JPWO2020066114A1 - スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents
スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2020066114A1 JPWO2020066114A1 JP2020547948A JP2020547948A JPWO2020066114A1 JP WO2020066114 A1 JPWO2020066114 A1 JP WO2020066114A1 JP 2020547948 A JP2020547948 A JP 2020547948A JP 2020547948 A JP2020547948 A JP 2020547948A JP WO2020066114 A1 JPWO2020066114 A1 JP WO2020066114A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering target
- composite oxide
- powder
- layer
- boron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/12—Metallic powder containing non-metallic particles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/05—Mixtures of metal powder with non-metallic powder
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C5/00—Alloys based on noble metals
- C22C5/04—Alloys based on a platinum group metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
Description
(発明1)
Ruを主成分とするスパッタリングターゲットであって、B2O3よりも高い融点をもち且つホウ素を含む複合酸化物を含有する、該ターゲット。
(発明2)
発明1に記載のスパッタリングターゲットであって、Bの含有量が0.01wt%以上である、該ターゲット。
(発明3)
発明1又は2に記載のスパッタリングターゲットであって、相対密度が90%以上である、該ターゲット。
(発明4)
発明1〜3のいずれか1つに記載のスパッタリングターゲットであって、RuとBとO以外に、構成元素として、Co、Cr、Mn、及びTiから選択される1種以上を更に含む、該ターゲット。
(発明5)
発明1〜4のいずれか1つに記載のスパッタリングターゲットであって、前記複合酸化物の融点が750℃以上である、該ターゲット。
(発明6)
発明1〜5のいずれか1つに記載のスパッタリングターゲットであって、前記複合酸化物がCo2B2O5、CrBO3、TiBO3及びMn3B2O6から成る群から選択される1種以上である、該ターゲット。
(発明7)
スパッタリングターゲットの製造に使用するための複合酸化物の粉体であって、前記複合酸化物が、B2O3よりも高い融点をもち且つホウ素を含む複合酸化物である、該粉体。
(発明8)
発明7に記載の粉体であって、前記複合酸化物の融点が750℃以上である、該粉体。
(発明9)
発明7又は8に記載の粉体であって、前記複合酸化物が、Co2B2O5、CrBO3、TiBO3及びMn3B2O6から成る群から選択される1種以上である、該粉体。
(発明10)
発明7〜9のいずれか1つに記載の粉体であって、比表面積が0.5〜80m2/gである、粒径が0.3〜15μmである及び/又は不純物としての濃度が10000wtppm以下である、該粉体。
一実施形態において、本開示は、スパッタリングターゲットに関する。
一実施形態において、スパッタリングターゲットは、Ruと複合酸化物とを少なくとも含む。そして、Ruは、スパッタリングターゲットの主成分である。
例えば、複合酸化物がCo2B2O5の場合、複合酸化物全体の重量を100%とした場合、Coは53.70wt%、Bは9.85wt%、Oは36.45wt%となる。従って、スパッタリングターゲット全体の重量を100%、且つスパッタリングターゲット全体に占めるBの含有量が0.01wt%以上の場合を仮定すると、Coは0.054wt%以上、Oは、0.036wt%以上となる。
Ru;
B;
Co、Cr、Mn、及びTiから選択される1種以上;及び
O。
一実施形態において、ホウ素を含む複合酸化物は、BとOと金属元素とから成る複合酸化物が含まれる。こうした複合酸化物を用いる理由としては、上述したB2O3よりも融点が高く、熱処理により失われてしまう可能性が低いからである。より好ましくは、ホウ素を含む複合酸化物の融点は750℃以上(好ましくは1000℃以上)であってもよい。上限値は特に限定されないが、典型的には、1300℃以下である。
一実施形態において、スパッタリングターゲットの相対密度は、90%以上であってもよく、好ましくは、98%以上である。これにより、アーキングの発生が更に抑制される。なお、本明細書で言及する相対密度は、実測密度と理論密度との比を指す。実測密度については、純水を溶媒として用いたアルキメデス法にて測定を行った値を指す。理論密度は、下記の通り、原料の単体密度それぞれに混合質量比を掛け、得られた値の総和とする。
理論密度=Σ{(成分nの理論密度×混合質量比)}
2−1.粉体の特性
一実施形態において、本開示はスパッタリングターゲットを製造するための粉体、及び当該粉体の使用に関する。前記粉体の成分は、ホウ素を含む複合酸化物である。好ましくは、ホウ素を含む複合酸化物の融点は750℃以上(更に、好ましくは1000℃以上)である。上限値は特に限定されないが、典型的には、1300℃以下である。粉体のホウ素を含む複合酸化物を構成する金属元素としては、好ましくは、Co、Cr、Mn、及びTiから選択される1種以上が挙げられるがこれらに限定されない。また、ホウ素を含む複合酸化物の具体例としては、Co2B2O5、CrBO3、TiBO3及びMn3B2O6から成る群から選択される1種以上が挙げられるがこれらに限定されない。
・対象物質を200℃で2時間脱気
・カンタクローム社製のMonosorbにて、吸着ガスとしてHe70at%−N230at%混合ガスを使用し、BET法(1点法)にて測定する。
最初に、Co、Cr、TiおよびMnのうち少なくとも一つを含む酸化物とBを含む酸化物の粉体とを準備する。これら粉体は、市販の物を利用してもよい。これらの粉末を、混合したのち融点以下で熱処理を行うことで作製する。さらに、スパッタリングターゲットの製造に適した粉体とするため、合成後に粉砕工程を入れることができる。
一実施形態において、本開示は、スパッタリングターゲットの製造方法に関する。前記方法は、少なくとも以下の工程を含む。
