JPWO2020049956A1 - 有機薄膜トランジスタ、および、有機薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
有機薄膜トランジスタ、および、有機薄膜トランジスタの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2020049956A1 JPWO2020049956A1 JP2020541090A JP2020541090A JPWO2020049956A1 JP WO2020049956 A1 JPWO2020049956 A1 JP WO2020049956A1 JP 2020541090 A JP2020541090 A JP 2020541090A JP 2020541090 A JP2020541090 A JP 2020541090A JP WO2020049956 A1 JPWO2020049956 A1 JP WO2020049956A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- organic
- layer
- sinh
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 102
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 388
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 68
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 119
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 111
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 52
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 43
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 16
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 7
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 description 37
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 36
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 29
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 18
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 15
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 14
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 13
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 13
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 13
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 12
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 7
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical group C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 5
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 238000001678 elastic recoil detection analysis Methods 0.000 description 4
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 229920001909 styrene-acrylic polymer Polymers 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 229920006127 amorphous resin Polymers 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N isophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- ODIGIKRIUKFKHP-UHFFFAOYSA-N (n-propan-2-yloxycarbonylanilino) acetate Chemical compound CC(C)OC(=O)N(OC(C)=O)C1=CC=CC=C1 ODIGIKRIUKFKHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CAVCGVPGBKGDTG-UHFFFAOYSA-N alumanylidynemethyl(alumanylidynemethylalumanylidenemethylidene)alumane Chemical compound [Al]#C[Al]=C=[Al]C#[Al] CAVCGVPGBKGDTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010038083 amyloid fibril protein AS-SAM Proteins 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007644 letterpress printing Methods 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229940105570 ornex Drugs 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
