JPWO2020137652A1 - 基板液処理装置及び基板液処理方法 - Google Patents

Abstract

基板にめっき液を供給する基板液処理装置は、基板を保持する基板保持部と、めっき液を第１流路に送り出すめっき液送出部と、第１流路を介してめっき液送出部に接続され、第１流路を介して供給される流体の温度を調整する温調部と、めっき液とは異なる押出流体を第１流路に送り出す押出流体送出部と、第２流路を介して温調部に接続され、第２流路を介して供給される流体を吐出する吐出部と、を備える。

Description

本開示は、基板液処理装置及び基板液処理方法に関する。

基板のめっき処理において、めっき液の反応性向上のために、昇温されためっき液が基板に供給されることがある（特許文献１参照）。

そのようなめっき液の温度調整には熱交換器を好適に用いることができる。例えば特許文献２が開示する装置では、熱交換器においてめっき液の温度が調整される。温度調整後のめっき液は、熱交換器に新たに供給されるめっき液により熱交換器から押し出されてノズルに送られ、ノズルから基板に向けて吐出される。一方、熱交換器に新たに供給されためっき液は、熱交換器によって温度が調整され、温度調整後に同様にして熱交換器からノズルに送られて吐出され、めっき処理に供される。

このようにしてめっき液の温度調整を行う場合、めっき液は、ノズルから吐出されるまでの間、熱交換器において高温状態で保持される。一方、ノズルから吐出される前のめっき液を長時間にわたって高温状態に置くことは、めっき成分が析出する等の意図していない不具合をもたらしうる。そのため、めっき液の吐出前に熱交換器等の温調部においてめっき液が高温状態で保持される時間を短くすることは、めっき液の質の低下を抑え、ひいてはめっき処理の質の向上に寄与する。

特開２０１８−３０９７号公報 国際公開第２０１２／０４９９１３号

本開示は、めっき液の質の低下を抑えつつ、温度調整されためっき液を基板に供給するのに有利な技術を提供する。

本開示の一態様による基板にめっき液を供給する基板液処理装置は、基板を保持する基板保持部と、めっき液を第１流路に送り出すめっき液送出部と、第１流路を介してめっき液送出部に接続され、第１流路を介して供給される流体の温度を調整する温調部と、めっき液とは異なる押出流体を第１流路に送り出す押出流体送出部と、第２流路を介して温調部に接続され、第２流路を介して供給される流体を吐出する吐出部と、を備える。

本開示によれば、めっき液の質の低下を抑えつつ、温度調整されためっき液を基板に供給するのに有利である。

図１は、基板液処理装置の一例としてのめっき処理装置の構成を示す概略図である。 図２は、めっき処理部の構成を示す概略断面図である。 図３は、めっき液供給部の構成例を示すブロック図である。 図４は、めっき処理方法の一例を示すフローチャートである。 図５Ａは、めっき液の吐出フローを例示するためのめっき液供給部の概略図である。 図５Ｂは、めっき液の吐出フローを例示するためのめっき液供給部の概略図である。 図５Ｃは、めっき液の吐出フローを例示するためのめっき液供給部の概略図である。 図５Ｄは、めっき液の吐出フローを例示するためのめっき液供給部の概略図である。

まず、図１を参照して、基板液処理装置の構成を説明する。図１は、基板液処理装置の一例としてのめっき処理装置の構成を示す概略図である。ここで、めっき処理装置は、基板Ｗにめっき液Ｌ１（処理液）を供給して基板Ｗをめっき処理（液処理）する装置である。

図１に示すように、めっき処理装置１は、めっき処理ユニット２と、めっき処理ユニット２の動作を制御する制御部３と、を備えている。

めっき処理ユニット２は、基板Ｗ（ウエハ）に対する各種処理を行う。めっき処理ユニット２が行う各種処理については後述する。

制御部３は、例えばコンピュータであり、動作制御部と記憶部とを有している。動作制御部は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）で構成されており、記憶部に記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、めっき処理ユニット２の動作を制御する。記憶部は、例えばＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ハードディスク等の記憶デバイスで構成されており、めっき処理ユニット２において実行される各種処理を制御するプログラムを記憶する。なお、プログラムは、コンピュータにより読み取り可能な記録媒体３１に記録されたものであってもよいし、その記録媒体３１から記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータにより読み取り可能な記録媒体３１としては、例えば、ハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカード等が挙げられる。記録媒体３１には、例えば、めっき処理装置１の動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、コンピュータがめっき処理装置１を制御して後述するめっき処理方法を実行させるプログラムが記録される。

めっき処理ユニット２は、搬入出ステーション２１と、搬入出ステーション２１に隣接して設けられた処理ステーション２２と、を有している。

搬入出ステーション２１は、載置部２１１と、載置部２１１に隣接して設けられた搬送部２１２と、を含んでいる。

載置部２１１には、複数枚の基板Ｗを水平状態で収容する複数の搬送容器（以下「キャリアＣ」という。）が載置される。

搬送部２１２は、搬送機構２１３と受渡部２１４とを含んでいる。搬送機構２１３は、基板Ｗを保持する保持機構を含み、水平方向及び鉛直方向への移動並びに鉛直軸を中心とする旋回が可能となるように構成されている。

処理ステーション２２は、めっき処理部５を含んでいる。本実施の形態において、処理ステーション２２が有するめっき処理部５の個数は２つ以上であるが、１つであってもよい。めっき処理部５は、所定方向に延在する搬送路２２１の両側（後述する搬送機構２２２の移動方向に直交する方向における両側）に配列されている。

搬送路２２１には、搬送機構２２２が設けられている。搬送機構２２２は、基板Ｗを保持する保持機構を含み、水平方向及び鉛直方向への移動並びに鉛直軸を中心とする旋回が可能となるように構成されている。

めっき処理ユニット２において、搬入出ステーション２１の搬送機構２１３は、キャリアＣと受渡部２１４との間で基板Ｗの搬送を行う。具体的には、搬送機構２１３は、載置部２１１に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを受渡部２１４に載置する。また、搬送機構２１３は、処理ステーション２２の搬送機構２２２により受渡部２１４に載置された基板Ｗを取り出し、載置部２１１のキャリアＣへ収容する。

めっき処理ユニット２において、処理ステーション２２の搬送機構２２２は、受渡部２１４とめっき処理部５との間、めっき処理部５と受渡部２１４との間で基板Ｗの搬送を行う。具体的には、搬送機構２２２は、受渡部２１４に載置された基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗをめっき処理部５へ搬入する。また、搬送機構２２２は、めっき処理部５から基板Ｗを取り出し、取り出した基板Ｗを受渡部２１４に載置する。

次に図２を参照して、めっき処理部５の構成を説明する。図２は、めっき処理部５の構成を示す概略断面図である。

めっき処理部５は、無電解めっき処理を含む液処理を行う。めっき処理部５は、チャンバ５１と、チャンバ５１内に配置され基板Ｗを水平に保持する基板保持部５２と、基板保持部５２により保持されている基板Ｗの処理面（上面）Ｓｗにめっき液Ｌ１を供給するめっき液供給部５３とを備える。本実施の形態では、基板保持部５２は、基板Ｗの下面（裏面）を真空吸着するチャック部材５２１を有する。この基板保持部５２はいわゆるバキュームチャックタイプであるが、基板保持部５２はこれに限られず、例えばチャック機構等によって基板Ｗの外縁部を把持するメカニカルチャックタイプであってもよい。

基板保持部５２には、回転シャフト５２２を介して回転モータ５２３（回転駆動部）が連結されている。回転モータ５２３が駆動されると、基板保持部５２は基板Ｗとともに回転する。回転モータ５２３はチャンバ５１に固定されたベース５２４に支持されている。

めっき液供給部５３は、基板保持部５２に保持された基板Ｗにめっき液Ｌ１を吐出（供給）するめっき液ノズル５３１と、めっき液ノズル５３１にめっき液Ｌ１を供給するめっき液供給源５３２と、を有する。めっき液供給源５３２は、所定の温度に加熱ないし温調されためっき液Ｌ１をめっき液ノズル５３１に供給する。めっき液ノズル５３１から吐出されるときのめっき液Ｌ１の温度は、例えば５５℃以上７５℃以下であり、より好ましくは６０℃以上７０℃以下である。めっき液ノズル５３１は、ノズルアーム５６に保持されて、移動可能に構成されている。

