JP5724730B2 - 半導体素子の駆動装置 - Google Patents
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Description
さらに、上記特許文献3に記載された従来例にあっては、保護回路が異常時にはアラームイネーブルラインを介して外部に警報ALM1を出力する。また、警報ALM1を出力する前に、IGBTのコレクタ電流又はチップ温度が、正常時より高く、警報ALM1を発する時のレベルより低い所定値を超えた時点に異常発生の兆しがあると判断する。そして、異常発生の兆しがあると判断したときに、予告警報ラインを介して予告警報ALM2を外部に出力するようにしている。しかしながら、上記特許文献3に記載された従来例では、コレクタ電流又はチップ温度を識別することはできず、単に異常発生状態であるかその前の異常発生の兆しがある状態であることを判別できるだけであり、異常状態を判別することはできないという未解決の課題がある。
そこで、本発明は、上記従来例の未解決の課題に着目してなされたものであり、パルス幅に基づいて複数の保護回路の何れかが保護動作状態であるかを正確に判別することができる半導体素子の駆動装置を提供することを目的としている。
この構成によると、通知信号出力回路をナンドゲートとRS型フリップフロップとで構成することができ、簡易な構成で1パルス分の通知信号を正確に形成することができる。
この構成によれば、保護回路での異常検出が終了してアラーム信号出力回路から出力される保護信号の出力が停止され且つ半導体素子の動作信号がオン状態であるときにリセット回路でRS型フリップフロップ回路をリセットして再度通知信号の出力が可能となる。
この構成によると、保護回路で、半導体素子の過熱状態、過電流状態及び制御電圧の低下状態を掲出して、半導体素子を保護回路で保護動作が必要な状態を検出することができる。
この構成によると、アラーム信号出力回路からアラーム信号が出力されときに、設定されたパルス幅に相当する1パルス分を保護動作通知信号として所定間隔を保って複数回出力するので、保護動作通知信号を誤判断することなく、正確に通知することができる。
この構成によると、通知信号出力回路をナンドゲートとRS型フリップフロップとで構成することができ、簡易な構成で1パルス分の通知信号を正確に形成することができる。
この構成によると、保護動作通知信号継続回路で、所定間隔でアラーム信号の1パルス分の立ち上がりの直前でRS型フリップフロップ回路をリセットすることにより、1パルス分の保護動作通知信号を所定間隔を保って複数回出力することができる。
さらに、パルス信号出力回路から出力される連続するパルス信号を通知信号出力回路で、異常となったパルス幅に応じた1パルス分の通知信号を所定間隔を保って複数回出力するので、動作通知信号を誤判断することなく、外部に対する保護動作の通知を確実に行うことができる。
図1は本発明を適用し得る電力変換装置を示すブロック図である。この図1において、電力変換装置1は、直流電力を交流電力に変換するインバータ2と、このインバータ2を構成する各相の半導体素子を個別に駆動する半導体素子の駆動装置としての各相ドライバ回路3U〜3Zとを備えている。
Bipolar Transistor)11〜16を有する。これらIGBT11〜16は、直流電源に接続されて直流電力が供給される正極側ラインLp及び負極側ラインLn間に、IGBT11及び12の直列回路、IGBT13及び14の直列回路並びにIGBT15及び16の直列回路が夫々並列に接続されている。ここで、各IGBT11〜16には、フリーホイールダイオード21〜26が逆並列に接続されている。
各相ドライバ回路3U〜3Zは、図2に示すように、インバータ2を構成する各IGBT1iのゲートをオン/オフ制御するゲート制御回路31と、保護回路としての制御電圧検出回路32、過電流検出回路33及びチップ温度検出回路34と、アラーム信号出力回路35と、通知信号出力回路36と、リセットパルス形成回路37とを備えている。