- H10K10/472—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising only inorganic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
- H10K10/474—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising a multilayered structure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Description
このように半導体として有機半導体を用いることで、有機薄膜トランジスタにフレキシブル性を持たせることが多数提案されている。しかしながら、有機薄膜トランジスタにフレキシブル性を持たせるためには、有機薄膜トランジスタを構成する他の材料も屈曲性を持ちつつ性能を発現する必要がある。
[1] ゲート電極と、
ゲート電極を覆って形成される絶縁膜と、
絶縁膜上に形成される有機半導体層と、
有機半導体層上に形成されるソース電極、および、ドレイン電極を有し、
絶縁膜は、SiNHからなる無機膜を含む有機薄膜トランジスタ。
[2] 無機膜中のSiNとHとの原子数の比率SiN:Hが、1:0.7〜2である[1]に記載の有機薄膜トランジスタ。
[3] 無機膜の厚みが1nm〜100nmである[1]または[2]に記載の有機薄膜トランジスタ。
[4] 無機膜のゲート電極側に有機層を有する[1]〜[3]のいずれかに記載の有機薄膜トランジスタ。
[5] 有機層の厚みが0.01μm〜1μmである[4]に記載の有機薄膜トランジスタ。
[6] 有機層のガラス転移温度が200℃以上である[4]または[5]に記載の有機薄膜トランジスタ。
[7] 無機膜の有機半導体層側の表面にSiO2をからなる第2の無機膜を有する[1]〜[6]のいずれかに記載の有機薄膜トランジスタ。
[8] ゲート電極、絶縁膜、有機半導体層、ソース電極、および、ドレイン電極を支持する支持体を有する[1]〜[7]のいずれかに記載の有機薄膜トランジスタ。
[9] [1]〜[8]のいずれかに記載の有機薄膜トランジスタの製造方法であって、
支持体上にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、
ゲート電極の上に絶縁膜を積層する絶縁膜積層工程と、
絶縁膜の上に有機半導体層を形成する有機半導体層形成工程と
有機半導体層の上にソース電極およびドレイン電極を形成するソースドレイン電極形成工程とを有し、
絶縁膜は、SiNHからなる無機層を含む有機薄膜トランジスタの製造方法。
[10] 絶縁膜積層工程は、
基板と、基板上に形成された無機層を含む転写層とを有する転写型積層フィルムをゲート電極の上に積層した後に、
転写層から基板を剥離することで、ゲート電極の上に絶縁膜を積層する[9]に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
以下の説明において、「厚み」とは、後述する支持体、ゲート電極、絶縁膜および有機半導体層等が並ぶ(積層される)方向(以下、厚み方向)における長さを意味する。
本発明の有機薄膜トランジスタは、
ゲート電極と、
ゲート電極を覆って形成される絶縁膜と、
絶縁膜上に形成される有機半導体層と、
有機半導体層上に形成されるソース電極、および、ドレイン電極を有し、
絶縁膜は、SiNHからなる無機膜を含む有機薄膜トランジスタである。
図1は、本発明の有機薄膜トランジスタの主面に垂直な方向の断面を模式的に示す断面図である。主面とは、シート状物(フィルム、板状物)の最大面である。
なお、以下の説明において、便宜的に支持体12側を下側、ソース電極26およびドレイン電極28側を上側として説明を行う。
SiNHからなる無機膜(以下、SiNH膜ともいう)22は、従来の有機薄膜トランジスタで絶縁膜として用いられているSiO(酸化ケイ素)膜、SiN(窒化ケイ素)膜等の無機膜と比較して柔軟性に優れている。また、SiNH膜は、柔軟性に優れており割れにくいためクラック等による絶縁性の低下も起きにくい。そのため、本発明の有機薄膜トランジスタは、絶縁膜として、SiNHからなる無機膜22を用いることで、絶縁膜を絶縁性に優れ、かつ、柔軟性に優れるものとすることができる。これによって、有機薄膜トランジスタとして屈曲性を高くすることができ、また、絶縁膜のピンホールおよび平面性等に起因するキャリア移動度の低下を抑制できる。
SiNH膜22中のHの比率が高いと膜の緻密さが低下するため屈曲性は高くなる。一方、Hの比率が高すぎると膜の緻密さが低くなりすぎて、絶縁性が低くなるおそれがある。これに対して、SiNとHとの原子数の比率SiN:Hを上記範囲とすることで、屈曲性と絶縁性を両立することができる。
具体的には、RBS/HFS法によって、SiNH膜22の厚さ方向の全域においてケイ素、水素、および、窒素の各原子の量(数)を検出して、原子数の比率を算出すればよい。
あるいは、XPS測定(X線光電子分光測定)により、SiNH膜22の表面におけるSi、N、Hの原子数を測定し、これからSiNとH原子の比率として算出することもできる。
例えば、図2に示す有機薄膜トランジスタ10bは、支持体12の表面に形成されたゲート電極20と、ゲート電極20を包含するように形成された有機層21と、有機層21の上に形成されたSiNH膜22と、SiNH膜22上に形成された有機半導体層24と、有機半導体層24上にそれぞれ離間して形成されるソース電極26およびドレイン電極28と、を有する。
同様に、接着層30は、SiNH膜22を含む転写層をゲート電極20上に貼合することができればよく、絶縁性は有していなくてもよい。
例えば、図4に示す有機薄膜トランジスタ10dは、絶縁膜として、SiNHからなる無機膜22と、第2の無機膜23とを有する。なお、有機薄膜トランジスタ10dは第2の無機膜23を有する以外は、図1に示す有機薄膜トランジスタ10aと同様の構成を有する。
なお、第2の無機膜23としてSiO2膜、および、SiN膜等のケイ素化合物膜を形成する場合には、SiNH膜22と第2の無機膜23とは明確な界面を有するように別の層として形成されていてもよいし、SiNH膜22の表層においてSiO2の割合が高くなるように、一つの層として形成されていてもよい。
<支持体>
支持体12は、各種の有機薄膜トランジスタにおいて支持体として利用される、公知のシート状物(フィルム、板状物)を用いることができる。
プラスチック材料としては、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエチレンテレフタレート(PET)などのポリエステルフィルム、シクロオレフィンポリマーフィルム、ポリカーボネートフィルム、トリアセチルセルロース(TAC)フィルム、ポリイミドフィルムが例示される。また、これらプラスチックフィルムをガラスに貼り合わせたものを用いることもできる。
ゲート電極20は、有機薄膜トランジスタのゲート電極として用いられている従来公知の電極を用いることができる。
ゲート電極を構成する導電性材料(電極材料ともいう)としては、特に限定されない。例えば、白金、金、銀、アルミニウム、クロム、ニッケル、銅、モリブデン、チタン、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ナトリウム、パラジウム、鉄、マンガン等の金属;InO2、SnO2、インジウム・錫酸化物(ITO)、フッ素ドープ酸化錫(FTO)、アルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)、ガリウムドープ酸化亜鉛(GZO)等の導電性金属酸化物;ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリスチレンスルホン酸(PEDOT/PSS)等の導電性高分子;塩酸、硫酸、スルホン酸等の酸、PF6、AsF5、FeCl3等のルイス酸、ヨウ素等のハロゲン原子、ナトリウム、カリウム等の金属原子等のドーパントを添加した上記導電性高分子、並びに、カーボンブラック、グラファイト粉、金属微粒子等を分散した導電性の複合材料等が挙げられる。これらの材料は、1種のみを用いても、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
また、ゲート電極は、上記導電性材料からなる1層でもよく、2層以上を積層してもよい。
塗布法では、上記材料の溶液、ペースト又は分散液を調製、塗布し、乾燥、焼成、光硬化又はエージング等により、膜を形成し、又は直接電極を形成できる。
また、インクジェット印刷、スクリーン印刷、(反転)オフセット印刷、凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、熱転写印刷、マイクロコンタクトプリンティング法等は、所望のパターニングが可能であり、工程の簡素化、コスト低減、高速化の点で好ましい。
スピンコート法、ダイコート法、マイクログラビアコート法、ディップコート法を採用する場合も、下記フォトリソグラフィー法等と組み合わせてパターニングすることができる。
他のパターニング方法として、上記材料に、レーザーや電子線等のエネルギー線を照射して、研磨し、又は材料の導電性を変化させる方法も挙げられる。
さらに、支持体以外の基板に印刷したゲート電極用組成物を転写させる方法も挙げられる。
ソース電極26は、有機薄膜トランジスタにおいて、配線を通じて外部から電流が流入する電極である。また、ドレイン電極28は、配線を通じて外部に電流を送り出す電極であり、通常、有機半導体層24に接して設けられる。
ソース電極及びドレイン電極の材料としては、従来の有機薄膜トランジスタに用いられている導電性材料を用いることができ、例えば、上記ゲート電極で説明した導電性材料等が挙げられる
特に、ソース電極及びドレイン電極はエッチング法でも好適に形成することができる。エッチング法は、導電性材料を成膜した後に不要部分をエッチングにより除去する方法である。エッチング法によりパターニングすると、レジスト除去時に下地に残った導電性材料の剥がれ、レジスト残渣や除去された導電性材料の下地への再付着を防止でき、電極エッジ部の形状に優れる。この点で、リフトオフ法よりも好ましい。
有機半導体層24は、半導体性を示し、キャリアを蓄積可能な層である。有機半導体層24は、有機半導体を含有する層であればよい。
有機半導体としては、特に限定されず、有機ポリマー及びその誘導体、低分子化合物等が挙げられる。
本発明において、低分子化合物は、有機ポリマー及びその誘導体以外の化合物を意味する。すなわち、繰り返し単位を有さない化合物をいう。低分子化合物は、このような化合物である限り、分子量は特に限定されるものではない。低分子化合物の分子量は、好ましくは300〜2000であり、さらに好ましくは400〜1000である。
SiNH膜22は、ゲート電極20と有機半導体層24との間に積層され、ゲート電極20と有機半導体層24とを絶縁する層である。
例えば、CCP(Capacitively Coupled Plasma)−CVDおよびICP(Inductively Coupled Plasm)−CVD等のプラズマCVD、原子層堆積法(ALD(Atomic Layer Deposition))、マグネトロンスパッタリングおよび反応性スパッタリング等のスパッタリング、ならびに、真空蒸着などの各種の気相成膜法が好適に挙げられる。
中でも、CCP−CVDおよびICP−CVD等のプラズマCVDは、好適に利用される。
第2の無機膜23は、無機化合物を含む薄膜である。第2の無機膜23は、絶縁性を発現する。また、第2の無機膜23を有することで、表面性状をSiNH膜とは異なるものとすることができ、有機半導体を形成する面に対して行われている従来公知の表面処理を行うことができる。
第2の無機膜23の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化インジウムスズ(ITO)などの金属酸化物; 窒化アルミニウムなどの金属窒化物; 炭化アルミニウムなどの金属炭化物; 酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素、酸炭化ケイ素、酸化窒化炭化ケイ素などのケイ素酸化物; 窒化ケイ素、窒化炭化ケイ素などのケイ素窒化物; 炭化ケイ素等のケイ素炭化物; これらの水素化物; これら2種以上の混合物; および、これらの水素含有物等、の無機化合物が挙げられる。また、これらの2種以上の混合物も、利用可能である。
第2の無機膜23の厚さは、50nm以下が好ましく、5〜50nmがより好ましく、10〜30nmがさらに好ましい。
