JPH03129895A - 高周波多層基板 - Google Patents
高周波多層基板Info
- Publication number
- JPH03129895A JPH03129895A JP1268431A JP26843189A JPH03129895A JP H03129895 A JPH03129895 A JP H03129895A JP 1268431 A JP1268431 A JP 1268431A JP 26843189 A JP26843189 A JP 26843189A JP H03129895 A JPH03129895 A JP H03129895A
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- JP
- Japan
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- dielectric layers
- loss
- resonator
- dielectric
- layers
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- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高周波回路の形′成に用いられる高周波多層
基板に関するものである。
基板に関するものである。
従来の技術
高周波回路の形成に用いられる高周波多層基板としては
、ガラス・エポキシ基板を多層化したものが用いられて
おり、例えば１９８９年電子情報通信学会春季全国大会
Ｃ−６８６に記載されている構成が知られている。
、ガラス・エポキシ基板を多層化したものが用いられて
おり、例えば１９８９年電子情報通信学会春季全国大会
Ｃ−６８６に記載されている構成が知られている。
以下第３図を参照して、従来の高周波多層基板について
説明する。なお、以下の説明では誘電体層４層、導体層
５層のものである。
説明する。なお、以下の説明では誘電体層４層、導体層
５層のものである。
第３図において、１．２は上下面回路パターン用導体層
、３は高周波回路用内導体層、４，５は接地導体用導体
層、６は基板側面からの電磁波漏洩を抑圧し、シールド
効果を高めるための側面導体層、７〜１０は誘電体層で
ある。なお、誘電体層９．１０は誘電体層７，８に比べ
低損失化を図るため誘電体厚を厚くしている。
、３は高周波回路用内導体層、４，５は接地導体用導体
層、６は基板側面からの電磁波漏洩を抑圧し、シールド
効果を高めるための側面導体層、７〜１０は誘電体層で
ある。なお、誘電体層９．１０は誘電体層７，８に比べ
低損失化を図るため誘電体厚を厚くしている。
このような高周波多層基板を用いると、基板の上下面に
部品を実装し、誘電体間の内導体層に共振器などの高周
波回路素子あるいは遮蔽効果を得るため接地層を構成す
ることができ、高周波回路の小形化に寄与する。
部品を実装し、誘電体間の内導体層に共振器などの高周
波回路素子あるいは遮蔽効果を得るため接地層を構成す
ることができ、高周波回路の小形化に寄与する。
発明が解決しようとする課題
しかし、以上のような構成では、低損失化を図るために
は損失が少ない誘電体基板を用い、接地導体間隔を太き
（取るなどの工夫がされるが、狭帯域フィルタを構成す
るなど高い無負荷Ｑが要求される場合には不十分であっ
た。
は損失が少ない誘電体基板を用い、接地導体間隔を太き
（取るなどの工夫がされるが、狭帯域フィルタを構成す
るなど高い無負荷Ｑが要求される場合には不十分であっ
た。
本発明は、従来技術の以上のような課題を解決するもの
で、無負荷Ｑが高い共振器を実現するのに必要な薄型で
低損失な高周波多層基板を提供することを目的とするも
のである。
で、無負荷Ｑが高い共振器を実現するのに必要な薄型で
低損失な高周波多層基板を提供することを目的とするも
のである。
課題を解決するだめの手段
本発明は、誘電体層が三層以上、導電体層が四層以上の
高周波多層基板にあって、低損失が不必要な部分は誘電
体層を可能な限り薄（し、低損失が必要な部分は、誘電
体層厚くすると同時に、誘電体間の内導体層に形成した
共振器に鱗するどちらか一方の誘電体層を除去し空隙を
設けることで、高周波多層基板の薄型化、低損失化とい
う目的を達成するものである。
高周波多層基板にあって、低損失が不必要な部分は誘電
体層を可能な限り薄（し、低損失が必要な部分は、誘電
体層厚くすると同時に、誘電体間の内導体層に形成した
共振器に鱗するどちらか一方の誘電体層を除去し空隙を
設けることで、高周波多層基板の薄型化、低損失化とい
