JPWO2021100747A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JPWO2021100747A5
JPWO2021100747A5 JP2021558417A JP2021558417A JPWO2021100747A5 JP WO2021100747 A5 JPWO2021100747 A5 JP WO2021100747A5 JP 2021558417 A JP2021558417 A JP 2021558417A JP 2021558417 A JP2021558417 A JP 2021558417A JP WO2021100747 A5 JPWO2021100747 A5 JP WO2021100747A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
power
conductor layer
power conversion
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2021558417A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP7170908B2 (ja
JPWO2021100747A1 (https=
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/JP2020/042948 external-priority patent/WO2021100747A1/ja
Publication of JPWO2021100747A1 publication Critical patent/JPWO2021100747A1/ja
Publication of JPWO2021100747A5 publication Critical patent/JPWO2021100747A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7170908B2 publication Critical patent/JP7170908B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2021558417A 2019-11-20 2020-11-18 電力用半導体装置およびその製造方法、ならびに電力変換装置 Active JP7170908B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019209605 2019-11-20
JP2019209605 2019-11-20
PCT/JP2020/042948 WO2021100747A1 (ja) 2019-11-20 2020-11-18 電力用半導体装置およびその製造方法、ならびに電力変換装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JPWO2021100747A1 JPWO2021100747A1 (https=) 2021-05-27
JPWO2021100747A5 true JPWO2021100747A5 (https=) 2022-06-29
JP7170908B2 JP7170908B2 (ja) 2022-11-14

Family

ID=75980525

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021558417A Active JP7170908B2 (ja) 2019-11-20 2020-11-18 電力用半導体装置およびその製造方法、ならびに電力変換装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US12125758B2 (https=)
JP (1) JP7170908B2 (https=)
CN (1) CN114730758B (https=)
WO (1) WO2021100747A1 (https=)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2576524B (en) * 2018-08-22 2022-08-03 Pragmatic Printing Ltd Profiled Thermode

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5245485B2 (ja) 2008-03-25 2013-07-24 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法
EP2833405A4 (en) * 2012-03-28 2016-01-13 Fuji Electric Co Ltd SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
DE112014002405T5 (de) * 2013-05-16 2016-05-19 Fuji Electric Co., Ltd Halbleitervorrichtung
JP6206494B2 (ja) * 2013-06-19 2017-10-04 富士電機株式会社 半導体装置
JP6054345B2 (ja) 2014-07-28 2016-12-27 株式会社オクテック 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2017054855A (ja) * 2015-09-07 2017-03-16 株式会社東芝 半導体装置、及び半導体パッケージ
JP6697944B2 (ja) * 2016-04-27 2020-05-27 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
CN109196637B (zh) * 2016-06-01 2022-02-18 三菱电机株式会社 半导体装置
JP6907670B2 (ja) * 2017-04-17 2021-07-21 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP7033889B2 (ja) * 2017-11-10 2022-03-11 三菱電機株式会社 電力用半導体装置、電力用半導体装置の製造方法および電力変換装置
JP7042651B2 (ja) * 2018-02-28 2022-03-28 三菱電機株式会社 電力用半導体装置および電力変換装置
WO2020039986A1 (ja) 2018-08-21 2020-02-27 三菱電機株式会社 電力用半導体装置およびその製造方法、ならびに電力変換装置
CN109219233B (zh) * 2018-09-04 2021-01-22 合肥巨一动力系统有限公司 Pcb板与igbt模块压接结构及压接方法
JP7279324B2 (ja) * 2018-09-14 2023-05-23 富士電機株式会社 半導体モジュール

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9406592B2 (en) Conductor strip with contact areas having cutouts
ATE439683T1 (de) Schaltungsanordnung mit verbindungseinrichtung sowie herstellungsverfahren hierzu
US10319610B2 (en) Package carrier
JP4804751B2 (ja) 電気回路またはモジュール用の金属セラミック基板と、そのような基板およびそのような基板を含むモジュールを製作する方法
CN103828079A (zh) 承载设备、具有承载设备的电气设备和其制造方法
JPH11163207A5 (https=)
KR20190016323A (ko) 파워 모듈 및 그 파워 모듈을 포함하는 전력 변환 시스템
TW201731037A (zh) 半導體封裝件及其製造方法
JP5291872B2 (ja) 絶縁中間層を備えたパワー半導体モジュールの製造方法
JPWO2021100747A5 (https=)
TW200723474A (en) High thermal conducting circuit substrate and manufacturing process thereof
JP5415525B2 (ja) 電気的なボンディング接続構造
WO2021029416A1 (ja) プリント基板
JP3914458B2 (ja) 放熱板を有する回路基板の製造法
TWI785651B (zh) 封裝結構及其製造方法、電路板及其製造方法
EP1791176A4 (en) INSULATION SUBSTRATE, POWER MODULE SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD AND POWER MODULE THEREWITH
TWI827099B (zh) 印刷電路板與其製作方法
TWI748852B (zh) 電路板結構及其製作方法
JP4622646B2 (ja) 半導体装置
JP2002329822A (ja) 複合要素を有する金属基板
TW201012329A (en) Circuit substrate formation method with heat dissipation metal layer
JP2010062412A (ja) 電子部品
JP2007043098A (ja) パワー半導体モジュール
JP3841672B2 (ja) 両面可撓性回路基板の製造法
US7592203B2 (en) Method of manufacturing an electronic protection device