第2の無機膜23の厚さを2nm以上とすることにより、十分な目的とする絶縁性および表面性状得られる点で好ましい。また、第2の無機膜23は、一般的に脆く、厚過ぎると、割れ、ヒビ、および、剥がれ等を生じる可能性が有り屈曲性が低下するが、第2の無機膜23の厚さを50nm以下とすることにより、割れが発生することを防止して屈曲性の低下を抑制できる。
例えば、CCP(Capacitively Coupled Plasma)−CVDおよびICP(Inductively Coupled Plasm)−CVD等のプラズマCVD、原子層堆積法(ALD(Atomic Layer Deposition))、マグネトロンスパッタリングおよび反応性スパッタリング等のスパッタリング、ならびに、真空蒸着などの各種の気相成膜法が好適に挙げられる。
中でも、CCP−CVDおよびICP−CVD等のプラズマCVDは、好適に利用される。
有機層21は、SiNH膜22を適正に形成するための下地層となる層である。
有機層21の表面に形成されるSiNH膜22は、好ましくは、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)によって形成される。そのため、SiNH膜22を形成する際に、有機層21がプラズマによってエッチングされて、有機層21とSiNH膜22との間には、有機層21の成分とSiNH膜22の成分とを有する、混合層のような層が形成される。その結果、有機層21とSiNH膜22とは、非常に強い密着力で密着される。
なお、有機層21の厚さとは、上述の混合層を含まない、有機層21の形成成分のみからなる層の厚さである。
上述のとおり、SiNH膜22をプラズマCVDによって形成する場合には、有機層21がプラズマによってエッチングされて、混合層が形成され、有機層21とSiNH膜22との密着力は、非常に高くなる。従って、有機層21とSiNH膜22との密着力は、基板32と有機層21との密着力よりも、遥かに強く、有機層21から基板32を剥離しても、有機層21とSiNH膜22とが剥離することは無い。
基板32を剥離可能にする有機層21にSiNH膜22を形成することにより、基板32が剥離可能な転写型積層フィルムを実現している。
上述のように、有機層21の表面に形成されるSiNH膜22は、好ましくは、プラズマCVDによって形成される。有機層21のTgを175℃以上とすることにより、SiNH膜22を形成する際における、プラズマによる有機層21のエッチングおよび揮発を好適に抑制して、適正な有機層21およびSiNH膜22を好適に形成できる等の点で好ましい。
有機層21のTgの上限には、制限はないが、500℃以下であるのが好ましい。
具体的には、有機層21を形成する樹脂は、分子量(重量平均分子量(Mw))が500以上であるのが好ましく、1000以上であるのがより好ましく、1500以上であるのがさらに好ましい。
以上の点に関しては、後述する接着層30も同様である。
有機層21は、例えば、熱可塑性樹脂および有機ケイ素化合物等を含有する。熱可塑性樹脂は、例えば、ポリエステル、(メタ)アクリル樹脂、メタクリル酸−マレイン酸共重合体、ポリスチレン、透明フッ素樹脂、ポリイミド、フッ素化ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、セルロースアシレート、ポリウレタン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、脂環式ポリオレフィン、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、フルオレン環変性ポリカーボネート、脂環変性ポリカーボネート、フルオレン環変性ポリエステル、および、アクリル化合物等が挙げられる。有機ケイ素化合物は、例えば、ポリシロキサンが挙げられる。
有機層21は、有機層21の屈折率を低くする観点から、好ましくは、(メタ)アクリレートのモノマー、オリゴマー等の重合体を主成分とする(メタ)アクリル樹脂を含む。有機層21は、屈折率を低くすることにより、透明性が高くなり、光透過性が向上する。
有機層21は、好ましくは、ビスフェノール構造を含む樹脂を主成分とする。有機層21は、より好ましくは、ポリアリレート(ポリアリレート樹脂(PAR))を主成分とする。周知のように、ポリアリレートとは、ビスフェノールAに代表されるビスフェノールなどの2価フェノールと、フタル酸(テレフタル酸、イソフタル酸)などの2塩基酸との重縮合体からなる芳香族ポリエステルである。
有機層21をビスフェノール構造を含む樹脂を主成分とすることにより、特に、有機層21をポリアリレートを主成分とすることにより、基板32と有機層21との密着力が適正で、かつ、容易に基板32を剥離可能とすることができる。また、適度な柔軟性を有するので基板32を剥離する際のSiNH膜22の損傷(割れおよびヒビ等)を防止できる、耐熱性が高いため適正なSiNH膜22を安定して形成できる、転写後の性能劣化を防止できる、有機薄膜トランジスタとしての伸縮性を高くすることができる等の点で好ましい。
なお、主成分とは、含有する成分のうち、最も含有質量比が大きい成分をいう。
有機層21の形成に利用可能な市販品の樹脂としては、ユニチカ株式会社製のユニファイナー(unifiner:登録商標)およびUポリマー(登録商標)、ならびに、三菱ガス化学株式会社製のネオプリム(登録商標)等が例示される。
例えば、有機層21は、有機層21となる樹脂(有機化合物)等を溶剤に溶解した組成物(樹脂組成物)を調製して、基板32に塗布し、組成物を乾燥させる、塗布法で形成できる。塗布法による有機層21の形成では、必要に応じて、さらに、乾燥した組成物に、紫外線を照射することにより、成物中の樹脂(有機化合物)を重合(架橋)させてもよい。
有機層21を形成するための組成物は、有機化合物に加え、好ましくは、有機溶剤、界面活性剤、および、シランカップリング剤などを含む。
以上の観点から、有機層21の厚みは、0.01μm〜1μmの範囲とするのが好ましく、0.03μm〜0.8μmの範囲とするのがより好ましく、0.05μm〜0.5μmの範囲とするのがさらに好ましい。
接着層30は、SiNH膜22を転写にてゲート電極20上に積層する場合に、SiNH膜22と有機層21とを有する転写層をゲート電極20上に貼り合わせるためのものである。接着層30は、SiNH膜22とゲート電極20および支持体12との間に、ゲート電極20を包埋するように形成される。
また、接着層30は、絶縁性を発現するSiNH膜22を保護する保護層としても作用する。
接着層30が常温で流動して接着性を発現する場合には、転写型積層フィルムの切断時および転写時に、上述した箔引きが生じやすく、絶縁性能の低下等を生じる。
また、流動して接着性を発現する温度が高すぎると、貼着対象への貼着時に必要な加熱温度が高くなってしまい、基板32、有機層21および貼着対象に熱ダメージを与えてしまう。
接着層30のTgを130℃以下とすることにより、熱流動性が得やすいため、加熱による接着性および転写性を向上して上述した箔引きを防止できる、低温で接着でき生産性を向上できる等の点で好ましい。
接着層30のTgの下限にも制限はないが、−150℃以上であるのが好ましい。
ホットメルト接着剤を用いる場合は、接着層30は、非晶性樹脂を主成分とするのが好ましく、アクリル樹脂を主成分とするのがより好ましく、単一のアクリレートモノマーを重合してなる樹脂(アクリルホモポリマー(ホモアクリルポリマー))を主成分とするのがさらに好ましい。
接着層30の主成分を非晶性樹脂、特にアクリル樹脂とすることにより、透明性が高いガスバリアフィルムが得られる等の点で好ましい。
さらに、接着層30の主成分をアクリルホモポリマーとすることにより、上述した利点に加え、熱による転写性を良好にできる、箔引きを防止できる、硬化した後の巻き取り時にブロッキングしにくい等の点で好ましい。また、接着層30をアクリルホモポリマーで形成することにより、上述した利点に加え、接着層30を、比較的、低い温度で流動して接着性を発現する層にできる。従って、積層フィルムに高い耐熱性を要求されない場合には、アクリルホモポリマーからなる接着層30は、好適に利用される。
具体的には、大成ファインケミカル株式会社製の0415BA(アクリルホモポリマー)および#7000シリーズ等が例示される。
接着層30に、これらの成分を添加することで、接着層30のTgを向上できる。従って、用途等に応じて、有機薄膜トランジスタに耐熱性が要求される場合には、これらの成分を添加した接着層30は、好適に例示される。
また、接着層30にスチレンアクリル共重合体と添加することで、接着層30の硬さを調節できるので、貼着対象との硬さのバランスを調節できる。接着層30にウレタンアクリル共重合体を添加することにより、SiNH膜22との密着性を向上できる。
一例として、スチレンアクリル共重合体としては、大成ファインケミカル株式会社製の#7000シリーズ等が例示される。
ウレタンアクリル共重合体としては、大成ファインケミカル株式会社製のアクリット(登録商標)8UAシリーズ等が例示される。
ガラス転移点調節用のアクリル樹脂としては、PMMA(例えば、三菱化学株式会社製のダイヤナール(登録商標)など)等が例示される。
以上の観点から、接着層の厚みは、20μm〜0.1μmの範囲とするのが好ましく、5μm〜0.3μmの範囲とするのがより好ましく、2μm〜0.5μmの範囲とするのがさらに好ましい。
本発明の有機薄膜トランジスタの製造方法は、
支持体上にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、
ゲート電極の上に絶縁膜を積層する絶縁膜積層工程と、
絶縁膜の上に有機半導体層を形成する有機半導体層形成工程と
有機半導体層の上にソース電極およびドレイン電極を形成するソースドレイン電極形成工程とを有し、
絶縁膜は、SiNHからなる無機層を含む有機薄膜トランジスタの製造方法である。
まず、図6に示すように、ゲート電極20の上に接着層30を形成する。
例えば、絶縁膜積層工程において、ゲート電極20上に直接、SiNH膜22を形成する構成としてもよい。あるいは、ゲート電極20上に有機層21を形成し、この有機層21上にSiNH膜22を形成する構成としてもよい。
<有機薄膜トランジスタの作製>
支持体12として、厚み0.1mmのPEN(帝人フィルムソリューション株式会社製)を用い、以下のようにして図1に示すような有機薄膜トランジスタを作製した。
ガラス基板上に、金を真空蒸着し、ゲート電極20を形成した。ゲート電極20は幅10mm、厚さ50nmとした。
CVD装置を用いて、ゲート電極20が形成された支持体12上に、SiNH膜を形成した。
CVD装置は、CCP−CVDによる成膜装置、基板を巻き掛けて搬送する対向電極となるドラム、樹脂層に積層された保護フィルムを剥離するガイドローラ、剥離した保護フィルムを巻き取る回収ロール、長尺な保護フィルムを巻回したロールの装填部、および、成膜済の無機層の表面に保護フィルムを積層するガイドローラ等を有する。なお、CVD装置は2つ以上の成膜ユニット(成膜装置)を有するものを用いた。
下記に示す有機半導体bを0.5wt%濃度で溶解したトルエン溶液を調製した。この溶液をSiNH膜22の上にスピンコート(500回転で20秒及び1000回転で20秒)し、乾燥後の層厚が150nmとなるように有機半導体層24を形成した。
有機半導体層24の上に金を真空蒸着し、ソース電極26およびドレイン電極28を形成した。ソース電極26およびドレイン電極28はそれぞれ、チャネル長30μm、厚さ50nmとし、チャネル幅は10mmとした。
以上により有機薄膜トランジスタを作製した。
SiNH膜22を形成する前に下記の工程によって有機層21を形成した以外は実施例1と同様にして図2に示すような有機薄膜トランジスタを作製した。
TMPTA(ダイセル・オルネクス株式会社製)および光重合開始剤(ランベルティ社製、ESACURE(登録商標) KTO46)を用意し、重量比率として95:5となるように秤量し、これらをメチルエチルケトンに溶解させ、固形分濃度15%の塗布液とした。この塗布液を、スピンコーターを用いて、ゲート電極20を形成した支持体12上に塗布し、50℃で3分間乾燥した。その後、紫外線を照射(積算照射量約600mJ/cm2)し後にUV硬化にて硬化させた。有機層21の厚みは0.5μmとなった。
その後、有機層21の上に実施例1と同様にしてSiNH膜22を形成した。
SiNH膜22を転写によって積層した以外は実施例1と同様にして図3に示すような有機薄膜トランジスタを作製した。
基板32としてPETフィルム(東洋紡株式会社製 A4100、厚み100μm、幅1000mm、長さ100m)を用い、未下塗り面に以下の手順で有機層21およびSiNH膜22を形成し、転写型積層フィルム40を作製した。
ポリアリレート(ユニチカ社製ユニファイナ―(登録商標)M−2000H)とシクロヘキサノンを用意し、重量比率として5:95となるように秤量し、常温で溶解させ、固形分濃度5%の塗布液とした。使用したポリアリレートのTgは275℃(カタログ値)である。
この塗布液を、ダイコーターを用いてRtoRにより上記基板32に塗布し、130℃の乾燥ゾーンを3分間通過させた。最初の膜面タッチロールに触れる前に、PE(ポリエチレン)の保護フィルムを貼合し、後に巻き取った。基板32上に形成された有機層21の厚さは、0.5μmであった。
ドラムに基板を巻きかけて成膜を行う、RtoRの一般的なCVD装置を用いて、有機層21の表面にSiNH膜22を形成した。
CVD装置は、CCP−CVDによる成膜装置、基板を巻き掛けて搬送する対向電極となるドラム、樹脂層に積層された保護フィルムを剥離するガイドローラ、剥離した保護フィルムを巻き取る回収ロール、長尺な保護フィルムを巻回したロールの装填部、および、成膜済の無機層の表面に保護フィルムを積層するガイドローラ等を有する。なお、CVD装置は2つ以上の成膜ユニット(成膜装置)を有するものを用いた。
また、SiN:Hは、1:1.2であった。
上記で作製した転写型積層フィルム40から基板32を剥離して、SiNH膜22および有機層21をゲート電極20上に、有機層21をゲート電極側にして接着剤を用いて貼合した。
SiNH膜22を形成する際の条件を以下のように変更した以外は、実施例1と同様にして有機薄膜トランジスタを作製した。
SiNH膜22の膜厚は20nmであった。また、SiNH膜22中のSiNとHとの原子数の比率SiN:Hは、1:0.75であった。
SiNH膜22を形成する際の条件を以下のように変更した以外は、実施例1と同様にして有機薄膜トランジスタを作製した。
SiNH膜22の膜厚は20nmであった。また、SiNH膜22中のSiNとHとの原子数の比率SiN:Hは、1:1.8であった。
SiNH膜22を形成する際の条件を以下のように変更した以外は、実施例1と同様にして有機薄膜トランジスタを作製した。
SiNH膜22の膜厚は9nmであった。また、SiN:Hは、1:1.2であった。
SiNH膜22の上にSiO2膜23を有する構成とした以外は、実施例1と同様にして有機薄膜トランジスタを作製した。
第3成膜ユニットにおける原料ガスの供給量は、シランガス150sccm、アンモニアガス300sccmおよび水素ガス0sccmとした。第3成膜ユニットにおいて、プラズマ励起電力は2.5kW、プラズマ励起電力の周波数は13.56MHzとした。大気に暴露して表面を酸化させ、SiO2膜を得た。
SiO2膜23の膜厚は2nmであった。
絶縁膜として、SiN膜を形成した以外は実施例1と同様にして有機薄膜トランジスタを作製した。
ドラムに基板を巻きかけて成膜を行う、RtoRの一般的なCVD装置を用いて、有機層21の表面にSiN膜を形成した。
<キャリア移動度>
上記で作製した各実施例および比較例の有機薄膜トランジスタについて、キャリア移動度を下記方法により評価した。
ソース電極−ドレイン電極間に−40Vの電圧を印加し、ゲート電圧を40V〜−40Vの範囲で変化させ、ドレイン電流Idを表わす下記式を用いてキャリア移動度μを算出した。
Id=(w/2L)μCi(Vg−Vth)2
(式中、Lはゲート長、wはゲート幅、Ciは絶縁層の単位面積当たりの容量、Vgはゲート電圧、Vthは閾値電圧)
各実施例および比較例の有機薄膜トランジスタを、φ8mmで10万回外曲げした後に、先と同様に、キャリア移動度(表1中、「移動度」)を測定し、曲げ試験前のキャリア移動度に対する比率を算出した。
結果を、下記の表に示す。
また、実施例1と実施例2との対比から、無機膜の下地層となる有機層を有するのが好ましいことがわかる。
また、実施例2と実施例3との対比から、無機膜を転写によって積層するのが好ましいことがわかる。
また、実施例1、実施例4、および実施例5の対比から、SiNとHとの原子数の比率SiN:Hは、1:0.9〜1.5であるのがより好ましいことがわかる。
また、実施例1と実施例6との対比から無機膜の厚みは、10nm以上であるのが好ましいことがわかる。
また、実施例1と実施例7との対比から、第2の無機膜を有するのが好ましいことがわかる。
以上の結果より、本発明の効果は明らかである。
12 支持体
18 トランジスタ素子
20 ゲート電極
21 有機層
22 SiNH膜(無機膜、絶縁膜)
23 第2の無機膜(SiO2膜)
24 有機半導体層
26 ソース電極
28 ドレイン電極
30 樹脂層
32 基板
40 転写型積層フィルム
Claims (10)
- ゲート電極と、
前記ゲート電極を覆って形成される絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成される有機半導体層と、
前記有機半導体層上に形成されるソース電極、および、ドレイン電極を有し、
前記絶縁膜は、SiNHからなる無機膜を含む有機薄膜トランジスタ。 - 前記無機膜中のSiNとHとの原子数の比率SiN:Hが、1:0.7〜2である請求項1に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記無機膜の厚みが1nm〜100nmである請求項1または2に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記無機膜の前記ゲート電極側に有機層を有する請求項1〜3のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記有機層の厚みが0.01μm〜1μmである請求項4に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記有機層のガラス転移温度が200℃以上である請求項4または5に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記無機膜の前記有機半導体層側の表面にSiO2をからなる第2の無機膜を有する請求項1〜6のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記ゲート電極、前記絶縁膜、前記有機半導体層、前記ソース電極、および、前記ドレイン電極を支持する支持体を有する請求項1〜7のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 請求項1〜8のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法であって、
支持体上にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、
前記ゲート電極の上に絶縁膜を積層する絶縁膜積層工程と、