なお図２では図示が省略されているが、本実施の形態のめっき液供給部５３は、めっき液供給源５３２から洗浄液ノズル５４１に送られるめっき液Ｌ１の温度を調整する温調部（図３の符号「１２」参照）や、その他のデバイスを具備する。本実施の形態のめっき液供給部５３の具体的な構成例は、後述される。

めっき液Ｌ１は、自己触媒型（還元型）無電解めっき用のめっき液である。めっき液Ｌ１は、例えば、コバルト（Ｃｏ）イオン、ニッケル（Ｎｉ）イオン、タングステン（Ｗ）イオン、銅（Ｃｕ）イオン、パラジウム（Ｐｄ）イオン、金（Ａｕ）イオン等の金属イオンと、次亜リン酸、ジメチルアミンボラン等の還元剤とを含有する。めっき液Ｌ１は、添加剤等を含有していてもよい。めっき液Ｌ１を使用しためっき処理により形成されるめっき膜（金属膜）としては、例えば、ＣｏＷＢ、ＣｏＢ、ＣｏＷＰ、ＣｏＷＢＰ、ＮｉＷＢ、ＮｉＢ、ＮｉＷＰ、ＮｉＷＢＰ等が挙げられる。

本実施の形態によるめっき処理部５は、他の処理液供給部として、基板保持部５２に保持された基板Ｗの処理面Ｓｗに洗浄液Ｌ２を供給する洗浄液供給部５４と、当該基板Ｗの処理面Ｓｗにリンス液Ｌ３を供給するリンス液供給部５５と、を更に備える。

洗浄液供給部５４は、基板保持部５２に保持された基板Ｗに洗浄液Ｌ２を吐出する洗浄液ノズル５４１と、洗浄液ノズル５４１に洗浄液Ｌ２を供給する洗浄液供給源５４２と、を有する。洗浄液Ｌ２としては、例えば、ギ酸、リンゴ酸、コハク酸、クエン酸、マロン酸等の有機酸、基板Ｗの被めっき面を腐食させない程度の濃度に希釈されたフッ化水素酸（ＤＨＦ）（フッ化水素の水溶液）等を使用することができる。洗浄液ノズル５４１は、ノズルアーム５６に保持されて、めっき液ノズル５３１とともに移動可能になっている。

リンス液供給部５５は、基板保持部５２に保持された基板Ｗにリンス液Ｌ３を吐出するリンス液ノズル５５１と、リンス液ノズル５５１にリンス液Ｌ３を供給するリンス液供給源５５２と、を有する。このうちリンス液ノズル５５１は、ノズルアーム５６に保持されて、めっき液ノズル５３１及び洗浄液ノズル５４１とともに移動可能になっている。リンス液Ｌ３としては、例えば、純水などを使用することができる。

上述しためっき液ノズル５３１、洗浄液ノズル５４１、及びリンス液ノズル５５１を保持するノズルアーム５６に、図示しないノズル移動機構が連結されている。このノズル移動機構は、ノズルアーム５６を水平方向及び上下方向に移動させる。より具体的には、ノズル移動機構によって、ノズルアーム５６は、基板Ｗに処理液（めっき液Ｌ１、洗浄液Ｌ２又はリンス液Ｌ３）を吐出する吐出位置と、吐出位置から退避した退避位置との間で移動可能になっている。吐出位置は、基板Ｗの処理面Ｓｗのうちの任意の位置に処理液を供給可能であれば特に限られない。例えば、基板Ｗの中心に処理液を供給可能な位置を吐出位置とすることが好適である。基板Ｗにめっき液Ｌ１を供給する場合、洗浄液Ｌ２を供給する場合、リンス液Ｌ３を供給する場合とで、ノズルアーム５６の吐出位置は異なってもよい。退避位置は、チャンバ５１内のうち、上方から見た場合に基板Ｗに重ならない位置であって、吐出位置から離れた位置である。ノズルアーム５６が退避位置に位置づけられている場合、移動する蓋体６がノズルアーム５６と干渉することが回避される。

基板保持部５２の周囲には、カップ５７１が設けられている。このカップ５７１は、上方から見た場合にリング状に形成されており、基板Ｗの回転時に、基板Ｗから飛散した処理液を受け止めて、後述するドレンダクト５８１に案内する。カップ５７１の外周側には、雰囲気遮断カバー５７２が設けられており、基板Ｗの周囲の雰囲気がチャンバ５１内に拡散することを抑制している。この雰囲気遮断カバー５７２は、上下方向に延びるように円筒状に形成されており、上端が開口している。雰囲気遮断カバー５７２内に、後述する蓋体６が上方から挿入可能になっている。

カップ５７１の下方には、ドレンダクト５８１が設けられている。このドレンダクト５８１は、上方から見た場合にリング状に形成されており、カップ５７１によって受け止められて下降した処理液や、基板Ｗの周囲から直接的に下降した処理液を受けて排出する。ドレンダクト５８１の内周側には、内側カバー５８２が設けられている。

基板保持部５２に保持されている基板Ｗの処理面Ｓｗは、蓋体６によって覆われる。この蓋体６は、水平方向に延びる天井部６１と、天井部６１から下方に延びる側壁部６２と、を有する。天井部６１は、蓋体６が後述の下方位置に位置づけられた場合に、基板保持部５２に保持された基板Ｗの上方に配置されて、基板Ｗに対して比較的小さな間隔で対向する。

天井部６１は、第１天井板６１１と、第１天井板６１１上に設けられた第２天井板６１２と、を含む。第１天井板６１１と第２天井板６１２との間にはヒータ６３（加熱部）が介在し、ヒータ６３を挟むようにして設けられる第１面状体及び第２面状体として第１天井板６１１及び第２天井板６１２が設けられている。第１天井板６１１及び第２天井板６１２は、ヒータ６３を密封し、ヒータ６３がめっき液Ｌ１などの処理液に触れないように構成されている。より具体的には、第１天井板６１１と第２天井板６１２との間であってヒータ６３の外周側にシールリング６１３が設けられており、このシールリング６１３によってヒータ６３が密封されている。第１天井板６１１及び第２天井板６１２は、めっき液Ｌ１などの処理液に対する耐腐食性を有することが好適であり、例えば、アルミニウム合金によって形成されていてもよい。更に耐腐食性を高めるために、第１天井板６１１、第２天井板６１２及び側壁部６２は、テフロン（登録商標）でコーティングされていてもよい。

蓋体６には、蓋体アーム７１を介して蓋体移動機構７が連結されている。蓋体移動機構７は、蓋体６を水平方向及び上下方向に移動させる。より具体的には、蓋体移動機構７は、蓋体６を水平方向に移動させる旋回モータ７２と、蓋体６を上下方向に移動させるシリンダ７３（間隔調節部）と、を有する。このうち旋回モータ７２は、シリンダ７３に対して上下方向に移動可能に設けられた支持プレート７４上に取り付けられている。シリンダ７３の代替として、モータとボールねじとを含むアクチュエータ（図示せず）を用いてもよい。

蓋体移動機構７の旋回モータ７２は、蓋体６を、基板保持部５２に保持された基板Ｗの上方に配置された上方位置と、上方位置から退避した退避位置との間で移動させる。上方位置は、基板保持部５２に保持された基板Ｗに対して比較的大きな間隔で対向する位置であって、上方から見た場合に基板Ｗに重なる位置である。退避位置は、チャンバ５１内のうち、上方から見た場合に基板Ｗに重ならない位置である。蓋体６が退避位置に位置づけられている場合、移動するノズルアーム５６が蓋体６と干渉することが回避される。旋回モータ７２の回転軸線は、上下方向に延びており、蓋体６は、上方位置と退避位置との間で、水平方向に旋回移動可能になっている。

