랜지스터(TR2,TR4,TR6)용 과전류 보호회로(OC1)가 각 파우워 트랜지스터를 위해 제공되고 있으나, 본 발명의 목적은 또한, 예를 들어, 3개의 파우워 트랜지스터(TR2,TR4,TR6)의 에미터를 한 단자에 결합시키고, 이 단자와 주 DC 전원의 부의라인((-)LN) 사이에 병렬저항을 삽입하고, 이 병렬저항의 양단 사이에 전위차의 증가를 검출하고, 과전류 보호를 수행하도록 하단 아암에 있는 이러한 3개 트랜지스터를 동시에 오프시키는 오직 하나의 과전류 보호회로에 이 증가를 송신하므로써 달성될 수 있다. 본 발명에 가할 수 있는 또 다른 실시예는 이 3개의 트랜지스터의 콜렉터에 각각 병렬로 결합된 3개의 다이오드(D2)를 가지며 동시에 그 트랜지스터를 오프시켜 과전류 보호를 수행하는 과전류 보호회로에 의하여 정상값을 초과할 파우워 트랜지스터(TR2,TR4,TR6)의 VCE(Sat)를 검출하는 것이다.
게다가, 두개의 다른 OR 회로가 본 발명의 목적에서 벗어남이 없이 적용될 수 있으며, OR 회로중 하나는 양단의 아암에 있는 3개 파우워 트랜지스터용 과전류 보호회로(OC)로부터 경보신호(ALM1)를 수신하고, 다른 OR 회로는 과열보호회로(OH)로부터 경보신호(ALM2)를 수신한다.
이들 센서가 트랜지스터(TR1,TR3,TR5)의 과열을 검출할 수 있는 위치에 있다면 온도센서(H)는 트랜지스터(TR1,TR3,TR5)와 똑같은 패키지에 항상 있어야할 필요는 없고, 패키지의 외부에 배치될 수 있다.
본 발명에 따라, 반도체 장치의 보호회로는 제1 및 제2의 두개 주전극과, 제2주전극과 제어전극 사이에 가해진 제어신호에 응답하여 제1 및 제2주전극 사이의 회로를 온 및 오프시키기 위한 제어전극을 가지는 스위칭 파우워 장치칩을 포함하며, 병렬로 연결된 직렬회로의 양단자 사이에 DC 전압을 가하므로써 직렬회로에서 두개의 스위칭 파우워 장치칩의 중간점으로부터 AC 전압공급을 출력시키며, 두개의 스위칭 파우워 장치칩은 주회로가 똑같은 극성과 직렬로 연결되는 직렬회로를 형성하도록 연결되고, 똑같은 극성과 병렬로 연결된 하나 또는 다수의 직렬회로가 하나의 패키지에 있으며, 다수의 직렬회로가 똑같은 극성과 병렬로 연결되어 있는 반도체 장치의 회로로서, 갯수는 제2주전극이 상기 중간점에 연결되어 있는 스위칭 파우워 장치칩의 총갯수와 같거나 적으며, 각각의 또는 다수의 스위칭 파우워 장치칩의 온도를 검출하기 위한 온도센서, 직렬회로에서 스위칭 파우워 장치칩의 제2주전극용 기준전위점에 등전위로 연결되고, 온도센서의 각각에 의하여 검출된 온도가 소정값을 초과하는지를 결정하므로써 제1경보신호를 발생시키는 수단, 제2전극이 기준전위점에 연결된 스위칭 파우워 장치칩에서 주회로 각각의 전류, 또는 스위칭 파우워 장치칩에서 다수의 주회로의 합전류가 소정의 값을 초과하는지를 결정하므로써 제2경보신호를 발생시키는 수단, 및 제1 및 제2의 모든 경보신호를 위해 OR 조건을 얻는 수단으로 구성된다.
그리고나서, 상단 아암에 있는 파우워 트랜지스터의 과전류 보호회로를 위한 경보신호를 출력하는 광커플러, 또는 전위변경을 위한 고전압저항 스위치를 제공할 필요가 없게 된다.

Claims (1)

  1. 제1 및 제2의 두개 주전극과, 상기 제2주전극과 제어전극 사이에 가해진 제어신호에 응답하여 상기 제1 및 제2사이의 주회로를 온 및 오프시키기 위한 제어전극을 가지는 스위칭 파우워 장치칩을 포함하며, 병렬로 연결된 직렬회로의 양단자 사이에 DC 전압을 가하므로써 직렬회로에서 두개의 스위칭 파우워 장치칩의 중간점으로부터 AC 전압공급을 출력시키며, 두개의 스위칭 파우워 장치칩은 주회로가 똑같은 극성과 직렬로 연결되는 직렬회로를 형성하도록 연결되고, 똑같은 극성과 병렬로 연결된 하나 또는 다수의 직렬회로가 하나의 패키지에 있으며, 다수의 직렬회로가 똑같은 극성과 병렬로 연결되어 있는 반도체 장치의 회로에 있어서, 제2주전극이 상기 중간점에 연결되어 있는 스위칭 파우워 장치칩의 총갯수와 같거나 적으며, 각각의 또는 다수의 스위칭 파우워 장치칩의 온도를 검출하기 위한 온도센서, 직렬회로에서 스위칭 파우워 장치의 제2주전극용 기준전위점에 등전위로 연결되고, 온도센서의 각각에 의하여 검출된 온도가 소정값을 초과하는지를 결정하므로써 제1경보신호를 발생시키는 수단, 제2전극이 기준전위점에 연결된 스위칭 파우워 장치칩에서 주회로 각각의 전류, 또는 스위칭 파우워 장치칩에서 다수의 주회로의 합전류가 소정의 값을 초과하는지를 결정하므로써 제2경보신호를 발생시키는 수단, 및 제1 및 제2의 모든 경보신호를 위해 OR 조건을 얻는 수단으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 보호회로.
KR1019910003057A 1990-02-26 1991-02-26 반도체 장치의 보호회로 KR0122309B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2-45016 1990-02-26
JP2045016A JP2811872B2 (ja) 1990-02-26 1990-02-26 半導体装置の保護回路

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Publication Number Publication Date
KR920000166A KR920000166A (ko) 1992-01-10
KR0122309B1 true KR0122309B1 (ko) 1997-11-22

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Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910003057A KR0122309B1 (ko) 1990-02-26 1991-02-26 반도체 장치의 보호회로

Country Status (5)

Country Link
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