前記絶縁膜の上に有機半導体層を形成する有機半導体層形成工程と
前記有機半導体層の上にソース電極およびドレイン電極を形成するソースドレイン電極形成工程とを有し、
前記絶縁膜は、SiNHからなる無機層を含む有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記絶縁膜積層工程は、
基板と、基板上に形成された前記無機層を含む転写層とを有する転写型積層フィルムを前記ゲート電極の上に積層した後に、
前記転写層から前記基板を剥離することで、前記ゲート電極の上に前記絶縁膜を積層する請求項9に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018164317 | 2018-09-03 | ||
JP2018164317 | 2018-09-03 | ||
PCT/JP2019/031628 WO2020049956A1 (ja) | 2018-09-03 | 2019-08-09 | 有機薄膜トランジスタ、および、有機薄膜トランジスタの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020049956A1 true JPWO2020049956A1 (ja) | 2021-08-12 |
JP7083396B2 JP7083396B2 (ja) | 2022-06-10 |
Family
ID=69722458
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020541090A Active JP7083396B2 (ja) | 2018-09-03 | 2019-08-09 | 有機薄膜トランジスタ、および、有機薄膜トランジスタの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210184142A1 (ja) |
EP (1) | EP3848977A4 (ja) |
JP (1) | JP7083396B2 (ja) |
WO (1) | WO2020049956A1 (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005311365A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Applied Materials Inc | 膜形成先駆物質の制御による窒化シリコン膜の特性及び均一性の制御 |
JP2006013480A (ja) * | 2004-05-28 | 2006-01-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜トランジスタ、表示装置及びそれらの作製方法、並びにテレビジョン装置 |
JP2006093667A (ja) * | 2004-08-23 | 2006-04-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2007027525A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法、および半導体装置、ならびに絶縁膜の形成方法 |
JP2007324515A (ja) * | 2006-06-05 | 2007-12-13 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2013084725A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体素子 |
JP2017171736A (ja) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | 日産化学工業株式会社 | 熱伝導性樹脂膜の製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102683593B (zh) * | 2012-03-29 | 2015-02-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机薄膜晶体管阵列基板的制作方法 |
JP6255652B2 (ja) | 2014-03-07 | 2018-01-10 | 富士フイルム株式会社 | 有機薄膜トランジスタ |
JP2015177099A (ja) | 2014-03-17 | 2015-10-05 | ソニー株式会社 | トランジスタおよび表示装置 |
JP6246150B2 (ja) | 2014-03-26 | 2017-12-13 | 富士フイルム株式会社 | 非発光性有機半導体デバイス用塗布液、有機トランジスタ、化合物、非発光性有機半導体デバイス用有機半導体材料、有機トランジスタ用材料、有機トランジスタの製造方法および有機半導体膜の製造方法の提供 |
JP2016058682A (ja) * | 2014-09-12 | 2016-04-21 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
CN109478595B (zh) | 2016-06-27 | 2023-02-07 | 富士胶片株式会社 | 有机薄膜晶体管、有机半导体膜、化合物、有机薄膜晶体管用组合物及有机薄膜晶体管的制造方法 |
-
2019
- 2019-08-09 JP JP2020541090A patent/JP7083396B2/ja active Active
- 2019-08-09 EP EP19858491.4A patent/EP3848977A4/en active Pending
- 2019-08-09 WO PCT/JP2019/031628 patent/WO2020049956A1/ja unknown
-
2021
- 2021-02-26 US US17/186,275 patent/US20210184142A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005311365A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Applied Materials Inc | 膜形成先駆物質の制御による窒化シリコン膜の特性及び均一性の制御 |
