JP6394704B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
IPMは、その警報信号出力端子ALMから複数レベルの電圧信号を含む警報信号が出力されるが、その警報信号を上位の制御装置に通知するときには、識別回路が警報信号に含まれるレベルを識別し、予告警報信号および保護動作信号に分離して送出する。
上記については単に本発明の原理を示すものである。さらに、多数の変形、変更が当業者にとって可能であり、本発明は上記に示し、説明した正確な構成および応用例に限定されるものではなく、対応するすべての変形例および均等物は、添付の請求項およびその均等物による本発明の範囲とみなされる。
2 温度検出用ダイオード
10 制御IC
11 ゲート制御回路
12 過電流検出抵抗
13 比較器
14 基準電圧源
15 保護警報出力回路
16 定電流源
17 比較器
18 基準電圧源
19 予告警報回路
20 比較器
21 基準電圧源
22 AND回路
23 NOT回路
24 抵抗
25 ツェナーダイオード
26 プルアップ抵抗
27 プルアップ電圧源
28,29,30 抵抗
31 プルアップ抵抗
32 プルアップ電圧源
33 定電流源
34,35 抵抗
36 NOT回路
38 AND回路
39 D/Aコンバータ
41 制御電源電圧源
42,43 比較器
44,45 NOT回路
46,47 抵抗
48,49 フォトカプラ
48a,49a 発光ダイオード
48b,49b フォトトランジスタ
ALM 警報信号出力端子
GND グランド端子
N1,N2,N3 トランジスタ
OC 過電流検出端子
OH 過熱検出端子
OUT ゲート信号出力端子
P1 トランジスタ
Vcc 制御電源電圧端子
Vin 制御信号入力端子
Claims (6)
- パワー半導体素子と、前記パワー半導体素子を駆動するとともにその異常時に前記パワー半導体素子を保護して警報を出力するように制御する制御ICとを備えた半導体装置において、
前記制御ICは、
前記パワー半導体素子を制御するゲート制御回路と、
前記パワー半導体素子の異常検出時に保護動作信号を前記ゲート制御回路および警報信号出力端子に出力する保護警報出力回路と、
前記パワー半導体素子の異常の前兆を検出し、前記保護動作信号とは異なる電圧レベルの予告警報信号を前記警報信号出力端子に出力する予告警報回路と、
を備え、
前記予告警報回路は、前記パワー半導体素子の異常を検出する閾値とは異なる閾値を有する比較器と、前記保護警報出力回路が出力する第1の信号と前記比較器が出力する第2の信号とから、通常時、予告警報時および保護動作時に対応して異なる電圧レベルの信号を生成して前記警報信号出力端子に出力するマルチレベル生成回路とを有し、
前記マルチレベル生成回路は、前記警報信号出力端子とグランドとの間に接続された抵抗と第1のスイッチ素子との第1の直列回路と、前記警報信号出力端子とグランドとの間に接続されたツェナーダイオードと第2のスイッチ素子との第2の直列回路と、前記第1の信号を論理反転するNOT回路と、前記第2の信号と前記NOT回路の出力信号とを受けるAND回路とを有し、前記第1のスイッチ素子を前記第1の信号によって制御し、前記第2のスイッチ素子を前記AND回路の出力信号によって制御することを特徴とする半導体装置。 - パワー半導体素子と、前記パワー半導体素子を駆動するとともにその異常時に前記パワー半導体素子を保護して警報を出力するように制御する制御ICとを備えた半導体装置において、
前記制御ICは、
前記パワー半導体素子を制御するゲート制御回路と、
前記パワー半導体素子の異常検出時に保護動作信号を前記ゲート制御回路および警報信号出力端子に出力する保護警報出力回路と、
前記パワー半導体素子の異常の前兆を検出し、前記保護動作信号とは異なる電圧レベルの予告警報信号を前記警報信号出力端子に出力する予告警報回路と、
を備え、
前記予告警報回路は、前記パワー半導体素子の異常を検出する閾値とは異なる閾値を有する比較器と、前記保護警報出力回路が出力する第1の信号と前記比較器が出力する第2の信号とから、通常時、予告警報時および保護動作時に対応して異なる電圧レベルの信号を生成して前記警報信号出力端子に出力するマルチレベル生成回路とを有し、
前記マルチレベル生成回路は、前記警報信号出力端子とグランドとの間に接続された第1のスイッチ素子と第1の抵抗と第2の抵抗との直列回路と、前記第1の抵抗または前記第2の抵抗に並列に接続された第2のスイッチ素子とを有し、前記第1のスイッチ素子を前記比較器の出力信号によって制御し、前記第2のスイッチ素子を前記第1の信号によって制御することを特徴とする半導体装置。 - パワー半導体素子と、前記パワー半導体素子を駆動するとともにその異常時に前記パワー半導体素子を保護して警報を出力するように制御する制御ICとを備えた半導体装置において、
前記制御ICは、
前記パワー半導体素子を制御するゲート制御回路と、
前記パワー半導体素子の異常検出時に保護動作信号を前記ゲート制御回路および警報信号出力端子に出力する保護警報出力回路と、
前記パワー半導体素子の異常の前兆を検出し、前記保護動作信号とは異なる電圧レベルの予告警報信号を前記警報信号出力端子に出力する予告警報回路と、
を備え、
前記予告警報回路は、前記パワー半導体素子の異常を検出する閾値とは異なる閾値を有する比較器と、前記保護警報出力回路が出力する第1の信号と前記比較器が出力する第2の信号とから、通常時、予告警報時および保護動作時に対応して異なる電圧レベルの信号を生成して前記警報信号出力端子に出力するマルチレベル生成回路とを有し、
前記マルチレベル生成回路は、制御電源電圧端子とグランドとの間に接続された定電流源と第1の抵抗と第2の抵抗との直列回路と、前記第1の抵抗に並列に接続された第1のスイッチ素子と、前記第2の抵抗に並列に接続された第2のスイッチ素子とを有し、前記定電流源と前記第1の抵抗との接続点を前記警報信号出力端子に接続し、前記第1のスイッチ素子および前記第2のスイッチ素子を前記第1の信号および前記比較器の出力信号によって制御することを特徴とする半導体装置。 - 前記予告警報回路は、前記警報信号出力端子を電位的にプルアップするプルアップ回路を有していることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記制御ICは、前記パワー半導体素子に形成された温度検出用ダイオードが検出するチップ温度の信号を入力して前記パワー半導体素子の過熱異常を検出し、前記予告警報回路が前記パワー半導体素子の過熱異常の前兆を検出することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記制御ICは、前記パワー半導体素子の主電流が流れるメイン素子の電流を検出する電流センス素子が出力する電流信号を入力して前記パワー半導体素子の過電流異常を検出し、前記予告警報回路が前記パワー半導体素子の過電流異常の前兆を検出することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の半導体装置。
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