う目的を達成するものである。
作用
本発明は、高周波回路を低損失が要求される部分と必要
のない部分に分け、低損失が不必要な部分は誘電体層を
可能な限り薄くし、低損失が必要な部分は誘電体層厚を
厚くすると同時に、誘電体層の誘電体損失の影響を受け
る平衡形ストリップ線帖構成ではな（、共振器層に接す
るどちらか一方の誘電体層を除去し空隙を設けたマイク
ロストリップ線路構成とすることで、薄型化、低損失化
を図っている。
のない部分に分け、低損失が不必要な部分は誘電体層を
可能な限り薄くし、低損失が必要な部分は誘電体層厚を
厚くすると同時に、誘電体層の誘電体損失の影響を受け
る平衡形ストリップ線帖構成ではな（、共振器層に接す
るどちらか一方の誘電体層を除去し空隙を設けたマイク
ロストリップ線路構成とすることで、薄型化、低損失化
を図っている。
実施例
以下、図面を参照しながら本発明の第１の実施例につい
て説明する。
て説明する。
第１図は本発明の第１の実施例における高周波多層基板
の断面を示すものである。なお、本実施例も第３図と同
様に誘電体層４層、導体層５層のものである。第１図に
おいて、１１．１２は上下面回路パターン用導体層、１
３は高周波回路用内導体層、１４、１５は接地導体用導
体層、１６は基板側面からの電磁波漏洩を抑圧し、シー
ルド効果を高めるための側面導体層、１７〜２０は誘電
体層である。
の断面を示すものである。なお、本実施例も第３図と同
様に誘電体層４層、導体層５層のものである。第１図に
おいて、１１．１２は上下面回路パターン用導体層、１
３は高周波回路用内導体層、１４、１５は接地導体用導
体層、１６は基板側面からの電磁波漏洩を抑圧し、シー
ルド効果を高めるための側面導体層、１７〜２０は誘電
体層である。
以上のような構成において、以下その作用について説明
する。誘電体層１９．２０は誘電体層１７．１８に比べ
低損失化を図るため誘電体厚を厚（すると同時に、無負
荷Ｑの高い共振器が要求される箇所は誘電体層を一部除
去し、マイクロストリップ構造とすることで更に低損失
化を図っている。即ち、本実施例では、高周波回路を低
損失が要求される部分と必要のない部分に分け、低損失
が不必要な部分は誘電体層を可能な限り薄くし、低損失
が必要な部分は、誘電体層の誘電体損失の影響を受ける
平衡形ストリップ線路構成ではなく、誘電体厚を厚くす
ると同時に、共振器層に接するどちらか一方の誘電体層
を除去し空隙を設けたマイクロストリップ線路構成とす
ることで、薄型化、低損失化を図っている。
する。誘電体層１９．２０は誘電体層１７．１８に比べ
低損失化を図るため誘電体厚を厚（すると同時に、無負
荷Ｑの高い共振器が要求される箇所は誘電体層を一部除
去し、マイクロストリップ構造とすることで更に低損失
化を図っている。即ち、本実施例では、高周波回路を低
損失が要求される部分と必要のない部分に分け、低損失
が不必要な部分は誘電体層を可能な限り薄くし、低損失
が必要な部分は、誘電体層の誘電体損失の影響を受ける
平衡形ストリップ線路構成ではなく、誘電体厚を厚くす
ると同時に、共振器層に接するどちらか一方の誘電体層
を除去し空隙を設けたマイクロストリップ線路構成とす
ることで、薄型化、低損失化を図っている。
以上の説明から明らかなように、本実施例によれば、誘
電体層の誘電体損失の影響を受ける平衡形ス） ＩＪツ
ブ線路構成ではなく、誘電体厚を厚くすると同時に、共
振器層に接するどちらか一方の誘電体層を除去し空隙を
設けたマイクロス） ＩＪツブ線路構成とすることで、
高周波回路多層基板の低損失化を促進し、狭帯域フィル
タを構成するなど高い無負荷Ｑが要求される場合にも対
応可能となる。
電体層の誘電体損失の影響を受ける平衡形ス） ＩＪツ
ブ線路構成ではなく、誘電体厚を厚くすると同時に、共
振器層に接するどちらか一方の誘電体層を除去し空隙を
設けたマイクロス） ＩＪツブ線路構成とすることで、
高周波回路多層基板の低損失化を促進し、狭帯域フィル
タを構成するなど高い無負荷Ｑが要求される場合にも対
応可能となる。
次に本発明の第２の実施例について説明する。
第２図は本発明の第２の実施例における高周波多層基板
の断面を示すものである。第２図において、第１図の構
成と異なる点は、誘電体層を三層、導体層を四層とした
点である。第２図において、２１は上面の回路パターン
用導体層、２２は高周波回路用導体層、２３．２４は接
地導体用導体層、２５は基板側面からの電磁波漏洩を抑
圧し、シールド効果を高めるための側面導体層、２６〜
２８は誘電体層である。
の断面を示すものである。第２図において、第１図の構
成と異なる点は、誘電体層を三層、導体層を四層とした
