JPWO2020172454A5 - - Google Patents

Description

［関連出願］
本出願は、２０２０年２月２０日に出願されたＰＣＴ／ＵＳ２０２０／０１９０９７の国内段階移行出願であり、2019年2月20日に出願された米国仮出願第62/808,646号に基づく優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。

Claims (20)

1. 半導体デバイス構造から材料を除去するためのシステムであって、
   前記半導体デバイス構造を受け容れるように構成された処理チャンバであって、前記半導体デバイス構造が前記処理チャンバ内でエッチング液に曝露されることにより、前記構造の一部分が除去されるとともに、副生成物が生成して前記エッチング液に入る、処理チャンバと、
   前記副生成物を沈殿物に変換し、該沈殿物を除去することにより、前記副生成物を連続的に除去するように構成された、副生成物除去部と、
   前記副生成物が除去された後の前記エッチング液を前記処理チャンバ内に再導入する、循環ラインと
   を備えることを特徴とする、システム。
2. 前記副生成物除去部が、沈殿促進剤供給部を備える、請求項１に記載のシステム。
3. 前記沈殿促進剤供給部がフィルタを備え、
   前記フィルタは、前記沈殿物を除去するように構成されている、請求項２に記載のシステム。
4. 前記副生成物除去部が、前記フィルタの上流側に設けられた沈殿チャンバをさらに備え、
   前記沈殿促進剤供給部は、前記沈殿チャンバに前記沈殿促進剤を供給するように構成されている、請求項３に記載のシステム。
5. エッチング液処理部をさらに含み、
   前記エッチング液処理部は、前記エッチング液を調製するように構成されている、請求項１に記載のシステム。
6. 前記エッチング液処理部が、前記エッチング液を貯留するように構成されている、請求項５に記載のシステム。
7. 前記エッチング液処理部が、化学薬剤を供給する化学薬剤供給部を備える、請求項５に記載のシステム。
8. 前記エッチング液処理部が、前記化学薬剤を混合して貯留するための空洞を含む、請求項５に記載のシステム。
9. 半導体デバイス構造から材料を除去するための方法であって、該方法は、
   エッチング液を処理チャンバ内に導入することにより、前記半導体デバイス構造の一部を除去し、副生成物を生成することと、
   前記副生成物を沈殿に変換することと、
   前記沈殿を除去することにより、前記副生成物を連続的に除去することと、
   を含むことを特徴とする、方法。
10. 前記副生成物を前記沈殿物に変換することが、前記エッチング液に沈殿促進剤を供給することを含む、請求項９に記載の方法。
11. 前記沈殿物を除去することが、前記沈殿物を濾別することを含む、請求項９に記載の方法。
12. 前記エッチング液がリン酸含有溶液を含む、請求項１０に記載の方法。
13. 前記一部が窒化ケイ素を含む、請求項１０に記載の方法。
14. 前記沈殿促進剤が、フッ化水素、水、アミノ酸、アミン、及び、Ｃａ又はＭｇを含有する無機塩、からなる群から選ばれる１種以上を含む、請求項１０に記載の方法。
15. 前記沈殿促進剤が、固体構造を含み、該固体構造上に前記副生成物が沈殿する、請求項１０に記載の方法。
16. 半導体デバイス構造から材料を除去するための方法であって、該方法は、
    半導体デバイス構造を、前記材料に対して正のエッチング選択性を示す溶液に曝露することと、
    前記溶液が酸化ケイ素に対して負のエッチング選択性を示すやり方で、半導体デバイス構造から前記材料を化学的に除去することと
    を含むことを特徴とする、方法。
17. 前記材料が窒化ケイ素を含む、請求項１６に記載の方法。
18. 前記窒化ケイ素を副生成物に変換することをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
19. 前記副生成物を沈殿物に変換することをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
20. 前記溶液から前記沈殿物を除去することをさらに含む、請求項１９に記載の方法。