・Ru粉体と、ホウ素を含む複合酸化物の粉体とを混合する工程
・混合した粉末を加圧焼結する工程
最初に、Ru粉体とホウ素を含む複合酸化物の粉体とを準備する。Ru粉体は、市販の物を利用してもよい。好ましくは、スパッタリングターゲットの製造に適した粉体を使用する(例えば、低不純物等)。一方、ホウ素を含む複合酸化物の粉体については、上述したように、融点が750℃以上(好ましくは1000℃以上)のホウ素を含む複合酸化物を使用してもよい。
上述の混合粉末は、型等に充填し、焼結することができる。焼結する際の加圧方法としては、ホットプレス(HP)及び/又は熱間等方圧加圧(HIP)等が挙げられる。
上記混合及び焼結を経た後は、更に、機械加工を施して、所望の形状に仕上げてもよい。
4−1.成膜
上記工程で得られたスパッタリングターゲットを用いて、成膜することができる。スパッタリングの条件は、当分野で公知の条件を採用してもよく、典型的には、以下の通りである。
スパッタ条件
スパッタ装置: Canon Anelva社製 C3010
投入電力 100〜1kW(例えば、1kW)、
Arガス圧 1〜10Pa(例えば、1.7Pa)、
プレスパッタリング 0.5〜2kWhr(例えば、2kWhr)
上記条件でスパッタすることにより、磁気記録層のための中間層を形成することができる。これを応用することで、磁気記録媒体を製造することができる。
例えば、以下の手順で製造することができる。最初に、基板を準備する。基板上に、NiW又はNiFeWを成分とする層を形成する。次に、NiW層又はNiFeW層の上に、純Ru層を形成する。その後、上述したスパッタリングターゲットを用いてスパッタすることにより、Ruとホウ素を含む複合酸化物とから構成される層を中間層として形成することができる。そして、中間層の上に磁気記録層を形成する。磁気記録層の上には、保護層、及び潤滑層等の当分野で公知の層を設けることができる。また、NiWの層の下には、CrTiやNiTaを主成分とする密着層、FeCoTaやFeCoNb,FeCoMoなどを主成分とする軟磁性層、軟磁性層の中間に反強磁性結合を促すRu層等の当分野で公知の層を設けることができる。
5−1.スパッタリングターゲットの製造
ルテニウム粉末(純度99.9wt%)と、ホウ素を含む複合酸化物粉末(純度99wt%)とを準備した。ホウ素を含む複合酸化物については、Co2B2O5、CrBO3、TiBO3、及びMn3B2O6の4種類(実施例1〜4)と、B2O3(比較例)とを準備した。ホウ素を含む複合酸化物の含有量が、表1に記載の「B狙い組成値wt%」になるように、ルテニウム粉末とホウ素を含む複合酸化物粉末とを混合した。次に、混合物をカーボン製の型に充填し、ホットプレスした。ホットプレス条件は、Ar雰囲気、焼結温度1000℃、焼結圧力300kg/cm2、焼結時間2時間とした。ホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間静水圧焼結(HIP)を施した。熱間静水圧焼結の条件は、保持温度1100℃、保持時間2時間とし、昇温開始時からArガスのガス圧を徐々に高めて、1100℃保持中は1500kgf/cm2で加圧した。得られた焼結体を所望の寸法に切削加工し、円盤状のスパッタリングターゲットを得た。
実施例1〜4について、SEMでスパッタリングターゲット組織を観察した(図1)。また、観察される酸化物の一部(図1の四角部分)について、EDS(日立ハイテクノロジーズ社製のS−3700N)を用いて定量分析を実施した。結果を表2に示す。
技術分野
[0001]
本開示は、スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法に関する。より具体的には、Ruを含むスパッタリングターゲット及び当該スパッタリングターゲットの製造方法に関する。
背景技術
[0002]
ハードディスクドライブに代表される磁気記録の分野では、記録を担う磁性薄膜の材料として、強磁性金属であるCo、Fe、あるいはNiをベースとした材料が用いられている。例えば、面内磁気記録方式を採用するハードディスクの記録層にはCoを主成分とするCo−Cr系やCo−Cr−Pt系の強磁性合金が用いられてきた。
[0003]
近年ハードディスクドライブ等の磁気記録の高容量化が進んでいる。この高容量化を実現するためには、磁気記録層における結晶粒の分離性を向上させ、これにより、結晶粒間の相互作用を低減させることが重要である。
[0004]
特許文献1では、Ru−xCoO合金の下地層が開示されている。また、特許文献1では、第二下地層150bに酸化物による結晶粒界が形成され、粒子間の分離性が促進されると共に、下地層150を構成するRu及び主記録層160の結晶配向性を向上する作用もあることが開示されている。
[0005]
特許文献2では、非磁性中間層と磁性層とを備える垂直磁気記録媒体が開示されている。また、特許文献2では、第1の非磁性中間層としてRu、及び第2の非磁性中間層としてCoCr合金が開示されている。
[0006]
特許文献3では、非磁性基板上に、少なくとも、第1の磁性層と第2の磁性層とを交互に多層積層して構成された垂直磁性層が下地層を介して備えら
Claims (10)
- Ruを主成分とするスパッタリングターゲットであって、B2O3よりも高い融点をもち且つホウ素を含む複合酸化物を含有する、該ターゲット。
- 請求項1に記載のスパッタリングターゲットであって、Bの含有量が0.01wt%以上である、該ターゲット。
- 請求項1又は2に記載のスパッタリングターゲットであって、相対密度が90%以上である、該ターゲット。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲットであって、RuとBとO以外に、構成元素として、Co、Cr、Mn、及びTiから選択される1種以上を更に含む、該ターゲット。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲットであって、前記複合酸化物の融点が750℃以上である、該ターゲット。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲットであって、前記複合酸化物がCo2B2O5、CrBO3、TiBO3及びMn3B2O6から成る群から選択される1種以上である、該ターゲット。
- スパッタリングターゲットの製造に使用するための複合酸化物の粉体であって、前記複合酸化物が、B2O3よりも高い融点をもち且つホウ素を含む複合酸化物である、該粉体。
- 請求項7に記載の粉体であって、前記複合酸化物の融点が750℃以上である、該粉体。
- 請求項7又は8に記載の粉体であって、前記複合酸化物が、Co2B2O5、CrBO3、TiBO3及びMn3B2O6から成る群から選択される1種以上である、該粉体。
- 請求項7〜9のいずれか1項に記載の粉体であって、比表面積が0.5〜80m2/gである、粒径が0.3〜15μmである及び/又は不純物としての濃度が10000wtppm以下である、該粉体。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018178381 | 2018-09-25 | ||