蓋体移動機構７のシリンダ７３は、蓋体６を上下方向に移動させて、処理面Ｓｗ上にめっき液Ｌ１が盛られた基板Ｗと天井部６１の第１天井板６１１との間隔を調節する。より具体的には、シリンダ７３は、蓋体６を下方位置（図２において実線で示す位置）と、上方位置（図２において二点鎖線で示す位置）とに位置づける。

蓋体６が下方位置に配置される場合、第１天井板６１１が基板Ｗに近接する。この場合、めっき液Ｌ１の汚損やめっき液Ｌ１内での気泡発生を防止するために、第１天井板６１１が基板Ｗ上のめっき液Ｌ１に触れないように下方位置を設定することが好適である。

上方位置は、蓋体６を水平方向に旋回移動させる際に、カップ５７１や、雰囲気遮断カバー５７２等の周囲の構造物に蓋体６が干渉することを回避可能な高さ位置になっている。

本実施の形態では、ヒータ６３が駆動されて発熱し、上述した下方位置に蓋体６が位置づけられた場合に、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１がヒータ６３によって加熱されるように構成されている。

蓋体６の側壁部６２は、天井部６１の第１天井板６１１の周縁部から下方に延びており、基板Ｗ上のめっき液Ｌ１を加熱する際（すなわち下方位置に蓋体６が位置づけられた場合）に基板Ｗの外周側に配置される。蓋体６が下方位置に位置づけられた場合、側壁部６２の下端は、基板Ｗよりも低い位置に位置づけられてもよい。

蓋体６の天井部６１には、ヒータ６３が設けられている。ヒータ６３は、蓋体６が下方位置に位置づけられた場合に、基板Ｗ上の処理液（好適にはめっき液Ｌ１）を加熱する。本実施の形態では、ヒータ６３は、蓋体６の第１天井板６１１と第２天井板６１２との間に介在し、上述したように密封されており、ヒータ６３がめっき液Ｌ１などの処理液に触れることが防止されている。

本実施の形態においては、蓋体６の内側に、不活性ガス供給部６６によって不活性ガス（例えば、窒素（Ｎ_２）ガス）が供給される。この不活性ガス供給部６６は、蓋体６の内側に不活性ガスを吐出するガスノズル６６１と、ガスノズル６６１に不活性ガスを供給する不活性ガス供給源６６２と、を有する。ガスノズル６６１は、蓋体６の天井部６１に設けられており、蓋体６が基板Ｗを覆う状態で基板Ｗに向かって不活性ガスを吐出する。

蓋体６の天井部６１及び側壁部６２は、蓋体カバー６４により覆われている。この蓋体カバー６４は、蓋体６の第２天井板６１２上に、支持部６５を介して載置されている。すなわち、第２天井板６１２上に、第２天井板６１２の上面から上方に突出する複数の支持部６５が設けられており、この支持部６５に蓋体カバー６４が載置されている。蓋体カバー６４は、蓋体６とともに水平方向及び上下方向に移動可能になっている。また、蓋体カバー６４は、蓋体６内の熱が周囲に逃げることを抑制するために、天井部６１及び側壁部６２よりも高い断熱性を有することが好ましい。例えば、蓋体カバー６４は、樹脂材料により形成されていることが好適であり、その樹脂材料が耐熱性を有することがより一層好適である。

チャンバ５１の上部に、蓋体６の周囲に清浄な空気（気体）を供給するファンフィルターユニット５９（気体供給部）が設けられている。ファンフィルターユニット５９は、チャンバ５１内（とりわけ、雰囲気遮断カバー５７２内）に空気を供給し、供給された空気は、後述する排気管８１に向かって流れる。蓋体６の周囲には、この空気が下向きに流れるダウンフローが形成され、めっき液Ｌ１などの処理液から気化したガスは、このダウンフローによって排気管８１に向かって流れる。このようにして、処理液から気化したガスが上昇してチャンバ５１内に拡散することを防止している。

上述したファンフィルターユニット５９から供給された気体は、排気機構８によって排出されるようになっている。この排気機構８は、カップ５７１の下方に設けられた２つの排気管８１と、ドレンダクト５８１の下方に設けられた排気ダクト８２と、を有する。このうち２つの排気管８１は、ドレンダクト５８１の底部を貫通し、排気ダクト８２にそれぞれつながっている。排気ダクト８２は、上方から見た場合に実質的に半円リング状に形成されている。本実施の形態では、ドレンダクト５８１の下方に１つの排気ダクト８２が設けられており、この排気ダクト８２に２つの排気管８１が連通している。

［めっき液の吐出］
上述のように各めっき処理部５では、温度調整されためっき液Ｌ１がめっき液供給部５３から基板Ｗに供給される。そのような温度調整のために、めっき液Ｌ１は、めっき液ノズル５３１からの吐出の前に、温調部によって温度が調整される。上述のように通常は、新たなめっき液Ｌ１を温調部に供給することで、温度調整済みのめっき液Ｌ１を温調部から押し出してめっき液ノズル５３１から吐出する。この場合、温調部に新たに供給されためっき液Ｌ１は、次のめっき処理まで温調部に留まって加熱されることになる。したがって、進行中のめっき処理が完了して次のめっき処理が開始されるまでの間、温調部に留まっているめっき液Ｌ１は継続的に加熱されて高温状態に置かれることになる。

めっき液が温調部において高温状態で保持される時間が長くなると、めっき液からめっき成分が析出する。温調部で析出しためっき成分は、めっき処理におけるパーティクルを構成するため好ましくない。温調部からそのようなめっき成分を取り除くことは簡単ではなく、純水（すなわちＤＩＷ）を使ってめっき成分を温調部から流し去ったり、めっき成分を溶かす液体（例えばＳＰＭ等の酸性液）を使って温調部を洗浄したりする必要がある。なおＤＩＷ（Ｄｅ−Ｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ）は、脱イオン水とも呼ばれる。またＳＰＭ（Ｓｕｌｆｕｒｉｃ Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｐｅｒｏｘｉｄｅ Ｍｉｘｔｕｒｅ）は、硫酸（Ｈ_２ＳＯ_４）、過酸化水素水（Ｈ_２Ｏ_２）及び水（Ｈ_２Ｏ）の混合液である。

めっき液Ｌ１の温度及び保温時間とめっき成分の析出との関係は、めっき液の組成に応じて変わるが、めっき液が高温状態で保持される時間が長くなるほど、めっき成分の析出が顕著になる傾向がある。本件発明者は様々な条件下でめっき成分の析出の傾向を観察した。その結果、一般的に使用されているめっき液の幾つかに関しては、そのような保温時間が概ね３０分を超えて長引く従って、めっき成分の析出が顕著になる傾向が見られた。したがって１回当たりのめっき処理が長時間（例えば３０分以上の時間）にわたる場合、それに応じて温調部内のめっき液は長時間にわたって高温状態に置かれ、温調部においてめっき成分が析出する可能性が大幅に増大する。温調部におけるそのようなめっき成分の析出を軽減する１つの方法として、温調部におけるめっき液Ｌ１の加熱時間及び加熱温度を厳密に管理することが考えられるが、そのような管理は手間がかかり簡単ではない。

一方、以下に説明する本実施形態のめっき液供給部５３によれば、めっき液Ｌ１を温調部からめっき液ノズル５３１に送り出すために、めっき液Ｌ１とは異なる押出流体が温調部に供給される。これにより、めっき液Ｌ１が温調部において長時間にわたり高温状態で保持されることを防ぎ、温調部におけるめっき成分の析出を回避できる。

図３は、めっき液供給部５３の構成例を示すブロック図である。図３に示す各ブロックの具体的な構成は限定されず、任意の単一デバイス又は複数のデバイスの組み合わせによって図３に示す各ブロックを構成することが可能である。

めっき液供給部５３は、めっき液送出部１１と、第１流路Ｃ１を介してめっき液送出部１１に接続されている温調部１２と、第２流路Ｃ２を介して温調部１２に接続されているめっき液ノズル（吐出部）５３１とを有する。

めっき液送出部１１は、制御部３（図１参照）の制御下で、めっき液Ｌ１を第１流路Ｃ１に送り出す。図示のめっき液送出部１１は、第１流路Ｃ１に接続されているめっき液供給源５３２と、めっき液供給源５３２に接続されているめっき液送出機構５３３とを有する。めっき液供給源５３２は、多量のめっき液Ｌ１を貯留するめっき液タンクにより構成されている。めっき液送出機構５３３は、めっき液供給源５３２に貯留されているめっき液Ｌ１に圧力を加えることで、めっき液供給源５３２から第１流路Ｃ１に向けてめっき液Ｌ１を送り出す。めっき液送出機構５３３はポンプ等を含んでいてもよい。図示のめっき液送出機構５３３は、制御部３の制御下で送出ガス（例えばＮ_２などの不活性ガス）を送り出すガス送出部５３３ａと、ガス送出部５３３ａからの送出ガスをめっき液供給源５３２に案内するガスチャネル５３３ｂとを含む。

図示の第１流路Ｃ１には、第１めっき液開閉弁２４、めっき液定圧弁２５、流量計２６及び第２めっき液開閉弁２７が、めっき液送出部１１から温調部１２に向かって順次設けられている。

第１めっき液開閉弁２４は、制御部３の制御下で第１流路Ｃ１を開閉し、第１流路Ｃ１における流体（特にめっき液Ｌ１）の流量を調整する。第１流路Ｃ１内のめっき液Ｌ１は、開状態の第１めっき液開閉弁２４を通ってめっき液供給源５３２から熱交換器１３に向かって流れ、閉状態の第１めっき液開閉弁２４によって遮断される。めっき液定圧弁２５は、温調部１２に向かって流れる第１流路Ｃ１内のめっき液Ｌ１の圧力を調整し、所望圧のめっき液Ｌ１がめっき液定圧弁２５を通って熱交換器１３に向かって送られる。流量計２６は、第１流路Ｃ１を流れる流体（特にめっき液Ｌ１や後述の押出液体Ｌ５１などの液体）の流量を計測する。流量計２６の計測結果は、制御部３に送られる。

第２めっき液開閉弁２７は、制御部３の制御下で第１流路Ｃ１を開閉し、第１流路Ｃ１における流体（特にめっき液Ｌ１及び押出流体Ｌ５）の流量を調整する。第１流路Ｃ１内の流体は、開状態の第２めっき液開閉弁２７を通って熱交換器１３に向かって流れ、閉状態の第２めっき液開閉弁２７によって遮断される。第２めっき液開閉弁２７の開閉タイミングは限定されない。例えば第２めっき液開閉弁２７の開タイミングを第１めっき液開閉弁２４の開タイミングよりも遅らせることによって、めっき液Ｌ１の熱交換器１３への急激な送り出しを防ぐことができる。なお第２めっき液開閉弁２７は設けられなくてもよい。この場合、めっき液供給源５３２から熱交換器１３へのめっき液Ｌ１の供給は、第１めっき液開閉弁２４によって調整されてもよい。また後述の押出液体送出部３６から熱交換器１３への押出液体Ｌ５１の供給は、押出液体開閉弁３７によって調整されてもよい。

温調部１２は、第１流路Ｃ１を介して供給される流体の温度を調整する。温調部１２は主としてめっき液Ｌ１を加熱するために設けられているが、実際には温調部１２に流入した他の流体も加熱する。本実施の形態の温調部１２は、めっき液供給源５３２から送られてくるめっき液Ｌ１と、押出流体送出部１６から送られてくる押出流体Ｌ５とを加熱する。温調部１２は、任意の構成を有することができ、例えば特許文献２の装置が応用されてもよい。図示の温調部１２は、熱交換器１３、熱媒体供給部１４及び保温部１５を有する。

熱交換器１３は、第１流路Ｃ１及び第２流路Ｃ２に接続されており、第１流路Ｃ１を介して各種の流体が熱交換器１３に流入し、第２流路Ｃ２を介して各種の流体が熱交換器１３から流出する。熱交換器１３は、熱媒体供給部１４から供給される熱媒体Ｌ４の熱を利用し、第１流路Ｃ１を介して供給されるめっき液Ｌ１の温度を調整する。めっき液Ｌ１は、熱交換器１３の流路（例えば螺旋管路）に留まっている間、熱媒体Ｌ４との間で熱交換を行って加熱され、その後、熱交換器１３から第２流路Ｃ２に送り出される。

保温部１５は、第２流路Ｃ２に設けられており、熱媒体供給部１４から供給される熱媒体Ｌ４の熱を利用し、第２流路Ｃ２内の流体（例えばめっき液Ｌ１）の温度を調整する。保温部１５は第２流路Ｃ２の一部又は全体にわたって設けられている。第２流路Ｃ２のうち保温部１５が設けられている範囲は、温調部１２の一部として機能する。本実施の形態の保温部１５は、熱交換器１３において昇温されためっき液Ｌ１の温度が下がらぬように第２流路Ｃ２内のめっき液Ｌ１を保温するが、めっき液Ｌ１の温度を積極的に上昇させるように第２流路Ｃ２内のめっき液Ｌ１を加熱してもよい。

熱媒体供給部１４は、熱交換器１３及び保温部１５の各々に対する熱媒体Ｌ４の供給及び回収を行う。典型的には、熱媒体供給部１４と熱交換器１３との間に循環流路が形成され、また熱媒体供給部１４と保温部１５との間に循環流路が形成され、熱媒体供給部１４はこれらの循環流路に熱媒体Ｌ４を流す。所望温度を有する熱媒体Ｌ４が、熱媒体供給部１４から熱交換器１３及び保温部１５の各々に供給される。熱交換器１３及び保温部１５の各々において温度が低下した熱媒体Ｌ４は、熱媒体供給部１４に戻され、熱媒体供給部１４により加熱されて所望温度に調整される。そして所望温度に調整された熱媒体Ｌ４は、再び熱交換器１３及び保温部１５の各々に供給される。なお熱媒体供給部１４から熱交換器１３に供給される熱媒体Ｌ４の温度と、熱媒体供給部１４から保温部１５に供給される熱媒体Ｌ４の温度とは、お互いに同じであってもよいし、異なっていてもよい。

めっき液ノズル５３１は、流体を噴出可能な開口部５３１ａを有し、第２流路Ｃ２を介して温調部１２の熱交換器１３に接続され、第２流路Ｃ２を介して供給される流体を開口部５３１ａから吐出させる。本実施の形態のめっき液ノズル５３１は、押出流体送出部１６から第１流路Ｃ１への押出流体Ｌ５の送り出しに応じて、第２流路Ｃ２を介して熱交換器１３から送られてくるめっき液Ｌ１を、開口部５３１ａから吐出する。

上述のようにめっき液ノズル５３１は、ノズルアーム５６によって移動可能に設けられており、吐出位置（図３の実線参照）及び退避位置（図３の二点鎖線参照；図２参照）に配置可能である。吐出位置は、めっき液ノズル５３１から基板Ｗにめっき液Ｌ１を供給するための位置であり、吐出位置に配置されためっき液ノズル５３１の開口部５３１ａは、基板保持部５２に保持されている基板Ｗに対向する。一方、退避位置は、処理を阻害しないようにするための位置であり、退避位置に配置されためっき液ノズル５３１の開口部５３１ａは、基板保持部５２に保持されている基板Ｗに対向しない。めっき液ノズル５３１は、退避位置において、開口部５３１ａと対向する位置に配置される排液部３４に向けて、押出流体Ｌ５やその他の不要な液体を吐出してもよい。これにより、第２流路Ｃ２から不要な液体を排出することができる。

