JPWO2019202431A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JPWO2019202431A5
JPWO2019202431A5 JP2020514792A JP2020514792A JPWO2019202431A5 JP WO2019202431 A5 JPWO2019202431 A5 JP WO2019202431A5 JP 2020514792 A JP2020514792 A JP 2020514792A JP 2020514792 A JP2020514792 A JP 2020514792A JP WO2019202431 A5 JPWO2019202431 A5 JP WO2019202431A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrically connected
gate
drain
source
transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020514792A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2019202431A1 (ja
JP7359754B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/IB2019/052859 external-priority patent/WO2019202431A1/ja
Publication of JPWO2019202431A1 publication Critical patent/JPWO2019202431A1/ja
Publication of JPWO2019202431A5 publication Critical patent/JPWO2019202431A5/ja
Priority to JP2023166806A priority Critical patent/JP7570483B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7359754B2 publication Critical patent/JP7359754B2/ja
Priority to JP2024176548A priority patent/JP7747846B2/ja
Priority to JP2025154638A priority patent/JP2025186405A/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2020514792A 2018-04-20 2019-04-08 半導体装置 Active JP7359754B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023166806A JP7570483B2 (ja) 2018-04-20 2023-09-28 半導体装置
JP2024176548A JP7747846B2 (ja) 2018-04-20 2024-10-08 半導体装置
JP2025154638A JP2025186405A (ja) 2018-04-20 2025-09-18 半導体装置

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018081075 2018-04-20
JP2018081075 2018-04-20
JP2018085916 2018-04-27
JP2018085916 2018-04-27
PCT/IB2019/052859 WO2019202431A1 (ja) 2018-04-20 2019-04-08 半導体装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023166806A Division JP7570483B2 (ja) 2018-04-20 2023-09-28 半導体装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JPWO2019202431A1 JPWO2019202431A1 (ja) 2021-05-20
JPWO2019202431A5 true JPWO2019202431A5 (https=) 2022-03-30
JP7359754B2 JP7359754B2 (ja) 2023-10-11

Family

ID=68238806

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020514792A Active JP7359754B2 (ja) 2018-04-20 2019-04-08 半導体装置
JP2023166806A Active JP7570483B2 (ja) 2018-04-20 2023-09-28 半導体装置
JP2024176548A Active JP7747846B2 (ja) 2018-04-20 2024-10-08 半導体装置
JP2025154638A Pending JP2025186405A (ja) 2018-04-20 2025-09-18 半導体装置

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023166806A Active JP7570483B2 (ja) 2018-04-20 2023-09-28 半導体装置
JP2024176548A Active JP7747846B2 (ja) 2018-04-20 2024-10-08 半導体装置
JP2025154638A Pending JP2025186405A (ja) 2018-04-20 2025-09-18 半導体装置

Country Status (5)

Country Link
US (3) US11935899B2 (https=)
JP (4) JP7359754B2 (https=)
KR (2) KR102658082B1 (https=)
CN (2) CN111989865B (https=)
WO (1) WO2019202431A1 (https=)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020128713A1 (ja) 2018-12-20 2020-06-25 株式会社半導体エネルギー研究所 単極性トランジスタを用いて構成された論理回路、および、半導体装置
WO2020201860A1 (ja) 2019-03-29 2020-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 単極性トランジスタを用いて構成された論理回路、および、半導体装置
CN115053344A (zh) * 2020-03-13 2022-09-13 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及电子设备
US11616054B2 (en) * 2020-05-08 2023-03-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Gate structure for semiconductor devices

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4647798A (en) * 1985-04-15 1987-03-03 Ncr Corporation Negative input voltage CMOS circuit
DE19622646B4 (de) 1995-06-06 2005-03-03 Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung
JP3195203B2 (ja) * 1995-06-06 2001-08-06 株式会社東芝 半導体集積回路
JP3547906B2 (ja) * 1996-06-18 2004-07-28 株式会社東芝 半導体集積回路装置
JP3400294B2 (ja) * 1997-04-25 2003-04-28 富士通株式会社 プル・アップ回路及び半導体装置
JP2001036388A (ja) * 1999-07-16 2001-02-09 Sharp Corp レベルシフト回路および半導体装置
JP3865689B2 (ja) * 2002-01-15 2007-01-10 松下電器産業株式会社 レベルシフト回路
JP3800520B2 (ja) * 2002-02-22 2006-07-26 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置と半導体装置
JP2004354970A (ja) 2003-05-02 2004-12-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体回路装置
US6960953B2 (en) 2003-05-02 2005-11-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor circuit device
KR101711236B1 (ko) 2009-10-09 2017-02-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011155295A1 (en) 2010-06-10 2011-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Dc/dc converter, power supply circuit, and semiconductor device
US9024317B2 (en) 2010-12-24 2015-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor circuit, method for driving the same, storage device, register circuit, display device, and electronic device
TWI557739B (zh) * 2011-05-20 2016-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體積體電路
JP6099336B2 (ja) 2011-09-14 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP5832399B2 (ja) 2011-09-16 2015-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
TWI727778B (zh) 2014-02-21 2021-05-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及電子裝置
JP2015177347A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 株式会社東芝 レベルシフト回路
US10032921B2 (en) * 2015-07-31 2018-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display module, and electronic device
JP6906978B2 (ja) * 2016-02-25 2021-07-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、半導体ウェハ、および電子機器
JP7337561B2 (ja) * 2019-06-25 2023-09-04 ローム株式会社 アナログスイッチ回路、ボリウム回路、半導体集積回路
JP7578594B2 (ja) * 2019-07-05 2024-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、蓄電装置および半導体装置の動作方法
CN115053344A (zh) * 2020-03-13 2022-09-13 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及电子设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPWO2019202431A5 (https=)
JP2026004368A5 (https=)
JP2025108692A5 (https=)
JP2023126680A5 (ja) 半導体装置
JP2016219845A5 (https=)
JP2022051730A5 (https=)
JP2013211839A5 (https=)
JP2018173647A5 (ja) 半導体装置及び電子機器
JP2015179838A5 (https=)
JP2018022185A5 (ja) 半導体装置
JP2017225100A5 (https=)
JP2017174489A5 (ja) 半導体装置
JP2012257215A5 (https=)
JP2014241589A5 (https=)
JP2011120222A5 (https=)
TW200419813A (en) Semiconductor device and the manufacturing method of the same (II)
JP2011101351A5 (ja) 半導体装置
JP2015188209A5 (https=)
JP2015156640A5 (ja) 情報処理装置
JP2026012358A5 (ja) 半導体装置
JP2015181228A5 (ja) 電圧制御発振器
JP2011124560A5 (https=)
JPWO2020128713A5 (ja) 半導体装置
JP2015215937A5 (ja) 半導体装置
JPWO2021038349A5 (https=)