JP2018178381 | 2018-09-25 | ||
PCT/JP2019/019571 WO2020066114A1 (ja) | 2018-09-25 | 2019-05-16 | スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットを製造するための粉体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020066114A1 true JPWO2020066114A1 (ja) | 2021-10-21 |
JP7072664B2 JP7072664B2 (ja) | 2022-05-20 |
Family
ID=69953061
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020547948A Active JP7072664B2 (ja) | 2018-09-25 | 2019-05-16 | スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7072664B2 (ja) |
CN (1) | CN112739846A (ja) |
MY (1) | MY197929A (ja) |
SG (1) | SG11202102759VA (ja) |
TW (1) | TWI727334B (ja) |
WO (1) | WO2020066114A1 (ja) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006283054A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Hoya Corp | スパッタリングターゲット、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法、並びに反射型マスクの製造方法 |
JP2008101246A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Asahi Glass Co Ltd | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランクを製造する際に使用されるスパッタリングターゲット |
JP2010514921A (ja) * | 2007-07-17 | 2010-05-06 | ウィリアムズ アドバンスト マテリアルズ インコーポレイティド | スパッタリングターゲット修復用の方法 |
WO2014178310A1 (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-06 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 焼結体、同焼結体からなる磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット |
JP2015155573A (ja) * | 2014-01-17 | 2015-08-27 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 磁性記録媒体用スパッタリングターゲット |
WO2016013334A1 (ja) * | 2014-07-25 | 2016-01-28 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 磁性体薄膜形成用スパッタリングターゲット |
WO2016035415A1 (ja) * | 2014-09-04 | 2016-03-10 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット |
WO2018123500A1 (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | Jx金属株式会社 | 磁性材スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2003216441A1 (en) * | 2002-02-28 | 2003-09-16 | Seagate Technology Llc | Chemically ordered, cobalt-platinum alloys for magnetic recording |
WO2006134743A1 (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-21 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | ルテニウム合金スパッタリングターゲット |
JP6445126B2 (ja) * | 2015-02-19 | 2018-12-26 | Jx金属株式会社 | 磁性体薄膜形成用スパッタリングターゲット |
TW201636444A (zh) * | 2015-04-01 | 2016-10-16 | 光洋應用材料科技股份有限公司 | 釕基靶材及用於磁記錄媒體的中間膜 |
-
2019
- 2019-05-16 SG SG11202102759VA patent/SG11202102759VA/en unknown
- 2019-05-16 CN CN201980060775.9A patent/CN112739846A/zh active Pending
- 2019-05-16 MY MYPI2021001557A patent/MY197929A/en unknown
- 2019-05-16 WO PCT/JP2019/019571 patent/WO2020066114A1/ja active Application Filing
- 2019-05-16 JP JP2020547948A patent/JP7072664B2/ja active Active
- 2019-06-04 TW TW108119331A patent/TWI727334B/zh active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006283054A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Hoya Corp | スパッタリングターゲット、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法、並びに反射型マスクの製造方法 |
JP2008101246A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Asahi Glass Co Ltd | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランクを製造する際に使用されるスパッタリングターゲット |