なお、温調部１２をめっき液ノズル５３１に接続する第２流路Ｃ２内の流体は、他の方法によって排出されてもよい。例えば図３において点線で示されてように、排出切替バルブ４３を介して第２流路Ｃ２に接続される第５流路（ドレーン流路）Ｃ５を介し、第２流路Ｃ２内の流体が排出可能であってもよい。排出切替バルブ４３は、制御部３の制御下で非排出状態及び排出状態に置かれる。非排出状態の排出切替バルブ４３は、第２流路Ｃ２と第５流路Ｃ５との間を遮断し、めっき液ノズル５３１に向かって流れる流体を通過させる。排出状態の排出切替バルブ４３は、第２流路Ｃ２を遮断しつつ第２流路Ｃ２と第５流路Ｃ５とをつなぎ、第２流路Ｃ２から第５流路Ｃ５に流体を誘導する。第５流路Ｃ５に誘導された流体（特に液体）は、排液部３４に排出される。

図示の第２流路Ｃ２には、三方弁等の開閉デバイスにより構成されるドレーン部３５が設けられている。めっき液Ｌ１の吐出終了後、第２流路Ｃ２に残存するめっき液Ｌ１は、熱膨張により意図せずにめっき液ノズル５３１からたれてしまうことがある。特に第２流路Ｃ２が保温部１５により温められている場合、めっき液ノズル５３１からの液だれが発生しやすい。本実施の形態では、制御部３の制御下でめっき液Ｌ１の吐出終了後にドレーン部３５が開かれることにより、第２流路Ｃ２内に残存するめっき液Ｌ１が自重でドレーン部３５を介して第２流路Ｃ２から排出される。これにより第２流路Ｃ２内の残存液が、ドレーン部３５に向かって引き寄せられ、めっき液ノズル５３１からの液だれを効果的に防ぐことができる。なお閉状態のドレーン部３５は、第２流路Ｃ２の内側と外側との間を遮断し、第２流路Ｃ２内を流れる流体を通過させる。

押出流体送出部１６は、めっき液Ｌ１とは異なる押出流体Ｌ５を第１流路Ｃ１に送り出す。押出流体Ｌ５は、気体及び液体のいずれでも構わないが、図示の例では押出液体Ｌ５１が押出流体Ｌ５として使われる。押出液体Ｌ５１は、温調部１２によって加熱されても不具合を招かない液体（例えばパーティクルを生じない液体）であることが好ましい。まためっき液供給部５３において押出液体Ｌ５１がめっき液Ｌ１に接触しうる場合、めっき液Ｌ１と混ざってもめっき液Ｌ１の組成を大きくは変えない液体が押出液体Ｌ５１として好ましい。そのような押出液体Ｌ５１として、純水やめっき液Ｌ１に含まれる液体を好適に用いることができる。また押出液体Ｌ５１によって第１流路Ｃ１、熱交換器１３或いは第２流路Ｃ２が洗浄されることを期待する場合、そのような洗浄に適した液体（例えばＳＰＭ等の酸性液）が押出液体Ｌ５１として用いられてもよい。

図示の押出流体送出部１６は、押出液体Ｌ５１を第１流路Ｃ１に送り出す押出液体供給部１７を有する。押出液体供給部１７は、第３流路Ｃ３を介して第１流路Ｃ１に接続される押出液体送出部３６と、第３流路Ｃ３に設けられる押出液体開閉弁３７及び押出液体定圧弁３８とを有する。

押出液体送出部３６は、制御部３の制御下で第３流路Ｃ３に押出液体Ｌ５１を送り出す。押出液体送出部３６は、図示は省略するが、押出液体Ｌ５１を貯留する貯留部、当該貯留部から第３流路Ｃ３に押出液体Ｌ５１を送り出すポンプ等の送り出し部、及び当該貯留部から第３流路Ｃ３への押出液体Ｌ５１の送り出し量を調整可能な弁を有してもよい。

押出液体開閉弁３７は、制御部３の制御下で第３流路Ｃ３を開閉し、第３流路Ｃ３における押出液体Ｌ５１の流量を調整する。第３流路Ｃ３内の押出液体Ｌ５１は、開状態の押出液体開閉弁３７を通って押出液体送出部３６から第１流路Ｃ１に向かって流れ、閉状態の押出液体開閉弁３７によって遮断される。押出液体定圧弁３８は、第１流路Ｃ１に向かって流れる第３流路Ｃ３内の押出液体Ｌ５１の圧力を調整し、所望圧の押出液体Ｌ５１が押出液体定圧弁３８を通って第３流路Ｃ３から第１流路Ｃ１に流入する。

第３流路Ｃ３は、めっき液供給源５３２と熱交換器１３との間の任意の位置において、第１流路Ｃ１に接続することができる。第３流路Ｃ３は、図示の例ではめっき液定圧弁２５と流量計２６との間において第１流路Ｃ１に接続しているが、他の位置で第１流路Ｃ１に接続していてもよい。例えば第３流路Ｃ３は、熱交換器１３に近い位置（例えば第２めっき液開閉弁２７と熱交換器１３との間の位置）で第１流路Ｃ１に接続していてもよい。第１流路Ｃ１に対する第３流路Ｃ３の接続ポイントを熱交換器１３に近づけることで、第１流路Ｃ１に押出液体Ｌ５１を流す際に排出されるめっき液Ｌ１の量を低減できる。

なお押出流体Ｌ５は、押出液体Ｌ５１に代えて又は押出液体Ｌ５１とともに、押出ガスＬ５２を含んでいてもよい。押出ガスＬ５２は、温調部１２により加熱されても不具合を招かない気体（例えばパーティクルをもたらさない気体）であることが好ましい。まためっき液供給部５３において押出ガスＬ５２がめっき液Ｌ１に接触しうる場合、めっき液Ｌ１と混ざってもめっき液Ｌ１の組成を大きくは変えない気体が押出ガスＬ５２として好ましい。例えばＮ_２等の不活性ガスを押出ガスＬ５２として好適に用いることが可能である。

押出流体送出部１６は、押出ガスＬ５２を第１流路Ｃ１に送り出す押出ガス供給部１８を、上述の押出液体供給部１７に代えて又は押出液体供給部１７とともに、有していてもよい。図示の押出ガス供給部１８は、第４流路Ｃ４を介して第１流路Ｃ１に接続される押出ガス送出部３９と、第４流路Ｃ４に設けられる押出ガス開閉弁４０及び押出ガス定圧弁４１とを有する。

押出ガス送出部３９は、制御部３の制御下で第４流路Ｃ４に押出ガスＬ５２を送り出す。例えば押出ガス送出部３９は、図示は省略するが、押出ガスＬ５２を貯留する貯留部、貯留部から第４流路Ｃ４に押出ガスＬ５２を送り出すポンプ等の送り出し部、及び貯留部から第３流路Ｃ３への押出ガスＬ５２の送り出し量を調整可能な弁を有してもよい。

押出ガス開閉弁４０は、制御部３の制御下で第４流路Ｃ４を開閉し、第４流路Ｃ４における押出ガスＬ５２の流量を調整する。第４流路Ｃ４内の押出ガスＬ５２は、開状態の押出ガス開閉弁４０を通って押出ガス送出部３９から第１流路Ｃ１に向かって流れ、閉状態の押出ガス開閉弁４０によって遮断される。押出ガス定圧弁４１は、第１流路Ｃ１に向かって流れる第４流路Ｃ４内の押出ガスＬ５２の圧力を調整し、所望圧の押出ガスＬ５２が押出ガス定圧弁４１を通って第４流路Ｃ４から第１流路Ｃ１に流入する。

第４流路Ｃ４は、めっき液供給源５３２と熱交換器１３との間の任意の位置で第１流路Ｃ１に接続することができる。第４流路Ｃ４は、図示の例ではめっき液定圧弁２５と流量計２６との間において第１流路Ｃ１に接続しているが、他の位置で第１流路Ｃ１に接続していてもよい。例えば第４流路Ｃ４は、温調部１２の熱交換器１３に近い位置（例えば第２めっき液開閉弁２７と熱交換器１３との間の位置）で第１流路Ｃ１に接続されていてもよい。第４流路Ｃ４の第１流路Ｃ１に対する接続ポイントは、第３流路Ｃ３の第１流路Ｃ１に対する接続ポイントに対して上流側（すなわちめっき液供給源５３２側）であってもよいし、下流側（すなわち熱交換器１３側）であってもよいし、同じであってもよい。

なお押出流体Ｌ５として押出液体Ｌ５１及び押出ガスＬ５２の両方が用いられる場合、めっき液供給部５３の流路内においてめっき液Ｌ１と押出液体Ｌ５１との間に押出ガスＬ５２を介在させてもよい。例えば、温調部１２の熱交換器１３は、第１流路Ｃ１を介してめっき液Ｌ１が供給された後に、第１流路Ｃ１を介して押出ガスＬ５２が供給され、第１流路Ｃ１を介して押出ガスＬ５２が供給された後に、第１流路Ｃ１を介して押出液体Ｌ５１が供給されてもよい。この場合、めっき液Ｌ１と押出液体Ｌ５１との間に介在する押出ガスＬ５２によって、めっき液Ｌ１及び押出液体Ｌ５１の接触及び混合が防がれる。めっき液Ｌ１と押出液体Ｌ５１との混合を防ぐことによって、めっき液Ｌ１をより有効に使用することが可能であり、例えば流路内のめっき液Ｌ１の殆ど全てを、めっき液ノズル５３１から基板Ｗ上に吐出してめっき処理に供することも可能である。

めっき液供給部５３を構成する上述の各デバイスは、制御部３（図１参照）によって制御可能である。例えば制御部３は、めっき液送出機構５３３、第１めっき液開閉弁２４及び第２めっき液開閉弁２７を制御し、所望のタイミングで、めっき液供給源５３２から熱交換器１３にめっき液Ｌ１を送る。また制御部３は、押出液体送出部３６、押出液体開閉弁３７及び第２めっき液開閉弁２７を制御し、所望のタイミングで、押出液体送出部３６から第３流路Ｃ３及び第１流路Ｃ１を介して熱交換器１３に押出液体Ｌ５１を送る。また制御部３は、押出ガス送出部３９、押出ガス開閉弁４０及び第２めっき液開閉弁２７を制御し、所望のタイミングで、押出ガス送出部３９から第４流路Ｃ４及び第１流路Ｃ１を介して熱交換器１３に押出ガスＬ５２を送ることが可能である。

制御部３は、めっき液送出部１１から第１流路Ｃ１にめっき液Ｌ１を送り出すタイミングと、押出流体送出部１６から第１流路Ｃ１に押出流体Ｌ５を送り出すタイミングとが異なるように、めっき液送出部１１及び押出流体送出部１６を制御することができる。具体的には、めっき液Ｌ１が第１流路Ｃ１を介して温調部１２に向けて送り出された後に、押出流体Ｌ５が第１流路Ｃ１を介して温調部１２に向けて送り出され、温調部１２において所望温度に加熱されためっき液Ｌ１が押出流体Ｌ５によって押し出される。これにより、めっき液Ｌ１をめっき液ノズル５３１に向けて送り出した後の熱交換器１３は押出液体Ｌ５１によって満たされる。したがって進行中のめっき処理の完了までの時間が長くても、押出液体Ｌ５１に満たされた熱交換器１３内でめっき成分が析出する等の不具合は生じない。

［めっき処理方法］
以下では、まずめっき処理部５によって実施されるめっき処理方法の全体の流れについて説明し、その後、めっき液の吐出フローについて説明する。以下に説明するめっき処理部５の動作は制御部３によって制御されている。下記の処理が行われている間、ファンフィルターユニット５９からは清浄な空気がチャンバ５１内に供給され、チャンバ５１内の空気は排気管８１に向かって流れる。

図４は、めっき処理方法の一例を示すフローチャートである。

まず、めっき処理部５に基板Ｗが搬入され、基板Ｗが基板保持部５２によって水平に保持される（図４に示すＳ１）。次に、基板保持部５２に保持された基板Ｗの洗浄処理が行われる（Ｓ２）。この洗浄処理では、まず回転モータ５２３が駆動されて基板Ｗが所定の回転数で回転し、続いて、退避位置に位置づけられていたノズルアーム５６が吐出位置に移動し、回転する基板Ｗの処理面Ｓｗに洗浄液ノズル５４１から洗浄液Ｌ２が供給される。洗浄液Ｌ２はドレンダクト５８１に排出される。

続いて、回転する基板Ｗにリンス液ノズル５５１からリンス液Ｌ３が供給されることでリンス処理が行われる（Ｓ３）。基板Ｗ上に残存する洗浄液Ｌ２がリンス液Ｌ３によって洗い流され、リンス液Ｌ３はドレンダクト５８１に排出される。次に、基板保持部５２により保持されている基板Ｗの処理面Ｓｗにめっき液Ｌ１を供給し、基板Ｗの処理面Ｓｗ上にめっき液Ｌ１のパドルを形成するめっき液盛り付け工程が行われる（Ｓ４）。めっき液Ｌ１は表面張力によって処理面Ｓｗに留まってパドルを形成するが、処理面Ｓｗから流出しためっき液Ｌ１はドレンダクト５８１を介して排出される。所定量のめっき液Ｌ１がめっき液ノズル５３１から吐出された後、めっき液Ｌ１の吐出が停止される。その後、めっき液ノズル５３１は、ノズルアーム５６とともに退避位置に位置づけられる。

次に、めっき液加熱処理工程として、基板Ｗ上に盛り付けられためっき液Ｌ１が加熱される。このめっき液加熱処理工程は、蓋体６が基板Ｗを覆う工程（Ｓ５）と、不活性ガスを供給する工程（Ｓ６）と、蓋体６を下方位置に配置してめっき液Ｌ１を加熱する加熱工程（Ｓ７）と、蓋体６を基板Ｗ上から退避する工程（Ｓ８）とを有する。次に、基板Ｗのリンス処理が行われ（Ｓ９）、回転する基板Ｗにリンス液ノズル５５１からリンス液Ｌ３が供給されて、基板Ｗ上に残存するめっき液Ｌ１が洗い流される。続いて、基板Ｗの乾燥処理が行われ（Ｓ１０）、基板Ｗを高速で回転させることで基板Ｗ上に残存するリンス液Ｌ３を除去し、めっき膜が形成された基板Ｗが得られる。その後、基板Ｗが基板保持部５２から取り出されて、めっき処理部５から搬出される（Ｓ１１）。

図５Ａ〜図５Ｄは、めっき液Ｌ１の吐出フローを例示するためのめっき液供給部５３の概略図である。理解を容易にするため、図５Ａ〜図５Ｄでは一部要素（例えば保温部１５等）の図示が省略されている。

基板Ｗにめっき液を供給するめっき処理方法（基板液処理方法）において、本例のめっき液供給部５３は、アイドル時には図５Ａに示す状態に置かれる。すなわち、第３流路Ｃ３を介して押出液体供給部１７から第１流路Ｃ１に押出液体Ｌ５１が供給され、熱交換器１３の流路及び第２流路Ｃ２は押出液体Ｌ５１によって満たされる。この際、押出液体供給部１７から第１流路Ｃ１への押出液体Ｌ５１の供給を調整することによって、めっき液ノズル５３１は押出液体Ｌ５１を吐出しなくてもよいし、継続的又は断続的に押出液体Ｌ５１を排液部３４に向けて吐出してもよい。めっき液ノズル５３１は、アイドル時には基本的には退避位置に配置されることが好ましいが、必要に応じて他の位置に配置されてもよい。特に、本例のようにめっき液ノズル５３１が他のノズル（洗浄液ノズル５４１及びリンス液ノズル５５１（図３参照））と一体的に構成される場合、他のノズルの移動の要否に応じてめっき液ノズル５３１は他のノズルとともに移動する。一方、図３に示すめっき液送出機構５３３の稼働を停止したり第１めっき液開閉弁２４を閉じたりすることによって、めっき液供給源５３２から第１流路Ｃ１には新たなめっき液Ｌ１が供給されない。そのため図５Ａに示すように、第１流路Ｃ１のうち第３流路Ｃ３との接続ポイントよりも上流側においてのみ、めっき液Ｌ１が存在する。

そしてめっき液Ｌ１をめっき液ノズル５３１から吐出する前に（好ましくは直前に）、めっき液供給部５３は、図５Ｂに示すようにしてめっき液Ｌ１の温度調整を行う。すなわちめっき液Ｌ１を、めっき液送出部１１から第１流路Ｃ１を介して温調部１２に送り出す工程と、温調部１２が第１流路Ｃ１を介して供給されるめっき液Ｌ１の温度を調整する工程とが行われる。具体的には、めっき液供給源５３２からのめっき液Ｌ１が熱交換器１３の流路及び第２流路Ｃ２に満たされ、熱交換器１３及び保温部１５（図３参照）によって熱交換器１３内及び第２流路Ｃ２内のめっき液Ｌ１の温度が調整される。この際、第１流路Ｃ１、熱交換器１３及び第２流路Ｃ２内の押出液体Ｌ５１（図５Ａ参照）はめっき液Ｌ１によって押し出され、めっき液ノズル５３１から排液部３４に排出される。ただし、そのような押出液体Ｌ５１は、上述の排出切替バルブ４３及び第５流路Ｃ５（図３参照）を介して、第２流路Ｃ２から排液部３４に排出されてもよい。

そして熱交換器１３内及び第２流路Ｃ２内のめっき液Ｌ１が十分に加熱されて温度が調整された後に、めっき液供給部５３は、図５Ｃに示すようにしてめっき液Ｌ１を基板Ｗ上に吐出する。すなわち、めっき液ノズル５３１が吐出位置に配置された状態で、押出液体Ｌ５１（押出流体Ｌ５）が、押出液体供給部１７（押出流体送出部１６）から第１流路Ｃ１を介して熱交換器１３（温調部１２）及び第２流路Ｃ２に送り出される。これによって、熱交換器１３及び第２流路Ｃ２からめっき液ノズル５３１に向けてめっき液Ｌ１が送られ、めっき液ノズル５３１から基板Ｗに向けてめっき液Ｌ１が吐出される。

そして、十分量のめっき液Ｌ１が基板Ｗ上に吐出された後、めっき液供給部５３は、図５Ｄに示すようにして熱交換器１３の流路及び第２流路Ｃ２を押出液体Ｌ５１によって満たす。確実にめっき液Ｌ１のみが基板Ｗ上に吐出されるようにする観点からは、めっき液Ｌ１を第２流路Ｃ２に残存させた状態で、残存するめっき液Ｌ１とともに押出液体Ｌ５１を第２流路Ｃ２から排液部３４に排出することが好ましい。図５Ｄに示す例では、退避位置に配置されためっき液ノズル５３１から排液部３４に向けて、第２流路Ｃ２に残存するめっき液Ｌ１が押出液体Ｌ５１とともに排出される。ただし第２流路Ｃ２に残存するめっき液Ｌ１は、上述の排出切替バルブ４３及び第５流路Ｃ５（図３参照）を介して、押出液体Ｌ５１とともに排液部３４に排出されてもよい。

そしてめっき液供給部５３は再びアイドル状態（図５Ａ参照）に置かれる。なお図４に示す工程Ｓ１〜Ｓ１１に照らした場合、めっき液盛り付け工程Ｓ４以外の工程（すなわちＳ１〜Ｓ３及びＳ５〜Ｓ１１）では、めっき液供給部５３はアイドル状態（図５Ａ）に置かれていてもよい。そしてめっき液盛り付け工程Ｓ４において、図５Ｂ〜図５Ｄに示すようにめっき液Ｌ１及び押出液体Ｌ５１を第１流路Ｃ１、熱交換器１３及び第２流路Ｃ２に送り出してもよい。ただし、基板Ｗにめっき液Ｌ１を付与する前の処理（図５Ａ及び図５Ｂ参照）及び基板Ｗにめっき液Ｌ１を付与した後の処理（図５Ｄ参照）は、めっき液盛り付け工程Ｓ４以外の工程で行われてもよい。

上述の図５Ａ〜図５Ｄに示す工程を繰り返すことによって、めっき液Ｌ１をめっき液ノズル５３１から繰り返し吐出することができる。例えば以下の処理フローを繰り返し行うことによって、複数の基板Ｗに対するめっき処理を連続的に行うことも可能である。

まず、第１の基板Ｗのめっき処理のためのめっき液Ｌ１（以下「第１めっき液Ｌ１」とも称する）の温度が温調部１２で調整される（図５Ｂ参照）。そして押出液体Ｌ５１を熱交換器１３及び第２流路Ｃ２に供給することによって、温度調整後の第１めっき液Ｌ１がめっき液ノズル５３１から吐出されて第１の基板Ｗに供給される（図５Ｃ参照）。これにより、第１めっき液Ｌ１を使った第１の基板Ｗのめっき処理（以下「第１めっき処理」とも称する）が進行する（図５Ｄ参照）。

第１めっき処理の進行中又は第１めっき処理の完了後、第２の基板Ｗのめっき処理のためのめっき液Ｌ１（以下「第２めっき液Ｌ１」とも称する）が熱交換器１３及び第２流路Ｃ２に供給される（図５Ｂ参照）。これにより、温調部１２によって第２めっき液Ｌ１の温度が調整される。なお第１めっき液Ｌ１の押し出しに使われ熱交換器１３及び第２流路Ｃ２に留まっていた押出液体Ｌ５１は、熱交換器１３及び第２流路Ｃ２に供給される第２めっき液Ｌ１により押し出されて排出される。そして新たな押出液体Ｌ５１を熱交換器１３及び第２流路Ｃ２に供給することによって、温度調整後の第２めっき液Ｌ１がめっき液ノズル５３１から吐出されて第２の基板Ｗに供給される。これにより、第２めっき液Ｌ１を使った第２の基板Ｗのめっき処理（以下「第２めっき処理」とも称する）が進行する。上述の一連の工程を繰り返すことによって、複数の基板Ｗに対するめっき処理を連続的に行うことができる。

以上説明したように上述の装置及び方法によれば、めっき液Ｌ１が押し出された後の温調部１２の流路が押出流体Ｌ５により満たされため、温調部１２においてめっき液Ｌ１が長時間にわたって高温状態に置かれることを防ぐことができる。これによりめっき液Ｌ１の質の低下を抑えつつ、温度調整されためっき液Ｌ１を基板Ｗに供給することができる。特に、１回当たりのめっき処理に要する時間が長い場合等、長時間にわたって温調部１２に同じ流体が留まる場合であっても、めっき成分の析出等の不具合が発生せず、温調部１２におけるめっき成分除去のための洗浄やめっき液Ｌ１のリフレッシュが不要である。また温調部１２における流路の汚染を軽減することができ、めっき液Ｌ１中のパーティクルの混入を抑制するとともに、メンテナンス負荷を軽減することができる。また、温調部１２の温度及び加熱時間に関する厳密な管理を必ずしも必要としないため、管理負担を軽減することができる。

まためっき処理に用いられるめっき液Ｌ１を温調部１２に導入する工程と、めっき液Ｌ１を基板Ｗ上に吐出するための押出流体Ｌ５を温調部１２に導入する工程とは別個に行われる。したがって、めっき処理に要する時間や進行中のめっき処理の状況にかかわらず、所望のタイミングで温調部１２にめっき液Ｌ１を導入することが可能であり、温調部１２においてめっき液Ｌ１を所望時間にわたって加熱することが可能である。これにより温調部１２によるめっき液Ｌ１の加熱及び保温を最適化することができ、析出めっき成分を含まない最適温度のめっき液Ｌ１を基板Ｗのめっき処理に供することが可能である。

また温調部１２からめっき液Ｌ１を押し出す際に（図５Ｃ参照）、めっき液Ｌ１と押出液体Ｌ５１との間に押出ガスＬ５２を介在させることによって、めっき液Ｌ１に押出液体Ｌ５１が混ざることを回避でき、めっき液Ｌ１の質の劣化を防ぐことができる。なお、めっき液Ｌ１によって温調部１２から押出液体Ｌ５１を押し出す際にも（図５Ｂ参照）、めっき液Ｌ１と押出液体Ｌ５１との間に押出ガスＬ５２を介在させて、めっき液Ｌ１に押出液体Ｌ５１が混ざることを回避してもよい。

［第１の変形例］
複数の基板Ｗがそれぞれ複数の基板保持部５２によって保持され、当該複数の基板Ｗのうちの１又は２以上の基板Ｗ毎に、温調部１２へのめっき液Ｌ１の供給と、第１流路Ｃ１への押出流体Ｌ５の送り出しとが繰り返されてもよい。この場合にも、めっき液Ｌ１は第１流路Ｃ１を介してめっき液送出部１１から温調部１２に供給されるが、温調部１２に一度に充填されためっき液Ｌ１が、繰り返し単位の１又は２以上の基板Ｗのめっき処理に使われる。また押出流体Ｌ５は押出流体送出部１６から第１流路Ｃ１に送り出されるが、繰り返し単位の基板Ｗが２以上の場合には、押出流体Ｌ５は間欠的に第１流路Ｃ１に送り出される。

これにより、めっき液Ｌ１の吐出処理を所定枚数の基板Ｗ毎に行うことができる。特に２以上の基板Ｗ毎に、温調部１２へのめっき液Ｌ１の供給及び第１流路Ｃ１への押出流体Ｌ５の送り出しを繰り返すことによって、多数の基板Ｗのめっき処理を効率的に行うことができる。また処理単位の２以上の基板Ｗ間において、均一的なめっき処理の実施を期待することができる。例えば、キャリアＣ（図１参照）に収容されている複数枚の基板Ｗ毎に、温調部１２へのめっき液Ｌ１の供給及び第１流路Ｃ１への押出流体Ｌ５の送り出しが繰り返されてもよい。この場合、キャリアＣ単位でめっき処理を効率良く行うことができ、管理も容易である。

［第２の変形例］
図３に示す例では、温調部１２へのめっき液Ｌ１の供給を調整するデバイス（特に第１めっき液開閉弁２４）と、温調部１２への押出流体Ｌ５の供給を調整するデバイス（特に押出液体開閉弁３７及び／又は押出ガス開閉弁４０）が別体として設けられている。制御部３は、温調部１２よりも上流側に設けられるこれらの調整デバイスの各々を制御することで、めっき液Ｌ１の供給及び押出流体Ｌ５の供給を適宜切り替えている。

温調部１２に対するめっき液Ｌ１及び押出流体Ｌ５の供給を切り替えるそのような調整デバイスは、他のデバイスによって構成されてもよく、例えば三方弁等の単一デバイスによって構成されていてもよい。この場合、制御部３は、単一の調整デバイスを制御することによって、めっき液Ｌ１及び押出流体Ｌ５の供給を適宜切り替えることが可能である。なお、単一の調整デバイスを使ってめっき液Ｌ１及び押出流体Ｌ５の供給を切り替える場合、図３に示すめっき液定圧弁２５及び押出液体定圧弁３８の機能も併せてその単一の調整デバイスに持たせてもよい（図３の符号「Ｂ」参照）。この場合、めっき液供給部５３の構成を更に簡素化することができる。

［第３の変形例］
上述の実施の形態及び変形例では、主として押出流体Ｌ５が押出液体Ｌ５１を含む場合について説明したが、押出流体Ｌ５として押出ガスＬ５２のみが用いられてもよい。この場合、上述の押出液体Ｌ５１と同様にして、押出ガスＬ５２によりめっき液Ｌ１を押し出して、めっき液ノズル５３１から基板Ｗ上に所望量のめっき液Ｌ１を吐出させることが可能である。押出ガスＬ５２は、押出液体Ｌ５１に比べ、めっき液Ｌ１に接触してもめっき液Ｌ１に及ぼしうる影響が比較的小さい。一方、押出液体Ｌ５１は、押出ガスＬ５２に比べ、めっき液Ｌ１の洗浄性能に優れている。したがって、めっき液Ｌ１の性質及びめっき液供給部５３の装置特性に応じて、押出液体Ｌ５１及び押出ガスＬ５２を使い分けることが好ましい。特に、押出液体Ｌ５１及び押出ガスＬ５２を組み合わせて押出流体Ｌ５として使用することで、押出液体Ｌ５１及び押出ガスＬ５２のそれぞれによって奏される有益な効果を享受することが可能である。

［他の変形例］
本開示は上記実施の形態及び変形例そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施の形態及び変形例に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の装置及び方法を形成できる。実施の形態及び変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施の形態及び変形例にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。

例えば、基板液処理装置の動作を制御するためのコンピュータにより実行された際に、コンピュータが基板液処理装置を制御して上述の基板液処理方法を実行させるプログラムを記録した記録媒体（例えば記録媒体３１）として、本開示が具体化されてもよい。

１ めっき処理装置
１１ めっき液送出部
１２ 温調部
１６ 押出流体送出部
５２ 基板保持部
５３１ めっき液ノズル
Ｃ１ 第１流路
Ｃ２ 第２流路
Ｌ１ めっき液
Ｌ５ 押出流体
Ｗ 基板

Claims (10)

1. 基板にめっき液を供給する基板液処理装置であって、
   前記基板を保持する基板保持部と、
   前記めっき液を第１流路に送り出すめっき液送出部と、
   前記第１流路を介して前記めっき液送出部に接続され、前記第１流路を介して供給される流体の温度を調整する温調部と、
   前記めっき液とは異なる押出流体を前記第１流路に送り出す押出流体送出部と、
   前記温調部に接続され、前記温調部から供給される流体を吐出する吐出部と、を備える基板液処理装置。
2. 前記めっき液送出部から前記第１流路に前記めっき液を送り出すタイミングと、前記押出流体送出部から前記第１流路に前記押出流体を送り出すタイミングとがお互いに異なるように、前記めっき液送出部及び前記押出流体送出部を制御する制御部を備える請求項１に記載の基板液処理装置。
3. 前記吐出部は、前記押出流体送出部から前記第１流路への前記押出流体の送り出しに応じて、前記温調部から送られてくる前記めっき液を吐出する請求項１又は２に記載の基板液処理装置。
4. 前記吐出部は、流体を噴出可能な開口部を有し、
   前記吐出部は、前記開口部が前記基板保持部に保持されている前記基板に対向する吐出位置と、前記開口部が前記基板保持部に保持されている前記基板に対向しない退避位置とに配置されるよう、移動可能に設けられており、
   前記吐出部は、前記退避位置において前記押出流体を吐出する請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
5. 複数の前記基板保持部が設けられ、複数の基板がそれぞれ前記複数の基板保持部によって保持され、
   前記複数の基板のうちの１又は２以上の基板毎に、前記第１流路を介した前記めっき液送出部から前記温調部への前記めっき液の供給と、前記押出流体送出部から前記第１流路への前記押出流体の送り出しと、を繰り返す請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
6. 前記押出流体は、押出液体を含む請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
7. 前記押出流体は、押出ガスを含み、
   前記押出流体送出部は、前記押出液体を前記第１流路に送り出す押出液体供給部と、前記押出ガスを前記第１流路に送り出す押出ガス供給部と、を有する請求項６に記載の基板液処理装置。
8. 前記温調部は、
   前記第１流路を介して前記めっき液が供給された後に、前記第１流路を介して前記押出ガスが供給され、
   前記第１流路を介して前記押出ガスが供給された後に、前記第１流路を介して前記押出液体が供給される請求項７に記載の基板液処理装置。
9. 前記温調部を前記吐出部に接続する第２流路と、
   前記第２流路に接続され、前記第２流路内の流体を排出可能なドレーン流路と、を備える請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板液処理装置。
10. 基板にめっき液を供給する基板液処理方法であって、
    前記めっき液を、めっき液送出部から第１流路を介して温調部に送り出す工程と、
    前記温調部が前記第１流路を介して供給される前記めっき液の温度を調整する工程と、 前記めっき液とは異なる押出流体を、押出流体送出部から前記第１流路を介して前記温調部に送り出すことによって、前記温調部から吐出部に前記めっき液を送り、前記吐出部から前記基板に向けて前記めっき液を吐出する工程と、を含む基板液処理方法。

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