CN113227453A - 基板液处理装置和基板液处理方法 - Google Patents
基板液处理装置和基板液处理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113227453A CN113227453A CN201980085147.6A CN201980085147A CN113227453A CN 113227453 A CN113227453 A CN 113227453A CN 201980085147 A CN201980085147 A CN 201980085147A CN 113227453 A CN113227453 A CN 113227453A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- plating
- flow path
- substrate
- liquid
- plating solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 304
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 186
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 454
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 88
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 98
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 64
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 description 32
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 10
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 3
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N boron;n-methylmethanamine Chemical compound [B].CNC RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical compound O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1675—Process conditions
- C23C18/168—Control of temperature, e.g. temperature of bath, substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1619—Apparatus for electroless plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1619—Apparatus for electroless plating
- C23C18/1628—Specific elements or parts of the apparatus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1635—Composition of the substrate
- C23C18/1639—Substrates other than metallic, e.g. inorganic or organic or non-conductive
- C23C18/1642—Substrates other than metallic, e.g. inorganic or organic or non-conductive semiconductor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1655—Process features
- C23C18/1664—Process features with additional means during the plating process
- C23C18/1669—Agitation, e.g. air introduction
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
- C23C18/34—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
- C23C18/36—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents using hypophosphites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/38—Coating with copper
- C23C18/40—Coating with copper using reducing agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/42—Coating with noble metals
- C23C18/44—Coating with noble metals using reducing agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/48—Coating with alloys
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
Abstract
向基板供给镀液的基板液处理装置具备:基板保持部,其用于保持基板;镀液送出部,其向第一流路送出镀液;温度调整部,其经由第一流路来与镀液送出部连接,对经由第一流路供给的流体的温度进行调整;推出流体送出部,其向第一流路送出与镀液不同的推出流体;以及喷出部,其经由第二流路来与温度调整部连接,喷出经由第二流路供给的流体。
Description
技术领域
本公开涉及一种基板液处理装置和基板液处理方法。
背景技术
在基板的镀敷处理中,有时向基板供给升温后的镀液,以提高镀液的反应性(参照专利文献1)。
能够适当地使用换热器来进行这样的镀液的温度调整。例如,在专利文献2所公开的装置中,在换热器中对镀液的温度进行调整。被调整温度后的镀液被新供给到换热器的镀液从换热器推出并送出到喷嘴,从喷嘴向基板喷出。另一方面,新供给到换热器的镀液通过换热器被调整温度,在被调整温度后同样地被从换热器送出到喷嘴并喷出,以供进行镀敷处理。
在通过这样来进行镀液的温度调整的情况下,在从喷嘴喷出镀液之前的期间,在换热器中将镀液保持为高温状态。另一方面,在从喷嘴喷出镀液之前使镀液长时间处于高温状态会引起镀敷成分析出等意外的不良情况。因此,缩短在喷出镀液前在换热器等温度调整部中将镀液保持为高温状态的时间能抑制镀液的品质的下降,进而有助于提高镀敷处理的品质。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2018-3097号公报
专利文献2:国际公开第2012/049913号
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种有利于抑制镀液的品质的下降并且向基板供给被调整温度后的镀液的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式的基板液处理装置向基板供给镀液,该基板液处理装置具备:基板保持部,其用于保持基板;镀液送出部,其向第一流路送出镀液;温度调整部,其经由第一流路来与镀液送出部连接,对经由第一流路供给的流体的温度进行调整;推出流体送出部,其向第一流路送出与镀液不同的推出流体;以及喷出部,其经由第二流路来与温度调整部连接,喷出经由第二流路供给的流体。