過電流検出回路33は、電流センサ18から出力される電流検出値が入力されるとともに過電流閾値Vth2が入力された比較器CP2を有する。この比較式CP2は、電流検出値が過電流閾値を上回ると過電流状態を表すハイレベルの過電流検出信号Socをアラーム信号出力回路35へ出力する。
通知信号出力回路36は、図2に示すように、ナンドゲート36bと、RS型フリップフロップ回路36dとを備えている。ナンドゲート36bは、アラーム信号出力回路35から出力されるパルス列信号PSjが論理反転回路36aを介して一方の入力側に入力されている。このナンドゲート36bの他方の入力側には、RS型フリップフロップ回路36dの反転出力端子QBから出力される出力信号が入力されている。このナンドゲート36bの出力が保護動作通知信号Snとして外部に出力される。
今、インバータ2を構成するIGBT11〜16に流れる電流が過電流閾値未満で正常であり、且つ,IGBT11〜16を形成したチップ内温度が過熱閾値未満で正常であり、さらに各ドライバ回路3U〜3Zに供給するIC電源電圧が低電圧閾値を超えていて正常であるものとする。
このインバータ2の各相のIGBT11〜16が正常状態であり、IC電源電圧が正常である状態から、例えば、X相のIGBT1iを駆動するドライバ回路3k(k=X〜Z)に供給されるIC電源電圧が低電圧閾値以下に低下する低電圧異常が発生したときには、この低電圧異常が制御電圧検出回路32で検出される。
また、リセットパルス形成回路37では、保護信号Spがハイレベルとなることにより、アンドゲート37bの出力が低レベルとなり、ワンショット回路37cから出力されるリセット信号Srは、図4(c)に示すように、ハイレベルを維持する。
このため、通知信号出力回路36のRS型フリップフロップ回路36dは、リセット状態を維持し、その出力信号Sfは、図4(h)に示すように、ハイレベルを維持する。
その後、時点t3でアラーム信号出力回路35から出力されるパルス列信号PL1がハイレベルからローレベルに反転すると、通知信号出力回路36の論理反転回路36aの反転パルス列信号Siが図4(f)に示すようにローレベルからハイレベルに反転する。しかしながら、RS型フリップフロップ回路36dの出力信号Sfは図4(h)に示すようにローレベルを維持している。このため、ナンドゲート36bから出力される保護動作通知信号Snは、図4(g)に示すように、ハイレベルを維持する。
その後、時点t5で外部から入力される動作信号Smがオン状態に反転すると、リセットパルス形成回路37のアンドゲート37bに入力されている動作信号Sm及び論理反転回路37aの出力信号がハイレベルとなるが、アラーム信号出力回路35から出力されるアラーム信号PSvdが図4(d)に示すようにローレベルを維持する。このため、アンドゲート37bの出力信号はローレベルを維持する。
したがって、その後、時点t7で外部から入力される動作信号Smがオン状態に反転すると、リセットパルス形成回路37のアンドゲート37bの出力がローレベルからハイレベルに反転する。これに応じてワンショット回路37cから図4(c)に示すローレベルを所定時間維持するリセット信号Srが通知信号出力回路36におけるRS型フリップフロップ回路36dのリセット端子RBに出力される。
また、制御電圧検出回路32で検出される低電圧状態がアラーム信号出力回路35から出力されるパルス列信号PL1の最初のパルス幅より短い場合には、図5に示すように、アラーム信号出力回路35から出力されるパルス列信号PSvdが最初の1パルス分のみが出力されることになることを除いては図4と同様の動作を行う。
この第2の実施形態では、前述した第1の実施形態のように、保護動作通知信号Snをアラーム信号となるパルス列信号PSvd、PSoc及びPSohに応じて複数回ローレベルとして、外部の制御装置に保護動作を複数回通知するようにしたものである。
すなわち、第2の実施形態では、図6に示すように、前述した第1の実施形態の図2の構成において、リセット信号形成回路37とRS型RS型フリップフロップ回路36dの反転リセット端子RBとの間に反転入力端子を有するノアゲート41が介挿されている。このノアゲート41の一方の反転入力側にはリセット信号形成回路37から出力されるリセット信号Srが入力され、他方の反転入力側には保護動作通知継続回路42から出力される第2のリセット信号Sr2が入力されている。