JP2006013480A (ja) * | 2004-05-28 | 2006-01-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜トランジスタ、表示装置及びそれらの作製方法、並びにテレビジョン装置 |
JP2006093667A (ja) * | 2004-08-23 | 2006-04-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP2007027525A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法、および半導体装置、ならびに絶縁膜の形成方法 |
JP2007324515A (ja) * | 2006-06-05 | 2007-12-13 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2013084725A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体素子 |
JP2017171736A (ja) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | 日産化学工業株式会社 | 熱伝導性樹脂膜の製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
MICHAEL C. HAMILTON ET AL.: "Field-Effect Mobility of Organic Polymer Thin-Film Transistors", CHEMISTRY OF MATERIALS, vol. Volume 16, Issue 23, JPN6022014012, 26 October 2004 (2004-10-26), US, pages 4699 - 4704, ISSN: 0004748903 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210184142A1 (en) | 2021-06-17 |
EP3848977A1 (en) | 2021-07-14 |
EP3848977A4 (en) | 2021-11-03 |
JP7083396B2 (ja) | 2022-06-10 |
WO2020049956A1 (ja) | 2020-03-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5691175B2 (ja) | ガスバリアフィルムの製造方法、ガスバリアフィルム及び有機光電変換素子 | |
EP2567421B1 (en) | METHOD OF MANUFACTURE of COMPOSITE ELECTRODE | |
CN107405880A (zh) | 透明导电层叠层用膜、其制造方法及透明导电膜 | |
JPWO2011074440A1 (ja) | ガスバリアフィルム、ガスバリアフィルムの製造方法及び有機光電変換素子 | |
CN103154172A (zh) | 粘着片以及电子设备 | |
CN104284776A (zh) | 气体阻隔性膜、气体阻隔性膜的制造方法及电子设备 | |
TW201209849A (en) | Zinc oxide-based conductive multilayer structure, process for producing same, and electronic device | |
TWI757255B (zh) | 透明導電層層合用薄膜、該製造方法及透明導電性薄膜 | |
JP5712509B2 (ja) | バリアフィルムの製造方法 | |
TW201815584A (zh) | 氣體阻擋膜及太陽電池以及氣體阻擋膜的製造方法 | |
JP5989002B2 (ja) | ガスバリア性フィルムの製造方法、およびガスバリア性フィルムを備える電子部材又は光学部材 | |
JP5516582B2 (ja) | バリアフィルム、有機光電変換素子及びバリアフィルムの製造方法 | |
JP7083396B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタ、および、有機薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP5640976B2 (ja) | ガスバリアフィルムとその製造方法、これを用いた光電変換素子 | |
JP2013016670A (ja) | 透明導電フィルムおよびその製造方法並びに有機薄膜太陽電池 | |
JP6603811B2 (ja) | ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムの製造方法 | |
JP4302875B2 (ja) | 離形フィルム | |
JP7112505B2 (ja) | 電子デバイス積層体の製造方法、および、電子デバイス積層体 | |
JP7158485B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタ、および、有機薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP2012116960A (ja) | ガスバリア性フィルム、その製造方法及び有機電子デバイス | |
WO2021132030A1 (ja) | 光学用積層体 | |
JP6802842B2 (ja) | 透明電極の製造方法 | |
JP2004058049A (ja) | 膜形成方法 | |
TW201840261A (zh) | 透明導電性積層體以及其製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220412 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220510 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220524 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220531 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7083396 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |