JPWO2021182157A5 - - Google Patents
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Description
図５に示すように、積層体１２は、キャリアフィルム２６上に、例えば感圧接着剤を介して設けられる。次に、積層体１２の端面導体１８上にレジスト層２８が形成される。そして、側面導体１４は、例えば、銅のターゲットを用いて積層体１２に対してスパッタリング処理を行うことにより、積層体１２の側面１２ａに形成される。この側面導体１４は、積層体１２内の回路（回路導体）から外部への電磁波の放射を防ぐシールドとして機能する。なお、レジスト層２８は、除去してもよいし、そのまま残してもよい。レジスト層２８が残っていても、レジスト層２８は、端面導体１８を介して回路導体１６に対向するので、回路導体１６の高周波特性に影響しない。
このとき、樹脂基材層の面方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向）の熱膨張率との差が厚さ方向（Ｚ軸方向）の熱膨張率との差に比べて小さい熱膨張率を備える金属材料から側面導体１４が作製されている場合、その側面導体１４が剥離しうる。例えば、側面導体１４の金属材料が銅である場合、その熱膨張率は約１７ｐｐｍである。一方、樹脂基材層が液晶ポリマー樹脂から作製されている場合、面方向の熱膨張率は約１６ｐｐｍであって、厚さ方向の熱膨張率は約３００ｐｐｍである。この場合、積層体１２の側面１２ａ近傍の領域で厚さ方向に大きな熱膨張が生じると、側面１２ａが大きく変形し、その側面１２ａ上の側面導体１４が同程度に変形することができずに剥離する可能性がある。また、本実施の形態１の場合、側面導体１４と端面導体１８、２０との間の接続部にクラックが発生する可能性がある。
また、図３に示すように、樹脂多層基板１０における複数の内部導体２４Ａ～２４Ｃは、回路導体１６を伝わる信号に実質的に関与しないダミー導体である。しかしながら、本発明の実施の形態はこれに限らない。
（実施の形態２）
本実施の形態２は、内部導体を除いて、上述の実施の形態１と実質的に同一である。したがって、異なる点を中心に、本実施の形態２について説明する。
本実施の形態２は、内部導体を除いて、上述の実施の形態１と実質的に同一である。したがって、異なる点を中心に、本実施の形態２について説明する。
以上のような本実施の形態２も、上述の実施の形態１と同様に、複数の樹脂基材層を積層して構成され、積層体３１２の側面３１２ａに側面導体３１４が設けられている樹脂多層基板３１０において、樹脂基材層の熱膨張による側面導体３１４の側面３１２ａからの剥離を抑制することができる。
さらに、上述の実施の形態１の場合、図３に示すように、積層体１２内には、回路を構成する回路構成要素として、高周波信号を伝送する回路導体１６が設けられている。しかしながら、本発明の実施の形態において、回路構成要素はこれに限らない。回路構成要素は、例えば、マイクロプロセッサチップ、コンデンサなどであってもよい。本発明の実施の形態における回路構成要素は、ダミー導体である内部導体に対して電気的に接続されない、あるいはグランド導体である内部導体によってグランド電位が付与される回路構成要素であればよい。
Claims (10)
- 複数の樹脂基材層を厚さ方向に積層して形成された積層体と、
前記積層体の側面の少なくとも一部に設けられ、前記樹脂基材層の面方向の熱膨張率との差が前記樹脂基材層の前記厚さ方向の熱膨張率との差に比べて小さい熱膨張率を備える金属材料から作製された側面導体と、
前記積層体内に設けられ、回路を構成する回路構成要素と、
前記側面導体と前記回路構成要素との間に位置して且つ前記厚さ方向視で前記側面導体に沿うように前記積層体における前記複数の樹脂基材層の間に設けられ、前記厚さ方向視で少なくとも部分的に互いにオーバーラップし、ダミー導体またはグランド導体である複数の内部導体と、を有する樹脂多層基板。
- 前記内部導体と前記側面導体との対向方向において、前記内部導体と前記側面導体との間の距離が、前記内部導体のサイズに比べて小さい、請求項１に記載の樹脂多層基板。
- 前記複数の内部導体が、前記面方向に対して平行であって且つ前記厚さ方向の前記積層体の中心を通過する平面を基準として平面対称に配置されている、請求項１または２に記載の樹脂多層基板。
- 前記厚さ方向の前記積層体の両端面の少なくとも一方に設けられて前記側面導体と接続する端面導体を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載の樹脂多層基板。
- 前記複数の内部導体において、前記端面導体に最も近い内部導体の厚さが、他の内部導体の厚さに比べて大きい、請求項４に記載の樹脂多層基板。
- 前記複数の内部導体の厚さの合計が、前記内部導体に対して前記厚さ方向に対向する前記樹脂基材層の部分の厚さの合計に比べて大きい、請求項５に記載の樹脂多層基板。
- 前記積層体が、隣接し合う前記樹脂基材層の間に配置され、フッ素樹脂を含む接着層を備える、請求項１から６のいずれか一項に記載の樹脂多層基板。
- 前記樹脂基材層が、液晶ポリマー樹脂を含む熱可塑性樹脂から作製されている、請求項１から７のいずれか一項に記載の樹脂多層基板。
- 前記回路が高周波回路である、請求項１から８のいずれか一項に記載の樹脂多層基板。
- 前記側面導体が、前記積層体の側面全体にわたって、前記複数の樹脂基材層それぞれに設けられている、請求項１から９のいずれか一項に記載の樹脂多層基板。
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