そして、ナンドゲート42bから出力される出力信号が第2のリセット信号Sr2としてノアゲート41に供給されている。
この第2の実施形態におけるその他の構成は、前述した第1の実施形態における図2と同様の構成を有し、図2との対応部分には同一符号を付し、その詳細説明はこれを省略する。
今、インバータ2を構成するIGBT11〜16に流れる電流が過電流閾値未満で正常であり、且つIGBT11〜16を形成したチップ内温度が過熱閾値未満で正常であり、さらに各ドライバ回路3U〜3Zに供給するIC電源電圧が低電圧閾値を超えていて正常であるものとする。
このとき、通知信号出力回路36では、アラーム信号出力回路35から出力されるアラーム信号PSjが、図7(d)に示すように、ハイレベルを維持し、論理反転回路36aから出力される反転パルス列信号Siは、図7(f)に示すように、ローレベルを維持している。このとき、RS型フリップフロップ回路36dがリセット状態にあって、その出力端子QBの出力が、図4(h)に示すように、ハイレベルを維持しているものとする。この場合には、ナンドゲート36bから出力される保護動作通知信号Snは、図7(g)に示すように、正常状態を表すハイレベルを維持している。
したがって、ナンドゲート42bから出力される第2のリセット信号Sr2は瞬時にハイレベルに復帰し、ノアゲート41から出力されるリセット信号もハイレベルに復帰する。このハイレベルのリセット信号がRS型フリップフロップ回路36dの反転リセット端子RBに供給されるが、RS型フリップフロップ回路36dはリセット状態を維持する。
その後、RS型フリップフロップ回路36dの出力信号Sfが図7(h)に示すように、ローレベルを維持するので、ナンドゲート36bから出力される保護動作通知信号Snはパルス列信号がハイレベル及びローレベルの反転を繰り返してもハイレベルを維持する。外部の制御装置への保護動作通知が抑制される。
その後、時点t16で反転パルス列信号Siがローレベルに反転すると、これに応じてナンドゲート36bから出力される保護動作通知信号Snもハイレベルに復帰する。この保護動作通知信号Snがハイレベルとなることにより、RS型フリップフロップ回路36dがセットされて、その出力信号Sfがローレベルに反転する。これと同時に、保護動作通知継続回路42の単安定回路42aがトリガされてその出力信号がローレベルに反転し、ナンドゲート42bから出力される第2のリセット信号Sr2がハイレベルとなる。このため、ノアゲート41から出力されるリセット信号もハイレベルに反転する。
また、時点t20で、制御電源38の制御電圧Vcが低電圧閾値Vth1より高い正常な電圧に復帰すると、前述した第1の実施形態と同様に、時点t21で動作信号Smが図7(a)に示すようにハイレベルに反転し、その後時点t22でパルス列信号PSvdがハイレベルとなる。このため、リセット信号形成回路37から出力されるリセット信号Srが図7(c)に示すようにローレベルとなり、ノアゲート41から出力されるリセット信号がローレベルとなることにより、RS型フリップフロップ回路36dがリセットされる。アラーム信号出力回路35からのパルス列信号PSjの受入れ状態に復帰する。
また、上記第1及び第2の実施形態においては、保護動作通知信号Snを、各ドライバ回路3X〜3Zから個別に出力する場合について説明したが、例えば、ドライバ回路3X〜3Zから出力される保護動作通知信号SnをIPM(Intelligent Power Module)内のオアゲートに入力し、オアゲートの出力を保護動作通知信号としてIPMの外部に出力する構成としてもよい。
さらに、上記第1及び第2の実施形態においては、制御電源の低電圧、IGBTの過電流及び過熱を検出する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、上記の3種類の保護動作の内の2種類を検出するようにしてもよく、さらには過電圧等の保護動作を必要とする他の状態を検出する異常検出回路を設けるようにしてもよい。
Claims (7)
- 電力変換装置を構成する半導体素子を個別に駆動する半導体素子の駆動装置であって、
前記半導体素子の保護動作を行うために必要な情報を検出する複数の保護回路と、
前記複数の保護回路毎に異なるパルス幅のパルス信号が設定され、前記複数の保護回路のうち最初に保護動作が必要であることを検出した保護回路に対応するパルス信号を、当該保護動作が必要であることを検出している期間継続してアラーム信号として出力するアラーム信号出力回路と、
該アラーム信号出力回路からアラーム信号が出力されたときに、前記設定されたパルス幅に相当する1パルス分を保護動作通知信号として出力する通知信号出力回路と
を備えたことを特徴とする半導体素子の駆動装置。 - 前記通知信号出力回路は、ナンドゲートとRS型フリップフロップ回路とを備え、前記ナンドゲートの一方の入力側にアラーム信号出力回路のアラーム信号を論理反転回路を介して入力し、当該ナンドゲートの出力を外部出力端子に出力するとともに、論理反転回路を介してRS型フリップフロップ回路の反転セット端子に入力し、前記RS型フリップフロップ回路の反転出力を前記ナンドゲートの他方の入力側に供給することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の駆動装置。
- 前記アラーム信号出力回路は、前記アラーム信号の出力時に前記半導体素子を保護動作させる保護信号を出力するように構成され、該アラーム信号出力回路から出力される前記保護信号が停止され且つ当該半導体素子の動作信号がオン状態であるときに、前記通知信号出力回路のRS型フリップフロップ回路をリセットするリセット回路を備えていることを特徴とする請求項2に記載の半導体素子の駆動装置。
- 前記保護回路は、前記半導体素子の温度を検出する温度検出回路と、前記半導体素子の過電流を検出する過電流検出回路と、制御電圧を検出する制御電圧検出回路とを少なくとも備えていることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の半導体素子の駆動装置。
- 電力変換装置を構成する半導体素子を個別に駆動する半導体素子の駆動装置であって、
前記半導体素子の保護動作を行うために必要な情報を検出する複数の保護回路と、
前記複数の保護回路毎に異なるパルス幅のパルス信号が設定され、前記複数の保護回路のうち最初に保護動作が必要であることを検出した保護回路に対応するパルス信号を、当該保護動作が必要であることを検出している期間継続してアラーム信号として出力するアラーム信号出力回路と、
該アラーム信号出力回路からアラーム信号が出力されたときに、前記設定されたパルス幅に相当する1パルス分を保護動作通知信号として所定間隔を保って複数回出力する通知信号出力回路と
を備えたことを特徴とする半導体素子の駆動装置。 - 前記通知信号出力回路は、ナンドゲートとRS型フリップフロップ回路とを備え、前記ナンドゲートの一方の入力側にアラーム信号出力回路のアラーム信号を論理反転回路を介して入力し、当該ナンドゲートの出力を外部出力端子に出力するとともに、論理反転回路を介してRS型フリップフロップ回路の反転セット端子に入力し、前記RS型フリップフロップ回路の反転出力を前記ナンドゲートの他方の入力側に供給することを特徴とする請求項5に記載の半導体素子の駆動装置。
- 前記アラーム信号出力回路は、前記アラーム信号の出力時に前記半導体素子を保護動作させる保護信号を出力するように構成され、該アラーム信号出力回路から出力される前記保護信号が停止され且つ当該半導体素子の動作信号がオン状態であるときに、前記通知信号出力回路のRS型フリップフロップ回路をリセットするリセット信号形成回路と、所定時間間隔で前記アラーム信号の1パルス分の立ち上がりの直前で当該RS型フリップフロップをリセットする保護動作通知信号継続回路とを備えていることを特徴とする請求項6に記載の半導体素子の駆動装置。
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