发明的效果
根据本公开,有利于抑制镀液的品质的下降并且向基板供给被调整温度后的镀液。
附图说明
图1是示出作为基板液处理装置的一例的镀敷处理装置的结构的概要图。
图2是示出镀敷处理部的结构的概要截面图。
图3是示出镀液供给部的结构例的块图。
图4是示出镀敷处理方法的一例的流程图。
图5A是用于例示镀液的喷出流程的镀液供给部的概要图。
图5B是用于例示镀液的喷出流程的镀液供给部的概要图。
图5C是用于例示镀液的喷出流程的镀液供给部的概要图。
图5D是用于例示镀液的喷出流程的镀液供给部的概要图。
具体实施方式
首先,参照图1来说明基板液处理装置的结构。图1是示出作为基板液处理装置的一例的镀敷处理装置的结构的概要图。在此,镀敷处理装置是向基板W供给镀液L1(处理液)来对基板W进行镀敷处理(液处理)的装置。
如图1所示,镀敷处理装置1具备镀敷处理单元2以及控制镀敷处理单元2的动作的控制部3。
镀敷处理单元2对基板W(晶圆)进行各种处理。在后文中叙述镀敷处理单元2进行的各种处理。
控制部3例如为计算机,具有动作控制部和存储部。动作控制部例如由CPU(Central Processing Unit:中央处理单元)构成,通过读出并执行存储部中存储的程序来控制镀敷处理单元2的动作。存储部例如由RAM(Random Access Memory:随机存取存储器)、ROM(Read Only Memory:只读存储器)、硬盘等存储装置构成,存储对在镀敷处理单元2中执行的各种处理进行控制的程序。此外,程序既可以是记录于计算机可读记录介质31中的程序,也可以是从该记录介质31安装到存储部中的程序。作为计算机可读记录介质31,例如能够列举出硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。在记录介质31中例如记录有以下程序:在通过用于控制镀敷处理装置1的动作的计算机执行该程序时,使计算机控制镀敷处理装置1来执行后述的镀敷处理方法。
镀敷处理单元2具有搬入搬出站21以及与搬入搬出站21相邻地设置的处理站22。
搬入搬出站21包括载置部211以及与载置部211相邻地设置的搬送部212。
在载置部211载置有将多张基板W以水平状态收容的多个搬送容器(下面称为“承载件C”。)。
搬送部212包括搬送机构213和交接部214。搬送机构213包括用于保持基板W的保持机构,构成为能够沿水平方向和铅垂方向移动并且以铅垂轴为中心旋转。
处理站22包括镀敷处理部5。在本实施方式中,处理站22所具有的镀敷处理部5的个数为两个以上,但也可以为一个。镀敷处理部5排列在沿规定方向延伸的搬送路径221的两侧(与后述的搬送机构222的移动方向正交的方向的两侧)。
搬送机构222设置于搬送路径221。搬送机构222包括用于保持基板W的保持机构,构成为能够沿水平方向和铅垂方向移动并且以铅垂轴为中心旋转。
在镀敷处理单元2中,搬入搬出站21的搬送机构213在承载件C与交接部214之间进行基板W的搬送。具体地说,搬送机构213从载置于载置部211的承载件C取出基板W,并将取出的基板W载置于交接部214。另外,搬送机构213将由处理站22的搬送机构222载置于交接部214的基板W取出,并收容于载置部211的承载件C。
在镀敷处理单元2中,处理站22的搬送机构222在交接部214与镀敷处理部5之间以及镀敷处理部5与交接部214之间进行基板W的搬送。具体地说,搬送机构222取出被载置于交接部214的基板W,并将取出的基板W搬入镀敷处理部5。另外,搬送机构222从镀敷处理部5取出基板W,并将取出的基板W载置于交接部214。
接着,参照图2来说明镀敷处理部5的结构。图2是示出镀敷处理部5的结构的概要截面图。
镀敷处理部5进行包括化学镀处理的液处理。镀敷处理部5具备腔室51、将配置于腔室51内的基板W水平地保持的基板保持部52、以及向由基板保持部52保持的基板W的处理面(上表面)Sw供给镀液L1的镀液供给部53。在本实施方式中,基板保持部52具有对基板W的下表面(背面)进行真空吸附的吸盘构件521。该基板保持部52为所谓的真空吸盘式,但是基板保持部52不限于此,例如也可以为通过卡盘机构等对基板W的外缘部进行把持的机械卡盘式。
基板保持部52经由旋转轴522来与旋转马达523(旋转驱动部)连结。当驱动旋转马达523时,基板保持部52与基板W一起旋转。旋转马达523由固定于腔室51的基座524支承。
镀液供给部53具有:镀液喷嘴531,其向保持于基板保持部52的基板W喷出(供给)镀液L1;以及镀液供给源532,其向镀液喷嘴531供给镀液L1。镀液供给源532向镀液喷嘴531供给被加热到规定温度或者被调整到规定温度的镀液L1。镀液L1在从镀液喷嘴531喷出时的温度例如为55℃以上且75℃以下,更优选为60℃以上且70℃以下。镀液喷嘴531保持于喷嘴臂56,构成为能够移动。
此外,虽然在图2中省略了图示,但是本实施方式的镀液供给部53具备对从镀液供给源532向清洗液喷嘴541送出的镀液L1的温度进行调整的温度调整部(参照图3的附图标记“12”)或其它设备。在后文中叙述本实施方式的镀液供给部53的具体的结构例。
镀液L1为自催化型(还原型)化学镀用的镀液。镀液L1例如含有钴(Co)离子、镍(Ni)离子、钨(W)离子、铜(Cu)离子、钯(Pd)离子、金(Au)离子等金属离子以及次磷酸、二甲基胺硼烷等还原剂。镀液L1也可以含有添加剂等。作为通过使用镀液L进行镀敷处理来形成的镀膜(金属膜),例如能够列举出CoWB、CoB、CoWP、CoWBP、NiWB、NiB、NiWP、NiWBP等。
本实施方式的镀敷处理部5还具备作为其它处理液供给部的、向保持于基板保持部52的基板W的处理面Sw供给清洗液L2的清洗液供给部54以及向该基板W的处理面Sw供给冲洗液L3的冲洗液供给部55。
清洗液供给部54具有:清洗液喷嘴541,其向保持于基板保持部52的基板W喷出清洗液L2;以及清洗液供给源542,其向清洗液喷嘴541供给清洗液L2。作为清洗液L2,例如能够使用甲酸、苹果酸、琥珀酸、柠檬酸、丙二酸等有机酸、被稀释到不腐蚀基板W的被镀面的程度的浓度的氢氟酸(DHF)(氟化氢的水溶液)等。清洗液喷嘴541保持于喷嘴臂56,能够与镀液喷嘴531一起移动。
冲洗液供给部55具有:冲洗液喷嘴551,其向保持于基板保持部52的基板W喷出冲洗液L3;以及冲洗液供给源552,其向冲洗液喷嘴551供给冲洗液L3。其中,冲洗液喷嘴551保持于喷嘴臂56,能够与镀液喷嘴531及清洗液喷嘴541一起移动。作为冲洗液L3,例如能够使用纯水等。
保持上述镀液喷嘴531、清洗液喷嘴541及冲洗液喷嘴551的喷嘴臂56与未图示的喷嘴移动机构连结。该喷嘴移动机构使喷嘴臂56沿水平方向和上下方向移动。更具体地说,喷嘴臂56能够通过喷嘴移动机构在向基板W喷出处理液(镀液L1、清洗液L2或冲洗液L3)的喷出位置与从喷出位置退避后的退避位置之间移动。关于喷出位置,只要能够向基板W的处理面Sw中的任意位置供给处理液即可,并无特别限定。例如,优选将能够向基板W的中心供给处理液的位置设为喷出位置。在向基板W供给镀液L1的情况下、供给清洗液L2的情况下、供给冲洗液L3的情况下,喷嘴臂56的喷出位置也可以不同。退避位置为腔室51内的、在从上方看的情况下与基板W不重叠的位置,是远离喷出位置的位置。在喷嘴臂56位于退避位置的情况下,能够避免移动的盖体6与喷嘴臂56相干扰。
在基板保持部52的周围设置有杯571。在从上方看的情况下,该杯571形成为环状,在基板W旋转时,该杯571将从基板W飞散出的处理液接住并引导到后述的排放管道581。在杯571的外周侧设置有气氛气体隔断罩572,抑制了基板W的周围的气氛气体扩散到腔室51内。该气氛气体隔断罩572以沿上下方向延伸的方式形成为圆筒状,在上端具有开口。后述的盖体6能够从气氛气体隔断罩572的上方插入该气氛气体隔断罩572内。