JP2010514921A (ja) * | 2007-07-17 | 2010-05-06 | ウィリアムズ アドバンスト マテリアルズ インコーポレイティド | スパッタリングターゲット修復用の方法 |
WO2014178310A1 (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-06 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 焼結体、同焼結体からなる磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット |
JP2015155573A (ja) * | 2014-01-17 | 2015-08-27 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 磁性記録媒体用スパッタリングターゲット |
WO2016013334A1 (ja) * | 2014-07-25 | 2016-01-28 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 磁性体薄膜形成用スパッタリングターゲット |
WO2016035415A1 (ja) * | 2014-09-04 | 2016-03-10 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット |
WO2018123500A1 (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | Jx金属株式会社 | 磁性材スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI727334B (zh) | 2021-05-11 |
MY197929A (en) | 2023-07-25 |
SG11202102759VA (en) | 2021-04-29 |
WO2020066114A1 (ja) | 2020-04-02 |
TW202012666A (zh) | 2020-04-01 |
JP7072664B2 (ja) | 2022-05-20 |
CN112739846A (zh) | 2021-04-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI547581B (zh) | Sintered body sputtering target | |
CN104411862B (zh) | 非磁性物质分散型Fe‑Pt基溅射靶 | |
WO2012133166A1 (ja) | 磁気記録膜用スパッタリングターゲット | |
US10325762B2 (en) | Sputtering target for forming magnetic recording film and process for producing same | |
CN104246882B (zh) | Fe基磁性材料烧结体 | |
JP5705993B2 (ja) | C粒子が分散したFe−Pt−Ag−C系スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
CN108138313B (zh) | 非磁性材料分散型Fe-Pt系溅射靶 | |
WO2017213185A1 (ja) | スパッタリングターゲット及び、その製造方法 | |
JP6573629B2 (ja) | 高純度耐熱金属粉体、及び無秩序な組織を有し得るスパッタリングターゲットにおけるその使用 | |
JP3973857B2 (ja) | マンガン合金スパッタリングターゲットの製造方法 | |
TW201413019A (zh) | 磁記錄膜用濺鍍靶 | |
JP2009074127A (ja) | 焼結スパッタリングターゲット材およびその製造方法 | |
JP6768575B2 (ja) | タングステンシリサイドターゲット及びその製造方法 | |
WO2012073882A1 (ja) | スパッタリングターゲット | |
TWI753073B (zh) | 磁性材濺鍍靶及其製造方法 | |
CN114959599A (zh) | 磁记录膜形成用溅射靶及其制造方法 | |
TW201103999A (en) | Method for manufacturing nickel alloy target | |
JP7072664B2 (ja) | スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP7005647B2 (ja) | スパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに磁気記録媒体の製造方法 | |
WO2014175392A1 (ja) | 磁気記録膜用スパッタリングターゲット及びその製造に用いる炭素原料 | |
JP6657355B2 (ja) | ルテニウム/レニウムを含むスパッタリングターゲット、ルテニウム/レニウムを含む層およびその製法 | |
TWI605143B (zh) | Magnetic recording media sputtering target | |
WO2020166380A1 (ja) | スパッタリングターゲット材 | |
JP3997527B2 (ja) | Ru−Al金属間化合物ターゲットの製造方法、Ru−Al金属間化合物ターゲットおよび磁気記録媒体 | |
WO2010098290A1 (ja) | スパッタリングターゲット材およびその製造方法、ならびにそれらを用いて製造された薄膜 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A529 | Written submission of copy of amendment under article 34 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A5211 Effective date: 20210302 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210302 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220412 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220510 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7072664 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |