JPWO2020039978A1 - 基準電圧回路、及び、電子機器 - Google Patents
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- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 101000806846 Homo sapiens DNA-(apurinic or apyrimidinic site) endonuclease Proteins 0.000 description 1
- 101000835083 Homo sapiens Tissue factor pathway inhibitor 2 Proteins 0.000 description 1
- 102100026134 Tissue factor pathway inhibitor 2 Human genes 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000003306 harvesting Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
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- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
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- G05F3/02—Regulating voltage or current
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- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/24—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only
- G05F3/242—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only with compensation for device parameters, e.g. channel width modulation, threshold voltage, processing, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
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Abstract
Description
温度係数が正の電圧を生成するPTAT電圧生成回路と、
温度係数が負の電圧を生成するCTAT電圧生成回路と、
温度特性を調整するための電圧を生成する温度特性調整回路と、
を備えており、
PTAT電圧生成回路の出力と、CTAT電圧生成回路の出力と、温度特性調整回路の出力とから算出されて成る基準電圧を出力する、
基準電圧回路である。
温度係数が正の電圧を生成するPTAT電圧生成回路と、
温度係数が負の電圧を生成するCTAT電圧生成回路と、
温度特性を調整するための電圧を生成する温度特性調整回路と、
を含んでおり、
PTAT電圧生成回路の出力と、CTAT電圧生成回路の出力と、温度特性調整回路の出力とから算出されて成る基準電圧を出力する、
基準電圧回路を備えた電子機器である。
1.本開示に係る、基準電圧回路、及び、電子機器、全般に関する説明
2.第1の実施形態
3.その他
本開示に係る基準電圧回路、あるいは又、本開示に係る電子機器に用いられる基準電圧回路(以下、これらを単に「本開示の基準電圧回路」と呼ぶ場合がある)において、温度特性調整回路は、入力側と出力側との電圧差が一対のMOSFETのゲート電圧差となるように構成されており、入力側に配置される一方のMOSFETと、出力側に配置される他方のMOSFEとにおけるドレイン電流の電流密度比が調整可能に構成されている態様とすることができる。
第1の実施形態は、本開示に係る基準電圧回路に関する。
温度係数が正の電圧を生成するPTAT電圧生成回路20と、
温度係数が負の電圧を生成するCTAT電圧生成回路10と、
温度特性を調整するための電圧を生成する温度特性調整回路30と、
を含んでいる。
温度係数が正の電圧を生成するPTAT電圧生成回路と、
温度係数が負の電圧を生成するCTAT電圧生成回路と、
温度特性を調整するための電圧を生成する温度特性調整回路と、
を含んでおり、
PTAT電圧生成回路の出力と、CTAT電圧生成回路の出力と、温度特性調整回路の出力とから算出されて成る基準電圧を出力する、
基準電圧回路。
[A2]
温度特性調整回路は、入力側と出力側との電圧差が一対のMOSFETのゲート電圧差となるように構成されており、
入力側に配置される一方のMOSFETと、出力側に配置される他方のMOSFETとにおけるドレイン電流の電流密度比が調整可能に構成されている、
上記[A1]に記載の基準電圧回路。
[A3]
一方のMOSFETとして選択可能な複数のMOSFET、及び/又は、他方のMOSFETとして選択可能な複数のMOSFETが配置されている、
上記[A2]に記載の基準電圧回路。
[A4]
複数のMOSFETは並列に配置されている、
上記[A3]に記載の基準電圧回路。
[A5]
W/L比が同じMOSFETが複数配置されている、
上記[A4]に記載の基準電圧回路。
[A6]
W/L比が異なるMOSFETが複数配置されている、
上記[A5]に記載の基準電圧回路。
[A7]
複数のMOSFETは直列に配置されている、
上記[A4]に記載の基準電圧回路。
[A8]
W/L比が同じMOSFETが複数配置されている、
上記[A7]に記載の基準電圧回路。
[A9]
W/L比が異なるMOSFETが複数配置されている、
上記[A7]に記載の基準電圧回路。
[A10]
温度特性調整回路のMOSFETはサブスレッショルド領域で動作する、
上記[A2]ないし[A9]に記載の基準電圧回路。
[A11]
温度特性調整回路は、一対のMOSFETのそれぞれにドレイン電流を流すためのカレントミラー回路を含んでおり、
カレントミラー回路はミラー比が調整可能に構成されている、
上記[A2]に記載の基準電圧回路。
[A12]
カレントミラー回路には、ミラー電流を流すMOSFETとして選択可能な複数のMOSFETが配置されている、
上記[A11]に記載の基準電圧回路。
[A13]
PTAT電圧生成回路は、ペアとなる2つのMOSFETのゲート電圧差を取り出す構造が多段接続されて構成されている、
上記[A1]ないし[A12]のいずれかに記載の基準電圧回路。
[A14]
PTAT電圧生成回路のMOSFETはサブスレッショルド領域で動作する、
上記[A13]に記載の基準電圧回路。
[A15]
CTAT電圧生成回路は、バイポーラトランジスタのベース−エミッタ間電圧を出力するように構成されている、
上記[A1]ないし[A14]のいずれかに記載の基準電圧回路。
温度係数が正の電圧を生成するPTAT電圧生成回路と、
温度係数が負の電圧を生成するCTAT電圧生成回路と、
温度特性を調整するための電圧を生成する温度特性調整回路と、
を含んでおり、
PTAT電圧生成回路の出力と、CTAT電圧生成回路の出力と、温度特性調整回路の出力とから算出されて成る基準電圧を出力する、
基準電圧回路を備えた電子機器。
[B2]
温度特性調整回路は、入力側と出力側との電圧差が一対のMOSFETのゲート電圧差となるように構成されており、
入力側に配置される一方のMOSFETと、出力側に配置される他方のMOSFETとにおけるドレイン電流の電流密度比が調整可能に構成されている、
上記[B1]に記載の電子機器。
[B3]
一方のMOSFETとして選択可能な複数のMOSFET、及び/又は、他方のMOSFETとして選択可能な複数のMOSFETが配置されている、
上記[B2]に記載の電子機器。
[B4]
複数のMOSFETは並列に配置されている、
上記[B3]に記載の電子機器。
[B5]
W/L比が同じMOSFETが複数配置されている、
上記[B4]に記載の電子機器。
[B6]
W/L比が異なるMOSFETが複数配置されている、
上記[B5]に記載の電子機器。
[B7]
複数のMOSFETは直列に配置されている、
上記[B4]に記載の電子機器。
[B8]
W/L比が同じMOSFETが複数配置されている、
上記[B7]に記載の電子機器。
[B9]
W/L比が異なるMOSFETが複数配置されている、
上記[B7]に記載の電子機器。
[B10]
温度特性調整回路のMOSFETはサブスレッショルド領域で動作する、
上記[B2]ないし[B9]に記載の電子機器。
[B11]
温度特性調整回路は、一対のMOSFETのそれぞれにドレイン電流を流すためのカレントミラー回路を含んでおり、
カレントミラー回路はミラー比が調整可能に構成されている、
上記[B2]に記載の電子機器。
[B12]
カレントミラー回路には、ミラー電流を流すMOSFETとして選択可能な複数のMOSFETが配置されている、
上記[B11]に記載の電子機器。
[B13]
PTAT電圧生成回路は、ペアとなる2つのMOSFETのゲート電圧差を取り出す構造が多段接続されて構成されている、
上記[B1]ないし[B12]のいずれかに記載の電子機器。
[B14]
PTAT電圧生成回路のMOSFETはサブスレッショルド領域で動作する、
上記[B13]に記載の電子機器。
[B15]
CTAT電圧生成回路は、バイポーラトランジスタのベース−エミッタ間電圧を出力するように構成されている、
上記[B1]ないし[B14]のいずれかに記載の電子機器。
Claims (16)
- 温度係数が正の電圧を生成するPTAT電圧生成回路と、
温度係数が負の電圧を生成するCTAT電圧生成回路と、
温度特性を調整するための電圧を生成する温度特性調整回路と、
を含んでおり、
PTAT電圧生成回路の出力と、CTAT電圧生成回路の出力と、温度特性調整回路の出力とから算出されて成る基準電圧を出力する、
基準電圧回路。 - 温度特性調整回路は、入力側と出力側との電圧差が一対のMOSFETのゲート電圧差となるように構成されており、
入力側に配置される一方のMOSFETと、出力側に配置される他方のMOSFETとにおけるドレイン電流の電流密度比が調整可能に構成されている、
請求項1に記載の基準電圧回路。 - 一方のMOSFETとして選択可能な複数のMOSFET、及び/又は、他方のMOSFETとして選択可能な複数のMOSFETが配置されている、
請求項2に記載の基準電圧回路。 - 複数のMOSFETは並列に配置されている、
請求項3に記載の基準電圧回路。 - W/L比が同じMOSFETが複数配置されている、
請求項4に記載の基準電圧回路。 - W/L比が異なるMOSFETが複数配置されている、
請求項4に記載の基準電圧回路。 - 複数のMOSFETは直列に配置されている、
請求項3に記載の基準電圧回路。 - W/L比が同じMOSFETが複数配置されている、
請求項7に記載の基準電圧回路。 - W/L比が異なるMOSFETが複数配置されている、
請求項7に記載の基準電圧回路。 - 温度特性調整回路のMOSFETはサブスレッショルド領域で動作する、
請求項3に記載の基準電圧回路。 - 温度特性調整回路は、一対のMOSFETのそれぞれにドレイン電流を流すためのカレントミラー回路を含んでおり、
