JPWO2021246241A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 半導体チップと、
   前記半導体チップの少なくとも一方の主面に設けられた電極と、
   前記電極上の表面に接する第１接合用電極と、
   前記第１接合用電極上に設けられた第２接合用電極と、を備え、
   前記電極は、凝集相を含み、前記第１接合用電極側の表面に鍵穴状の凹部を有し、前記凹部の内部に前記第１接合用電極の一部および前記凝集相が存在する、半導体素子。
2. 前記電極はアルニウムまたはアルミニウム合金を含み、
   前記第１接合用電極はニッケルまたはニッケルリンを含み、
   前記第２接合用電極は金を含み、
   請求項１に記載の半導体素子。
3. 前記半導体素子は、表電極と裏電極とを備える表裏導通型の半導体素子であり、
   前記電極は、前記表電極を含む、請求項１または２に記載の半導体素子。
4. 前記電極、前記第１接合用電極および前記第２接合用電極が、前記裏電極上にも設けられている、請求項３に記載の半導体素子。
5. 半導体素子の製造方法であって、
   半導体チップの少なくとも一方の主面に電極を形成する第１工程と、
   前記電極上に第１接合用電極を形成する第２工程と、
   前記第１接合用電極上に第２接合用電極を形成する第３工程と、を備え、
   前記第１工程において、電極の表面に半溶解性の凝集相が析出し、
   前記第２工程において、前記凝集相の少なくとも一部を溶解することにより前記電極の表面に凹部が形成され、該凹部の内部に前記第１接合用電極の一部が形成される、製造方法。
6. 前記電極はアルニウムまたはアルミニウム合金を含み、
   前記第１接合用電極はニッケルまたはニッケルリンを含み、
   前記第２接合用電極は金を含み、
   前記凝集相は電極の主成分とは異なる元素を含む、
   請求項５に記載の製造方法。
7. 前記半導体素子は、表電極と裏電極とを備える表裏導通型の半導体素子であり、
   前記電極は、前記表電極を含む、請求項５または６に記載の製造方法。
8. 前記電極、前記第１接合用電極および前記第２接合用電極が、前記裏電極上にも形成される、請求項７に記載の製造方法。
9. 前記第２工程において、電気化学反応を利用して前記凝集相の少なくとも一部を溶解することにより、前記凹部が形成される、請求項５～８のいずれか１項に記載の製造方法。
10. 前記第２工程において、前記凹部の内部に形成される前記第１接合用電極の内部に前記凝集相が含まれる、請求項５～９のいずれか１項に記載の製造方法。