点である。第２図において、２１は上面の回路パターン
用導体層、２２は高周波回路用導体層、２３．２４は接
地導体用導体層、２５は基板側面からの電磁波漏洩を抑
圧し、シールド効果を高めるための側面導体層、２６〜
２８は誘電体層である。
上記構成において、以下その作用について説明する。第
１図と同様に、誘電体層２７．２８は誘電体層２６に比
べ低損失化を図るため誘電体厚を厚（すると同時に、無
負荷Ｑの高い共振器が要求される箇所は誘電体層を一部
除去し、マイクロストリップ構造とすることで更に低損
失化を図っている。
１図と同様に、誘電体層２７．２８は誘電体層２６に比
べ低損失化を図るため誘電体厚を厚（すると同時に、無
負荷Ｑの高い共振器が要求される箇所は誘電体層を一部
除去し、マイクロストリップ構造とすることで更に低損
失化を図っている。
更に、表面から、内層に作成した共振器の周波数調整な
どが容易に行えるように下面の部品実装用の層を除いて
いる。
どが容易に行えるように下面の部品実装用の層を除いて
いる。
以上本実施例によれば、無負荷Ｑの高い共振器が要求さ
れる箇所は、誘電体厚を厚くすると同時に誘電体層を一
部除去し、マイクロストリップ構成とすることで更に低
損失化を図っていることは第１図のものと同じであるが
、下面の部品実装用の層を除（ことで、内層に作成した
共振器の周波数調整などが容易になる。
れる箇所は、誘電体厚を厚くすると同時に誘電体層を一
部除去し、マイクロストリップ構成とすることで更に低
損失化を図っていることは第１図のものと同じであるが
、下面の部品実装用の層を除（ことで、内層に作成した
共振器の周波数調整などが容易になる。
なお、本実施例では低損失化を促進するために、共振器
を形成した内導体層に接する誘電体層が厚く、マイクロ
ストリップ構成とするものについて述べたが、マイクロ
ストリップ構成とすることで平衡形ストリップ線路構成
に比べ、無負荷Ｑを向上することができるので、必要と
する無負荷Ｑが同じならば、その分、薄型化が可能であ
ることは言うまでもない。
を形成した内導体層に接する誘電体層が厚く、マイクロ
ストリップ構成とするものについて述べたが、マイクロ
ストリップ構成とすることで平衡形ストリップ線路構成
に比べ、無負荷Ｑを向上することができるので、必要と
する無負荷Ｑが同じならば、その分、薄型化が可能であ
ることは言うまでもない。
発明の効果
以上のように本発明は、高周波回路を低損失が要求され
る部分と必要のない部分に分け、低損失が不必要な部分
は誘電体層を可能な限り薄くし、低損失が必要な部分は
、誘電体厚を厚くすると同時に、誘電体損失の影響を受
ける平衡形ストリップ線路構成ではな（、共振器層に接
するどちらか一方の誘電体層を除去し空隙を設けたマイ
クロストリップ線路構成とすることで、狭帯域フィルタ
を構成する場合など必要となる無負荷Ｑの高い共振器が
実現可能な、薄型で、低損失な高周波多層基板が実現で
き、その工業的効果は大きい。
る部分と必要のない部分に分け、低損失が不必要な部分
は誘電体層を可能な限り薄くし、低損失が必要な部分は
、誘電体厚を厚くすると同時に、誘電体損失の影響を受
ける平衡形ストリップ線路構成ではな（、共振器層に接
するどちらか一方の誘電体層を除去し空隙を設けたマイ
クロストリップ線路構成とすることで、狭帯域フィルタ
を構成する場合など必要となる無負荷Ｑの高い共振器が
実現可能な、薄型で、低損失な高周波多層基板が実現で
き、その工業的効果は大きい。
第１図は本発明の第１の実施例における高周波多層基板
の断面図、第２図は本発明の第２の実施例における高周
波多層基板の断面図、第３図は従来の高周波多層基板の
断面図である。 １１、１２・・・上下面回路パターン用導体層、２１・
・・上面の回路パターン用導体層、１３．２２・・・高
周波回路用内導体層、１４．１５．２３．２４・・・接
地導体用導体層、１６、２５・・・基板側面からの電磁
波漏洩を抑圧し、シールド効果を高めるだめの側面導体
層、１７〜２０゜２６〜２８・・・誘電体層。
の断面図、第２図は本発明の第２の実施例における高周
波多層基板の断面図、第３図は従来の高周波多層基板の
断面図である。 １１、１２・・・上下面回路パターン用導体層、２１・
・・上面の回路パターン用導体層、１３．２２・・・高
周波回路用内導体層、１４．１５．２３．２４・・・接
地導体用導体層、１６、２５・・・基板側面からの電磁
波漏洩を抑圧し、シールド効果を高めるだめの側面導体
層、１７〜２０゜２６〜２８・・・誘電体層。
Claims (2)
- （１）誘電体層を三層以上、導電体層を四層以上設け、
誘電体間の内導体層に共振器を形成し、その共振器に接
するどちらか一方の誘電体層を除去し空隙を設け、マイ
クロストリップ線路構成としたことを特徴とする高周波
多層基板。 - （２）共振器を形成した内導体層に接する誘電体層厚が
他の誘電体層に比べ厚いことを特徴とする請求項１記載
の高周波多層基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1268431A JPH03129895A (ja) | 1989-10-16 | 1989-10-16 | 高周波多層基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1268431A JPH03129895A (ja) | 1989-10-16 | 1989-10-16 | 高周波多層基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03129895A true JPH03129895A (ja) | 1991-06-03 |
Family
ID=17458397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1268431A Pending JPH03129895A (ja) | 1989-10-16 | 1989-10-16 | 高周波多層基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03129895A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5432485A (en) * | 1993-07-23 | 1995-07-11 | Nec Corporation | Circuit for crossing strip lines |
| KR100505500B1 (ko) * | 2000-08-30 | 2005-07-29 | 엘지전자 주식회사 | 유전체 손실을 줄여 위상잡음 특성을 개선한 저가형발진장치 |
| KR100613649B1 (ko) * | 2004-03-23 | 2006-08-21 | 쌍신전자통신주식회사 | 광대역 체적탄성파 여파기 모듈 |
| KR100614110B1 (ko) * | 2004-03-23 | 2006-08-22 | 쌍신전자통신주식회사 | 저지대역 특성을 개선한 체적탄성파 여파기 모듈 |
| JP2008153111A (ja) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Hissho Go | 樹脂電池缶の安全構造 |
| JP2009200986A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Murata Mfg Co Ltd | ストリップラインフィルタ |
| JP2016194598A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-17 | 住友大阪セメント株式会社 | 光変調器 |
| CN108401385A (zh) * | 2018-03-16 | 2018-08-14 | 生益电子股份有限公司 | 一种侧壁非金属化的阶梯槽的制作方法及pcb |
| JPWO2021182157A1 (ja) * | 2020-03-11 | 2021-09-16 |
-
1989
- 1989-10-16 JP JP1268431A patent/JPH03129895A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5432485A (en) * | 1993-07-23 | 1995-07-11 | Nec Corporation | Circuit for crossing strip lines |
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| CN108401385A (zh) * | 2018-03-16 | 2018-08-14 | 生益电子股份有限公司 | 一种侧壁非金属化的阶梯槽的制作方法及pcb |
| CN108401385B (zh) * | 2018-03-16 | 2020-01-17 | 生益电子股份有限公司 | 一种侧壁非金属化的阶梯槽的制作方法 |
| JPWO2021182157A1 (ja) * | 2020-03-11 | 2021-09-16 |
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