カレントミラー回路はミラー比が調整可能に構成されている、
請求項2に記載の基準電圧回路。 - カレントミラー回路には、ミラー電流を流すMOSFETとして選択可能な複数のMOSFETが配置されている、
請求項11に記載の基準電圧回路。 - PTAT電圧生成回路は、ペアとなる2つのMOSFETのゲート電圧差を取り出す構造が多段接続されて構成されている、
請求項1に記載の基準電圧回路。 - PTAT電圧生成回路のMOSFETはサブスレッショルド領域で動作する、
請求項13に記載の基準電圧回路。 - CTAT電圧生成回路は、バイポーラトランジスタのベース−エミッタ間電圧を出力するように構成されている、
請求項1に記載の基準電圧回路。 - 温度係数が正の電圧を生成するPTAT電圧生成回路と、
温度係数が負の電圧を生成するCTAT電圧生成回路と、
温度特性を調整するための電圧を生成する温度特性調整回路と、
を含んでおり、
PTAT電圧生成回路の出力と、CTAT電圧生成回路の出力と、温度特性調整回路の出力とから算出されて成る基準電圧を出力する、
基準電圧回路を備えた電子機器。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018157158 | 2018-08-24 | ||
JP2018157158 | 2018-08-24 | ||
PCT/JP2019/031619 WO2020039978A1 (ja) | 2018-08-24 | 2019-08-09 | 基準電圧回路、及び、電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020039978A1 true JPWO2020039978A1 (ja) | 2021-08-12 |
JP7296391B2 JP7296391B2 (ja) | 2023-06-22 |
Family
ID=69593211
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020538319A Active JP7296391B2 (ja) | 2018-08-24 | 2019-08-09 | 基準電圧回路、及び、電子機器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11662754B2 (ja) |
JP (1) | JP7296391B2 (ja) |
CN (1) | CN112585558B (ja) |
DE (1) | DE112019004245T5 (ja) |
WO (1) | WO2020039978A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111625043B (zh) * | 2020-06-29 | 2022-06-24 | 启攀微电子(上海)有限公司 | 一种可修调的超低功耗全cmos参考电压电流产生电路 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US10228715B2 (en) * | 2017-07-20 | 2019-03-12 | Intrinsix Corp. | Self-starting bandgap reference devices and methods thereof |
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-
2019
- 2019-08-09 DE DE112019004245.9T patent/DE112019004245T5/de not_active Withdrawn
- 2019-08-09 US US17/262,096 patent/US11662754B2/en active Active
- 2019-08-09 WO PCT/JP2019/031619 patent/WO2020039978A1/ja active Application Filing
- 2019-08-09 JP JP2020538319A patent/JP7296391B2/ja active Active
- 2019-08-09 CN CN201980053900.3A patent/CN112585558B/zh active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11662754B2 (en) | 2023-05-30 |
JP7296391B2 (ja) | 2023-06-22 |
WO2020039978A1 (ja) | 2020-02-27 |
CN112585558A (zh) | 2021-03-30 |
DE112019004245T5 (de) | 2021-05-12 |
CN112585558B (zh) | 2022-10-21 |
US20210294366A1 (en) | 2021-09-23 |
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Date | Code | Title | Description |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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A621 | Written request for application examination |
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