在杯571的下方设置有排放管道581。在从上方看的情况下,该排放管道581形成为环状,该排放管道581接受被杯571接住并下降的处理液、从基板W的周围直接下降的处理液,并将接受的处理液排出。在排放管道581的内周侧设置有内侧罩582。
保持于基板保持部52的基板W的处理面Sw被盖体6覆盖。该盖体6具有沿水平方向延伸的顶部61以及从顶部61向下方延伸的侧壁部62。在盖体6位于后述的下方位置的情况下,顶部61配置在保持于基板保持部52的基板W的上方,与基板W隔着较小的间隔地相向。
顶部61包括第一顶板611以及设置在第一顶板611上的第二顶板612。在第一顶板611与第二顶板612之间夹设有加热器63(加热部),第一顶板611和第二顶板612被设置为以隔着加热器63的方式设置的第一面状体和第二面状体。第一顶板611和第二顶板612构成为将加热器63密封并使加热器63不与镀液L1等处理液接触。更具体地说,在第一顶板611与第二顶板612之间且加热器63的外周侧设置有密封环613,通过该密封环613对加热器63进行密封。优选的是,第一顶板611和第二顶板612针对镀液L1等处理液具有耐腐蚀性,例如第一顶板611和第二顶板612也可以由铝合金形成。也可以是,用Teflon(注册商标)对第一顶板611、第二顶板612以及侧壁部62进行涂覆,以进一步提高耐腐蚀性。
盖体6经由盖体臂71来与盖体移动机构7连结。盖体移动机构7使盖体6沿水平方向和上下方向移动。更具体地说,盖体移动机构7具有使盖体6沿水平方向移动的旋转马达72以及使盖体6沿上下方向移动的缸体73(间隔调节部)。其中,旋转马达72安装于以能够相对于缸体73沿上下方向移动的方式设置的支承板74上。作为缸体73的替代,也可以使用包括马达和滚珠丝杠的致动器(未图示)。
盖体移动机构7的旋转马达72使盖体6在配置在保持于基板保持部52的基板W的上方的上方位置与从上方位置退避后的退避位置之间移动。上方位置为与保持于基板保持部52的基板W隔着较大的间隔地相向的位置,并且是在从上方看的情况下与基板W重叠的位置。退避位置为在腔室51内的、在从上方看的情况下与基板W不重叠的位置。在盖体6位于退避位置的情况下,能够避免移动的喷嘴臂56与盖体6相干扰。旋转马达72的旋转轴线沿上下方向延伸,盖体6能够在上方位置与退避位置之间沿水平方向进行旋转移动。
盖体移动机构7的缸体73使盖体6沿上下方向移动,来调节在处理面Sw上盛有镀液L1的基板W与顶部61的第一顶板611之间的间隔。更具体地说,缸体73使盖体6位于下方位置(图2中用实线示出的位置)和上方位置(图2中用两点划线示出的位置)。
在盖体6配置于下方位置的情况下,第一顶板611接近基板W。在该情况下,优选将下方位置设定成使第一顶板611不与基板W上的镀液L1接触,以防发生镀液L1的污损、在镀液L1内产生气泡。
上方位置为在使盖体6沿水平方向进行旋转移动时能够避免盖体6与杯571、气氛气体隔断罩572等周围的构造物发生干扰的高度位置。
在本实施方式中,构成为:在加热器63被驱动而发热且盖体6位于上述下方位置的情况下,基板W上的镀液L1被加热器63加热。
盖体6的侧壁部62从顶部61的第一顶板611的周缘部向下方延伸,在对基板W上的镀液L1进行加热时(即、使盖体6位于下方位置的情况下)配置于基板W的外周侧。在盖体6位于下方位置的情况下,侧壁部62的下端也可以位于比基板W低的位置。
加热器63设置于盖体6的顶部61。在盖体6位于下方位置的情况下,加热器63对基板W上的处理液(优选为镀液L1)进行加热。在本实施方式中,将加热器63夹设于盖体6的第一顶板611与第二顶板612之间,并如上述那样进行密封,来防止加热器63与镀液L1等处理液接触。
在本实施方式中,通过非活性气体供给部66向盖体6的内侧供给非活性气体(例如,氮气(N2))。该非活性气体供给部66具有向盖体6的内侧喷出非活性气体的气体喷嘴661以及向气体喷嘴661供给非活性气体的非活性气体供给源662。气体喷嘴661设置于盖体6的顶部61,在盖体6覆盖基板W的状态下向基板W喷出非活性气体。
盖体6的顶部61和侧壁部62被盖体罩64覆盖。该盖体罩64经由支承部65载置于盖体6的第二顶板612上方。即,在第二顶板612上设置有从第二顶板612的上表面向上方突出的多个支承部65,在该支承部65上载置有盖体罩64。盖体罩64能够与盖体6一起沿水平方向和上下方向移动。另外,优选的是,盖体罩64具有比顶部61和侧壁部62的绝热性高的绝热性,以抑制盖体6内的热量向周围散失。例如,盖体罩64优选由树脂材料形成,更优选的是,该树脂材料具有耐热性。
在腔室51的上部设置有向盖体6的周围供给清洁的空气(气体)的风机过滤单元59(气体供给部)。风机过滤单元59向腔室51内(尤其是气氛气体隔断罩572内)供给空气,所供给的空气向后述的排气管81流动。在盖体6的周围形成该空气向下流动的下行气流,镀液L1等处理液气化后得到的气体通过该下行气流向排气管81流动。通过这样,防止了处理液气化后得到的气体上升并向腔室51内扩散。
从上述风机过滤单元59供给的气体通过排气机构8排出。该排气机构8具有设置于杯571的下方的两个排气管81以及设置于排放管道581的下方的排气管道82。其中,两个排气管81贯通排放管道581的底部,分别与排气管道82连接。在从上方看的情况下,排气管道82实质上形成为半圆环状。在本实施方式中,一个排气管道82设置于排放管道581的下方,两个排气管81与该排气管道82连通。
[镀液的喷出]
如上述那样,在各镀敷处理部5中,从镀液供给部53向基板W供给被调整温度后的镀液L1。在从镀液喷嘴531喷出镀液L1前,通过温度调整部对镀液L1进行温度调整,以进行那样的温度调整。如上述那样,通常,向温度调整部供给新的镀液L1,由此将调整完温度的镀液L1从温度调整部推出并从镀液喷嘴531喷出。在该情况下,新供给到温度调整部的镀液L1滞留在温度调整部并被加热,直到进行下一次的镀敷处理为止。因而,在从当前进行的镀敷处理完成到使下一次的镀敷处理开始的期间,滞留在温度调整部的镀液L1持续被加热而处于高温状态。
如果在温度调整部中将镀液保持为高温状态的时间变长,则镀敷成分从镀液中析出。在温度调整部中析出的镀敷成分构成镀敷处理中的微粒,因此不是优选的。从温度调整部去除这样的镀敷成分并不简单,需要使用纯水(即DIW)来使镀敷成分从温度调整部流出去,或者使用使镀敷成分溶解的液体(例如SPM等酸性液)来清洗温度调整部。此外,DIW(De-Ionized Water)也被称为去离子水。另外,SPM(Sulfuric Hydrogen Peroxide Mixture:硫酸过氧化氢混合物)为硫酸(H2SO4)、过氧化氢溶液(H2O2)以及水(H2O)的混合液。
镀液L1的温度及保温时间与镀敷成分的析出之间的关系根据镀液的组成而变化,但是存在镀液被保持为高温状态的时间越长则镀敷成分的析出越明显的倾向。本公开的发明者在各种条件下观察了镀敷成分的析出的倾向。其结果,关于常用的几种镀液发现了以下倾向:随着这样的保温时间长达30分钟以上,镀敷成分的析出变得明显。因而,在每一次的镀敷处理持续长时间(例如30分钟以上的时间)的情况下,与此相应地温度调整部内的镀液长时间处于高温状态,在温度调整部中镀敷成分析出的可能性大幅地增加。作为减少温度调整部中这样的镀敷成分的析出的一种方法,想到严格管理温度调整部中的镀液L1的加热时间和加热温度,但是这样的管理花费功夫且并不简单。
另一方面,根据下面说明的本实施方式的镀液供给部53,向温度调整部供给与镀液L1不同的推出流体,以将镀液L1从温度调整部送出到镀液喷嘴531。由此,能够防止镀液L1在温度调整部中被长时间地保持为高温状态,避免温度调整部中的镀敷成分的析出。
图3是示出镀液供给部53的结构例的块图。并不限定于图3所示的各块的具体结构,能够通过任意的单一装置或多个装置的组合来构成图3所示的各块。
镀液供给部53具有镀液送出部11、经由第一流路C1来与镀液送出部11连接的温度调整部12以及经由第二流路C2来与温度调整部12连接的镀液喷嘴(喷出部)531。
镀液送出部11在控制部3(参照图1)的控制下向第一流路C1送出镀液L1。图示的镀液送出部11具有与第一流路C1连接的镀液供给源532以及与镀液供给源532连接的镀液送出机构533。镀液供给源532由用于贮存大量的镀液L1的镀液箱构成。镀液送出机构533通过对在镀液供给源532中贮存的镀液L1施加压力,来使从镀液供给源532向第一流路C1送出镀液L1。镀液送出机构533也可以包括泵等。图示的镀液送出机构533包括在控制部3的控制下进行送出气体(例如N2等非活性气体)的送出的气体送出部533a以及将来自气体送出部533a的送出气体引导到镀液供给源532的气体通道533b。
在图示的第一流路C1中,从镀液送出部11向温度调整部12按照顺序设置有第一镀液开闭阀24、镀液定压阀25、流量计26以及第二镀液开闭阀27。
第一镀液开闭阀24在控制部3的控制下使第一流路C1进行开闭,来调整第一流路C1中的流体(特别是镀液L1)的流量。第一流路C1内的镀液L1经过打开状态的第一镀液开闭阀24从镀液供给源532向换热器13流动,通过关闭状态的第一镀液开闭阀24而被阻断。镀液定压阀25调整第一流路C1内的向温度调整部12流动的镀液L1的压力,使期望压力的镀液L1经过镀液定压阀25向换热器13送出。流量计26测量在第一流路C1中流动的流体(特别是镀液L1、后述的推出液体L51等液体)的流量。流量计26的测量结果被发送到控制部3。
第二镀液开闭阀27在控制部3的控制下使第一流路C1进行开闭,来调整第一流路C1中的流体(特别是镀液L1和推出流体L5)的流量。第一流路C1内的流体经过打开状态的第二镀液开闭阀27向换热器13流动,通过关闭状态的第二镀液开闭阀27而被阻断。关于第二镀液开闭阀27的开闭定时不作限定。例如,通过使第二镀液开闭阀27的打开定时比第一镀液开闭阀24的打开定时延迟,能够防止向换热器13急剧地送出镀液L1。此外,也可以不设置第二镀液开闭阀27。在该情况下,也可以通过第一镀液开闭阀24来调整从镀液供给源532向换热器13的镀液L1的供给。另外,也可以通过推出液体开闭阀37来调整从后述的推出液体送出部36向换热器13的推出液体L51的供给。
温度调整部12调整经由第一流路C1供给的流体的温度。温度调整部12主要是为了对镀液L1进行加热而设置的,但是实际上也对流入到温度调整部12的其它流体进行加热。本实施方式的温度调整部12对从镀液供给源532送来的镀液L1以及从推出流体送出部16送来的推出流体L5进行加热。温度调整部12能够具有任意的结构,例如,也可以应用专利文献2的装置。图示的温度调整部12具有换热器13、热介质供给部14以及保温部15。
换热器13与第一流路C1及第二流路C2连接,各种流体经由第一流路C1流入到换热器13,各种流体经由第二流路C2从换热器13流出。换热器13利用从热介质供给部14供给的热介质L4的热量,来调整经由第一流路C1供给的镀液L1的温度。镀液L1在滞留于换热器13的流路(例如螺旋管路)的期间,与热介质L4之间进行热交换而被加热,此后,镀液L1被从换热器13向第二流路C2送出。
保温部15设置于第二流路C2,利用从热介质供给部14供给的热介质L4的热量来调整第二流路C2内的流体(例如镀液L1)的温度。保温部15设置于第二流路C2的一部分或整体。第二流路C2中的设置有保温部15的范围作为温度调整部12的一部分发挥功能。本实施方式的保温部15对第二流路C2内的镀液L1进行保温,以使在换热器13中升温后的镀液L1的温度不下降,但是也可以对第二流路C2内的镀液L1进行加热,以使镀液L1的温度积极地上升。
热介质供给部14分别对换热器13和保温部15进行热介质L4的供给和回收。典型的是,在热介质供给部14与换热器13之间形成循环流路,另外,在热介质供给部14与保温部15之间形成循环流路,热介质供给部14使热介质L4在这些循环流路中流动。从热介质供给部14分别向换热器13和保温部15供给具有期望温度的热介质L4。使在换热器13和保温部15中温度下降了的热介质L4分别返回到热介质供给部14,并通过热介质供给部14进行加热来调整到期望温度。然后,再次分别向换热器13和保温部15供给被调整到期望温度的热介质L4。此外,从热介质供给部14向换热器13供给的热介质L4的温度以及从热介质供给部14向保温部15供给的热介质L4的温度既可以彼此相同,也可以不同。
镀液喷嘴531具有能够喷出流体的开口部531a,经由第二流路C2来与温度调整部12的换热器13连接,使经由第二流路C2供给的流体从开口部531a喷出。本实施方式的镀液喷嘴531随着从推出流体送出部16向第一流路C1的推出流体L5的送出而从开口部531a喷出经由第二流路C2从换热器13送来的镀液L1。
如上述那样,镀液喷嘴531设置为能够通过喷嘴臂56进行移动,能够配置于喷出位置(参照图3的实线)和退避位置(参照图3的两点划线;参照图2)。喷出位置为用于从镀液喷嘴531向基板W供给镀液L1的位置,配置于喷出位置的镀液喷嘴531的开口部531a与保持于基板保持部52的基板W相向。另一方面,退避位置为用于使处理不受阻碍的位置,配置于退避位置的镀液喷嘴531的开口部531a与保持于基板保持部52的基板W不相向。镀液喷嘴531也可以在退避位置朝向配置于与开口部531a相向的位置的排液部34喷出推出流体L5或其它不需要的液体。由此,能够从第二流路C2排出不需要的液体。
此外,将温度调整部12与镀液喷嘴531连接的第二流路C2内的流体也可以通过其它方法排出。例如也可以如图3中虚线所示那样,能够经由第五流路(排放流路)C5排出第二流路C2内的流体,该第五流路C5经由排出切换阀门43来与第二流路C2连接。排出切换阀门43在控制部3的控制下处于非排出状态或排出状态。非排出状态的排出切换阀门43将第二流路C2与第五流路C5之间切断,使向镀液喷嘴531流动的流体通过。排出状态的排出切换阀门43将第二流路C2切断并将第二流路C2与第五流路C5连接,将流体从第二流路C2向第五流路C5引导。引导到第五流路C5的流体(特别是液体)被排出到排液部34。
在图示的第二流路C2上设置有由三通阀等开闭装置构成的排放部35。在镀液L1的喷出结束后,残留于第二流路C2的镀液L1有时因热膨胀而意外地从镀液喷嘴531滴落。特别是在第二流路C2通过保温部15而被加温的情况下,容易发生液体从镀液喷嘴531的滴落。在本实施方式中,在控制部3的控制下,在镀液L1的喷出结束后打开排放部35,由此使残留于第二流路C2内的镀液L1因自重而经由排放部35从第二流路C2排出。由此,第二流路C2内的残留液被朝向排放部35吸引,能够有效地防止液体从镀液喷嘴531滴落。此外,关闭状态的排放部35将第二流路C2的内侧与外侧之间切断,使在第二流路C2内流动的流体通过。
推出流体送出部16向第一流路C1送出与镀液L1不同的推出流体L5。推出流体L5可以为气体和液体中的任一种,但是在图示的例子中将推出液体L51用作推出流体L5。推出液体L51优选为即使被温度调整部12加热也不会引起不良情况的液体(例如,不会产生微粒的液体)。另外,在镀液供给部53中推出液体L51可能与镀液L1接触的情况下,作为推出液体L51,优选即使与镀液L1混合也不会大幅地改变镀液L1的组成的液体。作为这样的推出液体L51,能够优选地使用纯水、镀液L1中包含的液体。另外,在期待通过推出液体L51来清洗第一流路C1、换热器13或第二流路C2的情况下,也可以将适于这样的清洗的液体(例如SPM等酸性液)用作推出液体L51。
图示的推出流体送出部16具有向第一流路C1送出推出液体L51的推出液体供给部17。推出液体供给部17具有经由第三流路C3来与第一流路C1连接的推出液体送出部36、以及设置于第三流路C3的推出液体开闭阀37和推出液体定压阀38。
推出液体送出部36在控制部3的控制下向第三流路C3送出推出液体L51。虽然省略了图示,但是推出液体送出部36也可以具有用于贮存推出液体L51的贮存部、用于从该贮存部向第三流路C3送出推出液体L51的泵等送出部、以及能够调整从该贮存部向第三流路C3送出推出液体L51的送出量的阀。
推出液体开闭阀37在控制部3的控制下使第三流路C3进行开闭,来调整第三流路C3中的推出液体L51的流量。第三流路C3内的推出液体L51从推出液体送出部36经过打开状态的推出液体开闭阀37向第一流路C1流动,通过关闭状态的推出液体开闭阀37而被阻断。推出液体定压阀38调整第三流路C3内的向第一流路C1流动的推出液体L51的压力,期望压力的推出液体L51从第三流路C3经过推出液体定压阀38流入到第一流路C1。
第三流路C3能够在镀液供给源532与换热器13之间的任意的位置处与第一流路C1连接。在图示的例子中,第三流路C3在镀液定压阀25与流量计26之间与第一流路C1连接,但是也可以在其它位置处与第一流路C1连接。例如,第三流路C3也可以在接近换热器13的位置(例如,第二镀液开闭阀27与换热器13之间的位置)处与第一流路C1连接。通过使第三流路C3与第一流路C1的连接点接近换热器13,能够减少在使推出液体L51在第一流路C1中流动时排出的镀液L1的量。
此外,推出流体L5也可以替代推出液体L51而包括推出气体L52,或者一并包括推出液体L51和推出液体L51。推出气体L52优选为即使被温度调整部12加热也不会引起不良情况的气体(例如,不会带来微粒的气体)。另外,在镀液供给部53中推出气体L52可能与镀液L1接触的情况下,作为推出气体L52,优选即使与镀液L1混合也不会大幅地改变镀液L1的组成的气体。例如,作为推出气体L52能够优选地使用N2等非活性气体。
推出流体送出部16也可以替代上述推出液体供给部17而具有向第一流路C1送出推出气体L52的推出气体供给部18,或者一并具有推出液体供给部17和推出气体供给部18。图示的推出气体供给部18具有经由第四流路C4来与第一流路C1连接的推出气体送出部39、以及设置于第四流路C4的推出气体开闭阀40和推出气体定压阀41。
推出气体送出部39在控制部3的控制下向第四流路C4送出推出气体L52。例如,虽然省略了图示,但是推出气体送出部39也可以具有用于贮存推出气体L52的贮存部、用于从贮存部向第四流路C4送出推出气体L52的泵等送出部、以及能够调整从贮存部向第三流路C3送出推出气体L52的送出量的阀。
推出气体开闭阀40在控制部3的控制下使第四流路C4进行开闭,来调整第四流路C4中的推出气体L52的流量。第四流路C4内的推出气体L52从推出气体送出部39经过打开状态的推出气体开闭阀40向第一流路C1流动,通过关闭状态的推出气体开闭阀40而被阻断。推出气体定压阀41调整第四流路C4内的向第一流路C1流动的推出气体L52的压力,期望压力的推出气体L52从第四流路C4经过推出气体定压阀41流入到第一流路C1。
第四流路C4能够在镀液供给源532与换热器13之间的任意的位置处与第一流路C1连接。在图示的例子中,第四流路C4在镀液定压阀25与流量计26之间与第一流路C1连接,但是也可以在其它位置处与第一流路C1连接。例如,第四流路C4也可以在接近温度调整部12的换热器13的位置(例如,第二镀液开闭阀27与换热器13之间的位置)处与第一流路C1连接。第四流路C4与第一流路C1的连接点既可以在第三流路C3与第一流路C1的连接点的上游侧(即镀液供给源532侧),也可以在下游侧(即换热器13侧),还可以相同。
此外,在将推出液体L51和推出气体L52这两者用作推出流体L5的情况下,在镀液供给部53的流路内可以使推出气体L52夹在镀液L1与推出液体L51之间。例如,也可以是,温度调整部12的换热器13在经由第一流路C1被供给镀液L1后,经由第一流路C1被供给推出气体L52,在经由第一流路C1被供给推出气体L52后,经由第一流路C1被供给推出液体L51。在该情况下,通过夹在镀液L1与推出液体L51之间的推出气体L52来防止镀液L1与推出液体L51的接触和混合。通过防止镀液L1与推出液体L51的混合,能够更有效地使用镀液L1,例如,也能够将流路内的几乎全部的镀液L1从镀液喷嘴531喷出到基板W上以供镀敷处理。
构成镀液供给部53的上述各设备能够由控制部3(参照图1)进行控制。例如,控制部3控制镀液送出机构533、第一镀液开闭阀24以及第二镀液开闭阀27,在期望的定时从镀液供给源532向换热器13送出镀液L1。另外,控制部3控制推出液体送出部36、推出液体开闭阀37以及第二镀液开闭阀27,在期望的定时从推出液体送出部36经由第三流路C3和第一流路C1向换热器13送出推出液体L51。另外,控制部3能够控制推出气体送出部39、推出气体开闭阀40以及第二镀液开闭阀27,在所期望的定时从推出气体送出部39经由第四流路C4和第一流路C1向换热器13送出推出气体L52。
控制部3能够控制镀液送出部11和推出流体送出部16,以使从镀液送出部11向第一流路C1送出镀液L1的定时与从推出流体送出部16向第一流路C1送出推出流体L5的定时不同。具体地说,在经由第一流路C1向温度调整部12送出镀液L1后,经由第一流路C1向温度调整部12送出推出流体L5,通过推出流体L5推出在温度调整部12中被加热到期望温度的镀液L1。由此,使向镀液喷嘴531送出镀液L1后的换热器13被推出液体L51充满。因而,即使直到当前进行的镀敷处理完成为止还有很长时间,在充满推出液体L51的换热器13内也不会发生镀敷成分析出等不良情况。
[镀敷处理方法]
下面,首先对由镀敷处理部5实施的镀敷处理方法的整体流程进行说明,之后对镀液的喷出流程进行说明。下面说明的镀敷处理部5的动作由控制部3控制。在进行下述的处理期间,从风机过滤单元59向腔室51内供给清洁的空气,腔室51内的空气向排气管81流动。
图4是示出镀敷处理方法的一例的流程图。
首先,将基板W搬入到镀敷处理部5,通过基板保持部52水平地保持基板W(图4所示的S1)。接着,对保持于基板保持部52的基板W进行清洗处理(S2)。在该清洗处理中,首先,驱动旋转马达523来使基板W以规定的转速旋转,接下来,使位于退避位置的喷嘴臂56移动到喷出位置,从清洗液喷嘴541向旋转的基板W的处理面Sw供给清洗液L2。使清洗液L2排出到排放管道581。
接下来,通过从冲洗液喷嘴551向旋转的基板W供给冲洗液L3来进行冲洗处理(S3)。通过冲洗液L3来冲走残留于基板W上的清洗液L2,使冲洗液L3排出到排放管道581。接着,进行向由基板保持部52保持的基板W的处理面Sw供给镀液L1并在基板W的处理面Sw上形成镀液L1的水坑(日语:パドル)的镀液盛放工序(S4)。镀液L1通过表面张力而滞留于处理面Sw并形成水坑,从处理面Sw流出的镀液L1经由排放管道581被排出。在从镀液喷嘴531喷出规定量的镀液L1后,停止喷出镀液L1。此后,使镀液喷嘴531与喷嘴臂56一起位于退避位置。
接着,作为镀液加热处理工序,对盛放于基板W上的镀液L1进行加热。该镀液加热处理工序具有盖体6覆盖基板W的工序(S5)、供给非活性气体的工序(S6)、将盖体6配置于下方位置来对镀液L1进行加热的加热工序(S7)、以及使盖体6从基板W上退避的工序(S8)。接着,进行基板W的冲洗处理(S9),从冲洗液喷嘴551向旋转的基板W供给冲洗液L3,来冲走残留于基板W上的镀液L1。接下来,进行基板W的干燥处理(S10),通过使基板W高速地旋转来去除残留于基板W上的冲洗液L3,获得形成有镀膜的基板W。此后,将基板W从基板保持部52取出,并从镀敷处理部5搬出(S11)。
图5A~图5D是用于例示镀液L1的喷出流程的镀液供给部53的概要图。为了便于理解,在图5A~图5D中省略了一部分要素(例如保温部15等)的图示。
在向基板W供给镀液的镀敷处理方法(基板液处理方法)中,本例的镀液供给部53在空闲时处于图5A所示的状态。即,从推出液体供给部17经由第三流路C3向第一流路C1供给推出液体L51,换热器13的流路和第二流路C2被推出液体L51充满。此时,通过调整推出液体L51的从推出液体供给部17向第一流路C1的供给,镀液喷嘴531也可以不喷出推出液体L51,也可以持续地或间歇地向排液部34喷出推出液体L51。优选镀液喷嘴531在空闲时基本上被配置于退避位置,但是根据需要也可以配置于其它位置。特别是,如本例那样,在镀液喷嘴531与其它喷嘴(清洗液喷嘴541和冲洗液喷嘴551(参照图3))构成为一体的情况下,根据其它喷嘴是否需要移动来使镀液喷嘴531与其它喷嘴一起移动。另一方面,通过使图3所示的镀液送出机构533停止工作或关闭第一镀液开闭阀24,来使不从镀液供给源532向第一流路C1供给新的镀液L1。因此,如图5A所示,仅在第一流路C1中的比与第三流路C3的连接点靠上游侧存在镀液L1。
然后,在从镀液喷嘴531喷出镀液L1前(优选在紧挨喷出之前),如图5B所示,镀液供给部53对镀液L1进行温度调整。即,进行从镀液送出部11经由第一流路C1向温度调整部12送出镀液L1的工序、以及温度调整部12调整经由第一流路C1供给的镀液L1的温度的工序。具体地说,使来自镀液供给源532的镀液L1充满换热器13的流路和第二流路C2,通过换热器13和保温部15(参照图3)来调整换热器13内和第二流路C2内的镀液L1的温度。此时,通过镀液L1将第一流路C1、换热器13以及第二流路C2内的推出液体L51(参照图5A)推出,从镀液喷嘴531排出到排液部34。但是,也可以经由上述排出切换阀门43和第五流路C5(参照图3)将这样的推出液体L51从第二流路C2排出到排液部34。
然后,在将换热器13内和第二流路C2内的镀液L1充分加热来调整温度后,如图5C所示,镀液供给部53将镀液L1喷出到基板W上。即,在将镀液喷嘴531配置于喷出位置的状态下,从推出液体供给部17(推出流体送出部16)经由第一流路C1向换热器13(温度调整部12)和第二流路C2送出推出液体L51(推出流体L5)。由此,从换热器13和第二流路C2向镀液喷嘴531送出镀液L1,从镀液喷嘴531向基板W喷出镀液L1。
然后,在将充分量的镀液L1喷出到基板W上后,如图5D所示,镀液供给部53使推出液体L51充满换热器13的流路和第二流路C2。从可靠地仅将镀液L1喷出到基板W上的观点出发,优选在使镀液L1残留于第二流路C2的状态下将推出液体L51与残留的镀液L1一起从第二流路C2排出到排液部34。在图5D所示的例子中,将残留于第二流路C2的镀液L1与推出液体L51一起从配置于退避位置的镀液喷嘴531向排液部34排出。但是,也可以经由上述排出切换阀门43和第五流路C5(参照图3)将残留于第二流路C2的镀液L1与推出液体L51一起排出到排液部34。
然后,使镀液供给部53再次处于空闲状态(参照图5A)。此外,在对照图4所示的工序S1~S11的情况下,也可以在镀液盛放工序S4以外的工序(即S1~S3和S5~S11)中使镀液供给部53处于空闲状态(图5A)。然后,也可以在镀液盛放工序S4中如图5B~图5D所示那样向第一流路C1、换热器13以及第二流路C2送出镀液L1和推出液体L51。但是,也可以在镀液盛放工序S4以外的工序中进行向基板W提供镀液L1前的处理(参照图5A和图5B)和向基板W提供镀液L1后的处理(参照图5D)。
通过重复上述图5A~图5D所示的工序,能够从镀液喷嘴531重复地喷出镀液L1。例如,通过重复地进行下面的处理流程,能够针对多个基板W连续地进行镀敷处理。
首先,通过温度调整部12来调整用于第一基板W的镀敷处理的镀液L1(下面也称为“第一镀液L1”)的温度(参照图5B)。然后,向换热器13和第二流路C2供给推出液体L51,由此从镀液喷嘴531喷出被调整温度后的第一镀液L1并供给到第一基板W(参照图5C)。由此,使用第一镀液L1对第一基板W进行镀敷处理(下面也称为“第一镀敷处理”)(参照图5D)。
在第一镀敷处理的进行过程中或第一镀敷处理完成后,将用于第二基板W的镀敷处理的镀液L1(下面也称为“第二镀液L1”)供给到换热器13和第二流路C2(参照图5B)。由此,通过温度调整部12来调整第二镀液L1的温度。此外,通过被供给到换热器13和第二流路C2的第二镀液L1将被使用于第一镀液L1的推出并滞留于换热器13和第二流路C2的推出液体L51推出并排出。然后,向换热器13和第二流路C2供给新的推出液体L51,由此将被调整温度后的第二镀液L1从镀液喷嘴531喷出并供给到第二基板W。由此,使用第二镀液L1对第二基板W进行镀敷处理(下面也称为“第二镀敷处理”)。通过重复上述一系列的工序,能够针对多个基板W连续地进行镀敷处理。
如以上所说明的那样,根据上述装置和方法,镀液L1被推出后的温度调整部12的流路被推出流体L5充满,因此,能够防止镀液L1在温度调整部12中长时间处于高温状态。由此,能够抑制镀液L1的品质的下降,并且向基板W供给被调整温度后的镀液L1。特别是,即使在在每一次的镀敷处理所需的时间长的情况等、同一流体长时间滞留于温度调整部12的情况下,也不会发生镀敷成分的析出等不良情况,无需进行用于去除温度调整部12中的镀敷成分的清洗或镀液L1的更换。另外,能够减少温度调整部12中的流路的污染,能够抑制镀液L1中混入微粒,并且减轻维护负荷。另外,不一定需要与温度调整部12的温度及加热时间有关的严格管理,因此,能够减轻管理负担。
另外,分开进行将使用于镀敷处理的镀液L1导入到温度调整部12的工序以及将用于使镀液L1喷出到基板W上的推出流体L5导入到温度调整部12的工序。因而,无论镀敷处理所需的时间、正在进行的镀敷处理的状況如何,都能够在期望的定时将镀液L1导入到温度调整部12,能够在温度调整部12中将镀液L1持续加热期望时间。由此,能够使温度调整部12对镀液L1的加热和保温最佳化,能够将不包含析出镀敷成分的最佳温度的镀液L1提供给基板W的镀敷处理。
另外,在从温度调整部12推出镀液L1时(参照图5C),使推出气体L52夹在镀液L1与推出液体L51之间,由此能够避免推出液体L51与镀液L1混合,能够防止镀液L1的品质变差。此外,在通过镀液L1将推出液体L51从温度调整部12推出时(参照图5B),也可以使推出气体L52夹在镀液L1与推出液体L51之间,来避免推出液体L51与镀液L1混合。
[第一变形例]
也可以是,多个基板W分别由多个基板保持部52保持,对该多个基板W中的每一个基板W或每两个以上的基板W,重复进行镀液L1向温度调整部12的供给以及推出流体L5向第一流路C1的送出。在该情况下也从镀液送出部11经由第一流路C1向温度调整部12供给镀液L1,但是一次充填到温度调整部12的镀液L1使用于重复单位为一个或两个以上的基板W的镀敷处理。另外,虽然从推出流体送出部16向第一流路C1送出推出流体L5,但是在重复单位为两个以上基板W的情况下,推出流体L5被间歇地送出到第一流路C1。
由此,能够针对每规定张数的基板W进行镀液L1的喷出处理。特别是,通过对每两个以上的基板W重复进行镀液L1向温度调整部12的供给以及推出流体L5向第一流路C1的送出,能够高效地进行多个基板W的镀敷处理。另外,能够期待在处理单位为两个以上的基板W之间实施均匀的镀敷处理。例如,也可以对收容于承载件C(参照图1)的每多张基板W重复进行镀液L1向温度调整部12的供给以及推出流体L5向第一流路C1的送出。在该情况下,能够以承载件C单位高效地进行镀敷处理,也容易进行管理。
[第二变形例]
在图3所示的例子中,调整镀液L1向温度调整部12的供给的设备(特别是第一镀液开闭阀24)与调整推出流体L5向温度调整部12的供给的设备(特别是推出液体开闭阀37和/或推出气体开闭阀40)相独立地设置。控制部3通过对设置于比温度调整部12靠上游侧的这些调整设备分别进行控制,来在镀液L1的供给与推出流体L5的供给之间适当进行切换。
在镀液L1与推出流体L5之间切换向温度调整部12供给的流体这样的调整设备也可以由其它设备构成,例如,也可以由三通阀等单一设备构成。在该情况下,控制部3对单一的调整设备进行控制,由此能够在镀液L1与推出流体L5之间适当地切换供给的流体。此外,也可以是,在使用单一的调整设备来在镀液L1与推出流体L5之间切换供给的流体的情况下,使该单一的调整设备(参照图3的附图标记“B”)也一并具有图3所示的镀液定压阀25和推出液体定压阀38的功能。在该情况下,能够使镀液供给部53的结构进一步简化。
[第三变形例]
在上述实施方式和变形例中,主要是对推出流体L5包括推出液体L51的情况进行了说明,但也可以仅将推出气体L52用作推出流体L5。在该情况下,能够通过推出气体L52来与上述推出液体L51同样地推出镀液L1,使从镀液喷嘴531向基板W上喷出期望的量的镀液L1。与推出液体L51相比,推出气体L52即使与镀液L1接触,能够对镀液L1造成的影响也较小。另一方面,与推出气体L52相比,推出液体L51在镀液L1的清洗性能方面优异。因而,优选根据镀液L1的性质和镀液供给部53的装置特性区分地使用推出液体L51和推出气体L52。特别是,通过将推出液体L51和推出气体L52组合起来用作推出流体L5,能够享有推出液体L51和推出气体L52各自发挥的有益效果。
[其它变形例]
本发明并不限定于上述实施方式和变形例本身,在实施阶段在不脱离其主旨的范围内能够对构成要素进行变形并具体化。另外,通过对上述实施方式和变形例中公开的多个构成要素进行适当的组合,能够形成各种装置和方法。也可以从实施方式和变形例所示的全部构成要素中删除一些构成要素。并且,也可以将不同的实施方式和变形例中的构成要素适当进行组合。
例如,也可以将本发明具体化为记录介质(例如记录介质31),该记录介质记录有以下程序:在用于控制基板液处理装置的动作的计算机执行该程序时,使计算机控制基板液处理装置来执行上述基板液处理方法。
附图标记说明
1:镀敷处理装置;11:镀液送出部;12:温度调整部;16:推出流体送出部;52:基板保持部;531:镀液喷嘴;C1:第一流路;C2:第二流路;L1:镀液;L5:推出流体;W:基板。
Claims (10)
1.一种基板液处理装置,向基板供给镀液,其中,所述基板液处理装置具备:
基板保持部,其用于保持所述基板;
镀液送出部,其向第一流路送出所述镀液;
温度调整部,其经由所述第一流路来与所述镀液送出部连接,对经由所述第一流路供给的流体的温度进行调整;
推出流体送出部,其向所述第一流路送出与所述镀液不同的推出流体;以及
喷出部,其与所述温度调整部连接,喷出从所述温度调整部供给的流体。
2.根据权利要求1所述的基板液处理装置,其中,
具备控制部,所述控制部对所述镀液送出部和所述推出流体送出部进行控制,以使从所述镀液送出部向所述第一流路送出所述镀液的定时与从所述推出流体送出部向所述第一流路送出所述推出流体的定时互不相同。
3.根据权利要求1或2所述的基板液处理装置,其中,
所述喷出部随着从所述推出流体送出部向所述第一流路的所述推出流体的送出而喷出从所述温度调整部送来的所述镀液。
4.根据权利要求1~3中的任一项所述的基板液处理装置,其中,
所述喷出部具有能够喷出流体的开口部,
所述喷出部设置为能够移动以配置于喷出位置和退避位置,所述喷出位置是所述开口部与保持于所述基板保持部的所述基板相向的位置,所述退避位置是所述开口部与保持于所述基板保持部的所述基板不相向的位置,
所述喷出部在所述退避位置喷出所述推出流体。
5.根据权利要求1~4中的任一项所述的基板液处理装置,其中,
设置多个所述基板保持部,多个基板分别由多个所述基板保持部保持,
对所述多个基板中的每一个基板或每两个以上的基板,重复进行所述镀液从所述镀液送出部经由所述第一流路向所述温度调整部的供给、以及所述推出流体从所述推出流体送出部向所述第一流路的送出。
6.根据权利要求1~5中的任一项所述的基板液处理装置,其中,
所述推出流体包括推出液体。
7.根据权利要求6所述的基板液处理装置,其中,
所述推出流体包括推出气体,
所述推出流体送出部具有向所述第一流路送出所述推出液体的推出液体供给部、以及向所述第一流路送出所述推出气体的推出气体供给部。
8.根据权利要求7所述的基板液处理装置,其中,
所述温度调整部在经由所述第一流路被供给所述镀液后,经由所述第一流路被供给所述推出气体,
所述温度调整部在经由所述第一流路被供给所述推出气体后,经由所述第一流路被供给所述推出液体。
9.根据权利要求1~8中的任一项所述的基板液处理装置,其中,所述基板液处理装置具备:
第二流路,其将所述温度调整部与所述喷出部连接;以及
排放流路,其与所述第二流路连接,能够排出所述第二流路内的流体。
10.一种基板液处理方法,向基板供给镀液,其中,所述基板液处理方法包括以下工序:
从镀液送出部经由第一流路向温度调整部送出所述镀液;
所述温度调整部对经由所述第一流路供给的所述镀液的温度进行调整;以及
通过从推出流体送出部经由所述第一流路向所述温度调整部送出与所述镀液不同的推出流体,来从所述温度调整部向喷出部送出所述镀液,从所述喷出部向所述基板喷出所述镀液。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018-247887 | 2018-12-28 | ||
JP2018247887 | 2018-12-28 | ||
PCT/JP2019/049150 WO2020137652A1 (ja) | 2018-12-28 | 2019-12-16 | 基板液処理装置及び基板液処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113227453A true CN113227453A (zh) | 2021-08-06 |
CN113227453B CN113227453B (zh) | 2024-04-16 |
Family
ID=71129034
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201980085147.6A Active CN113227453B (zh) | 2018-12-28 | 2019-12-16 | 基板液处理装置和基板液处理方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220074052A1 (zh) |
JP (1) | JP7114744B2 (zh) |
KR (1) | KR20210107757A (zh) |
CN (1) | CN113227453B (zh) |
TW (1) | TWI831895B (zh) |
WO (1) | WO2020137652A1 (zh) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52144894A (en) * | 1976-05-28 | 1977-12-02 | Fujikoshi Kk | Method and device of and for manufacturing electrolytic grinding stone |
US20040194698A1 (en) * | 2001-10-17 | 2004-10-07 | Akihisa Hongo | Plating apparatus |
TW201319312A (zh) * | 2011-06-29 | 2013-05-16 | Tokyo Electron Ltd | 電鍍處理裝置、電鍍處理方法及記憶媒體 |
CN103314134A (zh) * | 2011-03-15 | 2013-09-18 | 东芝三菱电机产业系统株式会社 | 成膜装置 |
US20140148006A1 (en) * | 2010-10-14 | 2014-05-29 | Tokyo Electron Limited | Liquid treatment apparatus and liquid treatment method |
US20180002811A1 (en) * | 2016-07-01 | 2018-01-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method and recording medium |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5865894A (en) * | 1997-06-11 | 1999-02-02 | Reynolds Tech Fabricators, Inc. | Megasonic plating system |
JP3215378B2 (ja) * | 1998-10-29 | 2001-10-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 成膜装置の液体供給装置 |
JP2004140129A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-05-13 | Renesas Technology Corp | 絶縁膜の欠陥検出方法及びその装置 |
JP2006111938A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Tokyo Electron Ltd | 無電解めっき装置 |
JP2007154298A (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Tokyo Electron Ltd | 無電解めっき装置および無電解めっき方法 |
JP2009179821A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Panasonic Corp | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
JP2012153936A (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Tokyo Electron Ltd | めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体 |
JP6211458B2 (ja) * | 2014-04-30 | 2017-10-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法 |
-
2019
- 2019-12-16 US US17/415,887 patent/US20220074052A1/en active Pending
- 2019-12-16 TW TW108145920A patent/TWI831895B/zh active
- 2019-12-16 WO PCT/JP2019/049150 patent/WO2020137652A1/ja active Application Filing
- 2019-12-16 JP JP2020563098A patent/JP7114744B2/ja active Active
- 2019-12-16 KR KR1020217022956A patent/KR20210107757A/ko unknown
- 2019-12-16 CN CN201980085147.6A patent/CN113227453B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52144894A (en) * | 1976-05-28 | 1977-12-02 | Fujikoshi Kk | Method and device of and for manufacturing electrolytic grinding stone |
US20040194698A1 (en) * | 2001-10-17 | 2004-10-07 | Akihisa Hongo | Plating apparatus |
US20140148006A1 (en) * | 2010-10-14 | 2014-05-29 | Tokyo Electron Limited | Liquid treatment apparatus and liquid treatment method |
CN103314134A (zh) * | 2011-03-15 | 2013-09-18 | 东芝三菱电机产业系统株式会社 | 成膜装置 |
TW201319312A (zh) * | 2011-06-29 | 2013-05-16 | Tokyo Electron Ltd | 電鍍處理裝置、電鍍處理方法及記憶媒體 |
US20180002811A1 (en) * | 2016-07-01 | 2018-01-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method and recording medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220074052A1 (en) | 2022-03-10 |
TW202036758A (zh) | 2020-10-01 |
TWI831895B (zh) | 2024-02-11 |
CN113227453B (zh) | 2024-04-16 |
KR20210107757A (ko) | 2021-09-01 |
WO2020137652A1 (ja) | 2020-07-02 |
JPWO2020137652A1 (ja) | 2021-11-04 |
JP7114744B2 (ja) | 2022-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102364189B1 (ko) | 기판 액 처리 장치, 기판 액 처리 방법 및 기록 매체 | |
US20050081785A1 (en) | Apparatus for electroless deposition | |
US9421569B2 (en) | Plating apparatus, plating method and storage medium | |
KR20140100481A (ko) | 도금 처리 장치, 도금 처리 방법 및 기억 매체 | |
CN113227453B (zh) | 基板液处理装置和基板液处理方法 | |
US11795546B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method and recording medium | |
WO2021085165A1 (ja) | 基板液処理方法および基板液処理装置 | |
US20230098105A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP7326461B2 (ja) | 基板液処理装置及び基板液処理方法 | |
US20050022909A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
KR101123703B1 (ko) | 캡 메탈 형성 방법 | |
US20230085449A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
US20210317581A1 (en) | Substrate liquid processing apparatus and substrate liquid processing method | |
JP7305779B2 (ja) | 基板液処理装置及び基板液処理方法 | |
US20220049356A1 (en) | Substrate liquid processing apparatus and substrate liquid processing method | |
US20240079269A1 (en) | Plating method and plating apparatus | |
JP7467264B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法およびノズル | |
JP7297905B2 (ja) | 基板液処理方法、基板液処理装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
US20220251709A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
KR20230136183A (ko) | 도금 처리 방법 및 도금 처리 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |